JP5852474B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
前記吸収電流検出器を、前記試料から離して配置した場合には、
前記吸収電流検出器は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から出射した荷電粒子線が入射すると、入射した荷電粒子線を、前記試料の表面の法線方向と前記荷電粒子線の入射方向の少なくとも一方の方向に対して、前記荷電粒子線の前記試料上の照射位置から前記吸収電流検出器への方向がなす角度に依存する信号電流として検出することを特徴としている。
図1に、本発明の第1の実施形態に係る荷電粒子線装置1の構成図を示す。なお、第1の実施形態では、荷電粒子線装置1として、電子線装置であるSEMを例に説明するが、本発明は、他の荷電粒子線装置(荷電粒子線顕微鏡)1にも適用できる。荷電粒子線装置1は、試料101を載置し移動させる試料ステージ102と、試料ステージ102を移動させる等の制御をする試料位置制御装置103と、試料101に電子ビーム(荷電粒子ビーム)104を照射し走査させる電子ビーム光学システム装置105と、電子ビーム光学システム装置105を制御する電子ビーム光学システム制御装置106と、試料101で発生する二次電子等を検出する二次電子検出器107と、二次電子検出器107を制御する二次電子検出器制御装置108と、導電部材109と、導電部材109を先端に着脱可能に取付け、吸収電流を検出する吸収電流検出器110と、吸収電流検出器110の検出の制御をする吸収電流検出器制御装置111と、吸収電流検出器110を載置し移動させる吸収電流検出器ステージ112と、吸収電流検出器ステージ112の移動の制御をする吸収電流検出器位置制御装置113と、前記の各機器を制御する中央処理装置(コンピュータ)114と、SEM像や吸収電流像等と操作画面等を表示するディスプレイを備えた表示装置115と、試料101や導電部材109等を収容し真空雰囲気に保持する真空容器116とを有している。試料位置制御装置103、電子ビーム光学システム制御装置106、二次電子検出器制御装置108、吸収電流検出器制御装置111、吸収電流検出器位置制御装置113等は、中央処理装置114で制御される。中央処理装置114には、例えばパーソナルコンピュータやワークステーション等を用いることができる。試料ステージ102、電子ビーム光学システム装置105、二次電子検出器107、吸収電流検出器110、吸収電流検出器ステージ112は、真空容器116内に配置される。
図7に、本発明の第2の実施形態に係る荷電粒子線装置1の構成図を示す。第2の実施形態が、第1の実施形態と異なっている点は、試料101と導電部材109にイオンビーム701を照射するイオンビーム光学システム装置(イオンビーム照射装置)702と、試料101と導電部材109にアシストガスを供給するアシストガス供給装置704とを有している点である。イオンビーム光学システム装置702と、アシストガス供給装置704は、真空容器116内に配置される。また、荷電粒子線装置1は、イオンビーム光学システム装置702を制御するイオンビーム光学システム制御装置703と、アシストガス供給装置704を制御するアシストガス供給用制御装置705を有している。イオンビーム光学システム装置702は、イオンビーム光学システム制御装置703を介して、中央処理装置114から操作することができる。アシストガス供給装置704は、アシストガス供給用制御装置705を介して、中央処理装置114から操作することができる。
101 試料
102 試料ステージ
103 試料位置制御装置
104 電子ビーム(荷電粒子線)
105 電子ビーム光学システム装置(荷電粒子線照射装置)
106 電子ビーム光学システム制御装置(荷電粒子線照射装置)
107 二次電子検出器(二次荷電粒子検出器)
108 二次電子検出器制御装置(二次荷電粒子検出器)
109 導電部材(非接触プローブ:吸収電流検出器)
109a 導電部材(反射(二次)荷電粒子用(非接触)プローブ:吸収電流検出器)
109b 導電部材(透過荷電粒子用(非接触)プローブ:吸収電流検出器)
109c 導電部材(ディフラクションパターン用(非接触)プローブ:吸収電流検出器)
110 吸収電流検出器本体(吸収電流検出器)
111 吸収電流検出器制御装置(吸収電流検出器)
112 吸収電流検出器ステージ(検出器移動装置:吸収電流検出器)
113 吸収電流検出器位置制御装置(吸収電流検出器)
114 中央処理装置(単位画像取得装置、コンピュータ)
115 表示装置
115a GUI画面
116 真空容器
201 二次荷電粒子(角度依存荷電粒子)
202 吸収電流検出器の先端部
203 同軸ケーブル
204 信号線
205 三次荷電粒子
206 絶縁材
207 シールド
208 接触プローブ
401 検出器選択プルダウン(表示)
402 検出信号(プローブ)選択プルダウン(表示)
403 検出器状態表示
404 X−Y平面表示
405 X−Z平面表示
406 検出器の先端座標表示
407 現在座標表示
408 設定座標表示
409 検出器導入ボタン表示
410 検出器退避ボタン表示
411 検出器初期設定ボタン表示
412 連続取得表示
413 連続取得設定ボタン表示
414 工程数表示
415 総時間表示
416 基準位置ボタン表示
417 移動ボタン表示
418 停止ボタン表示
501 導電部材の画像
502 試料の画像
503 導電部材の支持の位置
504 寸法表示
505 走査方向(範囲)表示
601 連続取得設定画面
602 座標位置設定モード
603 移動領域設定モード
604 座標登録表表示
