JP5822370B2 - セルフディセーブルチップイネーブル入力 - Google Patents
セルフディセーブルチップイネーブル入力 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5822370B2 JP5822370B2 JP2014518534A JP2014518534A JP5822370B2 JP 5822370 B2 JP5822370 B2 JP 5822370B2 JP 2014518534 A JP2014518534 A JP 2014518534A JP 2014518534 A JP2014518534 A JP 2014518534A JP 5822370 B2 JP5822370 B2 JP 5822370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip enable
- input pad
- electronic memory
- memory die
- enable input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/109—Control signal input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/20—Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
- H01L2224/48147—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
Description
本願は、発明の名称が「AUTOMATIC SELF−DISABLING INPUT BUFFER」であり2011年7月5日に提出された米国仮特許出願第61/504,493号の便益を主張する。当該米国仮特許出願はその内容の全体が本明細書において参照により組み込まれる。
(a)入力がハイにならない場合、弱いプルダウン抵抗が入力を低く維持し、
(b)入力がハイになる場合、弱いプルダウン抵抗は切られる。
Claims (20)
- 電子メモリであり、
第1チップイネーブル入力パッドと、
前記第1チップイネーブル入力パッドとは離間された第2チップイネーブル入力パッドと、
前記第1チップイネーブル入力パッドと前記第2チップイネーブル入力パッドとに結合された回路と
を備え、
前記第2チップイネーブル入力パッドが外部接続されていない場合、前記回路は、外部ソースにより前記第1チップイネーブル入力パッドに対してアサートされた入力電圧レベルに基づき、前記電子メモリへのアクセスがイネーブルされたか否か判断し、
前記回路は、
前記電子メモリの動作準備が出来る前にクリアされ、前記電子メモリの動作準備が出来た後に前記第1チップイネーブル入力パッドが外部ソースにより予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第1ラッチと、
前記第1ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの逆側に前記第1チップイネーブル入力パッドを維持する第1の弱いドライバと、
前記電子メモリの動作準備が出来る前にクリアされ、前記電子メモリの動作準備が出来た後に前記第2チップイネーブル入力パッドが前記外部ソースにより前記予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第2ラッチと、
前記第2ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの前記逆側に前記第2チップイネーブル入力パッドを維持する第2の弱いドライバと、
一方の入力パッドが前記予め定められたロジックレベルの前記逆側にあり、他方の入力パッドがアクティブ状態である場合にだけ、前記電子メモリへのアクセスをイネーブルするロジックと、
前記電子メモリの動作準備が出来る前に前記第1チップイネーブル入力パッドをアクティブ状態に維持する第1の追加のドライバと、
前記電子メモリの動作準備が出来る前に前記第2チップイネーブル入力パッドをアクティブ状態に維持する第2の追加のドライバと
を有し、
前記第1チップイネーブル入力パッドおよび前記第2チップイネーブル入力パッドはアクティブロー入力であり、
前記予め定められたロジックレベルはインアクティブ状態であり、
前記ロジックは、前記第1チップイネーブル入力パッドおよび前記第2チップイネーブル入力パッドのOR関数を含む、電子メモリ。 - 前記回路は、
前記第1の追加のドライバと前記第1チップイネーブル入力パッドとを接続または切断する第1FETと、
前記第2の追加のドライバと前記第2チップイネーブル入力パッドとを接続または切断する第2FETと
をさらに有し、
LowVccラインがアクティブ状態にある場合に、前記第1ラッチおよび前記第2ラッチがクリアされ、前記第1の追加のドライバが前記第1FETを介して前記第1チップイネーブル入力パッドと接続し、前記第2の追加のドライバが前記第2FETを介して前記第2チップイネーブル入力パッドと接続する、請求項1に記載の電子メモリ。 - 前記第1チップイネーブル入力パッドが外部接続されていない場合、前記回路は、前記外部ソースにより前記第2チップイネーブル入力パッドに対してアサートされた前記入力電圧レベルに基づき、前記電子メモリへのアクセスがイネーブルされたか否かさらに判断する、請求項1または請求項2に記載の電子メモリ。
- 前記第1チップイネーブル入力パッドと前記第2チップイネーブル入力パッドとの間に配置される少なくとも1つの追加の外部接続パッドをさらに備える、請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の電子メモリ。
- 複数の他の外部接続パッドをさらに備え、
前記第1チップイネーブル入力パッド、前記第2チップイネーブル入力パッド、前記少なくとも1つの追加の外部接続パッド、および前記複数の他の外部接続パッドは、Open NAND Flash Interface(ONFI)ワーキンググループの規格に準拠して配置される、請求項4に記載の電子メモリ。 - 電子メモリデバイスであり、
第1チップイネーブルピンと第2チップイネーブルピンとを有する外部ピンと、
