JP5897081B2 - 複数のウェハを同時に処理するためのリアクタ - Google Patents
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Description
白熱ランプによって加熱される従来技術のエピタキシャルリアクタの1つの不利点は、ランプに関連する消耗品コストである。通常、ウェハをより効率的に加熱する高赤外線放射を行うという理由から、高価なタングステンハロゲンランプが使用される。タングステンハロゲンランプは、ハロゲンガスを含有するシールド管内にコイル状のタングステンフィラメントを含む。ランプの冷却が不十分であれば、ランプの寿命が大幅に低下し、ウェハ製造プロセスのための追加の変動コストを生む可能性がある。従って、ランプ寿命を延ばすことによりPVセルウェハ当たりのランプ償却コストを削減するランプ冷却レベルを提供することが望ましいと思われる。従って、本発明の1つの態様は、ランプの寿命の延長を可能にするランプモジュールを提供する。
従来技術のエピタキシャル堆積システムの別の不利点は、プロセスガスの非効率的な使用に起因する高い消耗品コストである。従って、エピタキシャルリアクタでは、プロセスガスの使用を、所与の膜厚を堆積させるのに必要なプロセスガスの量を減らすように改善することが望ましいと思われる。従来技術のエピタキシャル堆積システムのさらに別の不利点は、プロセスガスを充填しなければならないプロセスチャンバの容量が大きい点である。この結果、ガス流要件が高くなり、プロセスガスの利用率が低くなる。多くの場合、プロセスチャンバの内面は、ウェハを加熱するためにランプ又は誘導コイルによって加熱され、この結果チャンバ壁上に望ましくない堆積が生じる。従って、反応チャンバの内面を、反応温度に加熱されているウェハよりも低い温度に維持して、プロセスガスを供給しなければならないリアクタ領域の容積を最小限に抑えることが望ましいと思われる。
従来技術のエピタキシャル堆積システムの不利点は、膜厚及び抵抗率の所望の均一性を実現するために、リアクタチャンバ内でウェハサセプタ又はウェハキャリアを回転運動させる必要がある点である。当業で周知のように、高温の反応ガスを含むチャンバ内では、機械的運動がいくつかの設計上及び動作上の困難を生じる場合がある。従って、エピタキシャルリアクタでは、処理中にウェハの回転又はその他の種類の動きを必要とせずに所望のプロセス膜均一性を達成することが望ましいと思われる。
図10を参照しながら上述したように、リアクタチャンバ1001内には、ウェハスリーブ900内部へのプロセスガスの均等な分配を促すとともにリアクタチャンバ1001からのガスを除去するために2つのプロセスプレナム1080、1081が取り付けられる。図13は、上部プレナム1080及びウェハスリーブ900の上部の概略断面図である。下部プロセスプレナム1081も同様又は同一とすることができるが、通常は図13に示す上部プロセスプレナム1080とは逆の構成で取り付けられる。以下の説明は上部プロセスプレナム1080に関するものであるが、下部プロセスプレナム1081にも等しく適用することができる。プロセスガス管路1015(図10を参照)が、接続管3001及び開口部3002を通じて、プレナム構造3012により形成された上部分配プレナム3003に接続される。上部分配プレナム構造3012の長さに沿って第1の複数の穴3004が配置され、これがウェハスリーブ900の上部幅全体にわたって延び、管1013の内部3005にプロセスガスを均等に充填できるようにする。管3013の底部からは、やはりウェハスリーブ900の上部幅全体にわたって延びる第2の複数の穴3006が延び、プロセスガス3051がウェハスリーブ900の内部907に流入できるようにする。
本発明の1つの実施形態の3モジュールエピタキシャルリアクタ1800を図15に概略的に示す。処理準備が整ったウェハを装着した(図8及び図9に示すような)ウェハスリーブを、リアクタ入口スリットバルブ1801を通じて予熱チャンバ1802内へ1820の方向に押し込むことができる。方向1820は、ウェハスリーブがリアクタの3つのモジュール内を通ってたどる経路を示している。予熱チャンバは、ランプ、抵抗素子、又は誘導加熱などの、ウェハスリーブを加熱するあらゆる数の方法を使用することができる。予熱チャンバ1802内のウェハスリーブの経時的な温度プロフィールは、後続の(単複の)エピタキシャルリアクタチャンバ内での膜の堆積時間に対応するのに十分高速ではあるが、ウェハスリーブ内のウェハ内の熱誘導応力を避けるのに十分低速とすべきである。予熱チャンバ1802は、ウェハスリーブを放射加熱するための2つのランプモジュールを有する点を除き、リアクタチャンバの構造よりも単純化した構造を有することができる。しかしながら、抵抗加熱チャンバ又は誘導加熱チャンバなどの、より単純な加熱装置も可能である。