605 画像取得時間設定表示
606 開始座標位置設定表示
607 終了座標位置設定表示
608 画素数設定表示
701 イオンビーム
702 イオンビーム光学システム装置(イオンビーム照射装置)
703 イオンビーム光学システム制御装置(イオンビーム照射装置)
704 アシストガス供給装置
705 アシストガス供給用制御装置
801 母材
802 周囲加工溝
803 底切り加工スペース
804 支持部
805 デポジションガス(アシストガス)
806 導電体(堆積物)
Ia 信号電流
Ib 吸収電流
θ 荷電粒子線の試料上の照射位置からの出射方向が入射方向となす角度
△θ 特定の角度範囲
R1、R2、R3 角度条件を満足する試料上の走査領域
P1、P2、P3 角度条件を満足する検査位置
Claims (13)
- 荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線照射装置と、前記試料に接触するように配置することで照射された前記荷電粒子線により前記試料に発生した吸収電流を自身に流して検出する吸収電流検出器とを有し、前記荷電粒子線が前記試料上を走査することで吸収電流像を取得する荷電粒子線装置において、
前記吸収電流検出器を、前記試料から離して配置した場合には、
前記吸収電流検出器は、前記荷電粒子線の照射により前記試料から出射した荷電粒子線が入射すると、入射した荷電粒子線を、前記試料の表面の法線方向と前記荷電粒子線の入射方向の少なくとも一方の方向に対して、前記荷電粒子線の前記試料上の照射位置から前記吸収電流検出器への方向がなす角度に依存する信号電流として検出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 前記吸収電流検出器は、
前記試料に接触し前記吸収電流が流れる接触プローブと、
前記試料から出射した荷電粒子線が入射し前記信号電流が流れる非接触プローブとを有することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線装置。 - 前記接触プローブと前記非接触プローブのどちらか一方は、他方を兼ねていることを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線装置。
- 前記接触プローブと前記非接触プローブの少なくともどちらか一方は、同軸ケーブルに接続され、
前記同軸ケーブルは、前記吸収電流と前記信号電流の少なくともどちらか一方が流れる信号線と、前記信号線を覆い接地されたシールドとを有することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の荷電粒子線装置。 - 前記非接触プローブの組成には、銅より原子番号の小さい元素が含まれていることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。
- 前記非接触プローブは、前記接触プローブの先端に接続されることを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線装置。
- 前記非接触プローブは、
前記試料から出射した荷電粒子線が、反射荷電粒子又は二次荷電粒子である場合に用いる反射荷電粒子用プローブと、
前記試料から出射した荷電粒子線が透過荷電粒子であり、前記試料から出射した複数の荷電粒子線の軌跡が概ね円錐の側面上を通る場合に用いる透過荷電粒子用プローブと、
前記試料から出射した荷電粒子線が透過荷電粒子であり、ディフラクションパターンを取得する場合に用いるディフラクションパターン用プローブと、
の内の少なくとも1つであることを特徴とする請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。 - 前記反射荷電粒子用プローブと前記透過荷電粒子用プローブと前記ディフラクションパターン用プローブの内の少なくとも2つは、前記場合に応じて前記接触プローブの先端との接続を変更することを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子線装置。
- 前記荷電粒子線の照射により前記試料から出射した二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器を有し、
前記荷電粒子線が前記試料上を走査することで二次荷電粒子像を取得することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。 - GUIを備えた表示装置とコンピュータを有し、
前記コンピュータは前記表示装置に、
前記吸収電流検出器と前記二次荷電粒子検出器のどちらを使うかを選択するようにオペレータに促すような表示と、
前記吸収電流と前記信号電流のどちらを検出するかを選択するようにオペレータに促すような表示と、
前記試料から出射した荷電粒子線が反射荷電粒子又は二次荷電粒子である場合に用いる反射荷電粒子用プローブと、前記試料から出射した荷電粒子線が透過荷電粒子であり前記試料から出射した複数の荷電粒子線の軌跡が概ね円錐の側面上を通る場合に用いる透過荷電粒子用プローブと、前記試料から出射した荷電粒子線が透過荷電粒子でありディフラクションパターンを取得する場合に用いるディフラクションパターン用プローブのどれを使うかを選択するようにオペレータに促すような表示の少なくとも1つをすることを特徴とする請求項9に記載の荷電粒子線装置。 - 前記角度が特定の角度に略等しいという条件を満足する前記試料上の領域内を前記荷電粒子線が走査することで前記信号電流による単位画像を取得する単位画像取得装置と、