第1チップイネーブル接続点と第2チップイネーブル接続点とを有するダイ接続点と、
前記第1チップイネーブルピンを前記第1チップイネーブル接続点へ接続し、前記第2チップイネーブルピンを前記第2チップイネーブル接続点へ接続する配線装置と、
第1電子メモリダイと
を備え、
前記第1電子メモリダイは、
前記第1チップイネーブル接続点に電気的に接続された第1チップイネーブル入力パッドと、
前記第1チップイネーブル入力パッドとは離間され、外部ピンに接続されない第2チップイネーブル入力パッドと、
前記第1チップイネーブル入力パッドと前記第2チップイネーブル入力パッドとに結合された回路と
を有し、
前記回路は、前記第1チップイネーブルピンに対してアサートされた入力電圧レベルに基づき、前記第1電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされたか否か判断し、
前記第1電子メモリダイの前記回路は、
前記電子メモリデバイスの動作準備が出来る前にクリアされ、前記電子メモリデバイスの動作準備が出来た後に前記第1チップイネーブル入力パッドが外部ソースにより予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第1ラッチと、
前記第1ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの逆側に前記第1チップイネーブル入力パッドを維持する第1の弱いドライバと、
前記電子メモリデバイスの動作準備が出来る前にクリアされ、前記電子メモリデバイスの動作準備が出来た後に前記第2チップイネーブル入力パッドが前記外部ソースにより前記予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第2ラッチと、
前記第2ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの前記逆側に前記第2チップイネーブル入力パッドを維持する第2の弱いドライバと、
一方の入力パッドが前記予め定められたロジックレベルの前記逆側にあり、他方の入力パッドがアクティブ状態である場合にだけ、前記第1電子メモリダイへのアクセスをイネーブルするロジックと、
前記電子メモリデバイスの動作準備が出来る前に前記第1チップイネーブル入力パッドをアクティブ状態に維持する第1の追加のドライバと、
前記電子メモリデバイスの動作準備が出来る前に前記第2チップイネーブル入力パッドをアクティブ状態に維持する第2の追加のドライバと
を有し、
前記第1チップイネーブル入力パッドおよび前記第2チップイネーブル入力パッドはアクティブロー入力であり、
前記予め定められたロジックレベルはインアクティブ状態であり、
前記ロジックは、前記第1チップイネーブル入力パッドおよび前記第2チップイネーブル入力パッドのOR関数を含む、電子メモリデバイス。 - 前記第1電子メモリダイの前記回路は、
前記第1の追加のドライバと前記第1チップイネーブル入力パッドとを接続または切断する第1FETと、
前記第2の追加のドライバと前記第2チップイネーブル入力パッドとを接続または切断する第2FETと
をさらに有し、
LowVccラインがアクティブ状態にある場合に、前記第1ラッチおよび第2ラッチがクリアされ、前記第1の追加のドライバが前記第1FETを介して前記第1チップイネーブル入力パッドと接続し、前記第2の追加のドライバが前記第2FETを介して前記第2チップイネーブル入力パッドと接続する、請求項6に記載の電子メモリデバイス。 - 第2電子メモリダイをさらに備え、
前記第2電子メモリダイは、
外部ピンに接続されない対応する第1チップイネーブル入力パッドと、
前記対応する第1チップイネーブル入力パッドとは離間され、前記第2チップイネーブル接続点に電気的に接続された対応する第2チップイネーブル入力パッドと、
前記対応する第1チップイネーブル入力パッドと前記対応する第2チップイネーブル入力パッドとに結合された回路と
を有し、
前記回路は、前記第2チップイネーブルピンに対してアサートされた入力電圧レベルに基づき、前記第2電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされたか否か判断する、請求項6または7に記載の電子メモリデバイス。 - 前記第1チップイネーブル接続点と前記第2チップイネーブル接続点との間に配置される少なくとも1つのダイ接続点であり、前記第1チップイネーブル入力パッドと前記第2チップイネーブル入力パッドとの間に配置される前記電子メモリダイ上の少なくとも1つのパッドに電気的に接続された前記少なくとも1つのダイ接続点をさらに備える、請求項6から8のいずれか1つに記載の電子メモリデバイス。
- それぞれ対応する第1チップイネーブル入力パッドおよび第2チップイネーブル入力パッドを有する第2電子メモリダイ、第3電子メモリダイ、および第4電子メモリダイと、
前記第3電子メモリダイの前記第2チップイネーブル入力パッドに電気的に接続され、前記第3電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされているか否か判断する第3チップイネーブルピンと、
前記第4電子メモリダイの前記第2チップイネーブル入力パッドに電気的に接続され、前記第4電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされているか否か判断する第4チップイネーブルピンと、
他のボンディングワイヤにより、前記第1電子メモリ、前記第2電子メモリ、前記第3電子メモリ、および前記第4電子メモリの他方のパッドに電気的に接続された他のピンと
をさらに備え、
前記第2チップイネーブルピンは、前記第2電子メモリダイの前記第1チップイネーブル入力パッドに電気的に接続され、前記第2電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされているか判断し、
前記第2電子メモリダイの前記第2チップイネーブル入力パッド、並びに、前記第3電子メモリダイおよび前記第4電子メモリダイの前記第1チップイネーブル入力パッドは外部ピンに接続されておらず、
