JP5851248B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサを有する電力変換装置に関する。
スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサから構成される高耐圧・大容量の電力変換装置は、スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサを接続する主回路ブスバーを有する。パワー半導体,平滑コンデンサおよび主回路ブスバーには寄生インダクタンスが存在し、中でも主回路ブスバーのインダクタンスが大きい。ここで、主回路インダクタンスが大きいとき、パワー半導体素子のスイッチングによる電流変化(di/dt)とインダクタンスの掛け算で決まる跳ね上がり電圧が大きくなり、スイッチング用パワー半導体素子や周辺部品の耐電圧を越えることによる破損が懸念される。
このため従来技術では、主回路インダクタンスの低減や電流変化(di/dt)を小さくするなどの工夫がなされてきた。また、大容量の電力変換装置では、スイッチング用パワー半導体モジュールと平滑コンデンサの配置により、例えば3相電力変換装置では、各相内の並列回路間の主回路インダクタンスに差が生じ、並列素子間の電流分布が均一とならない懸念があった。
特許文献1、2には、スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサを可能な限り直近に配置し、スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサを接続する主回路ブスバーを短くすることによる低インダクタンス化が開示されている。
また、特許文献3には、スイッチング用パワー半導体ケースの一部をくり抜き、そこに平滑コンデンサを埋め込むことによって配線を短くし、低インダクタンス化を図ることが開示されている。
さらに、特許文献4では、各相の電流分布を均一化させるため、平滑コンデンサを各相のスイッチング用パワー半導体モジュールの直近に配置している。
一方、特許文献5では、3相分の6つの半導体スイッチング素子を1つのモジュールとした“6 in 1”モジュールにおいて、各相に平滑コンデンサを接続する構成とすることにより、主回路の低インダクタンス化と、各相のインダクタンスの均一化を図ることが開示されている。
最後に、特許文献6では、複数のスイッチング用パワー半導体モジュールを並列接続して用いるとき、平滑コンデンサを分割し、各モジュールに対してそれぞれ平滑コンデンサを接続することにより、各モジュール間の電流を均一化することが開示されている。
特開2003−116281号公報 特開2010−252460号公報 特開2000−92847号公報 特開2006−254656号公報 特開2009−5462号公報 特開平5−83954号公報
特許文献4に記載された従来技術では、スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサの外部回路接続端子を接続するための主回路ブスバーが必要である。ここで、高耐圧・大容量の電力変換装置では、スイッチング用パワー半導体素子および平滑コンデンサの寸法が大きいため、主回路ブスバー長が長くなり、インダクタンスが大きくなっていた。
また、各相の直近に各相独立に平滑コンデンサを配置している。これにより各相のインダクタンスを均一化させることが可能となる。しかし、通常、大容量パワー半導体モジュールは、電流容量を確保するため、内部に複数の基板を有し、各基板を並列に接続し外部へ端子を取り出す。このため、各相のインダクタンスが均一となっていても、スイッチング用パワー半導体モジュール内部の並列回路の電流分布に関しては考慮されていない。したがって、内部の並列回路間でインダクタンスがばらつき、電流分布がばらつく可能性がある。
その他の特許文献1−3,5および6においても、スイッチングモジュールと平滑コンデンサ間の配線のインダクタンスの低減が不十分であり、各相間のインダクタンスが不均一となり動作の不安定性を生じ易く、かつ各相内で並列接続された素子間の電流アンバランスが生じ易い欠点があった。
本発明は上記の課題を解決するために提案されたもので、その目的は、スイッチング用パワー半導体素子と平滑コンデンサを接続する主回路の低インダクタンス化、各相内のスイッチング用パワー半導体素子の並列回路間の電流バランス向上による電力変換装置の小型化にある。
