JP5894530B2 - 分光光度計 - Google Patents

Description

本発明は、測定光を光検出器で検出する分光光度計に関し、特に、外部からの印加電圧値に応じて検出感度（増幅率）が変更可能である光電子増倍管等の光検出器を用いた分光光度計に関する。

試料の透過率を測定する装置として、ダブルビーム型の紫外可視分光光度計が開発されている（例えば、特許文献１参照）。図５は、ダブルビーム型の紫外可視分光光度計を示す概略構成図である。
紫外可視分光光度計１６０は、試料セル６と、参照セル８と、測定光を出射する光源１と分光器２とを有する光源部５０と、光検出器１２と、セクタ鏡（切替部、遮光部）４０と、複数の反射鏡３、５、７、９、１０、１１と、光を透過しない筐体１５と、光検出器１２に印加電圧値Ｖを印加する高電圧発生部２２と、インデクス信号発生部２０と、アナログ−デジタル（Ａ／Ｄ）変換器１４と、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換器２１と、紫外可視分光光度計１６０全体を制御するコンピュータ１３０とを備える。

筐体１５の内部には、試料セル６と、参照セル８と、光源部５０と、光検出器１２と、セクタ鏡（切替部、遮光部）４０と、反射鏡３、５、７、９、１０、１１とが所定の位置に配置されている。
そして、分析者が筐体１５の扉１５ａを開くことにより、試料セル６や参照セル８を、新たな試料セルや参照セルに交換することができるようになっている。

光源部５０では、光源１から発した光が分光器２に入射され、分光器２で所望の波長を有する単色光（測定光）が取り出される。
セクタ鏡４０は、単色光を試料側光束Ｓと参照側光束Ｒとに交互に一定周期で振り分ける。さらに、セクタ鏡４０には、回転に伴って試料側光束Ｓと参照側光束Ｒとを一定周期で遮光する遮光部４１が設けられており、試料側光束Ｓの入射期間と試料側光束Ｓの遮光期間と参照側光束Ｒの入射期間と参照側光束Ｒの遮光期間とがこの順に一定周期で発生するようにしている。
インデクス信号発生部２０は、所定速度で回転駆動されるセクタ鏡４０の回転に同期して、１回転に１パルスのインデクス信号ＩＤＸを発生する。例えば、セクタ鏡４０の回転周期は電源周波数に同期した周波数とされ、５０Ｈｚ又は６０Ｈｚが採用される。

コンピュータ１３０においては、ＣＰＵ（制御部）１３１やメモリ（記憶部）１３４を備え、さらにキーボードやマウス等を有する入力装置３２と、表示装置３３とが連結されている。また、ＣＰＵ１３１が処理する機能をブロック化して説明すると、メモリ１３４に光検出器１２からの出力強度信号を記憶させる記憶制御部３１ａと、透過率を算出する算出制御部３１ｂと、高電圧発生部２２を制御する電圧制御部１３１ｃとを有する。

このような紫外可視分光光度計１６０では、光源１から発した光は分光器２に入射され、分光器２で所望の波長を有する単色光が取り出される。単色光は反射鏡３を経てセクタ鏡４０に送られ、セクタ鏡４０により試料側光束Ｓと参照側光束Ｒとに交互に振り分けられる。
まず、試料側光束Ｓは、反射鏡５を経て試料セル６に照射され、試料セル６を通過した光は反射鏡９、１１を経て光検出器１２の受光面に送られる。光検出器１２に送られた光は、光検出器１２で光電変換されて、試料側光束信号ｓとして取り出される。なお、セクタ鏡４０には、回転に伴って試料側光束Ｓを一定周期で遮光する遮光部４１が設けられているので、遮光部４１に対応した光検出器１２の出力強度信号は試料側暗信号ｚ_ｓとなる。そして、光検出器１２の出力強度信号は、Ａ／Ｄ変換器１４により一定時間間隔でサンプリングされてデジタル電圧値（信号値）に変換される。