前記第1チップイネーブルピンと前記第2チップイネーブルピンとは隣り合い、前記第3チップイネーブルピンと前記第4チップイネーブルピンとは隣り合い、前記第1チップイネーブルピンおよび前記第2チップイネーブルピンは少なくとも前記他のピンにより前記第3チップイネーブルピンおよび前記第4チップイネーブルピンと離されている、請求項6に記載の電子メモリデバイス。 - 前記配線装置により前記第3チップイネーブルピンに接続された第3チップイネーブル接続点と、
前記配線装置により前記第4チップイネーブルピンに接続された第4チップイネーブル接続点と、
前記配線装置により前記他のピンに接続された他の接続点と
をさらに備え、
前記配線装置は1つの配線層を有し、
前記接続点はそれぞれ、交差しないボンディングワイヤを用いて前記パッドのうち対応するパッドに接続される、請求項10に記載の電子メモリデバイス。 - 前記外部ピンはOpen NAND Flash Interface(ONFI)ワーキンググループの規格に準拠して配置される、請求項6から11のいずれか1項に記載の電子メモリデバイス。
- システムであり、
第1電子メモリダイおよび第2電子メモリダイと、
前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイからの読み取り、並びに、前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイへの書き込みが可能なプロセッサと、
前記プロセッサに結合されたデコード回路と
を備え、
前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイはそれぞれ、第1チップイネーブル入力パッドと、前記第1チップイネーブル入力パッドとは離間された第2チップイネーブル入力パッドと、前記第1チップイネーブル入力パッドと前記第2チップイネーブル入力パッドとに結合された回路とを有し、
前記デコード回路は、前記第1電子メモリダイの前記第1チップイネーブル入力パッドに結合された第1チップイネーブル出力と、前記第2電子メモリダイの前記第2チップイネーブル入力パッドに結合された第2チップイネーブル出力とを有し、
前記第1電子メモリダイの前記回路は、前記デコード回路の前記第1チップイネーブル出力に基づき、前記第1電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされているか否か判断し、
前記第2電子メモリダイの前記回路は、前記デコード回路の前記第2チップイネーブル出力に基づき、前記第2電子メモリダイへのアクセスがイネーブルされているか否か判断し、
前記第1電子メモリダイの前記第2チップイネーブル入力パッドは、前記第1電子メモリダイの外部に接続されておらず、
前記第2電子メモリダイの前記第1チップイネーブル入力パッドは、前記第2電子メモリダイの外部に接続されておらず、
前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイの前記回路はそれぞれ、
対応する電子メモリダイの動作準備が出来る前にクリアされ、前記対応する電子メモリダイの動作準備が出来た後に前記第1チップイネーブル入力パッドが前記デコード回路により予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第1ラッチと、
前記第1ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの逆側に前記第1チップイネーブル入力パッドを維持する第1の弱いドライバと、
前記対応する電子メモリダイの動作準備が出来る前にクリアされ、前記対応する電子メモリダイの動作準備が出来た後に前記第2チップイネーブル入力パッドが前記デコード回路により前記予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第2ラッチと、
前記第2ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの前記逆側に前記第2チップイネーブル入力パッドを維持する第2の弱いドライバと、
一方のチップイネーブル入力パッドが前記予め定められたロジックレベルの前記逆側にあり、他方のチップイネーブル入力パッドがアクティブ状態である場合にだけ、前記対応する電子メモリダイへのアクセスをイネーブルするロジックと、
前記対応する電子メモリダイの動作準備が出来る前に前記第1チップイネーブル入力パッドをアクティブ状態に維持する第1の追加のドライバと、
前記対応する電子メモリダイの動作準備が出来る前に前記第2チップイネーブル入力パッドをアクティブ状態に維持する第2の追加のドライバと
を有し、
前記第1チップイネーブル入力パッドおよび前記第2チップイネーブル入力パッドはアクティブロー入力であり、
前記予め定められたロジックレベルはインアクティブ状態であり、
前記ロジックは、前記第1チップイネーブル入力パッドおよび前記第2チップイネーブル入力パッドのOR関数を含む、システム。 - 前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイの前記回路はそれぞれ、
前記第1の追加のドライバと前記第1チップイネーブル入力パッドとを接続または切断する第1FETと、
前記第2の追加のドライバと前記第2チップイネーブル入力パッドとを接続または切断する第2FETと
をさらに有し、
LowVccラインがアクティブ状態にある場合に、前記第1ラッチおよび前記第2ラッチがクリアされ、前記第1の追加のドライバが前記第1FETを介して前記第1チップイネーブル入力パッドと接続し、前記第2の追加のドライバが前記第2FETを介して前記第2チップイネーブル入力パッドと接続する、請求項13に記載のシステム。 - 前記プロセッサおよびプロセッサパッケージを有するプロセッサデバイスと、
メモリデバイスと
をさらに備え、
前記メモリデバイスは、
前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイと、
第1チップイネーブルピン、第2チップイネーブルピン、および他のピンと、
第1チップイネーブル接続点、第2チップイネーブル接続点、および、前記第1チップイネーブル接続点と前記第2チップイネーブル接続点との間に配置される他の接続点と、
前記第1チップイネーブルピンを前記第1チップイネーブル接続点に接続し、前記第2チップイネーブルピンを前記第2チップイネーブル接続点に接続し、前記他のピンを前記他の接続点に接続する配線装置と
