JP5850415B2 - 波長可変光源の発光波長の測定方法 - Google Patents

波長可変光源の発光波長の測定方法 Download PDF

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Description

本発明は、波長可変光源の発光波長の測定方法に関する。
電流(または電圧)により出力光の波長を制御する波長可変光源は、人体の断層像を高速度で測定するOFDR-OCT(Optical Frequency Domain Reflectometry− Optical Coherence Tomography)等の光源として期待されている。このような可変波長光源の発光波長の制御は、複数の波長制御電流(または、波長制御電圧)の組合せと発光波長の関係を記録した波長制御条件データから、所望の発光波長に対応する波長制御電流(または、波長制御電圧)の組合せを読み出し、この組合せで波長可変光源を駆動することにより行われる。
ここで、波長制御電流(または、波長制御電圧)とは、波長可変光源の発光波長を制御する電流(または電圧)のことである。また、特に必要な場合を除き以後、波長制御電流には言及しないが、波長制御電圧に係る説明は、略そのまま波長制御電流に適用することができる。
特開2005−156540号公報
この波長制御条件データは、以下のような手順により形成する。まず、多数の波長制御電圧の組合せで波長可変光源を駆動し、そのスペクトルを測定する。次に、測定した夫々のスペクトルから発光波長を導出し、導出した発光波長と波長制御電圧の組合せを対応させて、波長制御条件データを形成する。
ここで、波長可変光源のスペクトルは、夫々の波長制御電圧を一定に保った状態で、光スペクトルアナライザの分光波長を掃引しながら、分光した光の強度を計測して測定する。従って、波長可変光源のスペクトルを一つ測定には、少なくても光スペクトルアナライザが波長可変光源の発光波長範囲を波長掃引する時間が必要である。この時間は、1秒程度である。このため、多数(例えば、10000通り)のスペクトル測定を実施する波長制御条件データの作製作業には、膨大な時間が費やされる。
例えば、SSG-DBR(Super Structure Grating-Distributed Bragg Reflector)と呼ばれる波長可変光源のスペクトルを測定には、10時間が費やされている。
そこで、本発明の目的は、可変波長光源のスペクトル測定時間を短縮する、発光波長の測定方法を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明の第1の側面によれば、波長可変光源の出力光から第1の波長を有する光を抽出し、前記第1の波長を変化させながら前記光の抽出を継続する発光波長の測定方法であって、抽出した前記光の強度に対応する光強度データを生成し、生成した前記光強度データを記録し、その後前記波長可変光源の出力光の第2の波長を制御する一または複数の波長制御因子の大きさを変化させる第1のステップと、複数の前記第1のステップを含み、前記波長制御因子が所定の範囲を掃引し終わるまで、前記第1のステップを繰返す第2のステップと、複数の前記第2のステップを含み、前記第1の波長が所定の範囲を掃引し終わるまで、前記第2のステップを繰返す第3のステップを有し、前記光強度データからなる光強度データ群を生成する、波長可変光源の発光波長の測定方法が提供される。
本発明によれば、多数の波長制御条件に対応する、可変波長光源の発光波長を短時間で測定することができる。
実施の形態1の発光波長測定装置のブロックダイアグラムである。 SSG-DBRレーザの概略を説明する斜視図である。 第1の電圧波形を説明する図である。 第2の電圧波形を説明する図である。 実施の形態1の発光波長の測定方法を説明するフローチャートである。 実施の形態2の発光波長の測定方法を説明するフローチャートである。 光スペクトルデータ群をグラフ化した時間分解光スペクトルである。 実施の形態3の手順を説明するフローチャートである。 波長制御条件データをグラフ化した図面である。
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
(実施の形態1)
(1)波長測定装置
図1は、本実施の形態で使用する発光波長測定装置12のブロックダイアグラムである。尚、図1には、測定対象であるSSG-DBRレーザ2も記載されている。
