JP5838216B2 - 赤外線センサ及び保持体 - Google Patents

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Description

本発明は、赤外線センサと、赤外線センサ素子と光学フィルタとを保持する保持体と、に関する。
赤外線センサ素子を用いて所定の赤外線を検出する際に、センサ素子に対して波長を選択的に透過させる波長選択フィルタを用いることは、従来から知られている。例えば、特許文献1の中の図2B及び図6には、保持部材15を介して、赤外線センサ素子13a、13bに光学フィルタ16a、16bが取り付けられている構成が記載されている。
国際公開第2009/148134号
特許文献1において、赤外線センサ素子と光学フィルタ及び保持体を接着剤でそれぞれ固定する場合、特許文献1に示された構造では、赤外線センサ素子と保持体との対向面、及び、光学フィルタと保持体との対向面がそれぞれ凹凸の無い平坦な面である。そして、この平坦な面どうしが接着剤を介して接着される。このため、接着の際に接着剤の濡れ広がりにより、接着剤が光学フィルタに接触して、光学フィルタが汚染されてしまう可能性があった。この課題について、他の従来例を参照して、より具体的に説明する。
図11は、従来例に係る赤外線センサ200の構成例を示す断面図である。また、図12は、赤外線センサ200が備える保持体120の構成例を示す斜視図である。図11に示すように、赤外線センサ200は、赤外線センサ素子110と、光学フィルタ130a、130bと、保持体120と、接着剤140と、を備える。
赤外線センサ素子110は、赤外線センサチップ101a、101bと、リードフレーム103と、金ワイヤ105と、モールド樹脂107と、を備える。赤外線センサチップ101a、101bは金ワイヤ105によってリードフレーム103と接続されている。また、赤外線センサチップ101a、101bと、リードフレーム103及び金ワイヤ105は、赤外線センサチップ101a、101bの受光面102a、102bと、リードフレーム103の外部端子となる部位を除いて、モールド樹脂107により封止されている。
図11及び図12に示すように、保持体120には、特定の波長のみを透過する光学フィルタ130a、130bを収容するための収容部121a、121bがそれぞれ設けられている。収容部121a、121bは凹部である。
赤外線センサ200を製造する工程では、この収容部121a、121bに光学フィルタ130a、130bを搭載すると共に、保持体120の接着剤塗布部123a、123bに接着剤140をそれぞれ塗布する。そして、この保持体120の接着剤塗布部123a、123bを有する側と、赤外線センサ素子110の受光面102a、102bを有する側とを対向させ、この状態で、保持体120に対して赤外線センサ素子110を相対的に押し当てる。これにより、保持体120と赤外線センサ素子110とが接着する。
ここで、上記の製造工程で、接着剤140の多量塗布(即ち、製造プロセスのばらつき等により、接着剤140を意図せず多量に塗布されてしまう)等が生じた場合は、図13に示すように、接着剤140がぬれ広がって光学フィルタ130a、130bを汚染する可能性があった。この汚染の可能性は、接着剤塗布部123a、123bと、光学フィルタ130a、130bの一方の面とが同一面上にある場合(即ち、同じ高さにある場合)に、特に高くなる。また、光学フィルタ130a、130bが接着剤140で汚染されると、光学フィルタ130a、130bは赤外線の透過率が悪化して、フィルタとしての機能を十分に発揮できなくなる可能性があった。
また、光学フィルタを保持させるため、光学フィルタの側面部にも接着剤を塗布する必要があり、この側面部からの接着剤により、光学フィルタが汚染させることもあった。
そこで、この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、光学フィルタが接着剤で汚染されることを防止できるようにした赤外線センサ及び保持体の提供を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る赤外線センサは、赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子の受光面と対向する光学フィルタと、前記赤外線センサ素子と前記光学フィルタとを保持する保持体とを備え、前記保持体は、前記保持体の前記赤外線センサ素子と対向する側の対向面に設けられた光学フィルタ収容部と、前記保持体の前記対向面に設けられ、前記光学フィルタ収容部から離れた位置に配置された接着領域と、前記保持体の前記対向面に設けられ、前記接着領域と前記光学フィルタ収容部との間に配置された第1の凹部と、を有することを特徴とする。
