JP5848577B2 - バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 - Google Patents
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Description
a)スライダにおいて媒体対向面と集積面とが垂直であるので、従来の薄膜磁気ヘッド製造工程と親和性が良いこと、
b)光源を媒体対向面から遠ざけることができ、光源に対して動作中に機械的な衝撃が直接及ぶ事態を回避することができること、
c)ヘッド内に、光ピックアップレンズ等の非常に高い精度を要する光学部品、さらには光ファイバ等の接続に特別な構造を要する光学部品を設ける必要がないので、製造工数を低減することができ、低コストであること
を挙げることができる。しかしながら、「複合スライダ構造」においては、さらに、製造工程における特性評価及び信頼性評価に関して、
d)光源、例えばレーザダイオードと、磁気ヘッド素子とをそれぞれ個別に評価することができ、その結果、光源と磁気ヘッド素子とをすべてスライダ内に設けた場合のような、光源の歩留まりとスライダの歩留まりとが積算的に影響してヘッド全体の歩留まりが著しく低下する事態を回避することができること
が、その利点として特筆されるのである。
複数のシート状プローブを、それぞれ複数の電極に接触させ、
これら複数のシート状プローブを介してこれら複数の電極に通電を行う、バーンイン試験方法が提供される。シート状プローブは、より高い位置にある電極に、より低い位置にある電極よりも浅い角度で接触し、当該より高い位置にある電極は当該より低い位置にある電極より表面粗さが大きい。
レーザダイオードの上面の上電極の表面粗さが、このレーザダイオードの下面と電気的に接続された下電極の表面粗さよりも大きくなるようにユニットバーを準備し、
上電極用のシート状のプローブと、下電極用のシート状のプローブとを、それぞれ上電極及び下電極に接触させ、
上電極用シート状プローブ及び上電極、並びに下電極用シート状プローブ及び下電極を介して、レーザダイオードに通電を行う、バーンイン試験方法が提供される。
ユニットバーを固定するための固定治具と、
レーザダイオードの上電極であって表面粗さが下電極の表面粗さよりも大きい上電極用のシート状のプローブと、この下電極用のシート状のプローブとが交互に配置されたシート状プローブ群と、
シート状プローブ群を介して電流が供給されたレーザダイオードから発生するレーザ光を受け、このレーザダイオードの光出力を測定する、固定治具に固定された光検出器と、
この光検出器からの測定出力を受け、レーザダイオードに供給する電流を制御し計測するコントローラとを備えた試験装置が提供される。
図1に示した光源ユニット23において、レーザダイオード40は、端面発光型の半導体レーザダイオードであってよい。このレーザダイオード40は、熱アシスト用のレーザ光を放射する発光中心4000を有しており、発光中心4000がスポットサイズ変換素子43の受光端面430と対向するように、ユニット基板230の光源設置面2302に設置されている。また、レーザダイオード40は、p電極40i(図2)を底にして(光源設置面2302に向けて)ユニット基板230に接着されていることが好ましい。一般に端面発光型レーザダイオードにおいては、最も発熱する活性層(発光中心)付近がp電極側に偏って存在する。従って、p電極40iを底にすることによって活性層がよりユニット基板230に近くなり、結果としてユニット基板230をヒートシンクとしてより有効に機能させることが可能となるのである。
図1に示したスライダ22において、集積面2202上に形成されたヘッド素子部221は、磁気ディスク10(図4)からデータを読み出すためのMR素子33と磁気ディスク10にデータを書き込むための電磁変換素子34とから構成される磁気ヘッド素子32と、レーザダイオード40の発光中心4000から放射されたレーザ光を受け、このレーザ光のスポットサイズを変換(小さく)した上でこのレーザ光を導波路35に導くスポットサイズ変換素子43と、スポットサイズが変換されたレーザ光を媒体対向面であるヘッド端面2210まで又はその近傍まで導く導波路35と、導波路35を伝播するレーザ光と結合して熱アシスト用の近接場光を発生させる近接場光発生素子36と、磁気ヘッド素子32、スポットサイズ変換素子43、導波路35及び近接場光発生素子36を覆うように集積面2202上に形成された保護層38とを含む。ここで、スポットサイズ変換素子43と、導波路35と、近接場光発生素子36とが、ヘッド21(ヘッド素子部221)内における近接場光生成用の光学系31を構成する。なお、スポットサイズ変換素子43及び導波路35は、その周囲を保護層38で被覆されており、光の伝搬においてコアとしての機能を果たす。一方、周囲を被覆する保護層38部分は、クラッドとしての機能を果たす。
以上に説明したように、熱アシスト磁気記録ヘッド21は、スライダ22と光源ユニット23とを接続、接着した構成になっている。従って、スライダ22及び光源ユニット23を、それぞれ個別に製造した上で組み合わせることによって、ヘッド21を製造することができる。その結果、例えば、前もって光源ユニット23の特性評価、信頼性評価を行って、良品のみをヘッドの製造に使用すれば、ヘッド製造工程でのヘッド21自体の製造歩留まりが、光源ユニット23の不良品率によって深刻な影響を受ける事態が回避される。