図1に示すように、本実施の形態の発光波長測定装置12は、測定対象であるSSG-DBRレーザ2に第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16を供給する任意波形発生装置(電圧信号の発生装置)18を有している。任意波形発生装置18は、SSG-DBRレーザ2の第1のSSG-DBR領域に接続された第1の端子に、第1の波長制御電圧Vを印加する。この第1の端子と第1のSSG-DBR領域の間には、47Ωの抵抗が接続せれている。この抵抗により、第1の波長制御電圧Vが電流に変換される。尚、SSG-DBRレーザ2の構成については、後述する。
同様に、任意波形発生装置18は、第2のSSG-DBR領域に接続された第2の端子に、第2の波長制御電圧Vを印加する。この第2の端子と第2のSSG-DBR領域の間に接続された47Ωの抵抗が、第2の波長制御電圧Vを電流に変換する。
また、本発光波長測定装置12は、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16に対応する第1の電圧波形及び第2の電圧波形を形成し、任意波形発生装置18に提供する第1のコンピュータ(Personal Computer; PC)20を有している。
また、本発光波長測定装置12は、SSG-DBRレーザ2の活性層領域、位相制御領域、及び光増幅器領域に、夫々電圧を供給する電圧発生装置(電圧源)24,26,28を有している。これらSSG-DBR2の各領域と各電圧発生装置の間には、夫々47Ωの抵抗が接続されている。これらの抵抗により、電圧発生装置24,26,28が発生した電圧が電流に変換される。また、本発光波長測定装置12は、SSG-DBRレーザ2の温度を一定に保つ温度調整器30を有している。
また、本発光波長測定装置12は、SSG-DBRレーザ2の出力光31から所望の波長の光(成分光)を抽出(分光)し、抽出した光の強度に対応する光強度信号32を出力する光スペクトルアナライザ(Optical Spectrum Analyzer; OSA)34を有している。このOSA34は、回折格子(例えば、ダブルモノクロメータ)と光検出器を有しており、この回折格子により分光した光の強度を上記光検出器で測定する。
また、本発光波長測定装置12は、OSA34が出力する光強度信号32をデジタル信号に変換する高速アナログデジタル変換機(Analog Digital Convertor ;ADC)36を有している。この高速アナログデジタル変換機36は、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換ユニット44と、このアナログデジタル変換ユニット44が変換した光強度データを記録するメモリユニット45(例えば、Random Access Memory)を有している。尚、高速アナログデジタル変換機36が、入力信号をデジタル信号に変換してメモリユニット45に記録するまでに費やされる時間は1μs以下である。
また、本発光波長測定装置12は、アナログデジタル変換機36の出力が入力され、入力されたデータからSSG-DBR2のスペクトルを形成する第2のコンピュータ38を有している。
この第2のコンピュータ38は、CPU(Central Processing Unit)52と、主記憶装置(Random Access Memory等)50と、補助記録装置(磁気ディスク等)48を有している。この第2のコンピュータ38の動作は、主記憶装置50に記録されたプログラムに従って動作するCPU52により実現される。第1のコンピュータ20についても、同様である。
(2)可変波長光源
図2は、本実施の形態で発光波長を測定するSSG-DBRレーザ2の概略を説明する斜視図である。SSG-DBRレーザ2は、図2に示すように、回折格子のピッチが第1の周期で変化する第1の超周期回折格子−分布ブラック反射器(SSG-DBR)3を有する第1のSSG-DBR領域4を有している。
また、SSG-DBRレーザ2は、回折格子のピッチが第1の周期とは異なる第2の周期で変化する第2の超周期回折格子−分布ブラック反射器(SSG-DBR)5を有する第2のSSG-DBR領域6を有している。
また、SSG-DBRレーザ2は、第1のSSG-DBR3及び第2のSSG-DBR5が交互に反射する光を増幅する活性層領域8と、この光の位相を制御する位相制御領域10を有している。
また、SSG-DBRレーザ2は、第1のSSG-DBR領域4の外側に配置され、SSG-DBRレーザ2の出力光を増幅する光増幅器領域(図示せず)を有している。
これらの領域は、光導波層7a,7b,7c,7dと、夫々の光導波層に電流を注入する電極(図示せず)とを有している。活性層領域8に注入された電流は、その光導波路7b(活性層)に蓄積されて光利得を発生する。この光利得により、第1のSSG-DBR領域4及び第2のSSG-DBR領域6で交互に反射された光が増幅され、レーザ光に成長する。
