JP5841096B2 - 基板処理装置及びその処理流体供給方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関し、より具体的には多数の薬液を混合し、その混合液の温度を調節して基板処理に使用する基板処理装置及びその処理流体供給方法に関する。

一般的に、半導体素子、平板ディスプレー素子、又は太陽電池の製造工程は薄膜蒸着工程、蝕刻工程、及び洗浄工程等を通じて製造される。このような、製造工程の中で蝕刻工程及び洗浄洗浄工程では多様な種類の薬液（Ｃｈｅｍｉｃａｌ）が使用される。例えば、多様な種類の処理液は蝕刻液、現像液、及び洗浄液等であり得る。

蝕刻工程又は洗浄洗浄工程では多数の薬液を一定な混合比率に混合した処理液が使用される。処理液は別の薬液供給装置によって、チャンバー（又は処理室）へ供給される。薬液供給装置は２つのタンクで処理液の薬液の濃度及び温度を該当工程の条件に合わせて調節した後、供給する。

従来の薬液供給装置は使用しようとする処理液の濃度及び温度を２つのタンクから予め準備してチャンバーへ供給するので、準備時間が必要である。また、１つの温度が定められ、準備された状態で処理液の温度を変更しようとすれば、準備時間が必要である。１つの比率に定められ、準備された状態で処理液の濃度を変更しようとすれば、準備時間が必要である。

このように、薬液供給装置で予め準備された処理液はすべてのチャンバーに同一条件に供給されるので、チャンバー毎に処理液の条件を変更することができない。そして、使用程度にしたがって、ライフタイムが制限される。

韓国特許公開第１０−２００８−００１１９１１号公報

本発明の実施形態は常温の薬液を望む温度に加熱させて供給できる基板処理装置及びその処理流体供給方法を提供する。
また、本発明は処理流体を実時間に望む比率にミキシング（混合）できる基板処理装置及びその処理流体供給方法を提供する。

また、本発明は各々のチャンバーへ条件を変わりながら、処理流体を供給できる基板処理装置及びその処理流体供給方法を提供する。

また、本発明は実時間に処理流体の温度及び流量を可変することができる基板処理装置及びその処理流体供給方法を提供する。

また、本発明は瞬間的に発生される温度ハンティングを防止できる基板処理装置及びその処理流体供給方法を提供する。

また、本発明は処理流体が吐出されなくともノズル部までの温度を一定に維持できる基板処理装置及びその処理流体供給方法を提供する。

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解され得る。

本発明の一側面によれば、基板を収容し、処理流体で前記基板を処理する処理室と、前記処理室へ前記処理流体を供給する供給ユニットと、を含み、前記供給ユニットは、前記処理流体が供給される供給ラインと、前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を１次加熱する予備ヒーターと、前記予備ヒーターの下流で前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を２次加熱するメーンヒーターと、前記予備ヒーターを迂回するように前記供給ラインに連結され、第１バルブを有する第１迂回ラインと、前記第１バルブを制御する制御器を含む基板処理装置が提供され得る。

また、前記予備ヒーターと前記メーンヒーター又は前記メーンヒーターを迂回するように前記供給ラインに連結され、前記制御器によって制御される第２バルブを有する第２迂回ラインをさらに包含できる。

また、前記メーンヒーターの下流で前記予備ヒーターの上流に前記処理流体がリターンされるように前記供給ラインに連結されるリターンラインをさらに包含できる。
また、前記メーンヒーターは前記処理流体の精密な温度調節のための湯煎ヒーターであり得る。

また、前記基板処理装置は前記供給ライン上に設置され、少なくとも１つ以上の薬液供給部から薬液が供給されて混合した処理流体を前記予備ヒーターへ供給する比率調節部をさらに包含できる。

また、前記比率調節部と前記薬液供給部とを連結するラインには薬液の流量を制御する流量制御器が設置され得る。

本発明の一側面によれば、少なくとも１つ以上の薬液供給部から薬液が供給されて混合する段階と、混合された処理流体を予備ヒーターに通過させながら、設定温度に近接した温度に１次加熱する段階と、１次加熱された処理流体をメーンヒーターで前記設定温度に２次加熱する段階と、を含み、前記予備ヒーターでオーバーシューティングが発生すれば、第１迂回ラインを通じて常温の処理流体の一部を迂回させて前記予備ヒーターで１次加熱された処理流体と混合する処理流体供給方法が提供され得る。