図2によれば、レーザダイオード40は端面発光型である。このレーザダイオード40として、例えば、InP系、GaAs系、GaN系等の、通信用、光学系ディスクストレージ用又は材料分析用等として通常用いられているものが使用可能である。また、放射されるレーザ光の波長λLは、例えば375nm〜1.7μmの範囲内の値に設定可能である。この図2に示したレーザダイオード40は、例えば、上面側から、n電極40aと、n−GaAs基板40bと、n−InGaAlPクラッド層40cと、第1のInGaAlPガイド層40dと、多重量子井戸(InGaP/InGaAlP)等からなる活性層40eと、第2のInGaAlPガイド層40fと、p−InGaAlPクラッド層40gと、p電極下地層40hと、p電極40iとが順次積層された構造を有する。さらに、このレーザダイオード40の多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するための反射層510及び511が形成されている。ここで、反射層510の活性層40eの位置に発光中心4000が存在する。また、本実施形態において、n電極40aは、n−GaAs基板40b上に形成された厚さが例えば0.1μm程度のAu又はAu合金層とすることができる。
図2によれば、ヘッド素子部221は、MR素子33、電磁変換素子34、及び光学系31を備えている。
0601:2001で規定された算術平均粗さRaである。この算術平均粗さRaは、粗さ曲線(f(x))を中心線(x軸)から折り返し、折り返された粗さ曲線と中心線とによって得られた面積を測定部分の長さ(L)で割った値をマイクロメートル単位で表わしたものである。即ち、Ra=L−1∫0 L|f(x)|dxである。
11 スピンドルモータ
12 アセンブリキャリッジ装置
13 記録再生及び発光制御回路
14 駆動アーム
15 ボイスコイルモータ(VCM)
16 ピボットベアリング軸
17 ヘッドジンバルアセンブリ(HGA)
20 サスペンション
21 熱アシスト磁気記録ヘッド
22 スライダ
23 光源ユニット
31 光学系
32 磁気ヘッド素子
33 MR素子
34 電磁変換素子
35 導波路
36 近接場光発生素子
36a、350、3400e 端面
38 保護層
39 素子間シールド層
40 レーザダイオード
40a n電極
40b n−GaAs基板
40c n−InGaAlPクラッド層
40d 第1のInGaAlPガイド層
40e 活性層
40f 第2のInGaAlPガイド層
40g p−InGaAlPクラッド層
40h p電極下地層
40i p電極
43 スポットサイズ変換素子
50 緩衝部
53b レーザ光(導波路光)
56、381、382、383、384、385、386、3421、7301、7311 絶縁層
58 半田層
62、36 近接場光
63 書き込み磁界
70 バー基板
71 光源ユニットバー
72 バーンイン試験装置
73 シート状プローブ群
74 フォトダイオード
75 コントローラ
90、91、92、93 サンプル
200 ロードビーム
201 フレクシャ
202 ベースプレート
203 配線部材
220 スライダ基板
221 ヘッド素子部
230 ユニット基板
330 下部シールド層
332 MR積層体
334 上部シールド層
340 上部ヨーク層
343 書き込みコイル層
344 コイル絶縁層
345 下部ヨーク層
352、430 受光端面
370、371 端子電極
380 下地層
410 光源電極
411 引き出し電極
431 下部伝播層
432 上部伝播層
510、511 反射層
700、2300 接着面
702 光源設置面
720 固定治具
730、731 シート状プローブ
2010 開口
2200 浮上面(ABS)
2201 背面
2202 集積面
2210 ヘッド端面
2302 光源設置面
3400 主磁極
3400a 第1の主磁極部
3400b 第2の主磁極部
3402 バックコンタクト部
3450 下部シールド
4000 発光中心
7300、7310 基体
7302、7312 導電層
7303、7313 導電被覆層
Claims (15)
- 複数の電極が複数の異なる高さの位置に設けられた被試験体に対してバーンイン試験を行う方法であって、
複数のシート状プローブを、それぞれ前記複数の電極に接触させ、
前記複数のシート状プローブを介して前記複数の電極に通電を行い、
前記シート状プローブは、より高い位置にある前記電極に、より低い位置にある前記電極よりも浅い角度で接触し、前記より高い位置にある前記電極は前記より低い位置にある電極より表面粗さが大きい
ことを特徴とするバーンイン試験方法。 - 前記被試験体は、ウエハ又はバー上に、所定の高さを有する素子と、該素子の下面と電気的に接続された下電極とを含む単位が複数設けられたものであり、該素子の上面の上電極の表面粗さが該下電極の表面粗さよりも大きくなるように該被試験体を準備することを特徴とする請求項1に記載のバーンイン試験方法。