一方、参照側光束Ｒは、反射鏡７を経て参照セル８に照射され、参照セル８を通過した光は反射鏡１０を経て光検出器１２の受光面に送られる。光検出器１２に送られた光は、光検出器１２で光電変換されて、参照側光束信号ｒとして取り出される。なお、セクタ鏡４０には、回転に伴って参照側光束Ｒを一定周期で遮光する遮光部４１が設けられているので、遮光部４１に対応した光検出器１２の出力強度信号は参照側暗信号ｚ_ｒとなる。そして、光検出器１２の出力強度信号は、Ａ／Ｄ変換器１４により一定時間間隔でサンプリングされてデジタル電圧値（信号値）に変換される。

コンピュータ１３０の記憶制御部３１ａは、メモリ１３４に光検出器１２からの信号値（試料側暗信号ｚ_ｓ、試料側光束信号ｓ、参照側暗信号ｚ_ｒ、参照側光束信号ｒ）を記憶させる制御を行う。このとき、光検出器１２に印加された印加電圧値Ｖと、遮光部４１で遮光された遮光期間と、セクタ鏡４０で光路を切り替えた切替期間と、光検出器１２で得られた出力強度信号とを対応付けて記憶させる。
図２は、セクタ鏡４０の１回転の期間（これを１周期（Ｔ）とする）のタイミング図であり、図６は、複数周期期間に亘る信号値（デジタル電圧値）と時間との関係の一例を示す図である。
１周期Ｔの期間中、光検出器１２は、試料側光束Ｓの入射期間に対応する試料側光束信号ｓと、試料側光束Ｓの遮光期間に対応する試料側暗信号ｚ_ｓと、参照側光束Ｒの入射期間に対応する参照側光束信号ｒと、参照側光束Ｒの遮光期間に対応する参照側暗信号ｚ_ｒとを順次出力することになる。
なお、Ａ／Ｄ変換器１４でのサンプリング周期が周期Ｔに比べて短く、Ａ／Ｄ変換器１４の出力データ（以下「検出値データ」という）が１周期Ｔにおける各信号に対してそれぞれ多数（本例では６個ずつ）得られる場合は、Ｄ１〜Ｄ６、Ｄ７〜Ｄ１２、Ｄ１３〜Ｄ１８、及び、Ｄ１９〜Ｄ２４は、試料側光束信号ｓ、試料側暗信号ｚ_ｓ、参照側光束信号ｒ、参照側暗信号ｚ_ｒにそれぞれ対応する検出値データである。

このようにメモリ１３４に記憶された試料側光束信号ｓと参照側光束信号ｒと試料側暗信号ｚ_ｓと参照側暗信号ｚ_ｒとを用い、算出制御部３１ｂは、下記式（１）により透過率を算出する制御を行う。
透過率（％）＝〔（ｓ−ｚ_ｓ）／（ｒ−ｚ_ｒ）〕×１００ ・・・（１）
具体的には、各周期毎に、試料側光束信号ｓに対応する検出値データＤ１〜Ｄ６、試料側暗信号ｚ_ｓに対応する検出値データＤ７〜Ｄ１２、参照側光束信号ｒに対応する検出値データＤ１３〜Ｄ１８、参照側暗信号ｚ_ｒに対応する検出値データＤ１９〜Ｄ２４について、それぞれの平均値を計算し、式（１）に代入して透過率を求める。
なお、試料側光束信号ｓと参照側光束信号ｒとの光量比が異なる場合は、式（１）の結果にそれを補正するための係数をかける。

ところで、このような紫外可視分光光度計１６０では、光検出器１２として光電子増倍管を含んだものが一般的である。光電子増倍管は、入射窓に光が入射すると光電効果によって入射量に応じた電子を発生させ、その電子数を増倍して電流として出力するものである。光電子増倍管に所定の印加電圧値Ｖを印加することにより、入射窓に入射する光量に比例する大きさの電流が出力され、その出力値によって入射窓への入射光量を測定することができる。
このとき、光電子増倍管では、増倍率（印加電圧値Ｖ）が高いほど光電子増倍管に入射した光量に応じた電子数をより大きく増幅した電流値を出力できるため、高感度の検出が可能となる。しかし、光電子増倍管は出力される電流の大きさが限界電流値Ｉ_ｔｈを超えてしまうと劣化する問題がある。