本発明はその一面において、少なくとも2つの半導体スイッチング素子が直列接続され、その両端である直流正極端子と負極端子、並びに2つの前記半導体スイッチング素子の直列接続点である交流端子とが外部へ引き出されている半導体スイッチングモジュール単位を複数単位並列接続して1相分を形成した電力変換装置において、複数の前記スイッチングモジュール単位のそれぞれに対応して設けられ、各スイッチングモジュール単位の前記直流正極端子と負極端子に接続される正極端子と負極端子を持つ平滑コンデンサ単位を複数個備え、複数の前記スイッチングモジュール単位の前記直流正極端子と負極端子が、複数の前記平滑コンデンサ単位の前記正極端子と負極端子にそれぞれ当接するように前記スイッチングモジュール単位と前記平滑コンデンサ単位とを対向配置し、当接した端子同士をそれぞれ締結し、複数の前記スイッチングモジュール単位の前記直流正極端子同士と負極端子同士を、それぞれ接続する正極導体と負極導体を備え、複数個の前記スイッチングモジュール単位と、複数個の前記平滑コンデンサ単位を、それぞれ上下方向に重ねて並列接続して、前記電力変換装置の主回路1相分を構成し、前記主回路1相分を横方向に3相分並べて配置して前記電力変換装置の主回路3相分を構成し、前記並列数だけ上下方向に重ねるように配置された前記複数のスイッチングモジュール単位と、横方向に3相分並べて配置された前記複数のスイッチングモジュール単位の反平滑コンデンサ側の面を、冷却器に接続された受熱板の垂直面に密接して配置し、複数個の前記スイッチングモジュール単位が上下方向に重ねて並列接続されて主回路1相分のスイッチング回路を構成するスイッチングモジュールは、四隅に前記受熱板へ取り付けるためのねじ穴部を備え、複数個の前記平滑コンデンサ単位が上下方向に重ねて並列接続されて主回路1相分の平滑コンデンサを構成する平滑コンデンサモジュールは、四隅に前記スイッチングモジュールのねじ穴部に対応する窪みを有することを特徴とする。
本発明の望ましい実施態様においては、前記スイッチングモジュール単位のケースに備えられた外部接続用の正極および負極端子部がオスまたはメスコネクタ形状であり、前記平滑コンデンサ単位のケースに備えられた外部接続用の正極および負極端子部が、前記スイッチングモジュール単位の前記正極および負極端子部のコネクタ形状と対応してメスまたはオスコネクタ形状である。
本発明により、スイッチング用パワー半導体素子および平滑コンデンサを持つ電力変換装置において、主回路インダクタンスの低減、スイッチング用パワー半導体モジュール内部の電流バランスを図り、電力変換装置の小型化が可能となる。
本発明のその他の目的と特徴は、以下の実施例の説明の中で明らかにする。
本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールの回路基板と平滑コンデンサの各1単位の分解斜視図である。 本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールと平滑コンデンサおよびブスバーの1相分の接続前の状態を示す側面図である。 本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールのケーシングされた1相分を示す斜視図とその内部接続回路図である。 本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールと平滑コンデンサの1相分を示す、嵌め合わせ接続後の斜視図とその内部接続回路図である。 本発明の実施例2による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュールと平滑コンデンサの1相分の接続前の状態を示す斜視図である。 本発明の実施例3による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュールと平滑コンデンサの1相分の接続前の状態を示す斜視図である。 本発明の実施例3による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュールと平滑コンデンサの1相分を嵌め合わせ接続後の状態を示す斜視図である。 本発明の実施例3による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュールと平滑コンデンサの3相分の組み立て構造を示す斜視図である。 本発明の電力変換装置の一実施例主回路接続図である。 本発明の電力変換装置の半導体モジュールの端子と平滑コンデンサの端子を接続する接続部の構成例図である。 本発明の電力変換装置における半導体モジュールの回路基板から外部回路接続端子の取り出し部の構造例図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図1は、本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールの回路基板と平滑コンデンサの各1単位の分解斜視図である。図において、一対の回路基板1a,1bのそれぞれに、図示しない一対のスイッチング用パワー半導体素子が配置されている。これら一対の素子は、直列接続されており、その両端は、パワー半導体スイッチングモジュール(以下、半導体モジュールと称する)の正極端子2および負極端子3として外部への出力端子となり、直列接続点は、交流端子4に接続されている。
以上により、半導体モジュールの最小単位5が形成されており、2つのスイッチング素子が直列接続され、その両端である直流正極端子2と負極端子3、並びに直列接続点である交流端子4が、外部へ引き出されている。