また、前記処理流体供給方法は前記２次加熱段階で前記設定温度に加熱された処理流体の温度を実時間に低くしようとする場合、前記予備ヒーターと前記メーンヒーターを迂回第２迂回ラインを通じて常温の処理流体の一部を前記２次加熱された処理流体と混合することができる。

また、前記２次加熱段階では処理流体の温度を精密に加熱するように湯煎ヒーターで加熱することができる。

本発明によると、処理流体を実時間に望む比率にミキシングした後、常温の薬液を望む温度に加熱して供給することができる。

また、本発明によれば、各々のチャンバーに処理流体の温度条件を変えながら、処理流体を供給することができる。

また、本発明によれば、実時間に処理流体の温度及び流量を可変できる。

また、本発明によれば、瞬間的に発生される温度ハンティングを防止することができる。

また、本発明によれば、処理流体が吐出されなくともノズル部までの温度を一定に維持することができる。

基板処理システムを概略的に示す平面図である。 基板処理装置を示した断面図である。 基板処理装置の各々に提供される処理流体供給ユニットを示す構成図である。 処理流体供給ユニットを説明するための構成図である。

本発明の実施形態は様々な形態に変形され得るものであり、本発明の範囲が以下で叙述する実施形態によって限定されるものとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供される。したがって、図面での構成要素の形状等はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

図１は本発明の基板処理システムを概略的に示した平面図である。

図１を参照すれば、本発明の基板処理システム１０００はインデックス部１０と工程処理部２０を包含することができる。インデックス部１０と工程処理部２０は一列に配置される。以下、インデックス部１０と工程処理部２０が配列された方向を第１方向１とし、上部から見る時、第１方向１に垂直な方向を第２方向２とし、第１方向１と第２方向２を含む平面と垂直な方向を第３方向３として定義する。

インデックス部１０は基板処理システム１０００の第１方向１の前方に配置される。インデックス部１０はロードポート１２及び移送フレーム１４を含む。

ロードポート１２には基板Ｗが収納されたキャリヤー１１が安着される。ロードポート１２は複数個が提供され、これらは第２方向２に沿って一列に配置される。ロードポート１２の個数は基板処理装置１０００の工程効率及びフットプリント等にしたがって、増加するか、或いは減少することもできる。キャリヤー１１としては全面開放一体形ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用され得る。キャリヤー１１には基板を地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロットが形成される。

移送フレーム１４はロードポート１２に隣接して第１方向に配置される。移送フレーム１４はロードポート１２と工程処理部２０のバッファ部３０との間に配置される。移送フレーム１４はインデックスレール１５及びインデックスロボット１７を含む。インデックスレール１５上にインデックスロボット１７が安着される。インデックスロボット１７はバッファ部３０とキャリヤー１１との間に基板Ｗを移送する。インデックスロボット１７はインデックスレール２１０に沿って第２方向に直線移動するか、或いは第３方向３を軸として回転する。

工程処理部２０はインデックス部１０に隣接して第１方向１に沿って基板処理システム１０００の後方に配置される。工程処理部２０はバッファ部３０、移動通路４０、メーン移送ロボット５０、及び基板処理装置６０を含む。

バッファ部３０は第１方向１に沿って工程処理部２０の前方に配置される。バッファ部３０は基板処理装置６０とキャリヤー１１との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが一時的に収納されて待機する場所である。バッファ部３０はその内部に基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供され、スロット（図示せず）は相互間に第３方向３に沿って離隔されるように複数個が提供される。

移動通路４０はバッファ部３０と対応するように配置される。移動通路４０はその横方向が第１方向１にしたがって、並べて配置される。移動通路４０はメーン移送ロボット５０が移動する通路を提供する。移動通路４０の両側には基板処理装置６０が互いに対向し、第１方向１に沿って配置される。移動通路４０にはメーン移送ロボット５０が第１方向１に沿って移動し、基板処理装置６０の上下層、そしてバッファ部３０の上下層に乗降できる移動レールが設置される。

メーン移送ロボット５０は移動通路４０に設置され、基板処理装置６０及びバッファ部３０の間に、又は各基板処理装置６０の間に基板Ｗを移送する。メーン移送ロボット５０は移動通路４００に沿って第２方向２に直線移動するか、或いは、第３方向３を軸として回転する。

