JP5891733B2

JP5891733B2 - 電磁弁

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Publication number: JP5891733B2
Application number: JP2011252305A
Authority: JP
Inventors: 裕介吉川; 芳信上舘
Original assignee: Aisin Seiki Co Ltd; Aisin Corp
Current assignee: Aisin Corp
Priority date: 2011-11-18
Filing date: 2011-11-18
Publication date: 2016-03-23
Anticipated expiration: 2031-11-18
Also published as: JP2013108534A

Description

本発明は、例えば車両の動弁制御装置や自動変速装置等において使用される電磁弁に関する。

従来、車両の動弁制御装置や自動変速装置等において使用される電磁弁として、特許文献１に開示されたものが知られている。この電磁弁は、弁ハウジングに形成された弁室に収納され、供給通路に連通する第一弁座またはドレン通路に連通する第二弁座に押圧されて弁室に連通する制御通路を供給通路またはドレン通路と連通させる弁体を備えた流路制御部と、弁ハウジングに取付けられ弁体を第一弁座または第二弁座に押圧させる電磁部とを備えている。

特開２００２−３１７８８２号公報

ところで、上記のように構成される電磁弁は、電磁部に非通電時に、弁体が第一弁座に当接して供給通路と制御通路とを遮断するノーマルクローズタイプ（以下、「Ｎ／Ｃタイプ」ともいう。）のものと、電磁部に非通電時に、弁体が第一弁座から離間して供給通路と制御通路とを連通するノーマルオープンタイプ（以下、「Ｎ／Ｏタイプ」ともいう。）のものとがある。なお、特許文献１には、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁が開示されている。

これら二つのタイプの電磁弁は、構成部品を共通化してそれぞれの専用部品を可能な限り少なくすることにより製品コストの低減化が可能である。そのため、従来では、電磁部の部品の共通化を図ることにより、製品コストの低減化を図るようにしていた。しかし、電磁部の部品を共通化すると、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁の設計が複雑になり、製品性能が安定しないという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、Ｎ／ＣタイプとＮ／Ｏタイプの構成部品の共通化率を向上させて、製品コストの更なる低減化を可能にした電磁弁を提供することを解決すべき課題とするものである。

上記課題を解決する請求項１に係る発明の構成上の特徴は、弁ハウジングに形成された弁室に収納され、供給通路に連通する第一弁座またはドレン通路に連通する第二弁座に押圧され、前記弁室に連通する制御通路を前記供給通路または前記ドレン通路と連通させる弁体を備えた流路制御部と、前記弁ハウジングに取付けられ前記弁体を前記第一弁座または前記第二弁座に押圧させる電磁部を備えた電磁弁であって、前記流路制御部は、前記電磁部に非通電時に、前記弁体が前記第一弁座に当接して前記供給通路と前記制御通路とを遮断するノーマルクローズタイプの電磁弁および前記弁体が前記第一弁座から離間して前記供給通路と前記制御通路とを連通するノーマルオープンタイプの電磁弁に共通化できる構成であり、前記電磁部は、前記弁ハウジングと結合されるケース、前記ケースに嵌装されるコイル、前記コイルに嵌装される第一ヨーク、および前記第一ヨークに嵌装されるプランジャを前記コイルへの通電時に吸引するとともに前記コイルに嵌装される第二ヨークが前記ノーマルクローズタイプの電磁弁および前記ノーマルオープンタイプの電磁弁に共通化できる構成であり、前記第一ヨークおよび前記プランジャが前記コイルの前記流路制御部側の前方部に配置され、前記第二ヨークが前記コイルの後方部に配置され、前記コイルへの非通電時に前記プランジャを前記流路制御部側に付勢して前記弁体を第一シャフトを介して前記第一弁座に押圧させる圧縮スプリングを設けて前記ノーマルクローズタイプの電磁弁を構成する場合と、前記第二ヨークが前記コイルの前方部に配置され、前記第一ヨークおよび前記プランジャが前記コイルの後方部に配置され、前記コイルへの通電時に前記プランジャが前記流路制御部側に吸引されて前記弁体が第二シャフトを介して前記第一弁座に押圧される前記ノーマルオープンタイプの電磁弁を構成する場合の少なくとも一方の場合を達成できるようにしたことである。

請求項２に係る発明の構成上の特徴は、請求項１において、前記第二ヨークには、前記コイルの軸線方向に前記圧縮スプリングまたは前記第二シャフトを貫通させる軸線穴が貫設されていることである。

請求項３に係る発明の構成上の特徴は、請求項１または２において、前記プランジャの前記軸線方向の一端部には、前記第一シャフトの基部が嵌合可能な大径凹部が形成されていることである。

請求項４に係る発明の構成上の特徴は、請求項２において、前記プランジャには、前記第二ヨークの軸線穴よりも径の小さい軸線穴が前記軸線方向に形成されていることである。

請求項５に係る発明の構成上の特徴は、請求項１〜４のいずれか一項において、前記プランジャは、前記ノーマルクローズタイプの電磁弁および前記ノーマルオープンタイプの電磁弁に共通化できることである。

請求項６に係る発明の構成上の特徴は、請求項１〜５のいずれか一項において、前記コイルが巻かれたボビンの内径は軸線方向にストレート形状であることである。

請求項７に係る発明の構成上の特徴は、請求項１〜６のいずれか一項において、前記第一および第二ヨークのフランジ部の形状を同一にしたことである。

請求項８に係る発明の構成上の特徴は、請求項１〜７のいずれか一項において、前記第一および第二ヨークのフランジ部の軸線方向の厚さを同一にしたことである。

請求項９に係る発明の構成上の特徴は、請求項１〜８のいずれか一項において、前記ケースの前記流路制御部の反対側端部に非磁性のストッパを配置したことである。

請求項１に係る発明によれば、流路制御部は、Ｎ／ＣタイプおよびＮ／Ｏタイプの電磁弁に共通化できる構成であり、電磁部は、ケース、コイル、第一ヨークおよび第二ヨークがＮ／ＣタイプおよびＮ／Ｏタイプの電磁弁に共通化できる構成であり、上記のようにノーマルクローズタイプの電磁弁を構成する場合と、上記のようにノーマルオープンタイプの電磁弁を構成する場合の少なくとも一方の場合を達成できるようにしている。

これにより、第一ヨークと第二ヨークとを組み換える構造を採用することで、従来製品に比べて、Ｎ／ＣタイプおよびＮ／Ｏタイプ共にトータル部品点数を減少させることができるので、構造の簡略化を図ることができるとともに、Ｎ／ＣタイプとＮ／Ｏタイプの電磁弁の構成部品の共通化率を向上させることができる。具体的には、電磁部の圧縮スプリングおよびシャフト以外の部品を共通化することができる。これにより、製品コストの更なる低減化が可能になり、製品性能の安定化を図ることができる。

請求項２に係る発明によれば、第二ヨークには、コイルの軸線方向に圧縮スプリングまたは第二シャフトを貫通させる軸線穴が貫設されているので、第一ヨークと第二ヨークの組み換え構造が可能となる。

請求項３に係る発明によれば、プランジャの軸線方向の一端部には、第一シャフトの基部が嵌合可能な大径凹部が形成されている。これにより、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁の場合には、大径凹部に圧入等で取り付けられる第一シャフトを容易に取り付けることができる。また、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁の場合には、大径凹部に第二シャフトが取り付けられない構造となることから、電磁部への通電時に、大径凹部が形成されたことによって薄肉となったプランジャの一端部を通る磁束が細くなり、磁気抵抗が大きくなるので、プランジャの復帰性（戻り性）を良好にすることができる。

請求項４に係る発明によれば、プランジャには、第二ヨークの軸線穴よりも径の小さい軸線穴が軸線方向に形成されている。これにより、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁においては、プランジャが圧縮スプリングと当接するようにすることができ、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁においては、プランジャが第二シャフトと当接するようにすることができる。

請求項５に係る発明によれば、プランジャは、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁およびＮ／Ｏタイプの電磁弁に共通化できるようにされているので、Ｎ／ＣタイプとＮ／Ｏタイプの電磁弁の構成部品の共通化率を確実に向上させて、製品コストをより確実に低減化することが可能となる。

請求項６に係る発明によれば、コイルが巻かれたボビンの内径は軸線方向にストレート形状であるので、第一ヨークと第二ヨークの組み換え構造を容易に実現することができる。

請求項７に係る発明によれば、第一および第二ヨークのフランジ部の形状を同一にしたので、第一ヨークと第二ヨークの組み換え構造を容易に実現することができる。

請求項８に係る発明によれば、第一および第二ヨークのフランジ部の軸線方向の厚さを同一にしたので、ケース内に第一ヨークと第二ヨークを入れ換えた位置に配置した場合でも、第一および第二ヨークをかしめ等で同様の状態に固定することができる。これにより、第一ヨークと第二ヨークの組み換え構造を容易に実現することができる。

請求項９に係る発明によれば、ケースの流路制御部の反対側端部に非磁性のストッパを配置したので、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁では、そのストッパを圧縮スプリングの抜け止めとして利用し、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁では、そのストッパをプランジャの抜け止めとして利用することができる。

本発明の実施形態に係る二つのタイプの電磁弁を示す図であって、（ａ）はノーマルクローズタイプの電磁弁の軸線方向断面図、（ｂ）はノーマルオープンタイプの電磁弁の軸線方向断面図である。（ａ）は図１（ａ）に示すノーマルクローズタイプの電磁弁のケースと第一および第二ヨークの分解斜視図であり、（ｂ）は図１（ｂ）に示すノーマルオープンタイプの電磁弁のケースと第一および第二ヨークの分解斜視図である。

以下、本発明に係る電磁弁の実施形態について図１および図２を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係る二つのタイプの電磁弁を示す図であって、（ａ）はＮ／Ｃタイプの電磁弁の軸線方向断面図、（ｂ）はＮ／Ｏタイプの電磁弁の軸線方向断面図である。

本実施形態は、図１（ａ）に示すＮ／Ｃタイプの電磁弁１と、図１（ｂ）に示すＮ／Ｏタイプの電磁弁２とにおいて、それぞれの電磁弁１、２を構成する構成部品の共通化率の向上を図ったものである。電磁弁１、２は、弁ハウジング１１に形成された弁室１１ａに収納され、供給通路１１ｂに連通する第一弁座１２ａまたはドレン通路１１ｄに連通する第二弁座１３ａに押圧されて弁室１１ａに連通する制御通路１１ｃを供給通路１１ｂまたはドレン通路１１ｄと連通させる弁体としてのボール弁１４を備えた流路制御部１０と、弁ハウジング１１に取付けられボール弁１４を第一弁座１２ａまたは第二弁座１３ａに押圧させる電磁部２０とを備えている。

本実施形態において、二つのタイプの電磁弁１、２の流路制御部１０は、全ての構成部品が共通化され、同一の構成になっている。即ち、電磁弁１、２の流路制御部１０は、円筒状に形成された弁ハウジング１１と、弁ハウジング１１の内側に軸線方向に離間して配設されたリング状の第一および第二弁座部材１２、１３と、第一弁座部材１２と第二弁座部材１３の間に形成された弁室１１ａに配設されたボール弁１４とを備えている。

弁ハウジング１１の前方側（軸線方向一端側で図１の左側、以後同じ）には、前方側に開口する制御液の供給通路１１ｂが形成されている。弁ハウジング１１の軸線方向中央部には、弁室１１ａに連通する制御通路１１ｃが形成されている。弁ハウジング１１の後方側（軸線方向他端側で図１の右側、以後同じ）には、弁ハウジング１１を径方向に貫通するドレン通路１１ｄが形成されている。

第一弁座部材１２の後方側の面の中央部には、第一弁座部材１２の中央貫通孔を介して供給通路１１ｂに連通する第１弁座１２ａが形成されている。また、第二弁座部材１３の前方側の面の中央部には、第二弁座部材１３の中央貫通孔を介してドレン通路１１ｄに連通する第１弁座１２ａが形成されている。弁室１１ａに配設されたボール弁１４は、弁室１１ａの後方側に配設され電磁部２０により軸線方向に作動する第一または第二シャフト２８ａ、２８ｂによって、第一弁座１２ａと第二弁座１３ａとに選択的に着座（当接）するようになっている。ボール弁１４が第一弁座１２ａに着座したときには、供給通路１１ｂと制御通路１１ｃの連通が遮断され、供給通路１１ｂから制御通路１１ｃへの制御液の供給が不可能となる。一方、ボール弁１４が第二弁座１３ａに着座したときには、供給通路１１ｂが開放して制御通路１１ｃと連通し、供給通路１１ｂから制御通路１１ｃへの制御液の供給が可能となる。

