JP5890543B2 - 極紫外光源のためのビーム搬送システム - Google Patents
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
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- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
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Description
305 駆動レーザシステム
310 ターゲット位置
315 ビーム搬送システム
320 集束アセンブリ
Claims (18)
- 増幅光ビームを生成する駆動レーザシステムと、
ターゲット位置でターゲット材料を生成するターゲット材料送出システムと、
排気して減圧する内部空間を定める極紫外光真空チャンバであって、前記真空チャンバが、前記増幅光ビームが前記ターゲット位置と交差して前記ターゲット材料に当った時に前記ターゲット材料から出射される極紫外光を集光する極紫外光集光器を前記内部空間内に収容し、前記ターゲット位置が前記真空チャンバの該内部空間にある、極紫外光真空チャンバと、
前記駆動レーザシステムから出射された前記増幅光ビームを受け取り、かつ、前記増幅光ビームを前記ターゲット位置に向けて誘導するビーム送出システムであって、 前記増幅光ビームのサイズを拡張するビーム拡張システムと、前記ターゲット位置に前記増幅光ビームを集束させる収束レンズを含み前記内部空間を外部空間から分離する前記真空チャンバの耐圧窓を形成する集束要素と、を有するビーム送出システムと、
を備える、極紫外光システム。 - 前記増幅光ビームを受け取って前記増幅光ビームを向け直すミラーを備え、
前記ミラーは、前記収束レンズの表面から反射した光の診断部分を前記増幅光ビームから分離し、かつ、前記分離診断光部分を前記集光して分離した診断光部分に基づいて前記増幅光ビームの特性を解析する計測システムに誘導する特徴部を有する、請求項1に記載の極紫外光システム。 - 前記ビーム送出システムは、前記ミラーに向けて前記増幅光ビームを誘導する前に該増幅光ビームの方向及び波面のうちの1つ又はそれよりも多くを変える1組の光学構成要素を更に有する、請求項2に記載のシステム。
- 前記ミラー特徴部は、前記ミラーの中心領域内に定められた開口部である、請求項2に記載のシステム。
- 前記収束レンズは、非球面レンズである、請求項1に記載のシステム。
- 前記収束レンズは、セレン化亜鉛で製造される、請求項1に記載のシステム。
- 前記ビーム送出システムは、前記収束レンズに機械的に結合され、かつ前記収束レンズを移動させて前記増幅光ビームを前記ターゲット位置に集束させる作動システムを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記極紫外光集光器は、前記増幅光ビームが前記ターゲット位置に向けて誘導されるときに通過する開口を有する、請求項1に記載のシステム。
- 少なくともいくつかの前記ビーム送出システムは、前記極紫外光真空チャンバの外部に設けられている、請求項1に記載のシステム。
- 前記ビーム拡張システムは、前記集束要素と駆動レーザシステムとの間にある、請求項1に記載のシステム。
- 前記ビーム送出システムは、前記収束レンズで反射した前記増幅光ビームを検出する計測システムを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記計測システムと、前記収束レンズに結合した作動システムと、に接続したコントローラを更に含み、
前記コントローラは、前記計測システムからの前記出力に基づいて前記収束レンズを移動させる、請求項11に記載のシステム。 - 前記ビーム送出システムは、前記拡張システムから前記収束レンズに向けて前記増幅光ビームを向け直すレンズ前ミラーを含む、請求項12に記載のシステム。
- 前記レンズ前ミラーは、前記計測システムからの前記出力に基づいて前記ミラーの移動を可能にするために前記コントローラに接続されたミラー作動システムに結合される、請求項13に記載のシステム。
- 極紫外光を生成する方法であって、
極紫外光真空チャンバの内部空間を排気して減圧する段階と、
前記真空チャンバの前記内部空間にあるターゲット位置でターゲット材料を生成する段階と、
駆動レーザシステム内の少なくとも1つの光増幅器の利得媒体に励起エネルギを供給して増幅光ビームを生成する段階と、
前記増幅光ビームの横断面積を拡張する段階と、
前記内部空間を外部空間から分離する前記真空チャンバの耐圧窓を形成する収束レンズを通して前記拡張増幅光ビームを誘導することにより、前記拡張増幅光ビームを前記ターゲット位置上に集束させる段階と、
前記増幅光ビームが前記ターゲット位置と交差して前記ターゲット材料に当った時に前記ターゲット材料から出射される極紫外光を集光する段階と、
を含む、方法。 - 前記収束レンズから反射した光の解析に基づいて、前記収束レンズを移動させて前記ターゲット位置に前記増幅光ビームを集束させる段階を更に含む、請求項15に記載の方法。
- 前記収束レンズに向けて前記拡張増幅光ビームを向け直すレンズ前ミラーから前記拡張増幅光ビームを反射させる段階を更に含む、請求項15に記載の方法。
- 前記収束レンズから反射した光の解析に基づいて前記レンズ前ミラーを移動させる段階を更に含む、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/638,092 US8173985B2 (en) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | Beam transport system for extreme ultraviolet light source |
US12/638,092 | 2009-12-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012544609A Division JP5794433B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-12-07 | 極紫外光源のためのビーム搬送システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015118946A JP2015118946A (ja) | 2015-06-25 |
JP5890543B2 true JP5890543B2 (ja) | 2016-03-22 |
Family
ID=44141875
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012544609A Active JP5794433B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-12-07 | 極紫外光源のためのビーム搬送システム |