図15に示す実施形態では、プロセスガスが下向き及び上向きの流れで交互になる。しかしながら、場合によっては、このような2方向堆積プロセスで得られた膜厚及び抵抗率の均一性に、ある程度の左右非対称性が残存することがある。図16A〜図16Dに、この望ましくない堆積均一性を低減又は排除できる4段階プロセスを概略的に示す。図16A〜図16Dは、反応チャンバ(図示せず)内にウェハスリーブ2002と良好に熱接触して取り付けられた同じ4つのウェハ2001を示している。図16A及び図16Cは、図15で説明した第1及び第2段階にそれぞれ対応する。
本発明の別の実施形態の5モジュールエピタキシャルリアクタを図17に示す。処理準備が整ったウェハを装着した(図6及び図7に示すような)ウェハスリーブを、入口スリットバルブ1901を通じて予熱チャンバ1902内へ1920の方向に押し込むことができる。その後、入口スリットバルブ1901は閉じられる。この時には、予熱チャンバスリットバルブ1903もすでに閉じていなければならない。次に、ウェハスリーブは、第1のエピタキシャルリアクタチャンバ1904に導入するのに適した所定の温度まで予熱プロセスを受ける。ウェハスリーブが適切な温度に達した後に、予熱チャンバスリットバルブ1903が開き、ウェハスリーブが予熱チャンバ1902から第1のエピタキシャルリアクタ1904内へ移動できるようになる。その後、予熱チャンバスリットバルブ1903は閉じられる。この時、第1のリアクタスリットバルブ1905も閉じることができる。ここで、第1のエピタキシャルリアクタ1904内で第1のエピタキシャル堆積プロセスが開始され、ウェハスリーブ内のウェハ上に所望の最終的な膜厚の約3分の1が堆積されるまで続く。次に、第1のリアクタスリットバルブ1905が開いて、ウェハスリーブが第2のエピタキシャルリアクタ1906内に移動できるようになり、その後第1のリアクタスリットバルブ1905が閉じられる。この時、第2のリアクタスリットバルブ1907も閉じることができる。次に、第2のリアクタ1906内で第2のエピタキシャル堆積プロセスが開始され、ウェハスリーブ内のウェハ上に所望の最終的な膜厚のもう約3分の1が堆積されるまで続く。第3のリアクタスリットバルブ1909を有する第3のリアクタ1908でもこのプロセスが繰り返され、ウェハスリーブ内のウェハ上に必要な総膜厚の最後の3分の1が堆積される。必要に応じて、3つの堆積によって同じ組成、異なるドーピング、異なる組成、又は傾斜組成を生み出すことができる。
本発明のさらに別の実施形態の6モジュールエピタキシャルリアクタを図20に示す。この実施形態では、4つのエピタキシャルリアクタ2304、2306、2308、及び2310が、図15及び図17に示す実施形態の場合のようにスリットバルブではなく、パススルーチャンバ2305、2307、及び2309により分離される。処理準備が整ったウェハを含む(図8及び図9に示すような)ウェハスリーブを、入口スリットバルブ2301を通じて予熱チャンバ2302内へ2340の方向に押し込むことができる。この時には、予熱チャンバスリットバルブ2303はすでに閉じていなければならない。ウェハスリーブが適切な温度に達した後に、予熱チャンバスリットバルブ2303が開き、ウェハスリーブが予熱チャンバ2302から第1のエピタキシャルリアクタ2304内へ移動できるようになる。その後、予熱チャンバスリットバルブ2303は閉じられる。ここで、第1のエピタキシャルリアクタ2304内の静止したスリーブ上で第1のエピタキシャル堆積プロセスが開始され、ウェハスリーブ内のウェハ上に所望の最終的な膜厚の約4分の1が堆積されるまで続く。同時に、第2のウェハスリーブを予熱チャンバ2302内に押し込み、この中で第1のウェハスリーブが受けたものと同じプロセスによって予熱することができる。次に、第1のウェハスリーブが、第1のパススルーチャンバ2305を通じて第2のエピタキシャルリアクタ2306内に移動する。そして、第2のリアクタ2306内の静止したスリーブ上で第2のエピタキシャル堆積プロセスが開始され、ウェハスリーブ内のウェハ上に所望の最終的な膜厚のもう約4分の1が堆積されるまで続く。同時に、第2のウェハスリーブが、予熱チャンバ2302から第1のエピタキシャルリアクタ2304へ移動する。このプロセスが、第3のエピタキシャルリアクタ2308及び第4のエピタキシャルリアクタ2310についても繰り返され、ウェハスリーブ内のウェハ上に必要な総膜厚の最後の4分の2が堆積される。リアクタ2304、2306、2308、及び2310内における全ての堆積プロセス中、リアクタスリットバルブ2311は閉じている。