基板処理装置６０は複数個提供され、第２方向２に沿って移動通路３０を中心に両側に配置される。基板処理装置６０の中で一部は移動通路３０の横方向に沿って配置される。また、基板処理装置６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移動通路３０の一側には基板処理装置６０がＡＸＢの配列に配置され得る。ここで、Ａは第１方向１に沿って一列に提供された基板処理装置６０の数であり、Ｂは第２方向２に沿って一列に提供された基板処理装置６０の数である。移動通路３０の一側に基板処理装置６０が４つ又は６つ提供される場合、基板処理装置６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置され得る。基板処理装置６０の個数は増加するか、或いは減少することもできる。上述とは異なり、基板処理装置６０は移動通路３０の一側のみに提供され得る。また、上述と異なり、基板処理装置６０は移動通路３０の一側及び両側に単層に提供され得る。

基板処理装置６０は基板Ｗに対して洗浄工程を遂行できる。基板処理装置６０は遂行する洗浄工程の種類にしたがって、異なる構造を有することができる。これと異なり各々の基板処理装置６０は同一の構造を有することができる。選択的に基板処理装置６０は複数個のグループに区分されて、同一のグループに属する基板処理装置６０は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する基板処理装置６０の構造は互いに異なるように提供され得る。例えば、基板処理装置６０が２つのグループに分けられる場合、移送チャンバー２４０の一側には第１グループの基板処理装置６０が提供され、移送チャンバー２４０の他側には第２グループの基板処理装置６０が提供され得る。選択的に移送チャンバー２４０の両側で下層には第１グループの基板処理装置６０が提供され、上層には第２グループの基板処理装置６０が提供され得る。第１グループの基板処理装置６０と第２グループの基板処理装置６０は各々使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類にしたがって、区分され得る。これと異なり、第１グループの基板処理装置６０と第２グループの基板処理装置６０は１つの基板Ｗに対して順次的に工程を遂行するように提供され得る。

図２は基板処理装置を示した断面図であり、図３は基板処理装置の各々に提供される処理流体供給ユニットを示す構成図である。

下の実施形態では処理流体を使用して基板を洗浄する装置を例として説明する。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されず、蝕刻工程等のように基板に処理流体を供給しながら、工程を遂行する多様な種類の装置に全て適用され得る。

また、本実施形態では基板処理装置６０が処理する基板として半導体基板を一例として図示し説明したが、本発明はこれに限定されず、ガラス基板のような多様な種類の基板にも適用され得る。

図２乃至図３を参照すれば、基板処理装置６０は工程チャンバー７００、処理容器１００、基板支持部材２００、噴射部材３００、及び処理流体供給ユニット８００を含む。

工程チャンバー７００は密閉された空間を提供し、上部にはファンフィルターユニット７１０が設置される。ファンフィルターユニット７１０は工程チャンバー７００の内部に垂直気流を発生させる。

ファンフィルターユニット７１０はフィルターと空気供給ファンが１つのユニットにモジュール化されたものであって、清浄空気をフィルタリングして工程チャンバー７００の内部へ供給される装置である。清浄空気はファンフィルターユニット７１０を通過して工程チャンバー７００の内部へ供給されて垂直気流を形成するようになる。このような空気の垂直気流は基板上部に均一な気流を提供するようになり、処理流体によって、基板表面が処理される過程で発生されるフューム（Ｆｕｍｅ）等の汚染気体は空気と共に処理容器１００の回収容器を通じて排気部材４００へ排出されて除去されることによって、処理容器の内部の清浄度を維持するようになる。

工程チャンバー７００は水平隔壁７１４によって、工程領域７１６と維持補修領域７１８とに区画される。図面には一部のみを図示したが、維持補修領域７１８には処理容器１００に連結される回収ライン１４１、１４５、サブ排気ライン４１０以外にも噴射部材３００の噴射ノズル３４０に連結される処理流体供給ユニット８００等が位置される空間に、このような維持補修領域７１８は基板処理が成される工程領域から隔離されることが望ましい。

処理容器１００は上部が開口された円筒形状を有し、基板Ｗを処理するための工程空間を提供する。処理容器１００の開口された上面は基板Ｗの搬出及び搬入通路として提供される。工程空間には基板支持部材２００が位置される。処理容器１００は工程空間の下に第２排気部材４００に連結される第２排気ダクト１９０が提供される。第２排気ダクト１９０は底面にドレーンライン１９２が提供される。