このような構成であれば、赤外線センサ素子と保持体とを接着する際に、接着剤のぬれ広がりにより、接着剤が保持体の接着領域からはみ出した場合でも、このはみ出した接着剤を、接着領域と光学フィルタ収容部との間に配置された第1の凹部に溜めることができる。従って、接着領域からはみ出した接着剤が光学フィルタ収容部に到達することを抑制することができる。つまり、保持体の構造により、接着剤のぬれ広がりを制御することができる。これにより、光学フィルタ収容部に収容されている光学フィルタに接着剤が接触することを防ぐことができ、光学フィルタが接着剤で汚染されることを防ぐことができる。光学フィルタの汚染を防止することで、赤外線の透過率が悪化させることなく、フィルタとしての機能を十分に発揮させることができる。また、光学フィルタ自体に接着剤を付与せずに、光学フィルタを保持部材に保持可能となる。
なお、本発明の「赤外線センサ素子」は、例えば、後述の赤外線センサ素子10が該当する。「第1の凹部」は、例えば、後述の溝部25a又は溝部25bの少なくとも一方が該当する。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記保持体は、前記接着領域に設けられた第2の凹部を有することを特徴としてもよい。このような構成であれば、接着領域の第2の凹部に接着剤を塗布することができ、接着領域に凹部が無い場合と比べて、接着剤が接着領域からはみ出すことを抑制することができる。なお、本発明の「第2の凹部」は、例えば、後述の接着領域23に設けられた凹部23a、23bが該当する。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記対向面から前記第1の凹部の底面までの距離が、前記対向面から前記第2の凹部の底面までの距離より大きいことを特徴としてもよい。このような構成であれば、第2の凹部からはみ出した接着剤を第1の凹部に多く溜めることができる。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記第1の凹部と、前記第2の凹部とが一体的に形成されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、接着剤の表面張力により、接着剤の濡れ広がりを第2の凹部に留めることが容易となる。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記第1の凹部は、前記第2の凹部の外周を囲むように配置されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、第2の凹部からはみ出した接着剤が第2の凹部の周囲全体(即ち、四方)へぬれ広がることを抑制することができる。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記光学フィルタ収容部の底面に、該光学フィルタ収容部より径の小さい孔部が設けられていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、赤外線センサ素子は、光学フィルタ収容部による光学フィルタを保持する機能を損うことなく、孔部を通して赤外線を受光することができる。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記保持体には、前記第1の凹部から該保持体の外部に至る貫通した開口部又は溝部が設けられていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、赤外線センサの内部にエアが残留している場合でも、この残留エアの一部を開口部から逃がすことができる。これにより、残留エアが膨張することにより生じる力、例えば、残留エアが膨張して保持体から赤外線センサ素子を引き離そうとする力を低減することができる。
本発明の別の態様に係る保持体は、赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子の受光面と対向する光学フィルタと、を保持する保持体であって、前記保持体の一方の面に設けられた光学フィルタ収容部と、前記一方の面に設けられ、前記光学フィルタ収容部から離れて配置された第1の凹部とを有することを特徴とする。
このような構成であれば、赤外線センサ素子を保持体の一方の面であって、第1の凹部を挟んで光学フィルタ収容部の反対側の領域(例えば、接着領域)に接着する際に、接着剤のぬれ広がりにより、接着剤が保持体の接着領域からはみ出した場合でも、このはみ出した接着剤を第1の凹部に溜めることができ、接着領域からはみ出した接着剤が光学フィルタ収容部に到達することを抑制することができる。これにより、光学フィルタ収容部に収容される光学フィルタに接着剤が接触することを防ぐことができ、光学フィルタが接着剤で汚染されることを防ぐことができる。なお、本発明の「一方の面」は、例えば、後述の対向面20aが該当する。