前記領域の移動に伴って、前記条件を満足する位置に前記吸収電流検出器を移動させる検出器移動装置とを有し、
前記単位画像の取得と前記吸収電流検出器の移動とを繰り返し実施して取得した複数の前記単位画像を合成して、信号電流像を取得することを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線の照射により前記試料から出射した二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器を有し、
前記荷電粒子線照射装置は、前記荷電粒子線を前記吸収電流検出器と前記試料に照射し、
前記二次荷電粒子検出器は、前記荷電粒子線の照射により前記吸収電流検出器と前記試料から出射した二次荷電粒子を検出し、
前記荷電粒子線が前記非接触プローブ上と前記試料上を走査することで前記吸収電流検出器と前記試料の二次荷電粒子像を取得し、
前記吸収電流検出器と前記試料の二次荷電粒子像に基づいた前記吸収電流検出器と前記試料の位置関係が、前記吸収電流検出器と前記試料とが互いに干渉せず、かつ、前記角度が特定の角度に略等しいような位置関係になるような設定であることを特徴とする請求項2乃至請求項8のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。 - 前記荷電粒子線照射装置は、前記荷電粒子線を前記非接触プローブに照射し、
前記荷電粒子線が前記非接触プローブ上を走査することで、前記非接触プローブの形状を吸収電流像として取得することを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線装置。
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US10504692B2 (en) * | 2017-08-07 | 2019-12-10 | Applied Materials Israel Ltd. | Method and system for generating a synthetic image of a region of an object |
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Family Cites Families (18)
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NL7902963A (nl) * | 1979-04-13 | 1980-10-15 | Philips Nv | Detektor voor elektronenmikroskoop. |
JPS6188442A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム照射装置 |
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JPH0430971Y2 (ja) | 1990-01-29 | 1992-07-27 | ||
JP3577839B2 (ja) * | 1996-06-04 | 2004-10-20 | 株式会社日立製作所 | 不良検査方法および装置 |
US6452174B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charged particle beam apparatus and method of controlling same |
JP3766793B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2006-04-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US6674075B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam apparatus and method for inspecting samples |
US6891170B1 (en) * | 2002-06-17 | 2005-05-10 | Zyvex Corporation | Modular manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope |
JP4443167B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2010-03-31 | 株式会社日立製作所 | 走査型電子顕微鏡 |
JP2005251745A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-15 | Zyvex Corp | 荷電粒子ビーム装置プローブ操作 |
JP2008166702A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-07-17 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
US8139866B2 (en) * | 2007-04-23 | 2012-03-20 | 4Pi Analysis, Inc. | Method and system for drift correction of spectrum images |
JP5103422B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
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