リアクタモジュール内の垂直位置2101と対照させたエピタキシャル堆積速度2102のグラフを図19に示す。図18に関して上述したように、ウェハスリーブ内でプロセスガスが垂直方向下向きに流れている場合、堆積速度は、短破線曲線2103で示すようにウェハスリーブの上部に近いウェハでは高くなり、ウェハスリーブの底部に近いウェハでは低くなる。逆に、ウェハスリーブ内でプロセスガスが垂直方向上向きに流れている場合、堆積速度は、長破線曲線2104で示すようにウェハスリーブの底部に近いウェハでは高くなり、ウェハスリーブの上部に近いウェハでは低くなる。2つの堆積速度曲線2103、2104は独立しており、すなわち2つの動作モード間に相互作用は存在しないので、この2つのモードを等しい時間使用した場合、ウェハスリーブ内のウェハ上への正味堆積速度は、2つの曲線2103、2104の算術平均2105となる。なお、平均堆積速度曲線2105は、ウェハスリーブ内の上部から底部まで著しく改善された均一性を示しているが、完全な上部から底部までの均一性は、個々の曲線がほぼ直線になる場合にのみ達成可能であり、一般にそのようなことはない。
図19の概略的な下降するプロセスフロー堆積速度曲線2103を観察すると、リアクタ上部の、反応物質の濃度が最も高いプロセスガス入口近くにおいて堆積速度が最も高いことが分かる。反応物質の濃度は、上部のウェハ上における堆積プロセスによって枯渇するので、下向きの処理では堆積速度が予想通りに低下する。しかしながら、堆積速度の低下が仮に直線的であれば、すなわち下降曲線2103及び上昇曲線2104が直線であれば、組み合わせた平均堆積速度曲線2105は、ウェハスリーブ内での垂直位置に左右されない高度に均一化した一定堆積速度に近くなる可能性がある。しかしながら、図19に示すように、下降曲線2103及び上昇曲線2104の両方とも中央で下がる傾向にあるので、平均堆積速度曲線2105も中央で下がり、リアクタの上部及び底部近くの平均堆積速度の方が高くなっている。膜厚及び抵抗率の均一性をさらに改善するために、「ランプシーケンシング」と呼ばれる追加のプロセスを採用し、ウェハスリーブを加熱するために使用するランプモジュール内のランプの照度をリアルタイム制御することにより、ウェハ内及びウェハ間の均一性をさらに改善することができる。本発明の単一通過リアクタモジュール内のランプシーケンシング手順を、図21A〜図21Cの概略断面図に示す。
図21A〜図21Cで説明したランプシーケンシング方法では、オン/オフランプ制御方法を使用して、ウェハスリーブの上部から底部にかけての堆積速度の変化を直線化した。堆積速度直線化のための代替方法を図24に示す。2つの配列の個別に制御可能なランプ2803を、ウェハスリーブ及びこの2つのウェハキャリアプレート2830に面してそれぞれの反射体アセンブリ2801内に取り付ける。ウェハ2831を、ウェハキャリアプレート2830に良好に熱接触させて取り付ける。プロセスガス流方向2840を下向きに示しているが、この代替のランプシーケンシング手順は上向きのプロセスガス流方向にも等しく効果がある。この項で説明するランプシーケンシング手順と図21A〜図21Cの手順との相違点は、配列内の異なるランプに異なる電力レベルで電源を投入することにより、オン/オフランプ制御ではなく可変光強度を使用する点である。
図25A及び図25Bに、図10のエピタキシャルリアクタの図4のC−Cに沿った反応領域の概略断面図を示す。図25Aは、主にリアクタのスループットを高めるように設計された大容量ウェハスリーブを示している点で図14と異なる。プロセスガス4051は、キャリアプレート4906及びエンドキャップ4901によって取り囲まれたウェハスリーブ4900の内部容積4907内に優先的に導かれる。プロセスガスは、入口プレナム4080を貫流し、ウェハ4920の表面を覆う内部容積4907を貫流し、出口プレナム4081を通じて出る。内部キャリアプレート4908が2つの内部容積4907を分離する。キャリアプレート4906、4908の内面はウェハ4920で覆われる。ランプモジュールなどの熱源4401により熱放射4501が供給される。熱放射4501は、窓4200を通して伝わり、キャリアプレート4906、4908、及びこれらのプレート上に取り付けられたウェハ4920を加熱する。図25Aで分かるように、キャリアプレート4906が加熱されてさらに熱放射を引き起こし、これが内部キャリアプレート4908を加熱する。