また、上記の保持体において、前記一方の面に設けられた第2の凹部を有し、前記第1の凹部は、前記第2の凹部と前記光学フィルタ収容部との間に配置されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、接着領域の第2の凹部に接着剤を溜めることができるので、接着剤が接着領域からはみ出すことを抑制することができる。
また、上記の保持体において、前記第1の凹部と、前記第2の凹部とが一体的に形成されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、接着剤の表面張力により、接着剤の濡れ広がりを第2の凹部に留めることが容易となる。
また、上記の保持体において、前記一方の面から前記第1の凹部の底面までの距離が、前記一方の面から前記第2の凹部の底面までの距離より大きいことを特徴としてもよい。このような構成であれば、第2の凹部からはみ出した接着剤を第1の凹部に多く溜めることができる。
また、上記の保持体において、前記第1の凹部は、前記第2の凹部の外周を囲むように配置されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、第2の凹部からはみ出した接着剤が第2の凹部の周囲全体(即ち、四方)へぬれ広がることを抑制することができる。
また、上記の保持体において、前記光学フィルタ収容部の底面に、該光学フィルタ収容部より径が小さい孔部が設けられていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、赤外線センサ素子は、光学フィルタ収容部による光学フィルタを保持する機能を損うことなく、孔部を通して赤外線を受光することができる。
また、上記の保持体において、前記第1の凹部から該保持体の外部に至る貫通した開口部又は溝部が設けられていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、保持体に赤外線センサ素子を取り付けた後で、赤外線センサの内部にエアが残留している場合でも、この残留エアの一部を開口部から逃がすことができる。これにより、残留エアが膨張することにより生じる力、例えば、残留エアが膨張して保持体から赤外線センサ素子を引き離そうとする力を低減することができる。
本発明によれば、保持体の収容部に収容されている光学フィルタに接着剤が接触することを防ぐことができ、光学フィルタが接着剤で汚染されることを防ぐことができる。
本発明の実施形態に係る赤外線センサ100の構成例を示す図。 本発明の実施形態に係る保持体20の構成例を示す図。 保持体20の一部を拡大して示した図。 接着剤40の塗布工程を示す図。 赤外線センサ素子10と保持体20との接着工程を示す図。 保持体20の変形例(その1)を示す図。 保持体20の変形例(その2)を示す図。 保持体20の変形例(その3)を示す図。 赤外線センサ100の変形例を示す図。 保持体20の変形例(その4)を示す図。 従来例に係る赤外線センサ200の構成例を示す図。 従来例に係る保持体120の構成例を示す図。 課題を説明するための図。
以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
(実施形態)
図1は、本発明の実施形態に係る赤外線センサ100の構成例を示す断面図である。図1に示すように、この赤外線センサ100は、赤外線センサ素子10と、赤外線センサ素子10の受光面を有する側と向かい合う光学フィルタ30a、30bと、赤外線センサ素子10と光学フィルタ30a、30bとを保持する保持体20と、接着剤40と、を備える。
赤外線センサ素子10は、赤外線を検出するための素子である。この赤外線センサ素子10は、例えば、赤外線センサチップ1a、1bと、リードフレーム3と、金ワイヤ5と、モールド樹脂7と、を有する半導体パッケージである。これらの中で、赤外線センサチップ1a、1bは、例えば、2000nm〜7400nmの赤外線を検出可能な量子型のフォトダイオードである。赤外線センサチップ1a、1bは、各々の受光面2a、2bで赤外線を受光し、受光した赤外線を光電変換することにより得られた電気信号を、受光面2a、2bの反対側の面に設けられたパッド端子(図示せず)から出力する。リードフレーム3は、赤外線センサチップ1a、1bで得られた電気信号を赤外線センサ素子10の外部へ出力するための端子部である。このリードフレーム3は、例えば、銅(Cu)板に、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっき(鍍金)処理が施されたものである。