そこで、電圧制御部１３１ｃは、光検出器（光電子増倍管）１２で得られた信号値（出力強度信号）に応じて光検出器１２への印加電圧値Ｖを決定して、決定した印加電圧値Ｖを印加するように高電圧発生部２２に指示信号を出力し、検出感度（増倍率）を調整するというフィードバック制御を実行している。
そして、高電圧発生部２２は、Ｄ／Ａ変換器２１を介して電圧制御部１３１ｃから与えられる指示信号に基づいて、光検出器１２に所定の印加電圧値Ｖを印加する。

よって、紫外可視分光光度計１６０では、図６（ａ）に示すように、基準閾値Ｉ_ｂをメモリ１３４に予め記憶させておき、電圧制御部１３１ｃは、光検出器１２で得られた信号値（試料側光束信号ｓ、参照側光束信号ｒ）と基準閾値Ｉ_ｂとを比較し、信号値が基準閾値Ｉ_ｂを超えると光検出器１２への印加電圧値Ｖを下げて検出感度を下げることにより光検出器１２から出力される電流を小さくし、一方、信号値が基準閾値Ｉ_ｂを下回ると光検出器１２への印加電圧値Ｖを上げて検出感度を上げることにより光検出器１２から出力される電流を大きくしている。つまり、信号値（試料側光束信号ｓ、参照側光束信号ｒ）が基準閾値Ｉ_ｂになるように制御を実行している。
このとき、電圧制御部１３１ｃは、算出制御部３１ｂで式（１）を用いて透過率を算出するので、光検出器１２への印加電圧値Ｖは１周期Ｔの期間中、一定に維持されるようにしている。つまり、１周期Ｔ１の期間が終了した後で、電圧制御部１３１ｃは次なる１周期Ｔ２の印加電圧値Ｖ２を決定し、光検出器１２への印加電圧値Ｖを印加電圧値Ｖ１から印加電圧値Ｖ２に変更するようにしている。

特開２００２−１６２２９４号公報

しかしながら、上述したような紫外可視分光光度計１６０では、一の試料の測定が終わり、次の試料の測定を行うときに、筐体１５の扉１５ａを開けて試料セル６や参照セル８を交換することになるが、このときに外光が入射することにより光検出器１２が劣化することがあった。つまり、図６（ｂ）に示すように、筐体１５の扉１５ａを開けたときには、出力強度信号（点線）が限界電流値Ｉ_ｔｈを超える、すなわち信号値（実線）がＡＤ変換限界値になるため、フィードバック制御を実行することにより光検出器１２への印加電圧値Ｖを下げることになるが、１回のフィードバック制御では信号値がＡＤ変換限界値から基準閾値Ｉ_ｂとなるような程度に印加電圧値Ｖを下げるので、出力強度信号が限界電流値Ｉ_ｔｈを超える状態が直ぐに回避できないことがあった。
さらに、紫外可視分光光度計１６０では、１周期Ｔの期間中、印加電圧値Ｖを一定に維持した後に、光検出器１２への印加電圧値Ｖを下げるため、限界電流値Ｉ_ｔｈを超える電流が光検出器１２から出力されていても、１周期Ｔの期間中、電流値が変わらないという問題もあった。
そこで、試料セル６や参照セル８を交換する際に開く筐体１５の扉１５ａに開閉センサを設け、コンピュータ１３０が扉１５ａが開いたことを検知し、すなわち外光の入射を検知した際には、光検出器１２が劣化しないように、外光入射前に印加電圧値Ｖを下げることが行われている。その場合、開閉センサを設ける分コストが高くなった。さらに、扉１５ａに開閉センサを設けても、付属品使用時には開閉センサが働かないため、外光入射を検知できなくなる問題があった。
そこで、本発明は、扉に開閉センサ等を設けることなく、光検出器で得られた出力強度信号によって試料セルを交換する際等の外光の入射を検知することを目的とするものである。