大容量ウェハスリーブ4900の上面図を図26に示す。大容量ウェハスリーブ4900の構造は、内部キャリアプレート4908を除き、図8及び図9に示すウェハスリーブに極めて類似する。2つのキャリアプレート4906及び1つの内部キャリアプレート4908が、例えばネジ又はボルト、クランプ、バネ、或いはバネ式クランプによって2つのエンドキャップ4901に着脱自在に取り付けられる。個々のエンドキャップ4901から延びる凸部4902が、ウェハキャリアプレート4906の内面と内部キャリアプレート4908との間の間隔を定め、この内部キャリアプレート4908がエンドキャップ4901とともに、本明細書では内部空間4907と呼ぶ一般に2つの対向する端部で開放する処理キャビティを形成する。複数のウェハ4920が、例えばウェハキャリアプレート4906、4908にねじ込まれてウェハ4920を肩部で捕捉する肩付きネジ4930などの何らかの着脱自在の取り付け手段により、ウェハキャリアプレート4906、4908にウェハ4920の裏面で良好に熱接触して取り付けられる。以下で図28に示して説明するように、ウェハを低角度の傾斜ポケット内に独立して取り付けることもできる。さらに、より複雑な形状のキャリアプレートにはエンドキャップを組み込むことができる。
図25Aを参照しながら上述したように、リアクタチャンバ4001内には、ウェハスリーブ4900の内部へのプロセスガスの均等な分配を促すとともにリアクタチャンバ4001からガスを除去するために、2つのプロセスプレナム4080、4081が取り付けられる。図27は、上部プレナム4080及びウェハスリーブ4900の上部の概略断面図である。下部プロセスプレナム4081も同様又は同一とすることができるが、通常は図27に示す上部プロセスプレナム4080とは逆の構成で取り付けられる。以下の説明は上部プロセスプレナム4080に関するものであるが、下部プロセスプレナム4081にも等しく適用することができる。プレナム構造4112によって形成された上部分配プレナム4103に接続管4101及び開口部4102を通じてプロセスガスが導入される。上部分配プレナム構造4112の長さに沿って第1の複数の穴4104が配置され、これがウェハスリーブ4900の上部幅全体にわたって延び、管4113の内部4105にプロセスガスを均等に充填できるようにする。管4113内には、管4113の全長に沿って延び、ガス流を均等に分けてウェハスリーブ4900の2つの内部空間4907に流入させる機能を果たすナイフエッジ状の仕切り板4114が存在する。管4113の底部からは、やはりウェハスリーブ4900の上部幅全体にわたって2本の平行線の形で延びる第2の複数の穴4106が延び、プロセスガス4151がウェハスリーブ4900の2つの内部空間4907に流入できるようにする。
Claims (16)
- 複数のウェハを同時に処理するためのリアクタであって、
リアクタフレームと、
前記リアクタフレームに取り付けられた第1の平面加熱モジュールと、
ウェハスリーブと、
を含み、前記ウェハスリーブが、一対の狭い間隔で配置された平行なウェハキャリアプレートと、該一対のウェハキャリアプレートに平行であるとともにこれらの間に位置する内部キャリアプレートとを含み、
前記内部キャリアプレートに面する前記一対の平行なウェハキャリアプレートの表面は内部表面であり、前記前記一対の平行なウェハキャリアプレートの前記内部表面は、第1の取付け手段を備え、前記一対の平行なウェハキャリアプレートの前記内部表面に面する前記内部キャリアプレートの表面は第2の取付け手段を備え、前記第1の取付け手段と前記第2の取付け手段は、前記複数のウェハを取り付けるように構成され、
前記リアクタは、前記リアクタの内外を前記ウェハスリーブを移送するための経路と、前記リアクタフレーム内のリアクタチャンバ内における前記ウェハスリーブのための処理位置を提供し、前記ウェハスリーブが前記処理位置にある時に、前記一対の平行なウェハキャリアプレートは、前記第1の平面加熱モジュールに平行且つ隣接し、
前記リアクタは、前記ウェハスリーブの内部容積内にプロセスガスを供給するように構成された第1のガスプレナムと、
前記ウェハスリーブの前記内部容積内からガスを排出するように構成された第2のガスプレナムと、をさらに含み、
前記第1のガスプレナム及び前記第2のガスプレナムが、前記複数のウェハの全ての表面にわたってプロセスガス流を提供し、
前記処理位置における前記ウェハスリーブの外部にあって該ウェハスリーブを取り囲む前記リアクタチャンバ内の空間にパージガスを導入するための少なくとも1つの入口をさらに含む、