金ワイヤ5は、赤外線センサチップ1a、1bが有するパッド端子とリードフレーム3とを接続するものである。この金ワイヤ5によって、赤外線センサチップ1a、1bのパッド端子からリードフレーム3へ電気信号が伝えられる。モールド樹脂7は、半導体パッケージの外形を成すものである。このモールド樹脂7によって、赤外線センサチップ1a、1bとリードフレーム3及び金ワイヤ5は、受光面2a、2bと、リードフレーム3の端子部として機能する部位とを除いて、封止されている。
なお、この実施形態では、赤外線センサチップ1a、1bは、同一種類のチップであってもよいし、寸法、材質又は検出可能な波長範囲などの点から、異種類に分類されるチップであってもよい。
光学フィルタ30a、30bは、予め設定された波長の光を選択的に(即ち、透過率高く)透過させる機能を有するものである。この光学フィルタ30a、30bは、保持体20と赤外線センサ素子10との間で挟持されており、赤外線センサチップ1a、1bの受光面2a、2bをそれぞれ覆うように配置されている。
なお、この実施形態において、光学フィルタ30a、30bは同一種類のフィルタであってもよいし、寸法、材質又は透過可能な波長範囲などの点から、異種類に分類されるフィルタであってもよい。例えば、光学フィルタ30aは赤外線のうちの長波長の成分のみを透過させる機能を有し、光学フィルタ30bは赤外線のうちの短波長の成分のみを透過させる機能を有するものであってもよい。次に、保持体20の構成例について説明する。
図2(a)及び(b)は、本発明の実施形態に係る保持体20の構成例を示す図である。詳しくは、図2(a)は保持体20の赤外線センサ素子10と対向する側を示す斜視図である。また、図2(b)は、図2(a)をX2−X´2線で切断した断面図である。図2(a)及び(b)に示すように、保持体20は、光学フィルタ30a、30bを収容する収容部21a、21bと、凹部23a、23b及び溝部25a、25bとを有する。
図2(a)及び(b)に示すように、収容部21a、21bは、保持体20の、赤外線センサ素子10と対向する側の対向面20aに設けられた凹部である。これら収容部21a、21bの形状、大きさは、収容の対象とする光学フィルタ30a、30bの形状、大きさにそれぞれ対応している。即ち、収容部21a、21bは、収容の対象とする光学フィルタ30a、30bの外形とそれぞれ同じ形で、それぞれ同じ寸法(実際には、光学フィルタ30a、30bの嵌め込みを容易にするため、光学フィルタ30a、30bよりも若干大きめの寸法)を有する。また、これら収容部21a、21bの底面には、例えば、凹部23a、23bよりも径が小さい孔部22a、22bがそれぞれ設けられている。この孔部22a、22bは、保持体20を貫通している。これらの孔部22a、22bによって、例えば、光学フィルタ30a、30bを介した受光面2a、2bの視野角がそれぞれ制限されている。また、この孔部22a、22bは収容部21a、21bよりも径が小さいため、収容部21a、21bは光学フィルタを保持する機能を有する。即ち、孔部22a、22bは収容部21a、21bよりも径が小さいため、赤外線センサ素子10は、収容部21a、214bによる光学フィルタ30a、30bを保持する機能を損うことなく、孔部22a、22bを通して赤外線を受光することができる。
本実施形態においては、図2(b)に示すように、保持体20上の、収容部21a、21bから離れた位置に配置された接着領域23に、凹部23a、23bが設けられている。凹部23a、23bは、保持体20の、赤外線センサ素子10と対向する側の対向面20aに設けられた浅い溝である。この凹部23a、23bは収容部21a、21bから離れた位置に配置されている。そして、この凹部23a、23bに接着剤を塗布可能となっている(即ち、赤外線センサ100では、この凹部23a、23bに接着剤40が塗布されている(図1参照。))。凹部23a、23bの平面視による形状は、例えば、それぞれが矩形となっている。
また、溝部25a、25bは、保持体20の対向面20aに設けられた深い溝である。溝部25aは、収容部21aと凹部23aとの間の位置に配置されており、凹部23aの外周を囲むように配置されている。溝部25bは、収容部21bと凹部23aとの間の位置に配置されており、凹部23bの外周を囲むように配置されている。
即ち、この保持体20において、対向面20aから凹部23a、23bの底面までの深さをd1とし、対向面20aから溝部25a、25bの底面までの深さをd2としたとき、d2はd1よりも大きい(d1<d2)。また、溝部25a、25bの平面視による形状は、例えば、それぞれが矩形の枠型となっている。