上記課題を解決するためになされた本発明の分光光度計は、試料セルと、前記試料セルに測定光を出射する光源部と、前記試料セルを通過した測定光を検出する光検出器と、前記光源部からの測定光が光検出器に一定周期で入射しないようにする遮光部と、前記試料セルと前記光源部と前記光検出器と前記遮光部とが内部に配置された筐体と、前記光検出器で得られた出力強度信号を、入射期間又は前記遮光部で遮光された遮光期間に対応付けて記憶する記憶部とを備える分光光度計であって、前記記憶部は、前記光検出器に前記筐体外から前記光検出器を劣化させる可能性のある過大な光量を有する外光が入射したことを検知するための閾値を記憶し、前記記憶部に記憶された、前記遮光期間と対応付けられた出力強度信号と、前記閾値とに基づいて、前記光検出器に外光が入射したことを検知する制御部を備えるようにしている。
このとき、入射期間の出力強度信号には装置光源からの入射光が含まれるのに対し、遮光期間の出力強度信号には装置光源からの入射光が含まれず装置外からの光しか含まれないため、遮光期間の出力強度信号は全て外光に由来するものとみなすことができる。

ここで、「光検出器」とは、過大な光量が入射したり、過大な電流を出力したりすると劣化する可能性があるものが挙げられ、例えば、検出感度が外部からの印加電圧値Ｖに応じて変更可能である光電子増倍管や、ＰｂＳ光導電素子等が挙げられる。
本発明の分光光度計によれば、光検出器に外光が入射したことを検知するための閾値Ｉ_０を記憶している。そして、制御部は、遮光期間の出力強度信号と閾値Ｉ_０とに基づいて、光検出器に外光が入射したことを検知する。これにより、例えば、出力強度信号がＡＤ変換限界値から基準閾値Ｉ_ｂとなるように印加電圧値Ｖを下げるのではなく、光検出器への印加電圧値Ｖを極端に下げたり、１周期Ｔの期間中、印加電圧値Ｖを一定に維持せず、速やかに光検出器への印加電圧値Ｖを下げたり、遮光シャッタを光検出器の前に配置したりすることができる。

以上のように、本発明の分光光度計によれば、扉に開閉センサ等を設けることなく、付属品が使用されても、外光に由来するものとみなすことができる遮光期間の出力強度信号に基づいて、試料セルを交換する際等の外光の入射を検知することができる。

そして、上記の発明において、前記光検出器に印加電圧値を印加する電圧発生部を備え、前記光検出器は、検出感度が印加電圧値に応じて変更可能であり、前記制御部は、前記遮光期間と対応付けられた出力強度信号と前記閾値とに基づいて、前記印加電圧値を調整するように電圧発生部を制御するようにしてもよい。

さらに、上記の発明において、前記筐体の内部に、参照セルと、測定光を試料セル又は参照セルに一定周期で導くように変更可能な切替部を備え、前記記憶部は、前記光検出器で得られた出力強度信号を、前記遮光部で遮光された遮光期間及び前記切替部で光路を試料セル又は参照セルに切り替えた切替期間に対応付けて記憶し、前記制御部は、前記試料側遮光期間と対応付けられた出力強度信号及び参照側遮光期間と対応付けられた出力強度信号と、前記閾値とに基づいて、前記光検出器に外光が入射したことを検知するようにしてもよい。

本発明の一実施形態であるダブルビーム型の紫外可視分光光度計を示す概略構成図。 セクタ鏡の１回転の期間のタイミング図。 複数周期期間に亘る信号値と時間との関係の一例を示す図。 電圧発生部を制御する制御方法について説明するためのフローチャート。 従来のダブルビーム型の紫外可視分光光度計を示す概略構成図。 複数周期期間に亘る信号値と時間との関係の一例を示す図。