一方、第1のSSG-DBR領域4及び第2のSSG-DBR領域6に注入された電流は、夫々の光導波層7a,7dに蓄積され、その屈折率を変化させる。これにより、SSG-DBR領域4,6が反射する光の波長が変化し、SSG-DBRレーザの発振波長(発光波長)が変化する。
また、位相制御領域10に注入された電流は、その光導波路7cに蓄積され、その屈折率を変化させる。これにより、SSG-DBRレーザ2の光共振器長が変化し、SSG-DBRレーザ2の発振波長が微調整される。
このように、第1のSSG-DBR領域4に注入する電流及び第2のSSG-DBR領域6に注入する電流を調整することにより、SSG-DBRレーザ2の発振波長を制御することができる。また、位相制御領域10に注入する電流を調整することにより、SSG-DBRレーザ2の発振波長を微調整することができる。
尚、本実施の形態で測定するSSG-DBRレーザ2の可変波長範囲は、1590〜1640nmである。また、上述したように、第1のSSG-DBR領域4、第2のSSG-DBR領域6、及び位相制御領域10に接続される電源は、夫々、第1の波長制御電圧V14、第2の波長制御電圧V16、及び位相制御電圧17を発生する。これらの電圧が抵抗により電流に変化され、夫々の領域に注入される。
尚、超周期回折格子−分布ブラック反射器は、ピッチが周期的に変化する分布ブラック反射器の一形態である。従って、第1の超周期回折格子−分布ブラック反射器の代わりに、ピッチが第1の周期で変化する他の第1の分布ブラック反射器(例えば、Sampled-Grating-DBR)を有し、更に第2の超周期回折格子−分布ブラック反射器の代わりに、回折格子のピッチが上記第1の周期とは異なる第2の周期で変化する第2の回折格子−分布ブラック反射器例(例えば、Sampled-Grating-DBR)を有する波長可変DBRレーザの発光波長を測定してもよい。
(3)発光波長の測定方法
まず、発光波長測定前の準備段階の作業を説明し、次にSSG-DBRレーザ2の発光波長の測定方法を説明する。尚、発光波長の測定方法とは、発光波長を導出するためのデータの測定方法である。
(i)準備作業
まず、第1のコンピュータ20で、第1の波長制御電圧V14の電圧波形(以下、第1の電圧波形と呼ぶ)及び第2の波長制御電圧V16の電圧波形(以下、第2の電圧波形と呼ぶ)を作製する。次に、これらの電圧波形を、任意波形発生装置18に送信する。任意波形発生装置18は、この電圧波形に従って第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16を発生する。
図3は、第1の電圧波形を説明する図である。図4は、第2の電圧波形を説明する図である。図3及び図4の横軸は、共に時間である。また、図3及び図4の縦軸は、共に電圧である。第1の電圧波形は、図4に示すように、0.0Vから4.0Vまで961μsかけて、階段状に順次増加する。電圧の間隔は0.13V(=4.0V÷31ステップ)である。また、電圧が増加する時間間隔は31μsである。
一方、第2の電圧波形は、図4に示すように、0.0Vから4.0Vまで31μsかけて、階段状に順次増加する(図4の電圧増加は、連続的に記載されている。)。電圧間隔は0.13V(=4.0V÷31ステップ)であり、時間間隔は1μsである。この第2の電圧波形は、第1の電圧波形の変化に同期して、31μs間隔で周期的に変化する。
従って、任意波形発生装置18は、961(=31×31)通りの波長制御電圧の組合せ(V,V)を生成する。この第1の電圧波形及び第2の電圧波形を、夫々SSG-DBRレーザ2の第1のSSG-DBR領域4及び第1のSSG-DBR領域6に印加することにより、961通りの波長制御電圧の組合せでSSG-DBRレーザ2を駆動する。
ここで、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16は、夫々0V〜4.0Vの範囲(以下、波長制御電圧の掃引範囲と呼ぶ)を掃引する。尚、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16が、この「波長制御電圧の掃引範囲」を掃引する時間(以下、波長制御電圧の掃引期間と呼ぶ)は、961μsである。
次に、電圧発生装置24,26,28を駆動して、SSG-DBRレーザ2の活性層領域8、位相制御領域10、及び光増幅器領域に、夫々、47Ωの抵抗を介して所定の電圧を印加する。活性層領域8、位相制御領域10、及び光増幅器領域に印加する電圧は、例えば、5.0V、5.2V、及び0.0Vである。また、温度調整器30を起動して、SSG-DBRレーザ2の温度を、例えば25℃にする。
(ii)発光波長の測定方法