なお、この実施形態では、例えば、凹部23aと溝部25aとが一体となっており、凹部23aと溝部25aとの間には隔壁等の隔たりが設けられていない。同様に、凹部23bと溝部25bとが一体となっており、凹部23bと溝部25bとの間には隔壁等の隔たりが設けられていない。溝25aと凹部23aとが一体となっている場合、また、溝25bと凹部23bとが一体となっている場合、凹部23a、23bよりも溝部25a、25bのほうが深くなっていることで、接着剤の表面張力により、接着剤の濡れ広がりを凹部23a、23bの部分に留めることができる。
次に、凹部23a、23bに対して接着剤40を塗布する工程と、塗布した接着剤40を介して赤外線センサ素子10を保持体20に接着する工程と、について説明する。
図3は、保持体20の一部を拡大した図である。また、図4は、接着剤40の塗布工程を示す図である。図5は、赤外線センサ素子10と保持体20との接着工程を示す図である。
図3に示すように、保持体20の凹部23bの周囲には、溝部25bが設けられている。図3では示さないが、凹部23aの周囲にも溝部25aが設けられている。この実施形態では、凹部23a、23bに対して接着剤40を塗布する前に予め、収容部21a、21bに光学フィルタ30a、30bをそれぞれ収容(搭載)しておく。そして、接着剤40の塗布工程では、図4に示すように、例えばディスペンサ90を用いて(即ち、ディスペンス方式で)、凹部23a、23bの底面に接着剤40をそれぞれ塗布する。なお、接着剤40の塗布方法はディスペンス方式に限定されるものではなく、他にスタンプ方式でも構わない。
また、図4に示す塗布工程において、接着剤40の塗布量・塗布位置は接着剤40が溝部25a、25bにかからないようにすることが望ましい。塗付の段階で接着剤40が溝部25a、25bにかからないようにすることで、次の接着工程においても、より確実に、接着剤40が溝部25a、25bを越えないようにすることができる。
次に、保持体20の対向面20aと赤外線センサ素子10の受光面とを対向させる。そして、この状態で図5に示すように、保持体20に対して、赤外線センサ素子10を相対的に押し当てる。これにより、赤外線センサ素子10と保持体20とが接着して、赤外線センサ100が完成する。
図5に示す接着工程では、保持体20に対して、赤外線センサ素子10が相対的に押し当てられることにより、接着剤40はぬれ広がる。そして、製造プロセスのばらつき等により、接着剤40の塗布量が多いときは、このぬれ広がる接着剤40の一部が凹部23a、23bからはみ出してしまう場合も想定される。しかしながら、保持体20は、凹部23a、23bからはみ出した接着剤40を溝部25a、25bに溜めることができ、接着剤40が収容部21a、21bまでぬれ広がることを抑制することができる。なお、接着領域23には凹部が形成されていなくてもよく、その場合であっても溝部25a、25bに接着剤40を溜めることができる。
また、収容部21a、21bから離れた位置に接着領域23を設け、かつ溝部25a、25bを形成することにより、光学フィルタ30a、30bから離れた位置で保持体20と赤外線センサ素子10とを接着することができる。これにより、光学フィルタ30a、30b自体に接着剤を付着させることなく、光学フィルタ30a、30bを保持体20に設けられた収納部21a、21bを介して保持可能となる。
なお、凹部23a、23bと、溝部25a、25bの各サイズは、例えば下記のように設定されることが望ましい。即ち、凹部23a、23bの対向面20aからの深さd1は0.01mm〜0.1mm程度であることが望ましい。また、溝部25a、25bの接着面20aからの深さd2は、凹部23a、23bの底面からさらに0.1mm〜0.5mm程度深いこと(つまり、d2は、d1+0.1mm〜0.5mm程度であること)が望ましい。また、凹部23a、23bの径(幅)W1は例えば0.05mm〜2mm程度であることが望ましい。溝部25a、25bの幅W2は0.15mm〜0.3mm程度であることが望ましい。これにより、赤外線センサ素子10と保持体20との間の接着力を確保しつつ、より確実に、接着剤40が溝部25a、25bを越えてぬれ広がらないようにすることができる。
また、保持体20の材質としては、実装時のリフロー耐性の観点から耐熱性を考慮すると、LCP(液晶ポリマー)、PPS(ポリフェニルサルファイド樹脂)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、ポリイミド樹脂を用いることが望ましい。保持体20の材質として、他に金属系としては、Ni−Pd−Auめっきあるいは銀めっきあるいは金めっきを施された銅材料や、ステンレス系の材料を使用することも可能である。さらに、接着剤40の材質としては、耐熱性と接着性を考慮すると、例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂を用いることが望ましい。