二つのタイプの電磁弁１、２の電磁部２０は、弁ハウジング１１と結合された磁性体よりなるケース２１と、ケース２１の内側に嵌装された樹脂製のボビン２２ａと、ボビン２２ａの外周側に巻回されたコイル２２と、コイル２２の内側に嵌装された円筒状の磁性体よりなる第一ヨーク２３と、第一ヨーク２３の内側に摺動可能に嵌装された磁性体よりなる円筒状のプランジャ２４と、コイル２２に嵌装されコイル２２への通電時にプランジャ２４を吸引する磁性体よりなる円筒状の第二ヨーク２５と、電磁弁２のプランジャ２４または電磁弁１の圧縮スプリング２９を支持する樹脂（非磁性体）製のストッパ２６と、コイル２２を通電するコネクタ２７とを備え、これらの構成部品が共通化されている。コイル２２が巻回されたボビン２２ａの内径は、軸線方向にストレート形状にされている。また、プランジャ２４には、第二ヨーク２５の軸線穴２５ｃよりも径の小さい軸線穴２４ｂが軸線方向に形成されている。

Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１では、図１（ａ）に示すように、第一ヨーク２３およびプランジャ２４がコイル２２の流路制御部１０側の前方部に配置されるとともに、第二ヨーク２５がコイル２２の後方部に配置されている。軸線方向に対向するプランジャ２４の後方側軸端面と第二ヨーク２５の前方側軸端面との間には、磁気ギャップが形成されている。その結果として、ケース２１、第一ヨーク２３、プランジャ２４および第二ヨーク２５により磁気回路が形成されている。

プランジャ２４の前方側端部には、前方側軸端面に開口し軸線穴２４ｂよりも大径の大径凹部２４ａが設けられており、この円形凹部２４ａには、第一シャフト２８ａの基端部が嵌合保持されている。第一シャフト２８ａの先端は、第二弁座部材１３の中央貫通孔に挿通されて、弁室１１ａに配設されたボール弁１４に当接している。

第二ヨーク２５の軸線方向に貫通する軸線穴２５ｃ内には、圧縮スプリング２９が配設されている。圧縮スプリング２９の両端は、前方側に配設されたプランジャ２４の後方側軸端面と後方側に配設されたストッパ２６とに支持されている。これにより、プランジャ２４は、圧縮スプリング２９により流路制御部１０側に常時付勢されており、コイル２２への非通電時に、弁室１１ａに配設されたボール弁１４を第一シャフト２８ａを介して第一弁座１２ａに押圧（着座）させるように構成されている。ボール弁１４が第一弁座１２ａに着座したときには、供給通路１１ｂと制御通路１１ｃの連通が遮断され、供給通路１１ｂから制御通路１１ｃへの制御液の供給が不可能となる。

また、コイル２２への通電時には、ケース２１、第一ヨーク２３、プランジャ２４および第二ヨーク２５により形成された磁気回路に磁束が発生し、プランジャ２４は、後方側の第二ヨーク２５に向かって軸線方向に吸引され、圧縮スプリング２９の付勢力に抗して後方側に移動する。その結果、ボール弁１４は、供給通路１１ｂからの制御液圧力に押されて第一弁座１２ａから離間し、第二弁座１３ａに着座（当接）するので、供給通路１１ｂと制御通路１１ｃとが連通して、供給通路１１ｂから制御通路１１ｃへの制御液の供給が可能となる。

なお、ストッパ２６の中央部には、コイル２２への通電・非通電によってプランジャ２４が軸線方向に移動する際に、プランジャ２４のスムーズな移動を可能にする呼吸穴２６ａが設けられている。

このＮ／Ｃタイプの電磁弁１は、次のようにして組み付けられる。先ず、弁ハウジング１１の内部に第一弁座部材１２、第二弁座部材１３およびボール弁１４を組み付けて流路制御部１０を作製する。次いで、弁ハウジング１１の後方側に形成されたフランジ部とケース２１の前方側端部とを、ケース２１の前方側端部をかしめることによって結合する。次いで、プランジャ２４の大径凹部２４ａに第一シャフト２８ａの基部を圧入して組み付けた後、そのプランジャ２４の外側に第一ヨーク２３を嵌合して、一体となった第一シャフト２８ａ、プランジャ２４および第一ヨーク２３をケース２１の後方側開口から内部に嵌挿する。次いで、ケース２１内の所定位置にコネクタ２７を取り付けた後、ボビン２２ａ、コイル２２、第二ヨーク２５および圧縮スプリング２９をケース２１内に嵌挿して、同軸状に組み付ける。最後に、ストッパ２６をケース２１内に挿入した後、ケース２１の後方側端部をかしめることによりストッパ２６を固定して、組付け作業を終了する。

なお、図２（ａ）に示すように、ケース２１の前後両端部には、周方向の複数箇所に切欠き部２１ａが設けられているため、ケース２１の前後両端部の上記かしめ作業を容易に行うことができる。ケース２１の前方側に設けられた大きな切欠き部２１ｂは、コネクタ２７用である。また、第一および第二ヨーク２３、２５のフランジ部２３ａ、２５ａには、ケース２１の切欠き部２１ａと符合する切欠き凹部２３ｂ、２５ｂが設けられている。これにより、ケース２１に対する第一および第二ヨーク２３、２５の位置決めや回り止めが可能となっている。

一方、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２では、図１（ｂ）に示すように、第二ヨーク２５がコイル２２の前方部に配置され、第一ヨーク２３およびプランジャ２４がコイル２２の後方部に配置されている。このＮ／Ｏタイプの電磁弁２は、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１に対して、第一ヨーク２３と第二ヨーク２５が互いに軸線方向反対側の位置へ組み換えられた構造にされている。即ち、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１では、図２（ａ）に示すように、前方側から第二ヨーク２５、ケース２１、第一ヨーク２３の順に配置されている。これに対して、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２では、図２（ｂ）に示すように、前方側から第一ヨーク２３、ケース２１、第二ヨーク２５の順に配置されている。

なお、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２の組付けを行う際には、ケース２１内に嵌挿する第一ヨーク２３と第二ヨーク２５の嵌挿順が、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１の場合と逆になる。また、本実施形態では、第一および第二ヨーク２３、２５のフランジ部２３ａ、２５ａの形状および軸線方向の厚さが同一にされているので、第一および第二ヨーク２３、２５をかしめにより同様の状態に固定することができる。

Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２の場合にも、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１と同様に、軸線方向に対向する第二ヨーク２５の後方側軸端面とプランジャ２４の前方側軸端面との間に、磁気ギャップが形成されている。その結果として、この場合にも、ケース２１、第一ヨーク２３、プランジャ２４および第二ヨーク２５により磁気回路が形成されている。

第二ヨーク２５の軸線方向に貫通する軸線穴２５ｃ内には、第二シャフト２８ｂが摺動可能に嵌挿されている。第二シャフト２８ｂの先端は、第二弁座部材１３の中央貫通孔に挿通されて、弁室１１ａに配設されたボール弁１４に当接している。また、第二シャフト２８ｂの後方側端面は、プランジャ２４の前方側端面と当接している。このＮ／Ｏタイプの電磁弁２では、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１で用いられていた圧縮スプリング２９が存在しない。そのため、弁室１１ａのボール弁１４は、供給通路１１ｂからの制御液圧力に押されて、第１弁座１２ａから離間して第２弁座１３ａに着座（当接）する。これにより、供給通路１１ｂと制御通路１１ｃとが連通して、供給通路１１ｂから制御通路１１ｃへの制御液の供給が可能となる。

また、コイル２２への通電時に、プランジャ２４が流路制御部１０側に吸引されてボール弁１４が第二シャフト２８ｂを介して第一弁座１２ａに押圧されるように構成されている。即ち、コイル２２への通電時には、ケース２１、第一ヨーク２３、プランジャ２４および第二ヨーク２５により形成された磁気回路に磁束が発生し、プランジャ２４は、前方側の第二ヨーク２５に向かって軸線方向に吸引されて前方側に移動する。その結果、ボール弁１４は、プランジャ２４と共に移動する第二シャフト２８ｂに押されて第二弁座１３ａから離間し、第一弁座１２ａに着座（当接）する。これにより、供給通路１１ｂと制御通路１１ｃとの連通が遮断され、供給通路１１ｂから制御通路１１ｃへの制御液の供給が不可能となる。

なお、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２では、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１で用いられている圧縮スプリング２９が廃止されているため、低電圧での作動が可能になる。従来のＮ／Ｏタイプの電磁弁では、耐圧確保のためにスプリングを採用していたため、スプリングセット荷重以上の吸引力が必要になっていた。即ち、（吸引力）＞（スプリングセット荷重）＞（耐圧）の関係が成立していた。よって、スプリングを廃止することで、（吸引力）＞（耐圧）の関係となり吸引力を下げることができるため、低電圧で作動させることができる。

以上のように、本実施形態のＮ／Ｃタイプの電磁弁１とＮ／Ｏタイプの電磁弁２は、流路制御部１０が共通化できる構成とされているとともに、第一ヨーク２３と第二ヨーク２５とを互いに軸線方向反対側の位置に組み換える構造を採用している。そのため、従来製品に比べて、Ｎ／ＣタイプおよびＮ／Ｏタイプ共にトータル部品点数を減少させることができるので、構造の簡略化を図ることができるとともに、Ｎ／ＣタイプとＮ／Ｏタイプの電磁弁１、２の構成部品の共通化率を向上させることができる。本実施形態では、電磁部２０の圧縮スプリング２９およびシャフト（第一シャフト２８ａ、第二シャフト２８ｂ）以外の部品を共通化することができる。これにより、製品コストの更なる低減化が可能になり、製品性能の安定化を図ることができる。

また、第二ヨーク２５には、コイル２２の軸線方向に圧縮スプリング２９または第二シャフト２８ｂを貫通させる軸線穴２５ｃが貫設されているので、第一ヨーク２３と第二ヨーク２５の組み換え構造が可能となる。

また、プランジャ２４に形成された軸線穴２４ｂの一端部には、第一シャフト２８ａの基部が嵌合可能な大径凹部２４ａが形成されている。これにより、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１の場合には、大径凹部２４ａに圧入等で取り付けられる第一シャフト２８ａを容易に取り付けることができる。また、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２の場合には、大径凹部２４ａに第二シャフト２８ｂが取り付けられない構造となることから、電磁部２０への通電時に、大径凹部２４ａが形成されたことによって薄肉となったプランジャ２４の一端部を通る磁束が細くなり、磁気抵抗が大きくなるので、プランジャ２４の復帰性（戻り性）を良好にすることができる。

また、プランジャ２４には、第二ヨーク２５の軸線穴２５ｃよりも径の小さい軸線穴２４ｂが軸線方向に形成されている。これにより、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１においては、プランジャ２４が圧縮スプリング２９と当接するようにすることができ、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２においては、プランジャ２４が第二シャフト２５と当接するようにすることができる。

また、第一および第二ヨーク２３、２５のフランジ部２３ａ、２５ａの形状を同一にしたので、第一ヨーク２３と第二ヨーク２５の組み換え構造を容易に実現することができる。さらに、第一および第二ヨーク２３、２５のフランジ部の軸線方向の厚さを同一にしたので、ケース２１内に第一ヨーク２３と第二ヨーク２５を入れ換えた位置に配置した場合でも、第一および第二ヨーク２３、２５をかしめ等で同様の状態に固定することができる。これにより、第一ヨークと第二ヨークの組み換え構造を容易に実現することができる。

また、ケース２１の流路制御部１０の反対側端部に非磁性のストッパ２６を配置したので、Ｎ／Ｃタイプの電磁弁１では、そのストッパ２６を圧縮スプリング２９の抜け止めとして利用し、Ｎ／Ｏタイプの電磁弁２では、そのストッパ２６をプランジャ２４の抜け止めとして利用することができる。

また、コイル２２が巻かれたボビン２２ａの内径は軸線方向にストレート形状であるので、第一ヨーク２３と第二ヨーク２５の組み換え構造を容易に実現することができる。

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更することが可能である。

１…Ｎ／Ｃタイプの電磁弁、２…Ｎ／Ｏタイプの電磁弁、１０…流路制御部、１１…弁ハウジング、１１ａ…弁室、１１ｂ…供給通路、１１ｃ…制御通路、１１ｄ…ドレン通路、１２…第一弁座部材、１２ａ…第一弁座、１３…第二弁座部材、１３ａ…第二弁座、１４…ボール弁（弁体）、２０…電磁部、２１…ケース、２２…コイル、２２ａ…ボビン、２３…第一ヨーク、２３ａ…フランジ部、２４…プランジャ、２４ａ…大径凹部、２４ｂ…軸線穴、２５…第二ヨーク、２５ａ…フランジ部、２５ｃ…軸線穴、２６…ストッパ、２７…コネクタ、２８ａ…第一シャフト、２８ｂ…第二シャフト、２９…圧縮スプリング。

Claims

弁ハウジングに形成された弁室に収納され、供給通路に連通する第一弁座またはドレン通路に連通する第二弁座に押圧され、前記弁室に連通する制御通路を前記供給通路または前記ドレン通路と連通させる弁体を備えた流路制御部と、
前記弁ハウジングに取付けられ前記弁体を前記第一弁座または前記第二弁座に押圧させる電磁部を備えた電磁弁であって、
前記流路制御部は、前記電磁部に非通電時に、前記弁体が前記第一弁座に当接して前記供給通路と前記制御通路とを遮断するノーマルクローズタイプの電磁弁および前記弁体が前記第一弁座から離間して前記供給通路と前記制御通路とを連通するノーマルオープンタイプの電磁弁に共通化できる構成であり、
前記電磁部は、前記弁ハウジングと結合されるケース、前記ケースに嵌装されるコイル、前記コイルに嵌装される第一ヨーク、および前記第一ヨークに嵌装されるプランジャを前記コイルへの通電時に吸引するとともに前記コイルに嵌装される第二ヨークが前記ノーマルクローズタイプの電磁弁および前記ノーマルオープンタイプの電磁弁に共通化できる構成であり、
前記第一ヨークおよび前記プランジャが前記コイルの前記流路制御部側の前方部に配置され、前記第二ヨークが前記コイルの後方部に配置され、前記コイルへの非通電時に前記プランジャを前記流路制御部側に付勢して前記弁体を第一シャフトを介して前記第一弁座に押圧させる圧縮スプリングを設けて前記ノーマルクローズタイプの電磁弁を構成する場合と、
前記第二ヨークが前記コイルの前方部に配置され、前記第一ヨークおよび前記プランジャが前記コイルの後方部に配置され、前記コイルへの通電時に前記プランジャが前記流路制御部側に吸引されて前記弁体が第二シャフトを介して前記第一弁座に押圧される前記ノーマルオープンタイプの電磁弁を構成する場合の少なくとも一方の場合を達成できるようにした電磁弁。
請求項１において、
前記第二ヨークには、前記コイルの軸線方向に前記圧縮スプリングまたは前記第二シャフトを貫通させる軸線穴が貫設されている電磁弁。
請求項１または２において、
前記プランジャの前記軸線方向の一端部には、前記第一シャフトの基部が嵌合可能な大径凹部が形成されている電磁弁。
請求項２において、
前記プランジャには、前記第二ヨークの軸線穴よりも径の小さい軸線穴が前記軸線方向に形成されている電磁弁。
請求項１〜４のいずれか一項において、
前記プランジャは、前記ノーマルクローズタイプの電磁弁および前記ノーマルオープンタイプの電磁弁に共通化できる電磁弁。
請求項１〜５のいずれか一項において、
前記コイルが巻かれたボビンの内径は軸線方向にストレート形状である電磁弁。
請求項１〜６のいずれか一項において、
前記第一および第二ヨークのフランジ部の形状を同一にした電磁弁。
請求項１〜７のいずれか一項において、
前記第一および第二ヨークのフランジ部の軸線方向の厚さを同一にした電磁弁。
請求項１〜８のいずれか一項において、
前記ケースの前記流路制御部の反対側端部に非磁性のストッパを配置した電磁弁。