JP2015028912A Expired - Fee Related JP5890543B2 (ja) | 2009-12-15 | 2015-02-17 | 極紫外光源のためのビーム搬送システム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012544609A Active JP5794433B2 (ja) | 2009-12-15 | 2010-12-07 | 極紫外光源のためのビーム搬送システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8173985B2 (ja) |
JP (2) | JP5794433B2 (ja) |
KR (1) | KR101688447B1 (ja) |
TW (1) | TWI469691B (ja) |
WO (1) | WO2011075346A1 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8653437B2 (en) | 2010-10-04 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods |
US8654438B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source |
US8513629B2 (en) | 2011-05-13 | 2013-08-20 | Cymer, Llc | Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning |
JP2010123714A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
US8304752B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-11-06 | Cymer, Inc. | EUV light producing system and method utilizing an alignment laser |
US8648999B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-02-11 | Cymer, Llc | Alignment of light source focus |
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US8462425B2 (en) | 2010-10-18 | 2013-06-11 | Cymer, Inc. | Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source |
US8633459B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-01-21 | Cymer, Llc | Systems and methods for optics cleaning in an EUV light source |
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JP6080481B2 (ja) | 2012-01-26 | 2017-02-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
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TWI248244B (en) * | 2003-02-19 | 2006-01-21 | J P Sercel Associates Inc | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
JP4535732B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-09-01 | 株式会社小松製作所 | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
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JP4800145B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-10-26 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
JP5076079B2 (ja) | 2006-10-18 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
-
2009
- 2009-12-15 US US12/638,092 patent/US8173985B2/en active Active
-
2010
- 2010-12-03 TW TW99142119A patent/TWI469691B/zh active
- 2010-12-07 KR KR1020127018249A patent/KR101688447B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-07 JP JP2012544609A patent/JP5794433B2/ja active Active
- 2010-12-07 WO PCT/US2010/059280 patent/WO2011075346A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-02-17 JP JP2015028912A patent/JP5890543B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110140008A1 (en) | 2011-06-16 |
KR20120092706A (ko) | 2012-08-21 |
TW201138557A (en) | 2011-11-01 |
KR101688447B1 (ko) | 2016-12-21 |
US8173985B2 (en) | 2012-05-08 |
TWI469691B (zh) | 2015-01-11 |
JP5794433B2 (ja) | 2015-10-14 |
JP2015118946A (ja) | 2015-06-25 |
WO2011075346A1 (en) | 2011-06-23 |
JP2013513930A (ja) | 2013-04-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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