(実施形態の効果)
本発明の実施形態は、以下の効果を奏する。
(1)赤外線センサ素子10と保持体20とを接着する際に、接着剤40のぬれ広がりにより、接着剤40が保持体20の接着領域23からはみ出した場合に、このはみ出した接着剤40を溝部25a、25bに溜めることができる。従って、接着領域23からはみ出した接着剤40が収容部21a、21bに到達することを抑制することができる。つまり、保持体20の構造により、接着剤40のぬれ広がりを制御することができる。これにより、収容部21a、21bに収容されている光学フィルタ30a、30bに接着剤40が接触することを防ぐことができ、光学フィルタ30a、30bが接着剤40で汚染されることを防ぐことができる。
(2)また、接着領域23にはそれぞれ凹部23a、23bが設けられている。これにより、凹部23a、23bに接着剤を塗布することができ、接着領域23に凹部が無い場合と比べて、接着剤が接着領域23からはみ出すことを抑制することができる。
(3)また、保持体20において、対向面20aから凹部23a、23bの各底面までの深さd1よりも、対向面20aから溝部25a、25bの底面までの深さをd2の方が大きい(d1<d2)。これにより、d1≧d2の場合と比べて、凹部23a、23bからはみ出した接着剤を第1の凹部により多く溜めることができる。
(4)また、凹部23a、23bは、溝部25a、25bとそれぞれ一体的に形成されている。これにより、接着剤の表面張力により、接着剤の濡れ広がりを溝部25a、25bに留めることが容易となる。
(5)また、溝部25a、25bは、凹部23a、23bの外周を囲むように配置されている。これにより、凹部23a、23bからはみ出した接着剤が、凹部23a、23bの周囲全体(即ち、四方)へぬれ広がることを抑制することができる。
(6)また、収容部21a、21bの底面に、該収容部21a、21bより径の小さい孔部22a、22bが設けられている。これにより、赤外線センサ素子10は、収容部21a、21bによる光学フィルタ30a、30bを保持する機能を損うことなく、孔部21a、21bを通して赤外線を受光することができる。
(変形例)
(1)なお、上記の実施形態では、例えば、図2(a)及び(b)等で示したように、溝部25a、25bが凹部23a、23bの外周をそれぞれ囲むように配置されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、溝部25a、25bの配置はこれに限定されるものではない。例えば、図6(a)及び(b)に示すように、溝部25a、25bは、凹部23a、23bの外周を囲むのではなく、凹部23a、23bと収容部21a、21bとの間にのみ配置された構成であってもよい。このような構成であっても、凹部23a、23bからはみ出した接着剤を溝部25a、25bで溜めることができるので、光学フィルタ30a、30bが接着剤40で汚染されることを防ぐことができる。
(2)また、上記の実施形態では、凹部23a、23bと溝部25a、25bとが一体となっている場合について説明した。しかしながら、本発明において、凹部23a、23bと溝部25a、25bは一体でなくてもよい。例えば、図7に示すように、凹部23a、23bと溝部25a、25bとの間にはそれぞれ隔壁29が設けられていてもよい。このような構成であっても、凹部23a、23bからはみ出して、隔壁29を乗り越えた接着剤40を溝部25a、25bで溜めることができるので、光学フィルタ30a、30bが接着剤40で汚染されることを防ぐことができる。
(3)さらに、上記の実施形態において、保持体20には、エア抜き用の開口部又は溝部が設けられていても良い。例えば図8に示すように、保持体20には、エア抜き用の開口部として、溝部25a、25bから保持体20の外部に至る貫通した開口部51a、51bが設けられていてもよい。このような構成であれば、保持体20に赤外線センサ素子10を取り付ける際に、保持体20の対向面と赤外線センサ素子10との間のエアを開口部51a、51bを通して、保持体20の外へ排出することができる。このため、保持体20に赤外線センサ素子10を取り付けることが容易となる。
また、保持体20に赤外線センサ素子10を取り付けた後で、赤外線センサ100の内部(即ち、保持体20の対向面と赤外線センサ素子10との間)にエアが残留していると、この残留エアは後の加熱工程等で温度が上昇して膨張する可能性がある。例えば、赤外線センサ100をはんだリフロー方式でプリント基板に実装する際に、残留エアは加熱されて膨張する可能性がある。