図5は、本実施の形態の発光波長の測定方法を説明するフローチャートである。
―測定開始ステップ(ステップS1及びS2)―
本実施の形態の発光波長の測定方法は、OSA34が送信するトリガーに同期して進行する。まず、OSA34が、波長掃引を開始する(ステップS1)。
このOSA34の波長掃引範囲は、SSG-DBRレーザ2の可変波長範囲(1590nm〜1640nm)に一致している。掃引を開始する波長は、1590nmである。また、波長掃引速度は、約0.05nm/msである。従って、OSA34は、SSG-DBRレーザ2の可変波長範囲を1秒間(=50nm÷0.05nm/ms)かけて掃引する。
OSA34は、波長掃引開始と同時に、第1のトリガー40を任意波形発生装置18に送信する(図1参照)。この第1のトリガー40に応答して、任意波形発生装置18は、SSG-DBRレーザ2に印加する波長制御電圧V,Vの掃引を開始する(ステップS2)。尚、波長制御電圧の掃引開始時点の波長制御電圧の組合せは、(0V,0V)である。
波長制御電圧の掃引開始と略同時に、任意波形発生装置18は、第2のトリガー42を、高速アナログデジタル変換機36に送信する。以後、OSA34は、波長掃引を測定が終了するまで継続する。
以上のように、本実施の形態の発光波長の測定方法では、OSA34により、SSG-DBR2(波長可変光源)の出力光から一の波長(所望の波長)を有する光を抽出(分光)し、この波長を時間と共に変化させながら上記光の抽出を継続する。言い換えるなら、本実施の形態の発光波長の測定方法は、SSG-DBR2(波長可変光源)の出力光を分光して所望の波長を有する光を抽出する測定方法であって、上記光の波長を時間と共に変化させながら上記光の抽出を継続する測定方法である。
―光強度の測定・データ化・記録ステップ(ステップS3〜S6)―
波長掃引を開始したOSA34は、SSG-DBRレーザ2の出力光31から波長が1590nmの光を抽出し、抽出した光をその光検出器で光電変換する。次に、OSA34は、この光電変換で発生した光強度信号(電圧信号)32を、高速アナログデジタル変換機36に送信する。
高速アナログデジタル変換機36は、上記第2のトリガー42に応答して、そのアナログデジタル変換ユニット44により、受信した光強度信号32をデジタル信号に変換する。こなわち、高速アナログデジタル変換機36は、抽出した光の強度に対応する光強度データを生成する(ステップS3)。
次に、高速アナログデジタル変換機36は、この光強度データをメモリユニット45に記録する(ステップS4)。
この高速アナログデジタル変換機36は、1μs以内に受信した信号をデジタル信号に変換し、メモリユニット45に記録する。一方、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16は、夫々、31μs及び1μs周期で変化する。従って、光強度データを生成し記録するステップS3及びステップS4は、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16が変化する前に完了する。故に、この時点では、波長制御電圧の掃引期間(961μs)は終了していない。このため、任意波形発生装置18は、波長制御電圧の掃引動作を継続する(ステップ5)。
次に、波長制御電圧の掃引動作の開始から1μsが経過しすると、任意波形発生装置18は、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16の組合せ(V,Vr)を変更する(ステップS6)。この時、第1の波長制御電圧V14は0Vのままであるが、第2の波長制御電圧Vは0Vから0.13Vに増加する(図3及び4参照)。略同時に、任意波形発生装置18は、第2のトリガー42を高速アナログデジタル変換機36に送信する。
以上の手順により、本「―光強度の測定・データ化・記録ステップ」では、波長制御電圧の組合せ(0V,0V)に対応する光強度データが、メモリユニット45に記録される。
以上のように、本「光強度の測定・データ化・記録ステップ」では、抽出した光の強度に対応する光強度アナログ信号を生成し、この光強度アナログ信号をアナログデジタル変換することで抽出した上記光の強度に対応する光強度データを生成し(ステップS3)、生成した光強度データを記録し(ステップS4)、その後SSG-DBRレーザ2(波長可変光源)の出力光の波長を制御する波長制御電圧(波長制御因子)の大きさを変化させる(ステップS5及びS6)。
―波長制御電圧掃引ステップ(ステップS2〜S7の繰り返し)―
次に、ステップS3に戻り、第2のトリガー42を受信した高速アナログデジタル変換機36及びOSA34は、光強度データの生成(ステップS3)及び光強度データの記録(ステップS4)を、再度実行する。