処理容器１００は回収筒１２１、１２２、１２３と第１乗降部材１３０を含む。

回収筒１２１、１２２、１２３は回転される基板上で飛散される薬液と気体を流入及び吸入するために多段に配置される。各々の回収筒１２１、１２２、１２３は工程に使用された処理流体の中で互いに異なる処理流体を回収することができる。

第３固定回収筒１２３は基板支持部材２００を囲む環形のリング形状に提供され、第２固定回収筒１２２は第３固定回収筒１２３を囲む環形のリング形状に提供され、第１固定回収筒１２１は第２固定回収筒１２２を囲む環形のリング形状に提供される。第３固定回収筒１２３の内側空間１２３ａは第３固定回収筒１２３へ薬液と気体が流入される流入口として提供される。第３固定回収筒１２３と第２固定回収筒１２２との間の空間１２２ａは第２固定回収筒１２２へ薬液と気体が流入される流入口として提供される。そして、第２固定回収筒１２２と第１固定回収筒１２１との間の空間は第１固定回収筒１２１へ薬液と気体が流入される流入口として提供される。

本実施形態で、処理容器は３つの固定回収筒を有することと図示したが、これに限定されず、前記処理容器は２つの固定回収筒又は３つ以上の固定回収筒を包含することができる。

排気部材４００は基板処理工程の時、処理容器１００内に排気圧力を提供するためのものである。第２排気部材４００は第２排気ダクト１９０に連結されるサブ排気ライン４１０、ダンパー４２０を含む。サブ排気ライン４１０は排気ポンプ（図示せず）から排気圧が提供され、半導体生産ラインの底空間に埋め込まれたメーン排気ラインに連結される。

基板支持部材２００は工程進行の中で基板Ｗを支持し基板を回転させる。基板支持部材２００はスピンヘッド２１０、支持軸２２０、回転駆動部２３０を含む。スピンヘッドは支持ピン２１２、チャックピン２１４を含む。スピンヘッド２１０は上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。スピンヘッド２１０の底面には回転駆動部２３０によって、回転可能である支持軸２２０が固定結合される。

噴射部材３００は処理流体供給ユニットから処理流体が供給されて基板支持部材２００のスピンヘッド２１０に置かれる基板の処理面へ処理流体を噴射する。噴射部材３００は支持軸３２０、駆動器３１０、ノズル支持台３３０、及び噴射ノズル３４０を含む。支持軸３２０はその横方向が第３方向３に提供され、支持軸３２０の下端は駆動器３１０と結合される。駆動器３１０は支持軸３２０を回転及び直線運動させる。ノズル支持台３３０は支持軸３２０に結合されて噴射ノズル３４０を基板上部に移動させるか、或いは基板上部で噴射ノズル３４０が処理流体を噴射しながら、移動されるようにする。

噴射ノズル３４０はノズル支持台３３０の終端底面に設置される。噴射ノズル３４０は駆動器３１０によって、工程位置と待機位置に移動される。工程位置は噴射ノズル３４０が処理容器１００の垂直上部に配置された位置であり、待機位置は噴射ノズル３４０が処理容器１００の垂直上部から外れた位置である。噴射ノズル３４０は処理流体供給ユニット８００から供給された処理流体を噴射する。また、噴射ノズル３４０は処理流体供給ユニット８００で供給された処理流体以外に他の処理流体を直接ノズルへ供給されて噴射することができる。

図４は処理流体供給ユニットを説明するための構成図である。

図４を参照すれば、処理流体供給ユニット８００は比率調節部８１０、供給ライン８２０、予備ヒーター８３０、メーンヒーター８４０、流量調節部８５０、第１迂回ライン８６２、第２迂回ライン８６４、リターンライン８６６、及び制御器８９０を含む。

比率調節部８１０は少なくとも１つ以上の薬液供給部から薬液が供給される。一例として、比率調節部は第１及び第２薬液供給部８０２ａ、８０２ｂから混合しようとする薬液が供給され得る。第１及び第２薬液供給部８０２ａ、８０２ｂと比率調節部８１０を連結するライン８０４には薬液の流量を制御する流量制御器８０８が設置され得る。流量制御器８０８はＬＦＣ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｆｌｏｗ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を包含することができる。即ち、第１及び第２薬液供給部８０２ａ、８０２ｂでは流量制御器８０８によって、各薬液が定まれた量ぐらい所定範囲の圧力に供給され得る。

即ち、多数の薬液は流量制御器８０８を通じてその量が精密に調節されて混合された後、比率調節部８１０をインラインに通過しながら、１回さらに混合される。したがって、処理流体供給ユニット８００は薬液を混合するための混合タンクを具備しなくともよい。

一方、図４には第１薬液供給部８０２ａ及び第２薬液供給部８０２ｂのみを図示したが、薬液供給部が３つ以上であることは勿論であり、この中でいずれか１つは純水供給部８０２ｃであり得る。純水を使用する薬液の温度調節はホット純水（ｈｏｔ ＤＩＷ）とクール純水（ｃｏｏｌ ＤＩＷ）を適正に混合して望む温度を１次的に合わせた後、２次にメーンヒーターで精密に調節することができる。

比率調節部８１０でインラインに混合された混合薬液（以下、処理流体）は処理流体使用部へ供給される。混合薬液使用部は例えば、工程チャンバー、噴射部材であり、処理流体は噴射ノズル３４０を通じて基板へ供給され得る。

一方、比率調節部８１０で混合された処理流体は比率調節部８１０に連結された濃度計（図示せず）で濃度が測定され得る。即ち、処理流体の濃度は比率調節部８１０に連結された濃度計で直ちに測定可能である。

比率調節部８１０で混合された処理流体は供給ライン８２０を通じて噴射部材３４０へ供給される。

供給ライン８２０には予備ヒーター８３０、メーンヒーター８４０、及び流量調節部８５０が順番に設置される。

予備ヒーター８３０は比率調節部８１０とメーンヒーター８４０との間の供給ライン８２０上に設置される。処理流体は予備ヒーター８３０を通過しながら、望む温度（設定温度）に最も近接する温度に１次に加熱される。予備ヒーター８３０は効率が最も良い発熱体を使用して処理流体を最も速い時間に望む温度に近接するように加熱させる。一例として、予備ヒーター８３０は加熱ランプ方式のヒーターであり得る。

メーンヒーター８４０は予備ヒーター８３０と流量調節部８５０の間の供給ライン８２０上に設置される。処理流体はメーンヒーター８４０を通過しながら、望む温度（設定温度）に精密に加熱される。一例として、メーンヒーター８４０は処理流体の温度を精密に合わせるように湯煎ヒーターを使用することができる。湯煎ヒーターは湯煎用液体が盛られた湯煎筒、湯煎用水を一定な温度に加熱するヒーター、及び加熱しようとする処理流体が通過する熱交換パイプを包含することができる。処理流体は湯煎ヒーターの熱交換パイプを通過しながら、設定温度に精密に加熱される。湯煎ヒーターで湯煎用液体は処理流体の設定温度が１００℃以下である場合、恒温水を使用し、処理流体の設定温度が１００℃以上である場合、シリコンオイルを使用することができる。

第１迂回ライン８６２は予備ヒーター８３０を迂回するように供給ライン８２０に連結される。第１迂回ライン８６２には第１バルブ８６３が設置される。処理流体の一部は第１迂回ライン８６２を通じて予備ヒーター８３０を迂回して流れ得る。一例として、予備ヒーター８３０でオーバーシューティング（ｏｖｅｒ ｓｈｏｏｔｉｎｇ）が発生すれば、これを防止するために常温の処理流体の一部を第１迂回ライン８６２を通じて迂回させて予備ヒーター８３０で加熱された処理流体と混合させることによって、メーンヒーター８４０へ流入される処理流体の温度を調節することができる。

第２迂回ライン８６４は予備ヒーター８２０とメーンヒーター８４０を迂回するように供給ライン８２０に連結される。第２迂回ライン８６４には第２バルブ８６５が設置される。処理流体の一部は第２迂回ライン８６４を通じて予備ヒーター８２０とメーンヒーター８４０を迂回した後、供給ライン８２０に合流されることができる。一例として、メーンヒーター８４０で設定温度に加熱された処理流体の温度を実時間に低くしようとする場合、第２迂回ライン８６４を通じて常温の処理流体を混合して実時間に処理流体の温度を調節することができる。本実施形態では第２迂回ライン８６４が予備ヒーター８３０とメーンヒーター８４０を迂回することと図示したが、その他の方案として第２迂回ライン８６４はメーンヒーター８４０を迂回するように供給ライン８２０に連結され得る。