このような場合でも、例えば図9に示すように、保持体20にエア抜き用の開口部51a、51bがあれば、この開口部51a、51bを通して、残留エアの一部を逃がすことができる。これにより、赤外線センサ100の内部で残留エアが膨張することにより生じる力、例えば、残留エアが膨張して保持体20から赤外線センサ素子10を引き離そうとする力を低減することができる。また、冷却後は、この開口部51a、51bを通して、赤外線センサ100の内部にエアを取り込むこともできる。このように、保持体20が開口部51a、51bを有することにより、赤外線センサ100内部の残留エアによる圧力変化を低減することができる。
(4)また、上記の実施形態では、赤外線センサ素子10が、複数の赤外線センサチップ1a、1bと、複数の光学フィルタ30a、30bを有する場合について説明した。また、これに対応して、保持体20が複数の収容部21a、21bと、複数の凹部23a、23b及び複数の溝部25a、25bを有する場合について説明した。
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。赤外線センサ素子10は複数ではなく、1つの赤外線センサチップ1aと、1つの光学フィルタ30aを有していてもよい。また、これに対応して、例えば図10(a)及び(b)に示すように、保持体20は1つの収容部21aと、1つの凹部23a及び1つの溝部25aを有していてもよい。このような構成であっても、上記の実施形態の効果(1)〜(6)と同様の効果を奏する。
また、この変形例(4)においても、保持体20には、エア抜き用の開口部又は溝部が設けられていてもよい。例えば図10(a)及び(b)に示すように、保持体20には、エア抜き用の溝部として、溝部25aから保持体20の外部に至る貫通した溝部51aが設けられていてもよい。これにより、変形例(3)と同様の効果を奏する。
(その他)
本発明は、以上に記載した実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
1a、1b、101a、101b 赤外線センサチップ
3、103リードフレーム
5、105a、105b、105c、105d 金ワイヤ
7、107 モールド樹脂
10、110 赤外線センサ素子
20、120 保持体
20a 対向面
21a、21b,121a、121b 収容部
22a、22b 孔部
23 接着領域
23a、23b、123a、123b 凹部
25a、25b 溝部
29 隔壁
30a、30b130a、130b 光学フィルタ
40、140 接着剤
51a、51b 開口部(又は、溝部)
90 ディスペンサ
100、200 赤外線センサ

Claims (14)

  1. 赤外線センサチップを有する半導体パッケージである赤外線センサ素子と、
    前記赤外線センサチップの受光面と対向する光学フィルタと、
    前記赤外線センサ素子と前記光学フィルタとを保持する保持体と、
    前記赤外線センサ素子と前記保持体とを接着する接着剤と、を備え、
    前記保持体は、
    前記保持体の前記赤外線センサチップと対向する側の対向面に設けられて前記光学フィルタを収容する光学フィルタ収容部と、
    前記保持体の前記対向面に設けられ、前記光学フィルタ収容部から離れた位置に配置された接着領域と、
    前記保持体の前記対向面に設けられ、前記赤外線センサ素子と前記保持体とを接着する前記接着領域と前記光学フィルタ収容部との間に配置された第1の凹部と、を有し、
    前記接着領域に前記接着剤が配置されることを特徴とする赤外線センサ。
  2. 赤外線センサチップを有する半導体パッケージである赤外線センサ素子と、
    前記赤外線センサチップの受光面と対向する光学フィルタと、
    前記赤外線センサ素子と前記光学フィルタとを保持する保持体と、を備え、
    前記保持体は、
    前記保持体の前記赤外線センサチップと対向する側の対向面に設けられた光学フィルタ収容部と、
    前記保持体の前記対向面に設けられ、前記光学フィルタ収容部から離れた位置に配置された接着領域と、
    前記保持体の前記対向面に設けられ、前記接着領域と前記光学フィルタ収容部との間に配置された第1の凹部と、を有し、
    前記保持体には、前記第1の凹部から該保持体の外部に至る開口部又は溝部が設けられていることを特徴とする赤外線センサ。
  3. 前記保持体は、前記接着領域に設けられた第2の凹部を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の赤外線センサ。
  4. 前記対向面から前記第1の凹部の底面までの距離が、前記対向面から前記第2の凹部の底面までの距離より大きいことを特徴とする請求項3に記載の赤外線センサ。
  5. 前記第1の凹部と、前記第2の凹部とが一体的に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の赤外線センサ。