- 前記素子の基板の前記上電極が形成される側の表面を研磨して、該表面を所定の粗さに設定し、その後、該表面上に該上電極を形成して該上電極の表面に所定の粗さを付与することにより前記被試験体を準備することを特徴とする請求項2に記載のバーンイン試験方法。
- 分割することによって、個々のチップが、ユニット基板に設けられたレーザダイオードを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなるユニットバーに対して、バーンイン試験を行う方法であって、
前記レーザダイオードの上面の上電極の表面粗さが、該レーザダイオードの下面と電気的に接続された下電極の表面粗さよりも大きくなるようにユニットバーを準備し、
シート状の上電極用プローブと、シート状の下電極用プローブとを、それぞれ該上電極及び該下電極に接触させ、
前記上電極用プローブ及び前記上電極、並びに前記下電極用プローブ及び前記下電極を介して、前記レーザダイオードに通電を行い、
前記上電極用プローブは、前記下電極用プローブが前記下電極に接触するよりも浅い角度で前記上電極に接触させられる
ことを特徴とするバーンイン試験方法。 - 前記レーザダイオードの高さが、40マイクロメートル以上であって100マイクロメートル以下であるように前記ユニットバーを準備することを特徴とする請求項4に記載のバーンイン試験方法。
- 前記上電極の表面粗さRaが、0.5マイクロメートル以上であって10マイクロメートル以下であり、前記下電極の表面粗さRaが、0.005マイクロメートル以上であって0.5マイクロメートル以下であるように前記ユニットバーを準備することを特徴とする請求項4又は5に記載のバーンイン試験方法。
- 前記レーザダイオードの基板の前記上電極が形成される側の表面を研磨して、該表面を所定の粗さに設定し、その後、該表面上に該上電極を形成して該上電極の表面に所定の粗さを付与することにより前記ユニットバーを準備することを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載のバーンイン試験方法。
- 前記上電極用プローブ及び前記下電極用プローブは、基体と、該基体上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導電層とを備えており、該導電層は、該上電極又は該下電極と接触する側において、該基体からはみ出ていることを特徴とする請求項4からの7いずれか1項に記載のバーンイン試験方法。
- 前記導電層の少なくとも前記上電極又は前記下電極と接触する部分が、金又は金合金で被覆されていることを特徴とする請求項8に記載のバーンイン試験方法。
- 前記レーザダイオードに通電を行い、該レーザダイオードから所定の光出力を得るのに必要となる該レーザダイオードに供給された電流の時間変化を計測することを特徴とする請求項4から9のいずれか1項に記載のバーンイン試験方法。
- 分割することによって、個々のチップが、ユニット基板に設けられたレーザダイオードを備えた熱アシスト磁気記録用の光源ユニットとなり、前記レーザダイオードの上面の上電極の表面粗さが、該レーザダイオードの下面と電気的に接続された下電極の表面粗さよりも大きいユニットバーに対してバーンイン試験方法を実施するためのバーンイン試験装置であって、
前記ユニットバーを固定するための固定治具と、
前記上電極に接触されられるシート状の上電極用プローブと、前記下電極に接触されられるシート状の下電極用プローブとが交互に配置されたシート状プローブ群と、
前記シート状プローブ群を介して電流が供給された前記レーザダイオードから発生するレーザ光を受け、該レーザダイオードの光出力を測定する、前記固定治具に固定された光検出器と、
前記光検出器からの測定出力を受け、前記レーザダイオードに供給する電流を制御し計測するコントローラと
を備え、前記上電極用プローブは、前記下電極用プローブが前記下電極に接触するよりも浅い角度で前記上電極に接触させられることを特徴とするバーンイン試験装置。 - 前記レーザダイオードの高さが、40マイクロメートル以上であって100マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項11に記載のバーンイン試験装置。
- 前記上電極の表面粗さRaが、0.5マイクロメートル以上であって10マイクロメートル以下であり、前記下電極の表面粗さRaが、0.005マイクロメートル以上であって0.5マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項11又は12に記載のバーンイン試験装置。
- 前記上電極用プローブ及び前記下電極用プローブは、基体と、該基体上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された導電層とを備えており、該導電層は、該上電極又は該下電極と接触する側において、該基体からはみ出ていることを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載のバーンイン試験装置。
- 前記導電層の少なくとも前記上電極又は前記下電極と接触する部分が、金又は金合金で被覆されていることを特徴とする請求項14に記載のバーンイン試験装置。
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