ことを特徴とするリアクタ。 - 前記第1の平面加熱モジュールと前記リアクタ内を通る前記ウェハスリーブの前記経路との間に固定された第1の窓をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記第1の平面加熱モジュールから、前記ウェハスリーブの前記処理位置を挟んだ反対側において前記リアクタフレームに取り付けられた、前記第1の平面加熱モジュールに平行な第2の平面加熱モジュールを備え、
前記一対の平行なウェハキャリアプレートの一つは、前記ウェハスリーブが前記処理位置にある時に、前記第1の平面加熱モジュールに平行且つ隣接し、前記一対の平行なウェハキャリアプレートのもう一つは、前記ウェハスリーブが前記処理位置にある時に、前記第2の平面加熱モジュールに平行且つ隣接し、前記第1の平面加熱モジュールと前記第2の平面加熱モジュールは、前記処理位置を挟んで向き合っている、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記第1の加熱モジュールが、複数のランプを含むランプモジュールである、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記複数のランプの各々が、前記ウェハキャリアプレートに平行な第1の方向へ直線状に延びる、
ことを特徴とする請求項4に記載のリアクタ。 - 前記ランプモジュール内の前記複数のランプの各々に沿って前記第1の方向へ冷却ガスを流すための冷却ガス源をさらに含む、
ことを特徴とする請求項5に記載のリアクタ。 - 前記冷却ガス源が、前記複数のランプの各々の軸方向中間部分に導かれるとともに、前記複数のランプの各々の両端付近にそれぞれ配置された2つの排気口をさらに含む、
ことを特徴とする請求項6に記載のリアクタ。 - 前記複数のランプの各々が、個別に制御可能な光出力を与えるように構成される、
ことを特徴とする請求項4に記載のリアクタ。 - 前記ウェハスリーブが2つのエンドキャップをさらに含み、前記一対のウェハキャリアプレート及び前記内部キャリアプレートが前記2つのエンドキャップに着脱自在に取り付けられ、前記2つのエンドキャップが、前記一対のウェハキャリアプレートの内面と前記内部キャリアプレートとの間隔を定め、前記2つのエンドキャップ、前記一対のウェハキャリアプレート、及び前記内部キャリアプレートが、各々が第1の対向する端部において前記エンドキャップにより閉じられ、第2の対向する端部において開いた2つの処理キャビティを形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記ウェハスリーブが、前記一対のウェハキャリアプレートの外面に取り付けられた構造層をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記構造層が石英であり、前記一対のウェハキャリアプレートが炭化ケイ素である、
ことを特徴とする請求項10に記載のリアクタ。 - 前記第1のガスプレナムが、ガスを排出すべく切り替わるようにさらに構成され、前記第2のガスプレナムが、プロセスガスを供給すべく切り替わるようにさらに構成され、前記第1及び第2のガスプレナムの切り替わりが協調される、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記第1のガスプレナムが、前記ウェハスリーブが前記経路に沿って移動したときに前記第1のガスプレナムと前記ウェハスリーブとの間の間隙を広げるために、前記リアクタ内で移動できるように構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記第1の取付け手段は、前記一対の平行なウェハキャリアプレートの前記内部表面のポケットであり、前記第2の取付け手段は、前記内部キャリアプレートの表面のポケットである、
ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。 - 前記ポケットは、前記一対の平行なウェハキャリアプレートと前記内部ウェハキャリアプレートの平面に対して低角度で傾斜するウェハ装着面で構成され、前記ウェハ装着面の夫々は前記複数のウェハの一つの裏面で取り付けられるように構成されている、
ことを特徴とする請求項14に記載のリアクタ。 - 前記ウェハ装着面は、前記一対の平行なウェハキャリアプレートと前記内部キャリアプレートの対抗面上に鏡像構成で構成されている、
ことを特徴とする請求項15に記載のリアクタ。
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