  6. 前記第1の凹部は、前記第2の凹部の外周を囲むように配置されていることを特徴とする請求項3から請求項5の何れか一項に記載の赤外線センサ。
  7. 前記光学フィルタ収容部の底面に、該光学フィルタ収容部より径の小さい孔部が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載の赤外線センサ。
  8. 赤外線センサチップを有する半導体パッケージである赤外線センサ素子と、前記赤外線センサチップの受光面と対向する光学フィルタと、を保持する保持体であって、
    前記保持体の一方の面であり、前記赤外線センサチップと対向する側の対向面に設けられて前記光学フィルタを収容する光学フィルタ収容部と、
    前記保持体の一方の面に設けられ、前記赤外線センサ素子と前記保持体とを接着するための接着剤が配置される領域であって、前記光学フィルタ収容部から離れた位置に配置された接着領域と、
    前記保持体の一方の面に設けられ、前記赤外線センサ素子と前記保持体とを接着するための前記接着剤が配置される前記接着領域と前記光学フィルタ収容部との間に配置された第1の凹部とを有することを特徴とする保持体。
  9. 赤外線センサチップを有する半導体パッケージである赤外線センサ素子と、前記赤外線センサチップの受光面と対向する光学フィルタと、を保持する保持体であって、
    前記保持体の一方の面に設けられた光学フィルタ収容部と、
    前記一方の面に設けられ、前記光学フィルタ収容部から離れて配置された第1の凹部とを有し、
    前記第1の凹部から該保持体の外部に至る貫通した開口部又は溝部が設けられていることを特徴とする保持体。
  10. 前記一方の面に設けられた第2の凹部を有し、
    前記第1の凹部は、前記第2の凹部と前記光学フィルタ収容部との間に配置されていることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の保持体。
  11. 前記一方の面から前記第1の凹部の底面までの距離が、前記一方の面から前記第2の凹部の底面までの距離より大きいことを特徴とする請求項10に記載の保持体。
  12. 前記第1の凹部と、前記第2の凹部とが一体的に形成されていることを特徴とする請求項11に記載の保持体。
  13. 前記第1の凹部は、前記第2の凹部の外周を囲むように配置されていることを特徴とする請求項10から請求項12の何れか一項に記載の保持体。
  14. 前記光学フィルタ収容部の底面に、該光学フィルタ収容部より径が小さい孔部が設けられていることを特徴とする請求項8から請求項13の何れか一項に記載の保持体。
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JP5952096B2 (ja) * 2012-06-12 2016-07-13 浜松ホトニクス株式会社 光半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4158076B2 (ja) * 2000-02-18 2008-10-01 横河電機株式会社 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計
JP2002134763A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Kyocera Corp 半導体受光素子収納用容器
JP2003234375A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4930989B2 (ja) * 2006-11-30 2012-05-16 日立マクセル株式会社 カメラモジュール及び撮像装置
JP2009239258A (ja) * 2008-03-05 2009-10-15 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法
CN102057495B (zh) * 2008-06-04 2013-10-09 旭化成微电子株式会社 量子型红外线传感器以及使用该量子型红外线传感器的量子型红外线气体浓度仪
JP2010050406A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Sharp Corp 半導体装置、半導体装置製造方法、および電子機器
JP5662225B2 (ja) * 2011-03-31 2015-01-28 旭化成エレクトロニクス株式会社 赤外線センサ

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