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれることはいうまでもない。

図１は、本発明の一実施形態であるダブルビーム型の紫外可視分光光度計を示す概略構成図である。図３は、複数周期期間に亘る信号値と時間との関係の一例を示す図である。なお、紫外可視分光光度計１６０と同様のものについては、同じ符号を付している。
紫外可視分光光度計６０は、試料セル６と、参照セル８と、測定光を出射する光源１と分光器２とを有する光源部５０と、光検出器１２と、セクタ鏡（切替部、遮光部）４０と、複数の反射鏡３、５、７、９、１０、１１と、光を透過しない筐体１５と、光検出器１２に印加電圧値Ｖを印加する高電圧発生部２２と、インデクス信号発生部２０と、アナログ−デジタル（Ａ／Ｄ）変換器１４と、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換器２１と、紫外可視分光光度計６０全体を制御するコンピュータ３０とを備える。
なお、本発明に係る筐体１５の扉１５ａには、開閉センサは設けられていない。つまり、コストを安くすることができる。

コンピュータ３０においては、ＣＰＵ（制御部）３１やメモリ（記憶部）３４を備え、さらにキーボードやマウス等を有する入力装置３２と、表示装置３３とが連結されている。また、ＣＰＵ３１が処理する機能をブロック化して説明すると、メモリ３４に光検出器１２からの信号値（出力強度信号）を記憶させる記憶制御部３１ａと、透過率を算出する算出制御部３１ｂと、電圧発生部２０を制御する電圧制御部３１ｃとを有する。
なお、メモリ３４には、基準閾値Ｉ_ｂが予め記憶されるとともに、光検出器１２に外光が入射したことを検知するための閾値Ｉ_０が予め記憶されている。

電圧制御部３１ｃは、光検出器（光電子増倍管）１２で得られた信号値（試料側暗信号ｚ_ｓ、試料側光束信号ｓ、参照側暗信号ｚ_ｒ、参照側光束信号ｒ）に応じて光検出器１２への印加電圧値Ｖを決定して、決定した印加電圧値Ｖを印加するように高電圧発生部２２に指示信号を出力し、検出感度（増倍率）を調整するというフィードバック制御を実行している。
具体的には、電圧制御部３１ｃは、光検出器１２で得られた信号値を基準閾値Ｉ_ｂと比較し、信号値が基準閾値Ｉ_ｂを超えると光検出器１２への印加電圧値Ｖを下げて検出感度を下げることにより光検出器１２から出力される電流を小さくしている。一方、信号値が基準閾値Ｉ_ｂを下回ると光検出器１２への印加電圧値Ｖを上げて検出感度を上げることにより光検出器１２から出力される電流を大きくしている。つまり、信号値（試料側光束信号ｓ、参照側光束信号ｒ）が基準閾値Ｉ_ｂになるように制御を実行している。
このとき、検出器１２への印加電圧値Ｖは１周期Ｔの期間中、一定に維持されるようにしている。つまり、１周期Ｔ１の期間が終了した後で、電圧制御部３１ｃは次なる１周期Ｔ２の印加電圧値Ｖ２を決定し、光検出器１２への印加電圧値Ｖを印加電圧値Ｖ１から印加電圧値Ｖ２に変更するようにしている。

また、本発明に係る電圧制御部３１ｃは、試料側暗信号ｚ_ｓ（試料側遮光期間の出力強度信号）及び参照側暗信号ｚ_ｒ（参照側遮光期間の出力強度信号）が閾値Ｉ_０以上であるときには、印加電圧値Ｖを極端に下げる（例えば、印加電圧値Ｖ_０が０となる）ように電圧発生部２２に指示信号を出力し、検出感度（増倍率）を調整するという制御を行う。
具体的には、図３（ｂ）に示すように電圧制御部３１ｃは、試料側暗信号ｚ_ｓに対応する６個の検出値データについて、試料側暗信号ｚ_ｓの平均値を計算し、計算した試料側暗信号ｚ_ｓと閾値Ｉ_０とを比較し、計算した試料側暗信号ｚ_ｓが閾値Ｉ_０を超えると光検出器１２への印加電圧値Ｖを極端に下げて検出感度を下げることにより光検出器１２から出力される電流を小さくしている。つまり、フィードバック制御のように信号値が基準閾値Ｉ_ｂとなるようには調整しない。
さらに、光検出器１２への印加電圧値Ｖは１周期Ｔの期間中、一定に維持されることなく、速やかに変更されるようになっている。つまり、１周期Ｔ１の期間が終了することを待たずに、光検出器１２への印加電圧値Ｖを、１周期Ｔ２の試料側遮光期間の印加電圧値Ｖ１から、１周期Ｔ２の参照側入射期間の印加電圧値Ｖ_０に変更するようにしている。

ここで、電圧制御部３１ｃが高電圧発生部２２を制御する制御方法の一例について説明する。図４は、高電圧発生部２２を制御する制御方法について説明するためのフローチャートである。
まず、ステップＳ１０１の処理において、記憶制御部３１ａは、メモリ３４に光検出器１２からの試料側光束信号ｓを記憶させる。

次に、ステップＳ１０２の処理において、記憶制御部３１ａは、メモリ３４に光検出器１２からの試料側暗信号ｚ_ｓを記憶させる。
次に、ステップＳ１０３の処理において、電圧制御部３１ｃは、試料側暗信号ｚ_ｓが閾値Ｉ_０以上であるか否かを判定する。試料側暗信号ｚ_ｓが閾値Ｉ_０以上であると判定したときには、ステップＳ１０４の処理において、印加電圧値Ｖを極端に下げるように高電圧発生部２２に指示信号を出力する。
一方、試料側暗信号ｚ_ｓが閾値Ｉ_０以上でないと判定したときには、ステップＳ１０５の処理において、記憶制御部３１ａは、メモリ３４に光検出器１２からの参照側光束信号ｒを記憶させる。

次に、ステップＳ１０６の処理において、記憶制御部３１ａは、メモリ３４に光検出器１２からの参照側暗信号ｚ_ｒを記憶させる。
次に、ステップＳ１０７の処理において、電圧制御部３１ｃは、参照側暗信号ｚ_ｒが閾値Ｉ_０以上であるか否かを判定する。参照側暗信号ｚ_ｒが閾値Ｉ_０以上であると判定したときには、ステップＳ１０８の処理において、印加電圧値Ｖを極端に下げるように高電圧発生部２２に指示信号を出力する。
一方、参照側暗信号ｚ_ｒが閾値Ｉ_０以上でないと判定したときには、ステップＳ１０９の処理において、電圧制御部３１ｃは、試料側光束信号ｓ及び参照側光束信号ｒと基準閾値Ｉ_ｂとを比較して、印加電圧値Ｖを調整するように高電圧発生部２２に指示信号を出力する。

次に、ステップＳ１１０の処理において、測定を終了するか否かを判定する。測定を終了しないと判定したときには、ステップＳ１０１の処理に戻る。
一方、測定を終了すると判定したときには、本フローチャートを終了させる。

以上のように、紫外可視分光光度計６０によれば、筐体１５の扉１５ａに開閉センサ等を設けることなく、付属品が使用されても、参照側暗信号ｚ_ｒや試料側暗信号ｚ_ｓに基づいて、試料セル６や参照セル８を交換する際等の外光の入射を検知することができる。これにより、試料セル６や参照セル８を交換する際に、光検出器１２を劣化させる過大な電流が光検出器１２を流れないようにすることができる。なお、試料の測定中には、試料セル６や参照セル８を交換することがないため、遮光期間の出力強度信号が閾値Ｉ_０を越えることもないので、１周期Ｔの期間中、印加電圧値Ｖを一定に維持することになる。つまり、コンピュータ３０で透過率を正確に算出することができる。