前記第1チップイネーブル接続点を前記第1電子メモリダイの前記第1チップイネーブル入力パッドに接続する第1ボンディングワイヤ、前記第2チップイネーブル接続点を前記第2電子メモリダイの前記第2チップイネーブル入力パッドに接続する第2ボンディングワイヤ、および、前記他の接続点を前記第1電子メモリダイおよび前記第2電子メモリダイの他方のパッドに接続する他のボンディングワイヤと
を有する、請求項13または14に記載のシステム。 - 前記プロセッサに結合された外部通信チャネルをさらに備え、
前記プロセッサは前記外部通信チャネルを介して書き込みコマンドおよび書き込みデータを受信し、前記第1電子メモリダイまたは前記第2電子メモリダイに前記書き込みデータを格納し、
前記プロセッサは前記外部通信チャネルから読み取りコマンドを受信し、前記第1電子メモリダイまたは前記第2電子メモリダイから読み取りデータを読み取り、前記読み取りデータを前記外部通信チャネルを介して送信する、請求項13から15のいずれか1項に記載のシステム。 - 前記外部通信チャネルは、Universal Serial Bus(USB)、Serial Advanced Technology Attachment(SATA)、Small Computer System Interconnect(SCSI)、Fibre Channel、Parallel Advanced Technology Attachment(PATA)、Integrated Drive Electronics(IDE)、Ethernet(登録商標)、IEEE−1394、Secure Digital Card(SD Card)インタフェース、コンパクトフラッシュ(登録商標)インタフェース、Memory Stickインタフェース、Peripheral Component Interconnect(PCI)、および、PCI Expressから成る群より選択されるプロトコルのバージョンを利用する、請求項16に記載のシステム。
- 無線周波数通信を利用する、前記プロセッサに結合された外部通信チャネルをさらに備え、
前記システムはポータブルコンピューティングプラットフォームである、請求項13から17のいずれか1項に記載のシステム。 - 集積回路を含む入力回路であり、
第1入力パッドと、
前記集積回路の動作準備が出来る前にクリアされ、前記集積回路の動作準備が出来た後に前記第1入力パッドが外部ソースにより予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第1ラッチと、
前記第1ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの逆側に前記第1入力パッドを維持する第1弱ドライバと、
第2入力パッドと、
前記集積回路の動作準備が出来る前にクリアされ、前記集積回路の動作準備が出来た後に前記第2入力パッドが前記外部ソースにより前記予め定められたロジックレベルまでドライブされた場合にセットされる第2ラッチと、
前記第2ラッチがクリアである場合に、前記予め定められたロジックレベルの前記逆側に前記第2入力パッドを維持する第2の弱いドライバと、
一方の入力パッドが前記予め定められたロジックレベルの前記逆側にあり、他方の入力パッドがアクティブ状態である場合にだけ、内部出力をアクティブ状態にドライブするロジックと
前記集積回路の動作準備が出来る前に前記第1入力パッドをアクティブ状態に維持する第1の追加のドライバと、
前記集積回路の動作準備が出来る前に前記第2入力パッドをアクティブ状態に維持する第2の追加のドライバと
を備え、
前記第1入力パッドおよび前記第2入力パッドはアクティブロー入力であり、
前記予め定められたロジックレベルはインアクティブ状態であり、
前記ロジックは、前記第1入力パッドおよび前記第2入力パッドのOR関数を有する、入力回路。 - 前記第1の追加のドライバと前記第1入力パッドとを接続または切断する第1FETと、
前記第2の追加のドライバと前記第2入力パッドとを接続または切断する第2FETと
をさらに有し、
LowVccラインがアクティブ状態にある場合に、前記第1ラッチおよび前記第2ラッチがクリアされ、前記第1FETを介して前記第1の追加のドライバと前記第1入力パッドとが接続され、前記第2FETを介して前記第2の追加のドライバと前記第2入力パッドとが接続される、請求項19に記載の入力回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161504493P | 2011-07-05 | 2011-07-05 | |
US61/504,493 | 2011-07-05 | ||
PCT/US2011/050265 WO2013006187A1 (en) | 2011-07-05 | 2011-09-01 | Self-disabling chip enable input |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014523601A JP2014523601A (ja) | 2014-09-11 |
JP5822370B2 true JP5822370B2 (ja) | 2015-11-24 |
Family
ID=47437327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014518534A Active JP5822370B2 (ja) | 2011-07-05 | 2011-09-01 | セルフディセーブルチップイネーブル入力 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9196316B2 (ja) |
JP (1) | JP5822370B2 (ja) |
KR (1) | KR101571985B1 (ja) |
TW (1) | TWI590256B (ja) |
WO (1) | WO2013006187A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5822370B2 (ja) | 2011-07-05 | 2015-11-24 | インテル・コーポレーション | セルフディセーブルチップイネーブル入力 |