以上のステップが終了した時点でも、波長制御電圧の掃引開始からの経過時間(以下、制御電圧の掃引時間と呼ぶ)は2μs以下であり、波長制御電圧の掃引は終了していない。従って、任意波形発生装置18は波長制御電圧の掃引動作を継続し(ステップS5)、制御電圧の掃引時間が2μsになった時点で、再び波長制御電圧の組合せ(V,V)を変更(ステップS6)する。略同時に、任意波形発生装置18は、第2のトリガー42を高速アナログデジタル変換機36に再度送信する。
以上の手順を、OSA34、波長波形発生装置18、及び高速アナログデジタル変換機36は、「波長制御電圧の掃引期間」(961μs)が終了し、第1の波長制御電圧14及び第2の波長制御電圧16が「波長制御電圧の掃引範囲」を掃引し終えるまで繰返す。以上により、本「波長制御電圧掃引ステップ」が終了する。
ここで、この「波長制御電圧の掃引期間」中、第1の電圧波形は、0Vから4.0V(=0.13V×31)に増加する(図3参照)。また、第2の電圧波形は、0Vから4.0V(=0.13V×31)に繰り返し増減する(図4参照)。一方、OSA34が抽出(分光)する光の波長は、略一定の1590nmである。
以上の手順により、一の抽出波長(1590nm)において、全ての波長制御電圧の組合せに対応する光強度データが、メモリユニット45に記録される。
以上のように、「本波長制御電圧掃引ステップ」では、複数の上記「光強度の測定・データ化・記録ステップ」を含み、第1の波長制御電圧V14及び第2の波長制御電圧V16が「波長制御電圧の掃引範囲」(所定の範囲)を掃引し終わるまで、上記「光強度の測定・データ化・記録ステップ」を繰返す(ステップS2→S3→S4→S5→S6→S3→・・・)。
―波長掃引ステップ(ステップS2〜S7の繰り返し)―
上記「波長制御電圧掃引ステップ」が終了した時点では、OSA34の抽出波長は1590.048nm(=1590nm+0.961ms×0.05nm/ms)である。従って、OSA34の抽出波長は、SSG-DBRレーザ2の可変波長範囲(1590nm〜1640nm)を掃引し終えていない。このため、OSA34は抽出波長の掃引を継続する(ステップS7)。
波長掃引開始から1msが経過し抽出波長が0.05nm増加した時点で、OSA34は、再び第1のトリガー40を任意波形発生装置18に送信する。これにより、ステップS2に戻り、上記「波長制御電圧掃引ステップ」が再開する。
以上の手順が、OSA34がSSG-DBRレーザ2の可変波長範囲(1590nm〜1640nm)を掃引し終えるまで繰返される。繰り返し回数は1000回(=50nm÷0.05nm)であり、繰り返しに要する時間は1秒(=1ms×1000回)である。
この「波長制御電圧掃引ステップ」の繰り返しにより、全ての抽出波長(1590〜1640nm)における、全ての波長制御電圧の組合せに対応する光強度データが、メモリユニット45に記録される。
ここで、光強度データは、生成された順番に従って、順次メモリユニット45の所定の領域に記録される。すなわち、1番目、2番目、3番目・・・・961000番目に生成された光強度データが、夫々、1番目、2番目、3番目・・・・961000番目のデータとして、メモリユニット45の所定の領域に記録される。これにより、光強度データが生成順に配列された光強度データ群が生成される。
以上のように、本波長掃引ステップでは、複数の上記「波長制御電圧掃引ステップ」を含み、抽出波長(第1の波長)がSSG-DBRレーザ2の可変波長範囲(所定の範囲)を掃引し終わるまで、上記「波長制御電圧掃引ステップ」を1000回(=50nm÷0.05nm)繰返す。
―測定時間―
以上のように本実施の形態dでは、1000通りの波長において、961(=31×31)通りの波長制御電圧の組合せに対する「光強度データ」が生成される。そして、生成された「光強度データ」は、高速アナログデジタル変換機36のメモリユニット45に逐次記録され、光強度データ群を形成する。この光強度データ群には、異なる波長制御電圧の組合せで駆動したSSG-DBRレーザ2の出力光31から抽出した、異なる波長の光の強度が多数記録されている。従って、この光強度データ群を解析することにより、SSG-DBRレーザ2の出力光のスペクトルを形成することができる(下記実施の形態2参照)。
そして、この光強度データ群の生成に要する時間は、上述したように、僅か1秒間である。故に、本実施の形態によれば、SSG-DBRレーザ2のスペクトルを短時間で形成することができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1で生成した光強度データ群から、SSG-DBRレーザ2のスペクトルを形成する。図6は、本実施の形態の手順4を説明するフローチャートである。
実施の形態1では、上述したように、OSA34が、抽出波長(分光波長)の増加に同期して、第1のトリガー40を任意波形発生装置18に送信する(上記「波長掃引ステップ」参照)。任意波形発生装置18は、この第1のトリガー40を、高速アナログデジタル変換機36に転送する。更に、高速アナログデジタル変換機36は、この第1のトリガー40を、第2のコンピュ―タ38に転送される。
第2のコンピュータ38は、転送されて来た第1のトリガー40の数を計数し、計数値が1000に達した時点で、上記「波長掃引ステップ」の終了を検知する。すると、第2のコンピュータ38は、高速アナログデジタル変換機36に、蓄積した光強度データ群を送信するように命令する。高速アナログデジタル変換機36は、この命令に応答して、光強度データ群37を第2のコンピュータ38に送信する。
第2のコンピュータ38は、光強度データ群37を受信すると、受信した光強度データ群を主記憶装置50に記録する(ステップS8)。
次に、第2のコンピュータ38は、主記憶装置50に記録した光強度データ群を2次元配列データIに変換して、補助記録装置48に記録する(ステップS9)。
ここで、第2のコンピュータ38は、光強度データ群の1番目、2番目・・・・961番目のデータを、上記2次元配列データの第1行目のデータとして順次記録する。同様に、962番目、963番目、・・・・1922番目のデータを、上記2次元配列データの第2行目のデータとして順次記録する。第2のコンピュータ38は、同様の処理を繰返して、光強度データ群から2次元配列データIを生成する。その後、第2のコンピュータ38は、生成した2次元配列データIを補助記憶装置48に記録する。
光強度データ群内における光強度データの配列方法から明らかなように、2次元配列データの1行目に記録された光強度データの波長(光強度データの基となった抽出光の波長)は、略1590nmである。同様に、2次元配列データの2行目に記録された光データの波長は略1590.05nmである。また、2次元配列データの1000行目に記録された光データの波長は略1639.95nmである。
このように、2次元配列データの同一行に記録された光強度データの波長は全て略同じである。すなわち、2次元配列データの行番号(1行目、2行目・・・)は、抽出光の波長に対応している。
一方、2次元配列データの同じ列に属する光強度データは、波長制御電圧の掃引開始からの経過時間(制御電圧掃引時間)が同じである。すなわち、1列目、2列目、3列目・・・・、及び961列目の光強度データの制御電圧掃引時間は、夫々、0μs、1μs、2μs・・・、960μsである。
このように、2次元配列データの同一列に記録された光強度データの制御電圧掃引時間は全て同じである。すなわち、2次元配列データの列番号(1列目、2列目・・・)は、制御電圧掃引時間に対応している。
図7は、この2次元配列データをグラフ化した時間分解光スペクトル53である。図7の光強度軸58は、抽出光の光強度を表している。また、図7の時間軸54は、制御電圧掃引時間を表している。すなわち、時間軸54の数値は、2次元配列データの列番号(1列目、2列目・・・)に対応している。また、図7の波長軸56は、抽出光の波長を表している。すなわち、波長軸56の数値は、2次元配列データの行番号(1行目、2行目・・・)に対応している。
ここで、波長軸56に平行な直線上の光強度データの変化は、SSG-DBRレーザ2のある「波長制御電圧の組合せ」における光スペクトルを表している。そして、この直線と時間軸54の交点における時間が、「制御電圧の組合せ」に対応している。
例えば、図7に示した直線60は、時間軸54と0μsと交わっている。従って、対応する「制御電圧の組合せ」は(0V,0V)である。故に、直線60上の光強度データの変化は、「制御電圧の組合せ」(0V,0V)における光スペクトルである。同様に、時間軸54に1μsで交わる直線上の光強度データの変化は、「制御電圧の組合せ」(0.00V,0.13V)における光スペクトルである。また、時間軸54に960μsで交わる直線上の光強度データの変化は、「制御電圧の組合せ」(V=4.00V,V=4.00V)における光スペクトルである。このように、図7の時間分解光スペクトル52は、「制御電圧の組合せ」が少しずつ異なる多数のスペクトルの集合体である。
第2のコンピュータ38は、この時間分解光スペクトル53を、4秒程度の処理で形成することができる。また、この時間分解光スペクトルの基となる光強度データ群は、実施の形態1で説明したように1秒程度の測定で生成することができる。従って、本実施の形態によれば、961通りの「制御電圧の組合せ」に対応するSSG-DBRレーザの光スペクトルデータ群を、数秒間で形成することができる。
この光スペクトルデータ群を解析することにより、SSG-DBRレーザ2の波長制御条件データを導出することができる(下記実施の形態3参照)。尚、以上の説明において、2次元配列データの行と列を交換して、光スペクトルデータ群を形成してもよい。
以上のように、本実施の形態では、実施の形態1の「波長掃引ステップ」の後、光強度データ群を2次元配列データとして記録する。そして、この光強度データ群に属する一の要素データ(例えば、1行目1列目に配列されたデータ)に対応する光強度データを生成した「光強度の測定・データ化・記録ステップ」の、「波長制御電圧掃引ステップ」における第1の実行順番を、上記2次元配列データの行及び列からなるインデックス群の一方のインデックス(例えば、列)の第1の値(例えば、列番号)に対応させる。また、上記「光強度の測定・データ化・記録ステップ」を実行した「波長制御電圧掃引ステップ」の、「波長掃引ステップ」における第2の実行順番を、上記インデックス群の他方のインデックス(例えば、行)の第2の値(例えば、行番号)に対応させて、上記光強度データ群を記録する。
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態2で生成した光スペクトル群から、SSG-DBRレーザ2の波長制御条件データを生成する。図8は、本実施の形態の手順を説明するフローチャートである。
まず、第2のコンピュータ38は、補助記憶装置48から実施の形態2で生成した2次元配列データを読み出して、主記憶装置(Random Access Memory等)50に記録する。
次に、第2のコンピュータ38は、この2次元配列データから列番号が一致する光強度データを抽出する(ステップS10)。ここで列番号は、時間分解光スペクトル53の制御電圧掃引時間に対応している(図7参照)。
次に、第2のコンピュータ38は、抽出した光強度データの中で、行番号を順次増加増加(または、減少)させて、光強度データの極大値(ピーク値)を抽出する(ステップS11)。ここで行番号は、時間分解光スペクトル53の波長(抽出波長)に対応している。
次に、第2のコンピュータ38は、極大値に対応する光強度データの行番号及び列番号を主記憶装置50に記録する(ステップS12)。この列番号及び行番号は、夫々、SSG-DBRレーザ2の発振波長および制御電流掃引時間に対応している。
その後、第2のコンピュータ38は、全ての列に対する処理が終了するまで(ステップS13)、以上の処理を、列番号を一つずつ増加させながら繰返す(ステップS14)。
以上により、SSG-DBRレーザ2の発振波長とこの発振波長に対応する制御電流掃引時間からなる波長制御条件データが形成される。ここで、制御電流掃引時間は、波長制御電圧の組合せ(V,V)に対応している。尚、2次元配列データの行と列が入れ替わっている場合には、行と列を入れ替えて以上の処理を実行する。
図9は、この波長制御条件データをグラフ化した図面である。横軸は時間(制御電圧掃引時間)である。縦軸は、SSG-DBRレーザ2の発振波長である。図9(または、上記波長制御条件データ)を参照することにより、所望の波長でSSG−DBRレーザ2をレーザ発振させる波長制御電圧の組合せ(V,V)を知得ることができる。
ところでSSG-DBRレーザ2の発振波長は、図9に示すように、時間すなわち波長制御電圧の組合せに対して離散的に変化する。従って、所望の波長でSSG-DBRレーザ2を発振させる、波長制御電圧の組合せ(V,V)が存在しない場合がある。
一方、SSG-DBRレーザ2の発振波長は、位相調整領域10に印加する電圧を調整することにより、0.4nm程度連続的に変化させることができる。従って、所望の発振波長に対応する波長制御電圧の組合せ(V,V)が存在しない場合でも、位相調整領域10に印加する電圧を調整することにより、SSG-DBRレーザ2を所望の波長で発振させることができる。
以上の実施の形態では、「波長制御電圧掃引ステップ」において第1の波長制御電圧Vと第2の波長制御電圧Vを変化さることにより、波長制御条件データを生成している。しかし、第1の波長制御電圧Vと第2の波長制御電圧Vだけでなく、位相調整領域に印加する電圧を変化させることにより、より完全な波長制御条件データを生成することができる。
また、以上の実施の形態では、第1のSSG-DBR領域4及び第1のSSG-DBR領域6に電圧信号を発生する任意波形発生装置18を接続して、第1の波長制御電圧Vと第2の波長制御電圧Vを変化させている。しかし、第1のSSG-DBR領域4及び第1のSSG-DBR領域6に電流信号を発生する任意波形発生装置を接続して、夫々の領域に注入する電流(波長制御電流)を変化させてもよい。この場合、波長制御因子は波長制御電流である。
また、以上の実施の形態は、SSG-DBRレーザ以外の様々な波長可変レーザ(例えば、Sampled-Grating-DBRレーザ、通常のDBR(Distributed Bragg Reflector laser)レーザ、リング共振器型レーザ(Technical report of IEICE. OPE, 103(523), pp.33-36, 2003.12.11 )など)に適用することもできる。尚、通常のDBRレーザの波長制御因子の数は一つである。
2・・・SSG-DBRレーザ
4・・・第1のSSG-DBR領域
6・・・第2のSSG-DBR領域
14・・・第1の波長制御電圧
16・・・第2の波長制御電圧
18・・・任意波形発生装置
20・・・第1のコンピュータ
34・・・光スペクトルアナライザ
36・・・高速アナログデジタル変換機
37・・・光強度データ群
38・・・第2のコンピュータ
40・・・第1のトリガー
42・・・第2のトリガー

Claims (4)

  1. 波長可変光源の出力光から第1の波長を有する光を抽出し、前記第1の波長を変化させながら前記光の抽出を継続する発光波長の測定方法であって、
    抽出した前記光の強度に対応する光強度データを生成し、生成した前記光強度データを記録し、その後前記波長可変光源の出力光の第2の波長を制御する複数の波長制御因子の大きさを変化させる第1のステップと、
    複数の前記第1のステップを含み、複数の前記波長制御因子それぞれが所定の範囲を掃引し終わるまで、前記第1のステップを繰返す第2のステップと、
    複数の前記第2のステップを含み、前記第1の波長が所定の範囲を掃引し終わるまで、前記第2のステップを繰返す第3のステップと、
    前記第3のステップの後、前記光強度データからなる光強度データ群を、行及び列からなるインデックス群の第1のインデックスが複数の前記波長制御因子に対応し第1のインデックスとは異なる第2のインデックスが前記第1の波長に対応する2次元配列データとして記録する第4のステップとを有し、
    前記光強度データ群に属する一の要素データに対応する前記光強度データを生成した、前記第1のステップである光強度データ生成ステップの、前記第2のステップにおける第1の実行順番を、前記第1のインデックスの第1の値に対応させ、
    前記光強度データ生成ステップを実行した前記第2のステップの、前記第3のステップにおける第2の実行順番を、前記第2のインデックスの第2の値に対応させて、前記光強度データ群を前記2次元配列データに記録することを、
    特徴とする波長可変光源の発光波長の測定方法。
  2. 請求項1に記載の波長可変光源の発光波長の測定方法において、
    前記第4のステップの後、前記2次元配列データから前記第1の値が一致する前記要素データを抽出し、抽出した前記要素データであって前記第2の値の変化に対して極大となる前記要素データを更に抽出し、極大となる前記要素データに対応する前記第1の値及び前記第2の値に対応するデータを記録する第5のステップを有し、
    前記第1の値を順次変更しながら、前記第5のステップを繰返すことを、
    特徴とする波長可変光源の発光波長の測定方法。
  3. 請求項1又は2に記載の、波長可変光源の発光波長の測定方法において、
    前記波長可変光源が、回折格子のピッチが第1の周期で変化する第1の回折格子−分布ブラッグ反射器を有する第1の回折格子−分布ブラッグ反射器領域と、
    回折格子のピッチが前記第1の周期とは異なる第2の周期で変化する第2の回折格子−分布ブラッグ反射器を有する第2の回折格子−分布ブラッグ反射器領域と、
    前記第1の回折格子−分布ブラッグ反射器領域及び前記第2の回折格子−分布ブラッグ反射器領域が交互に反射する反射光を増幅する活性層領域とを有する可変波長レーザであり、
    前記波長制御因子が、前記第1の回折格子−分布ブラッグ反射器領域に印加する第1の電圧及び前記第2の回折格子−分布ブラッグ反射器領域に印加する電圧であることを、
    特徴とする波長可変光源の発光波長の測定方法。
  4. 請求項3に記載の、波長可変光源の発光波長の測定方法において、
    前記可変波長光源が、更に、反射光の位相を制御する位相制御領域を有し、
    前記波長制御因子に、更に、前記位相制御領域に印加する電圧が含まれることを、
    特徴とする波長可変光源の発光波長の測定方法。
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