＜他の実施形態＞
（１）上述した紫外可視分光光度計６０では、光検出器１２が、紫外光を検出する光電子増倍管を含んだものであるような構成を示したが、赤外光を検出するＰｂＳ光導電素子を含んだものであるような構成としてもよい。このときには、外光が光検出器に入射しないようにすることが可能な遮光シャッタを備え、制御部は、試料側暗信号ｚ_ｓ（試料側遮光期間の出力強度信号）及び参照側暗信号ｚ_ｒ（参照側遮光期間の出力強度信号）が閾値Ｉ_０以上であると判定したときには、遮光シャッタを所定の時間（例えば、１秒等）、光検出器に外光が入射しないように制御することになる。あるいは、遮光シャッタの解除は手動で行ってもよい。

（２）上述した紫外可視分光光度計６０では、試料側暗信号ｚ_ｓ及び参照側暗信号ｚ_ｒが閾値Ｉ_０以上であるときには、印加電圧値Ｖを極端に下げる（例えば、印加電圧値Ｖ_０が０となる）ように電圧発生部２２に指示信号を出力するような構成を示したが、例えば、印加電圧値Ｖ_０が０〜−５０Ｖとなるように電圧発生部に指示信号を出力するような構成としてもよい。

（３）上述した紫外可視分光光度計６０では、試料側暗信号ｚ_ｓ及び参照側暗信号ｚ_ｒが閾値Ｉ_０以上であるときには、検出器１２への印加電圧値Ｖは１周期Ｔの期間中、一定に維持されることなく、速やかに変更されるような構成を示したが、検出器への印加電圧値Ｖは１周期Ｔの期間中、一定に維持された後で、変更されるような構成としてもよい。

本発明は、例えば、外部からの印加電圧値に応じて検出感度が変更可能である光電子増倍管や、ＰｂＳ光導電素子等の光検出器を用いた分光光度計等に利用することができる。

６ 試料セル
１２ 光検出器
２２ 高電圧発生部
３１ｂ 算出制御部
３１ｃ 電圧制御部
３４ メモリ（記憶部）
４１ 遮光部
５０ 光源部
６０ 紫外可視分光光度計

Claims (4)

1. 試料セルと、
   前記試料セルに測定光を出射する光源部と、
   前記試料セルを通過した測定光を検出する光検出器と、
   前記光源部からの測定光が光検出器に一定周期で入射しないようにする遮光部と、
   前記試料セルと前記光源部と前記光検出器と前記遮光部とが内部に配置された筐体と、
   前記光検出器で得られた出力強度信号を、入射期間又は前記遮光部で遮光された遮光期間に対応付けて記憶する記憶部とを備える分光光度計であって、
   前記記憶部は、前記光検出器に前記筐体外から前記光検出器を劣化させる可能性のある過大な光量を有する外光が入射したことを検知するための閾値を記憶し、
   前記記憶部に記憶された前記出力強度信号のうち前記遮光期間のみに対応する出力強度信号と、前記閾値とに基づいて、前記光検出器に外光が入射したことを検知する制御部を備えたことを特徴とする分光光度計。
2. 外光が光検出器に入射しないようにすることが可能な遮光シャッタを備え、
   前記光検出器に外光が入射したことを検知した際には、前記制御部は前記光検出器に外光が入射しないように、前記遮光シャッタを制御することを特徴とする請求項１に記載の分光光度計。
3. 前記光検出器に印加電圧値を印加する電圧発生部を備え、
   前記光検出器は、検出感度が印加電圧値に応じて変更可能であり、
   前記光検出器に外光が入射したことを検知した際には、前記制御部は前記印加電圧値を調整するように電圧発生部を制御することを特徴とする請求項１に記載の分光光度計。
4. 前記筐体の内部に、参照セルと、
   測定光を試料セル又は参照セルに一定周期で導くように変更可能な切替部を備え、
   前記記憶部は、前記光検出器で得られた出力強度信号を、前記遮光部で遮光された遮光期間及び前記切替部で光路を試料セル又は参照セルに切り替えた切替期間に対応付けて記憶し、前記制御部は、前記出力強度信号のうち、前記試料側遮光期間及び参照側遮光期間と対応付けられた出力強度信号と、前記閾値とに基づいて、前記光検出器に外光が入射したことを検知することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の分光光度計。

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