リターンライン８６６はメーンヒーター８４０の下流から予備ヒーター８３０の上流へ処理流体がリターンされるように供給ライン８２０に連結される。リターンライン８６６には第３バルブ８６７と循環用ポンプ８６８が設置され得る。処理流体の供給が止めれば、供給ライン８２０内の薬液温度は下がる。これを防止するために、処理流体の供給が止めれば、供給ライン８２０内の処理流体はリターンライン８６６を通じて循環されることによって、供給ライン８２０内の処理流体温度を一定に維持させ得る。

制御器８９０は第１バルブ８６３、第２バルブ８６５、第３バルブ８６７、及び循環用ポンプ８６８を制御する。制御器８９０は処理流体の一部が第１迂回ライン８６２及び第２迂回ライン８６４へ流れるように第１バルブ８６３と第２バルブ８６５を制御することができる。また、制御器８９０は処理流体がリターンライン８６６を通じて循環されるように第３バルブ８６７と循環用ポンプ８６８を制御することができる。

以上の説明は本発明の技術思想を例示的に説明した物に過ぎないので、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性で逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定することではなく、単なる説明するためのことであり、このような実施形態によって、本発明の技術思想の範囲が限定されない。本発明の保護範囲は下の請求の範囲によって、解釈しなければならないし、それと同等な範囲内にある全て技術思想は本発明の権利範囲に含まれることとして解釈するべきである。

１０００ 基板処理システム、
１０ インデックス部、
２０ 工程処理部、
３０ バッファ部、
４０ 移動通路、
５０ メーン移送ロボット、
６０ 基板処理装置、
１００ 処理容器、
２００ 基板支持部材、
３００ 噴射部材、
８００ 処理流体供給部、
８１０ 比率調節部、
８２０ 供給ライン、
８３０ 予備ヒーター、
８４０ メーンヒーター、
８５０ 流量調節部、
８６２ 第１迂回ライン、
８６４ 第２迂回ライン、
８６６ リターンライン、
８９０ 制御器。

Claims (9)

1. 基板を処理する装置において、
   基板を収容し、処理流体で前記基板を処理する処理室と、
   前記処理室へ前記処理流体を供給する供給ユニットと、を含み、
   前記供給ユニットは、
   前記処理流体が供給される供給ラインと、
   前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を１次加熱する予備ヒーターと、
   前記予備ヒーターの下流で前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を２次加熱するメーンヒーターと、
   前記予備ヒーターを迂回するように前記供給ラインに連結され、第１バルブを有する第１迂回ラインと、
   前記第１バルブを制御する制御器と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記予備ヒーターと前記メーンヒーター又は前記メーンヒーターを迂回するように前記供給ラインに連結され、前記制御器によって、制御される第２バルブを有する第２迂回ラインをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記メーンヒーターの下流で前記予備ヒーターの上流へ前記処理流体がリターンされるように前記供給ラインに連結されるリターンラインをさらに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記メーンヒーターは前記処理流体の精密な温度調節のために湯煎ヒーターであることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記基板処理装置は、
   前記供給ライン上に設置され、少なくとも１つ以上の薬液供給部から薬液が供給されて混合した処理流体を前記予備ヒーターへ供給する比率調節部をさらに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
6. 前記比率調節部と前記薬液供給部を連結するラインには薬液の流量を制御する流量制御器が設置されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 処理流体供給方法において、
   少なくとも１つ以上の薬液供給部から薬液を供給して混合する段階と、
   混合された処理流体を予備ヒーターに通過させながら、設定温度に近接する温度に１次加熱する段階と、
   １次加熱された処理流体をメーンヒーターで前記設定温度に２次加熱する段階と、を含み、
   前記予備ヒーターでオーバーシューティングが発生すれば、第１迂回ラインを通じて常温の処理流体の一部を迂回させて前記予備ヒーターで１次加熱された処理流体と混合させることを特徴とする処理流体供給方法。
8. 前記処理流体供給方法は、
   前記２次加熱段階で前記設定温度に加熱された処理流体の温度を実時間に低くしようとする場合、前記予備ヒーターと前記メーンヒーターを迂回第２迂回ラインを通じて常温の処理流体の一部を前記２次加熱された処理流体と混合することを特徴とする請求項７に記載の処理流体供給方法。
9. 前記２次加熱段階では処理流体の温度を精密に加熱するように湯煎ヒーターで加熱することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の処理流体供給方法。

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