US9064194B1 (en) * | 2012-02-03 | 2015-06-23 | Dynamics Inc. | Systems and methods for spike suppression for dynamic magnetic stripe communications devices |
TWI471731B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-02-01 | Mediatek Inc | 記憶體存取方法、記憶體存取控制方法、spi快閃記憶體裝置以及spi控制器 |
KR102144367B1 (ko) * | 2013-10-22 | 2020-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
US9417640B2 (en) * | 2014-05-09 | 2016-08-16 | Macronix International Co., Ltd. | Input pin control |
US10205381B1 (en) * | 2018-05-10 | 2019-02-12 | Vlt, Inc. | Start-up control in power systems using fixed-ratio power conversion |
US11610879B2 (en) * | 2018-12-19 | 2023-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Power on die discovery in 3D stacked die architectures with varying number of stacked die |
JP6756878B1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-09-16 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
US11508415B2 (en) * | 2021-03-15 | 2022-11-22 | Transcend Information, Inc. | Semiconductor memory package structure and semiconductor memory system |
US11728305B2 (en) | 2021-05-11 | 2023-08-15 | Sandisk Technologies Llc | Capacitor structure including bonding pads as electrodes and methods of forming the same |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59188956A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63128729U (ja) * | 1987-02-14 | 1988-08-23 | ||
JP2531827B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04199566A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JP2005317830A (ja) | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Elpida Memory Inc | 半導体装置、マルチチップパッケージ、およびワイヤボンディング方法 |
KR100588337B1 (ko) * | 2005-02-11 | 2006-06-09 | 삼성전자주식회사 | 동일한 기능의 복수개 패드를 채용한 반도체 장치 및 이를이용한 멀티 칩 패키지 |
JP2006324359A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Elpida Memory Inc | 半導体チップ及び半導体装置 |
US7327592B2 (en) | 2005-08-30 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Self-identifying stacked die semiconductor components |
US7352602B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-04-01 | Micron Technology, Inc. | Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method |
JP4913640B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7688628B2 (en) | 2007-06-30 | 2010-03-30 | Intel Corporation | Device selection circuit and method |
KR20090026914A (ko) * | 2007-09-11 | 2009-03-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 인에이블 신호 제어 장치 |
KR100905816B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칩 선택 제어 장치와 그것을 포함하는 불휘발성 메모리장치 |
US7847626B2 (en) * | 2008-03-04 | 2010-12-07 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for coupling signals to and/or from stacked semiconductor dies |
KR20100133613A (ko) * | 2009-06-12 | 2010-12-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