一方、平滑コンデンサは、図示するように8個のセルを一体化して正極端子6と負極端子7を外部へ引き出し、平滑コンデンサの最小単位8としている。
これらの半導体モジュール単位5と平滑コンデンサ単位8は、図示の状態から接近させて、互いの正極端子2と6、および負極端子3と7を当接させ、各端子のボルト穴21,31,61および71を利用して、ボルトとナットで締結して電気的に接続する。
図2は、本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールと平滑コンデンサおよびブスバーの1相分の接続前の状態を示す側面図である。
半導体モジュール単位5と平滑コンデンサ単位8は、いずれも3つずつが上下方向に重ね合わせられ、1相分の半導体モジュール50と、1相分の平滑コンデンサ80となる。3つの平滑コンデンサ単位8を積層するとき、それぞれの平滑コンデンサ単位8の間には、間隔を保持するための支持部材9を介挿する。図1で説明したように、互いの正極端子2と6、および負極端子3と7を当接させ、ボルトとナットで締結して電気的に接続するが、このとき、それぞれの3つの正極端子同士と負極端子同士は、同一電位点となるように、ブスバー10a,10b(正極端子の接続が10a、負極端子の接続が10b)をも一体に締結する。これらのブスバー10a,10bにも、ボルト穴101を設けている。
図3は、本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールのケーシングされた1相分を示す斜視図とその内部接続回路図である。図1で説明した半導体モジュール単位5が、上下方向に3組積み重ねられて1相分の半導体モジュール50が形成される。また、半導体モジュール50の正極端子と負極端子が、オスコネクタ(male connector)2a〜2c,3a〜3cを形成している。その内部回路は図示するように、2つずつのスイッチング素子が直列接続された半導体モジュール単位を3組内蔵している。
図4は、本発明の実施例1による電力変換装置の半導体モジュールと平滑コンデンサの1相分を示す、嵌め合わせ接続後の斜視図とその内部接続回路図である。図3で説明した1相分の半導体モジュール50に対し、図2で説明した1相分の平滑コンデンサが嵌め合わせ接続される構成により、モジュール内部において、平滑コンデンサ8を各半導体モジュール単位毎に直接接続し、直流正極ブスバー10aおよび負極ブスバー10b間に、3組を並列接続した図示する主回路が形成される。
図中に、1つの平滑コンデンサ単位8を裏返して示したように、その正極および負極端子6,7は、メスコネクタ(female connector)6,7を形成しており、前述した半導体モジュール側のオスコネクタ2a〜2c,3a〜3cとの間で、互いを嵌め合わせ、ボルト締結用の穴11を利用してボルトとナットで締め付ければ、半導体モジュールと平滑コンデンサを接続することが可能となる。
この実施例においては、並列接続されるスイッチングモジュール単位5と、平滑コンデンサ単位8を、それぞれ上下方向に並列数3個分重ねるように配置して、電力変換装置の主回路1相分を構成している。
この実施例1の特徴を整理すると、図3に示すように少なくとも2つの半導体スイッチング素子が直列接続され、その両端である直流正極端子2(2a〜2c)と負極端子3(3a〜3c)、並びに2つの前記半導体スイッチング素子の直列接続点である交流端子4(4a〜4c)とが外部へ引き出されている半導体スイッチングモジュール単位5を複数単位並列接続して1相分50を形成した電力変換装置において、複数の前記スイッチングモジュール単位5のそれぞれに対応して設けられ、各スイッチングモジュール単位5の前記直流正極端子2(2a〜2c)と負極端子3(3a〜3c)に接続される正極端子6(6a〜6c)と負極端子7(7a〜7c)を持つ平滑コンデンサ単位8を複数個備え、複数の前記スイッチングモジュール単位5の前記直流正極端子2(2a〜2c)と負極端子3(3a〜3c)が、複数の前記平滑コンデンサ単位8の前記正極端子6(6a〜6c)と負極端子7(7a〜7c)にそれぞれ当接するように前記スイッチングモジュール単位5と前記平滑コンデンサ単位8とを対向配置し、当接した端子同士をそれぞれ締結し、複数の前記スイッチングモジュール単位5の前記直流正極端子同士2a〜2cと負極端子同士3a〜3cを、それぞれ接続する正極導体10aと負極導体10bを備えて電力変換装置を構成している。したがって、前記平滑コンデンサ単位8の数は、複数の前記スイッチングモジュール単位5と同数または整数倍必要となる。
以上、図1〜図4のように、回路基板1,正極端子2,負極端子3および出力端子4で構成される1単位の半導体モジュール5に対し、平滑コンデンサ8がそれぞれ直接接続される構成により、モジュール内部において、各並列構成単位のインダクタンスが揃い、電流分布を均一化させることができる。
また、図3および図4のように、半導体モジュール50がオスコネクタ(male connector)2a〜2c,3a〜3c、平滑コンデンサ8がメスコネクタ(female connector)6,7を形成しており、互いを嵌め合わせ、平滑コンデンサ8のケースに設けた穴11を利用してねじ止めすることによって、半導体モジュール50と平滑コンデンサ8の3組を接続することができる。
これにより、従来、半導体モジュールと平滑コンデンサを接続するために用いていた主回路ブスバーを省略することが可能となり、上述の電流分布の均一化と合わせ、主回路インダクタンスの低減および電力変換装置の小型化が可能となる。
また、主回路インダクタンスの低減により、半導体デバイスにシリコンカーバイド(SiC)を適用した場合における、高速な電流変化に伴う電圧の跳ね上がりを抑制することが可能となる。
図5は、本発明の実施例2による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュール50と平滑コンデンサの1相分80の接続前の状態を示す斜視図である。実施例1では、個々に成型していた平滑コンデンサ8を、本実施例では、半導体モジュール50のケースに嵌め合わせ可能な形状に、3個を一体化し、1相分の平滑コンデンサモジュール80を成型する。これにより、半導体モジュール50のオスコネクタ2a〜2c,3a〜3cと、平滑コンデンサモジュール80のメスコネクタ6a〜6c,7a〜7cを嵌め合わせることにより、半導体モジュール50と平滑コンデンサモジュール80を容易に組合せることができる。また、実施例1で必要であった平滑コンデンサ単位8間の支持部材10を兼ねることが可能となる。
1相分の平滑コンデンサケース80の四隅には、半導体モジュール50を、後述する図8の冷却器の受熱板13へ取り付ける際のねじ穴部(図5の左図の四隅)を避けるよう、モジュールケースに窪み12を持たせている。これにより、半導体モジュールケース50とコンデンサケース80を嵌め合わせた後の、受熱板13への取り付けを容易にすることができる。
図6は、本発明の実施例3による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュールと平滑コンデンサの1相分の接続前の状態を示す斜視図である。この実施例が、図5の実施例と異なる点は、オスコネクタとメスコネクタを入れ替えたことであり、その他は全く同一である。すなわち、半導体モジュール50にはメスコネクタ2a〜2c,3a〜3cが形成され、平滑コンデンサモジュール80にはオスコネクタ6a〜6c,7a〜7cが形成されている。これらの両モジュールを組み合わせれば図7となる。
図7は、本発明の実施例3による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュール50と平滑コンデンサの1相分80を嵌め合わせ接続後の状態を示す斜視図である。図に示す通り、互いのコネクタを嵌め合わせることで、半導体モジュールと平滑コンデンサモジュールを接続することが可能となる。
このように、図1〜図7の実施例においては、前記スイッチングモジュール単位5のケースに備えられた外部接続用の正極および負極端子部(2,3)がオスまたはメスコネクタ形状であり、前記平滑コンデンサ単位8のケースに備えられた外部接続用の正極および負極端子部(6,7)が、前記スイッチングモジュール単位5の前記正極および負極端子部(2,3)のコネクタ形状と対応してメスまたはオスコネクタ形状となっている。
図8は、本発明の実施例3による電力変換装置のケーシングされた半導体モジュール50と平滑コンデンサモジュール80の3相分の組み立て構造を示す斜視図である。図5〜図7で説明した実施例2〜3における、半導体モジュール50と平滑コンデンサモジュール80を用いて、U〜W相の3相電力変換器を構成した例である。図8に示す通り、実施例2〜3に示した1相分の電力変換器を3つを並べ、それぞれ受熱板13に取り付け、支持部材14により支持されている。
図9は、本発明の電力変換装置の一実施例主回路接続図であり、図8に示した構造の内部接続図である。図示するように、U〜Wの各相が、内部で3並列構成の3相インバータまたは3相コンバータを形成している。
このように、電力変換器の1相分を1単位とすることにより、例えば、単相インバータ/コンバータ、複数相のインバータ/コンバータを容易に構築することが可能となる。
また、図4および図9に示す回路図の通り、複数の半導体モジュール単位5と、これらにそれぞれ直接接続される平滑コンデンサ単位8との距離を均一にすることが可能となり、モジュール内部の並列回路の電流分布を均一化することが可能となる。
図10は、本発明の電力変換装置の半導体モジュールの端子と平滑コンデンサの端子を接続する接続部の構成例図である。図に示すように、半導体モジュールの正極端子2と、平滑コンデンサの正極端子6の接続部において、振動により端子に掛る応力を緩和させるため、例えばねじりばね等のような応力緩和機構15を有する。
図11は、本発明の電力変換装置における半導体モジュールの回路基板から外部回路接続端子の取り出し部の構造例図である。図に示すように、回路基板1には半導体チップ17が載置され、この回路基板1から外部回路接続端子、例えば正極端子2が取り出される。この回路基板1と正極端子2の接続部において、応力を緩和させるための曲げ加工部16を有することにより、振動による端子や接続部の破損を防ぐことができる。
本発明はスイッチング用パワー半導体と平滑コンデンサを持つ電力変換器に関するものである。特に、高耐電圧・大容量を必要とする鉄道車両や自然エネルギー向けにおいて、主回路インダクタンスの低減が必要となる電力変換器に適用可能である。
1a,1b…回路基板、2(2a〜2c)…半導体モジュールの正極端子、3(3a〜3c)…同負極端子、4(4a〜4c)…同交流(出力)端子、5…半導体モジュール単位、50…1相分の半導体モジュール、6(6a〜6c)…平滑コンデンサの正極端子、7(7a〜7c)…同負極端子、8…平滑コンデンサ単位、80…1相分の平滑コンデンサモジュール、9…平滑コンデンサの間隔支持部材、10a,10b…直流正負極ブスバー、11…ねじ止め用の穴、12…ねじ穴部を避ける窪み、13…冷却器の受熱板、14…支持部材、15…ねじりばね(応力緩和機構)、16…曲げ加工部(応力緩和機構)、17…半導体チップ。

Claims (6)

  1. 少なくとも2つの半導体スイッチング素子が直列接続され、その両端である直流正極端子と負極端子、並びに2つの前記半導体スイッチング素子の直列接続点である交流端子とが外部へ引き出されている半導体スイッチングモジュール単位を複数単位並列接続して1相分を形成した電力変換装置において、
    複数の前記スイッチングモジュール単位のそれぞれに対応して設けられ、各スイッチングモジュール単位の前記直流正極端子と負極端子に接続される正極端子と負極端子を持つ平滑コンデンサ単位を複数個備え、
    複数の前記スイッチングモジュール単位の前記直流正極端子と負極端子が、複数の前記平滑コンデンサ単位の前記正極端子と負極端子にそれぞれ当接するように前記スイッチングモジュール単位と前記平滑コンデンサ単位とを対向配置し、当接した端子同士をそれぞれ締結し、
    複数の前記スイッチングモジュール単位の前記直流正極端子同士と負極端子同士を、それぞれ接続する正極導体と負極導体を備え
    複数個の前記スイッチングモジュール単位と、複数個の前記平滑コンデンサ単位を、それぞれ上下方向に重ねて並列接続して、前記電力変換装置の主回路1相分を構成し、前記主回路1相分を横方向に3相分並べて配置して前記電力変換装置の主回路3相分を構成し、前記並列数だけ上下方向に重ねるように配置された前記複数のスイッチングモジュール単位と、横方向に3相分並べて配置された前記複数のスイッチングモジュール単位の反平滑コンデンサ側の面を、冷却器に接続された受熱板の垂直面に密接して配置し、
    複数個の前記スイッチングモジュール単位が上下方向に重ねて並列接続されて主回路1相分のスイッチング回路を構成するスイッチングモジュールは、四隅に前記受熱板へ取り付けるためのねじ穴部を備え、
    複数個の前記平滑コンデンサ単位が上下方向に重ねて並列接続されて主回路1相分の平滑コンデンサを構成する平滑コンデンサモジュールは、四隅に前記スイッチングモジュールのねじ穴部に対応する窪みを有することを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1において、前記平滑コンデンサ単位の数が、複数の前記スイッチングモジュール単位と同数または整数倍であることを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項1または2において、前記スイッチングモジュール単位のケースに備えられた外部接続用の正極および負極端子部がオスまたはメスコネクタ形状であり、前記平滑コンデンサ単位のケースに備えられた外部接続用の正極および負極端子部が、前記スイッチングモジュール単位の前記正極および負極端子部のコネクタ形状と対応してメスまたはオスコネクタ形状であることを特徴とする電力変換装置。
  4. 請求項1〜3のいずれかにおいて、前記スイッチングモジュール単位の前記正極および負極端子と、前記平滑コンデンサの前記正極および負極端子には接続用のボルト穴を有し、ねじりばねを挟んでそれぞれ両端子をボルトとナットで締め付け接続したことを特徴とする電力変換装置。
  5. 請求項1〜のいずれかにおいて、前記スイッチングモジュール単位を形成する回路基板と、前記正極および負極端子との電気接続部において、応力吸収用の曲げ加工部を備えたことを特徴とする電力変換装置。
  6. 請求項1〜のいずれかにおいて、複数の前記スイッチングモジュール単位と、複数の前記平滑コンデンサ単位を一体に支持する支持部材を備えたことを特徴とする電力変換装置。
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