US8255650B1 (en) * | 2009-12-29 | 2012-08-28 | Iomega Corporation | Systems and methods for making incremental physical to virtual backups of computer system data |
WO2012082656A2 (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Aplus Flash Technology, Inc. | Universal timing waveforms sets to improve random access read and write speed of memories |
JP5822370B2 (ja) | 2011-07-05 | 2015-11-24 | インテル・コーポレーション | セルフディセーブルチップイネーブル入力 |
-
2011
- 2011-09-01 JP JP2014518534A patent/JP5822370B2/ja active Active
- 2011-09-01 WO PCT/US2011/050265 patent/WO2013006187A1/en active Application Filing
- 2011-09-01 KR KR1020147001296A patent/KR101571985B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-01 US US13/995,172 patent/US9196316B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-04 TW TW101124007A patent/TWI590256B/zh active
- 2012-08-09 US US13/570,782 patent/US8630107B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130010517A1 (en) | 2013-01-10 |
KR20140024053A (ko) | 2014-02-27 |
TWI590256B (zh) | 2017-07-01 |
WO2013006187A1 (en) | 2013-01-10 |
US20130272048A1 (en) | 2013-10-17 |
KR101571985B1 (ko) | 2015-11-25 |
US8630107B2 (en) | 2014-01-14 |
TW201308349A (zh) | 2013-02-16 |
JP2014523601A (ja) | 2014-09-11 |
US9196316B2 (en) | 2015-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5822370B2 (ja) | セルフディセーブルチップイネーブル入力 | |
US10333498B2 (en) | Low-power, small-area, high-speed master-slave flip-flop circuits and devices including same | |
KR102113359B1 (ko) | 이중 모드 핀아웃을 가진 플래시 메모리 제어기 | |
US9245590B2 (en) | Stacked die flash memory device with serial peripheral interface | |
US20140293705A1 (en) | Asynchronous bridge chip | |
TWI608492B (zh) | 包括電力開啓重置電路之半導體裝置及其操作方法 | |
US7675803B2 (en) | Memory circuit system having semiconductor devices and a memory | |
US9305613B2 (en) | Reconfigurable load-reduced memory buffer | |
CN103021444A (zh) | 存储装置 | |
KR20150079492A (ko) | 멀티모드 핀아웃을 갖는 플래시 메모리 컨트롤러 | |
JP4869713B2 (ja) | マルチチップパッケージデバイス | |
US7484027B1 (en) | Apparatus and method for configurable device pins | |
JP2013025843A (ja) | 半導体装置 | |
WO2022052354A1 (zh) | 一种存储封装芯片及其信号处理方法 | |
JP2004240795A (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
TW201123641A (en) | Solid state memory storage apparatus suitable for PCIE interface | |
KR102485405B1 (ko) | 데이터 버퍼 및 이를 포함하는 메모리 장치 | |
US9966121B2 (en) | Comparison circuits and semiconductor devices employing the same | |
JP7207812B2 (ja) | 記憶装置及び電子デバイス | |
US9653132B2 (en) | Semiconductor packages usable with semiconductor chips having different pad arrangements and electronic devices having the same | |
KR100719363B1 (ko) | 메모리장치 및 인디케이터 회로 | |
JP4368150B2 (ja) | 複合メモリ装置 | |
JP4004659B2 (ja) | 高耐圧入力インタフェース回路及び半導体集積回路 | |
CN116978415A (zh) | 一种存储设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5822370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |