JP5817593B2 - Aluminum body forming composition and aluminum body forming method - Google Patents

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本発明は、アルミニウム体形成用組成物、及びアルミニウム体形成方法に関する。   The present invention relates to an aluminum body forming composition and an aluminum body forming method.

金属アルミニウム材料は、その高い導電性と高い光学特性から、DRAMに代表される半導体デバイスの電極配線の用途や光学装置の反射膜の用途等に幅広く用いられている。
一般的にアルミニウム膜形成方法は、スパッタ法、蒸着法、化学気相成長方法がこれまで主流であった(特許文献1)。しかし、これらの方法は、真空チャンバーや高圧電流装置などの高価な装置を必要とするため高コストである。また、大口径の基体への適用が困難であるという問題がある。さらには、昨今の半導体デバイスの微細化、ならびに光学装置の形状の複雑化が進む中で、これら従来の手法では、膜中の欠陥の発生やステップカバレージ性の低下が生じるという問題もある。
これに対して、塗布による成膜方法は、高価な装置を必要とせず、成膜コストが比較的安価であり、液体材料の浸透力を利用して狭トレンチ基体上への良好な成膜も期待できる。
例えば、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体(以下、「アラン・アミン錯体」ともいう。)および有機溶媒を含有する導電性膜形成用組成物と、該導電性膜形成用組成物を基板上に塗布し、次いで加熱および/または光照射してアルミニウム膜を形成する方法が報告されている(特許文献2)。
また、チタン化合物等を含む液状の組成物を第一の圧力下で基体に塗布し、第二の圧力下において該基体を加熱処理後、該基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び溶媒を含有するアルミニウム膜形成用組成物を塗布し、該基体を加熱処理するアルミニウム膜形成方法が報告されている(特許文献3)。
The metal aluminum material is widely used for the application of the electrode wiring of the semiconductor device represented by DRAM, the application of the reflection film of the optical device, etc. because of its high conductivity and high optical characteristics.
In general, sputtering methods, vapor deposition methods, and chemical vapor deposition methods have been the mainstream methods for forming aluminum films (Patent Document 1). However, these methods are expensive because they require expensive devices such as a vacuum chamber and a high-voltage current device. In addition, there is a problem that it is difficult to apply to a large-diameter substrate. Furthermore, with the recent miniaturization of semiconductor devices and the complication of the shape of optical devices, these conventional methods also have the problem of generating defects in the film and reducing step coverage.
On the other hand, the film formation method by coating does not require an expensive apparatus, the film formation cost is relatively low, and good film formation on a narrow trench substrate is also possible using the penetration force of the liquid material. I can expect.
For example, a conductive film-forming composition containing a complex of an amine compound and aluminum hydride (hereinafter also referred to as “alane-amine complex”) and an organic solvent, and the conductive film-forming composition on the substrate A method of forming an aluminum film by applying the coating onto the substrate and then heating and / or irradiating with light has been reported (Patent Document 2).
In addition, a liquid composition containing a titanium compound or the like is applied to a substrate under a first pressure, the substrate is heated under a second pressure, and then a complex of an amine compound and aluminum hydride is formed on the substrate. In addition, an aluminum film forming method in which a composition for forming an aluminum film containing a solvent and a solvent is applied and the substrate is subjected to heat treatment has been reported (Patent Document 3).

特開2000−86673号公報JP 2000-86673 A 特開2004−6197号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6197 特開2006−237392号公報JP 2006-237392 A

J.K.Ruffら、J.Amer.Chem.Soc.、82巻,2141ページ,1960年J. et al. K. Ruff et al. Amer. Chem. Soc. 82, 2141 pages, 1960

しかしながら、従来のアラン・アミン錯体(例えば、トリエチルアミンと水素化アルミニウムの錯体)等を用いた場合、該アラン・アミン錯体の蒸気圧は高いため、塗布工程や加熱工程をおこなう際に揮発するアラン・アミン錯体の量が多くなるという問題があった。アラン・アミン錯体の揮発量が多くなると、塗布工程において塗布膜にムラが生じたり、成膜装置が汚染されるという問題が生じる。さらに、成膜装置が汚染されることで、得られるアルミニウム膜が汚染される原因となっていた。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑みて、塗布工程および加熱工程において揮発するアラン・アミン錯体の量が少ないことから、塗布膜にムラが生じず、成膜装置を汚染しないアルミニウム体形成用組成物を提供することにある。
However, when a conventional alane / amine complex (for example, a complex of triethylamine and aluminum hydride) is used, the vapor pressure of the alane / amine complex is high. There was a problem that the amount of the amine complex was increased. When the volatilization amount of the alane-amine complex increases, there arises a problem that the coating film becomes uneven in the coating process or the film forming apparatus is contaminated. Furthermore, contamination of the film forming apparatus has caused the resulting aluminum film to be contaminated.
In view of the above problems, the object of the present invention is to form an aluminum body that does not cause unevenness in the coating film and does not contaminate the film forming apparatus because the amount of the alan-amine complex that volatilizes in the coating step and the heating step is small. It is to provide a composition for use.

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体、及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物であって、該錯体の蒸気圧が50℃において5.0Torr以下であるアルミニウム体形成用組成物によれば、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[5]を提供するものである。
[1] 第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体、及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物であって、該錯体の蒸気圧が50℃において5.0Torr以下であり、かつ、前記第一のアミン化合物が下記一般式(1)で表される、アルミニウム体形成用組成物。

Figure 0005817593
(上記一般式(1)においてRは炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基、または炭素数3〜6の脂環式基である。RおよびRはそれぞれ独立して、炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基、または炭素数3〜6の脂環式基でもよく、RおよびRが互いに連結して炭素数4以上の環状構造を有する一つの炭化水素基を形成していてもよい。ただし、RおよびRがアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または脂環式基である場合、R、R、Rのうち少なくとも1つは炭素数3以上の基である。また、R、R、Rの全てが炭素数4以下のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基の場合、 、R 、R の全てが炭素数3〜4でかつ直鎖状のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基である。)
[2] さらに、錯体を形成していない第二のアミン化合物を含有する前記[1]に記載のアルミニウム体形成用組成物。
[3] さらに、チタン化合物を含有する前記[1]または[2]に記載のアルミニウム体形成用組成物。
[4] 基体上に、前記[1]〜[3]のいずれかに記載されたアルミニウム体形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び/又は光照射することにより、前記基体上にアルミニウム体を形成する、アルミニウム体形成方法。
[5] 上記基体が、予め、基体本体に、チタン、パラジウム、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子を含む有機金属化合物(ただし、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を除く。)を含有する下地膜形成用組成物を塗布し、次いで該下地膜形成用組成物を加熱してなるものである、前記[4]に記載のアルミニウム体形成方法。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor is a composition for forming an aluminum body containing a complex of a specific first amine compound and aluminum hydride, and an organic solvent, According to the aluminum body forming composition having a vapor pressure of 5.0 Torr or less at 50 ° C., it was found that the above-mentioned problems can be solved, and the present invention was completed.
That is, the present invention provides the following [1] to [5].
[1] A composition for forming an aluminum body containing a complex of a first amine compound and aluminum hydride, and an organic solvent, wherein the complex has a vapor pressure of 5.0 Torr or less at 50 ° C., and A composition for forming an aluminum body, wherein the first amine compound is represented by the following general formula (1).
Figure 0005817593
(In the general formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group, or an alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms. R 2 and R 3 are each independently selected. An alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group, or an alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms, and R 2 and R 3 are connected to each other to form a cyclic structure having 4 or more carbon atoms. One of the hydrocarbon groups may be formed, provided that when R 2 and R 3 are an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or an alicyclic group, among R 1 , R 2 , and R 3 At least one is a group having 3 or more carbon atoms, and when all of R 1 , R 2 , and R 3 are alkyl groups, alkenyl groups, or alkynyl groups having 4 or less carbon atoms, R 1 , R 2 , R in all of 3 3 to 4 carbon atoms One straight chain alkyl group, an alkenyl group or alkynyl group.)
[2] The composition for forming an aluminum body according to [1], further including a second amine compound not forming a complex.
[3] The composition for forming an aluminum body according to [1] or [2], further including a titanium compound.
[4] An aluminum body is formed on the substrate by applying the aluminum body-forming composition described in any one of [1] to [3] on the substrate and then heating and / or irradiating with light. A method for forming an aluminum body.
[5] An organic metal compound containing at least one metal atom selected from the group consisting of titanium, palladium, and aluminum (excluding a complex of an amine compound and aluminum hydride). The composition for forming an aluminum body according to [4], wherein the composition for forming a base film is applied, and then the composition for forming the base film is heated.

本発明のアルミニウム体形成用組成物は、塗布工程および加熱工程において揮発するアラン・アミン錯体の量が少ないことから、塗布工程において、塗布膜にムラが生じない。また、成膜装置の汚染を防ぐことができる。   The composition for forming an aluminum body of the present invention does not cause unevenness in the coating film in the coating step because the amount of the alane / amine complex that volatilizes in the coating step and the heating step is small. In addition, contamination of the film forming apparatus can be prevented.

本発明のアルミニウム体形成用組成物は、第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体、および有機溶媒を含有する。
ここで、水素化アルミニウム(しばしば慣用的に「アラン」と呼ばれる。)とは、アルミニウムと水素原子からなる化合物であり、一般的にはAlHで表される。
The composition for forming an aluminum body of the present invention contains a complex of a first amine compound and aluminum hydride, and an organic solvent.
Here, aluminum hydride (often commonly referred to as “alane”) is a compound composed of aluminum and a hydrogen atom, and is generally represented by AlH 3 .

本発明のアルミニウム体形成用組成物に含有される第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体は、例えばJ.K.Ruffら、J.Amer.Chem.Soc.,82巻,2141ページ,1960年、G.W.Fraserら、J.Chem.Soc.,3742ページ,1963年およびJ.L.Atwoodら、J.Amer.Chem.Soc.,113巻,8133ページ,1991年等に記載された方法に準じて合成することができる。
具体的には、例えば水素化リチウムアルミニウムのジエチルエーテル懸濁液にアミン化合物の塩化水素酸塩を添加し、例えばNガス中にて室温で撹拌しながら反応させて合成することができる。反応温度、反応溶媒等は、所望する第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の種類に応じて適宜に選択される。
The complex of the first amine compound and aluminum hydride contained in the composition for forming an aluminum body of the present invention is, for example, J.A. K. Ruff et al. Amer. Chem. Soc. 82, page 2141, 1960, G.C. W. Fraser et al. Chem. Soc. 3742, 1963 and J. Am. L. Atwood et al., J. MoI. Amer. Chem. Soc. 113, 8133, 1991 and the like.
Specifically, for example, a hydrochloride of an amine compound is added to a suspension of lithium aluminum hydride in diethyl ether and reacted, for example, in N 2 gas with stirring at room temperature. The reaction temperature, reaction solvent, and the like are appropriately selected according to the desired type of complex of the first amine compound and aluminum hydride.

本発明のアルミニウム体形成用組成物に含有される第一のアミン化合物は、下記一般式(1)で表される。

Figure 0005817593
(上記一般式(1)においてRは炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基、または炭素数3〜6の脂環式基である。RおよびRはそれぞれ独立して、炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基、または炭素数3〜6の脂環式基でもよく、RおよびRが互いに連結して炭素数4以上の環状構造を有する一つの炭化水素基を形成していてもよい。ただし、RおよびRがアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または脂環式基である場合、R、R、Rのうち少なくとも1つは炭素数3以上の基である。また、R、R、Rの全てが炭素数4以下のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基の場合、 、R 、R の全てが炭素数3〜4でかつ直鎖状のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基である。)
上記R、R、Rで表される炭素数1〜8のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等を挙げることができる。
上記炭素数1〜8のアルケニル基としては、具体的にはビニル基、アリル基、クロチル基等を挙げることができる。
上記炭素数1〜8のアルキニル基としては、具体的にはエチニル基等を挙げることができる。
、R、Rの全てが炭素数4以下のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基の場合全てが直鎖状のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基である。R、R、Rの全てが炭素数4以下の分枝鎖状のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基であると、得られる錯体の蒸気圧が、50℃において5.0Torrを超える場合がある。
上記R、R、またはRが炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基の場合、蒸気圧を低くする観点から直鎖状が好ましい。また、蒸気圧を低くする観点から炭素数は、より好ましくは2〜8であり、特に好ましくは3〜8である。また、アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基の中でも、蒸気圧を低くする観点から、アルキル基が好ましい。
上記R、R、Rで表される炭素数3〜6の脂環式基としては、具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。 The first amine compound contained in the composition for forming an aluminum body of the present invention is represented by the following general formula (1).
Figure 0005817593
(In the general formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group, or an alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms. R 2 and R 3 are each independently selected. An alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group, or an alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms, and R 2 and R 3 are connected to each other to form a cyclic structure having 4 or more carbon atoms. One of the hydrocarbon groups may be formed, provided that when R 2 and R 3 are an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or an alicyclic group, among R 1 , R 2 , and R 3 At least one is a group having 3 or more carbon atoms, and when all of R 1 , R 2 , and R 3 are alkyl groups, alkenyl groups, or alkynyl groups having 4 or less carbon atoms, R 1 , R 2 , R in all of 3 3 to 4 carbon atoms One straight chain alkyl group, an alkenyl group or alkynyl group.)
Specific examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms represented by R 1 , R 2 and R 3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, An octyl group etc. can be mentioned.
Specific examples of the alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a crotyl group.
Specific examples of the alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms include an ethynyl group.
When all of R 1 , R 2 , and R 3 are alkyl groups, alkenyl groups, or alkynyl groups having 4 or less carbon atoms , all are linear alkyl groups, alkenyl groups, or alkynyl groups. When all of R 1 , R 2 , and R 3 are branched alkyl groups, alkenyl groups, or alkynyl groups having 4 or less carbon atoms, the vapor pressure of the resulting complex exceeds 5.0 Torr at 50 ° C. There is a case.
When R 1 , R 2 , or R 3 is an alkyl group, alkenyl group, or alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms, a straight chain is preferable from the viewpoint of lowering the vapor pressure. Further, from the viewpoint of lowering the vapor pressure, the carbon number is more preferably 2 to 8, particularly preferably 3 to 8. Of the alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group, an alkyl group is preferred from the viewpoint of lowering the vapor pressure.
Specific examples of the alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms represented by R 1 , R 2 , and R 3 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

上記一般式(1)で表されるアミン化合物の具体例としては、例えば、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−2−メチルブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ(2−エチルヘキシル)アミン、トリオクチルアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、N−メチルピロリジン等を挙げることができる。
中でも、好ましくはトリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、N−メチルピロリジンである。
これらのアミン化合物は、一種単独で、あるいは2種以上の化合物を組み合わせて使用することができる。
Specific examples of the amine compound represented by the general formula (1) include, for example, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-2-methylbutylamine, tri-n-hexylamine, and tricyclohexylamine. , Tri (2-ethylhexyl) amine, trioctylamine, dimethyloctylamine, dimethylcyclohexylamine, N-methylpyrrolidine and the like.
Among these, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, dimethyloctylamine, dimethylcyclohexylamine, and N-methylpyrrolidine are preferable.
These amine compounds can be used alone or in combination of two or more.

上記第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の蒸気圧は、50℃において5.0Torr以下、より好ましくは4.5Torr以下、特に好ましくは4.0Torr以下である。
該錯体の蒸気圧が、5.0Torrを超えると、塗布工程および加熱工程において、揮発するアミン・アラン錯体の量が増加する。その結果、得られる膜厚が薄くなり、膜の均一性が劣るとともに、得られた膜状のアルミニウム体が基板からはがれやすくなる。さらに、揮発したアミン・アラン錯体によって成膜装置が汚染される。
The vapor pressure of the complex of the first amine compound and aluminum hydride is 5.0 Torr or less at 50 ° C., more preferably 4.5 Torr or less, and particularly preferably 4.0 Torr or less.
When the vapor pressure of the complex exceeds 5.0 Torr, the amount of amine-alanine complex that volatilizes increases in the coating step and the heating step. As a result, the obtained film thickness is reduced, the uniformity of the film is inferior, and the obtained film-like aluminum body is easily peeled off from the substrate. Further, the deposition apparatus is contaminated by the volatilized amine-alanic complex.

本発明の方法に使用されるアルミニウム体形成用組成物に含有される有機溶媒は、上記の第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体、及び後述する任意の添加成分を溶解し、かつ、これらと反応しないものであれば特に限定されない。例えば、炭化水素溶媒、エーテル溶媒、その他の極性溶媒等を用いることができる。   The organic solvent contained in the composition for forming an aluminum body used in the method of the present invention dissolves the complex of the first amine compound and aluminum hydride, and any additional components described below, and If it does not react with these, it will not specifically limit. For example, a hydrocarbon solvent, an ether solvent, other polar solvents, etc. can be used.

上記炭化水素溶媒としては、例えばn−ペンタン、シクロペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタン、シクロヘプタン、n−オクタン、シクロオクタン、デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエンの水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン等を挙げることができる。   Examples of the hydrocarbon solvent include n-pentane, cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, cycloheptane, n-octane, cyclooctane, decane, cyclodecane, dicyclopentadiene hydride, benzene, toluene, Xylene, durene, indene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, squalane and the like can be mentioned.

上記エーテル溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサン、アニソール、2−メチルアニソール、3−メチルアニソール、4−メチルアニソール、フェントール、2−メチルフェントール、3−メチルフェントール、4−メチルフェントール、ベラトロール、2−エトキシアニソール、1,4−ジメトキシベンゼン等を挙げることができる。
上記極性溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。
これらの有機溶媒は、単独でも、あるいは2種以上を混合して使用することもできる。
Examples of the ether solvent include diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, and bis. (2-methoxyethyl) ether, p-dioxane, anisole, 2-methylanisole, 3-methylanisole, 4-methylanisole, fentol, 2-methylfentol, 3-methylfentol, 4-methylfentol, Examples include veratrol, 2-ethoxyanisole, and 1,4-dimethoxybenzene.
Examples of the polar solvent include methylene chloride and chloroform.
These organic solvents can be used alone or in admixture of two or more.

これらの中でも、溶解性と形成される溶液の安定性の観点から、炭化水素溶媒、又は、炭化水素溶媒とエーテル溶媒との混合溶媒を用いるのが好ましい。その際、炭化水素溶媒としては、n−ペンタン、シクロペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタン、シクロヘプタン、n−オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、n−ブチルベンゼン、s−ブチルベンゼン、t−ブチルベンゼン、シメン、t−ブチルキシレン、テトラリンを使用することが好ましい。エーテル溶媒としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、アニソール、2−メチルアニソール、3−メチルアニソール、4−メチルアニソール、フェントール、ベラトロール、2−エトキシアニソール、1,4−ジメトキシベンゼンを使用することが好ましい。   Among these, it is preferable to use a hydrocarbon solvent or a mixed solvent of a hydrocarbon solvent and an ether solvent from the viewpoints of solubility and stability of the formed solution. At that time, hydrocarbon solvents include n-pentane, cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, cycloheptane, n-octane, benzene, toluene, xylene, cumene, n-butylbenzene, and s-butylbenzene. , T-butylbenzene, cymene, t-butylxylene, and tetralin are preferably used. As ether solvents, diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, anisole, 2-methylanisole, 3-methylanisole, 4-methylanisole, fentol , Veratrol, 2-ethoxyanisole and 1,4-dimethoxybenzene are preferably used.

本発明のアルミニウム体形成用組成物は、さらに錯体を形成していない第二のアミン化合物を含有してもよい。第二のアミン化合物を含有することで保存安定性および高温下における材料安定性を向上することができる。
上記第二のアミン化合物とはモノアミン化合物又はポリアミン化合物である。
上記モノアミン化合物としては、例えば、上述した第一のアミン化合物と同じアミン化合物を使用することができる。
さらに、下記一般式(2)で表されるモノアミン化合物(ただし、上記一般式(1)で表されるアミン化合物を除く。)、それ以外のモノアミン化合物を使用することもできる。
N・・・(2)
(上記一般式(2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはアラルキル基である。)
上記一般式(2)中のR、R及びRのアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基は直鎖状であっても環状であってもよく、また分岐していてもよい。
上記アルキル基としては、好ましくは炭素数1〜12、より好ましくは炭素数1〜8のアルキル基を挙げることができる。具体的には、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、2−メチルブチル基、2−エチルヘキシル基等を挙げることができる。
上記アルケニル基としては、好ましくは炭素数2〜12、より好ましくは炭素数2〜4のアルケニル基を挙げることができる。具体的には、例えばビニル基、アリル基、クロチル基等を挙げることができる。
上記アルキニル基としては、好ましくは炭素数2〜12、より好ましくは炭素数2〜8のアルキニル基を挙げることができる。具体的には、例えばエチニル基、フェニルエチニル基等を挙げることができる。
上記アリール基としては、好ましくは炭素数6〜30、好ましくは炭素数6〜12のアリール基を挙げることができる。具体的にはフェニル基等を挙げることができる。
上記アラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜13のアラルキル基を挙げることができる。具体的には、例えばベンジル基等を挙げることができる。
The composition for forming an aluminum body of the present invention may further contain a second amine compound not forming a complex. By containing the second amine compound, storage stability and material stability at high temperatures can be improved.
The second amine compound is a monoamine compound or a polyamine compound.
As the monoamine compound, for example, the same amine compound as the first amine compound described above can be used.
Furthermore, a monoamine compound represented by the following general formula (2) (excluding the amine compound represented by the above general formula (1)) and other monoamine compounds can also be used.
R 4 R 5 R 6 N (2)
(In the general formula (2), R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or an aralkyl group.)
The alkyl group, alkenyl group, or alkynyl group of R 4 , R 5, and R 6 in the general formula (2) may be linear, cyclic, or branched.
As said alkyl group, Preferably it is C1-C12, More preferably, a C1-C8 alkyl group can be mentioned. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, cyclopropyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, cyclohexyl group, 2 -A methylbutyl group, 2-ethylhexyl group, etc. can be mentioned.
As said alkenyl group, Preferably it is C2-C12, More preferably, a C2-C4 alkenyl group can be mentioned. Specifically, a vinyl group, an allyl group, a crotyl group, etc. can be mentioned, for example.
As said alkynyl group, Preferably it is C2-C12, More preferably, a C2-C8 alkynyl group can be mentioned. Specific examples include an ethynyl group and a phenylethynyl group.
As said aryl group, Preferably it is C6-C30, Preferably C6-C12 aryl group can be mentioned. Specific examples include a phenyl group.
Preferred examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 13 carbon atoms. Specific examples include a benzyl group.

上記一般式(1)または(2)で表されるモノアミン化合物の具体例としては、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、トリシクロプロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−t−ブチルアミン、トリ−2−メチルブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ(2−エチルヘキシル)アミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ジイソブチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミン、エチルジフェニルアミン、イソブチルジフェニルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロプロピルアミン、ジ−n−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−t−ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルブチルアミン、ジ−n−ヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジ(2−エチルヘキシル)アミン、ジオクチルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、イソブチルフェニルアミン、メチルアリルアミン、メチルビニルアミン、メチル(フェニルエチニル)アミン、フェニル(フェニルエチニル)アミン、メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、シクロプロピルアミン、n−ブチルアミン、イソブチルアミン、t−ブチルアミン、2−メチルブチルアミン、n−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、2−エチルヘキシルアミン、オクチルアミン、フェニルアミン、ベンジルアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジエチルアニリン、N−メチルピロリジン等を挙げることができる。   Specific examples of the monoamine compound represented by the general formula (1) or (2) include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-isopropylamine, tricyclopropylamine, tri-n-butylamine, Triisobutylamine, tri-t-butylamine, tri-2-methylbutylamine, tri-n-hexylamine, tricyclohexylamine, tri (2-ethylhexyl) amine, trioctylamine, triphenylamine, tribenzylamine, dimethylphenyl Amine, diethylphenylamine, diisobutylphenylamine, methyldiphenylamine, ethyldiphenylamine, isobutyldiphenylamine, dimethylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine Dicyclopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-t-butylamine, methylethylamine, methylbutylamine, di-n-hexylamine, dicyclohexylamine, di (2-ethylhexyl) amine, dioctylamine, diphenylamine, di Benzylamine, methylphenylamine, ethylphenylamine, isobutylphenylamine, methylallylamine, methylvinylamine, methyl (phenylethynyl) amine, phenyl (phenylethynyl) amine, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, cyclo Propylamine, n-butylamine, isobutylamine, t-butylamine, 2-methylbutylamine, n-hexylamine, cyclohexylamine, 2-ethylhexene Shiruamin, octylamine, phenylamine, benzylamine, dimethyl octylamine, dimethyl cyclohexylamine, mention may be made of diethylaniline, N- methylpyrrolidine, or the like.

上記一般式(1)または(2)で表されるモノアミン化合物以外のモノアミン化合物の具体例としては、例えば1−アザ−ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1−アザ−ビシクロ[2.2.2]オクタン(キヌクリジン)、1−アザ−シクロヘキサン、1−アザ−シクロヘキサン−3−エン、N−メチル−1−アザ−シクロヘキサン−3−エン等を挙げることができる。   Specific examples of the monoamine compound other than the monoamine compound represented by the general formula (1) or (2) include, for example, 1-aza-bicyclo [2.2.1] heptane, 1-aza-bicyclo [2.2. .2] octane (quinuclidine), 1-aza-cyclohexane, 1-aza-cyclohexane-3-ene, N-methyl-1-aza-cyclohexane-3-ene, and the like.

上記ポリアミン化合物としては、例えばジアミン化合物、トリアミン化合物、テトラアミン化合物等を挙げることができる。
上記ジアミン化合物としては、例えばエチレンジアミン、N,N’−ジメチルエチレンジアミン、N,N’−ジエチルエチレンジアミン、N,N’−ジイソプロピルエチレンジアミン、N,N’−ジ−t−ブチルエチレンジアミン、N,N’−ジフェニルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチルエチレンジアミン、フェニレンジアミン等を挙げることができる。
上記トリアミン化合物としては、例えばジエチレントリアミン、1,7−ジメチル−1,4,7−トリアザヘプタン、1,7−ジエチル−1,4,7−トリアザヘプタン、N,N’,N’’−トリメチル−1,3,5−トリアザシクロヘキサン等を挙げることができる。
上記テトラアミン化合物としては、例えばトリメチレンテトラアミン、トリエチレンテトラアミン等を挙げることができる。
As said polyamine compound, a diamine compound, a triamine compound, a tetraamine compound etc. can be mentioned, for example.
Examples of the diamine compound include ethylenediamine, N, N′-dimethylethylenediamine, N, N′-diethylethylenediamine, N, N′-diisopropylethylenediamine, N, N′-di-t-butylethylenediamine, and N, N′—. Examples thereof include diphenylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetraethylethylenediamine, and phenylenediamine.
Examples of the triamine compound include diethylenetriamine, 1,7-dimethyl-1,4,7-triazaheptane, 1,7-diethyl-1,4,7-triazaheptane, N, N ′, N ″ — And trimethyl-1,3,5-triazacyclohexane.
Examples of the tetraamine compound include trimethylenetetraamine and triethylenetetraamine.

これらアミン化合物の中でも、上記一般式(1)で表されるモノアミン化合物を使用することが好ましい。中でも、トリ−n−プロピルアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、N−メチルピロリジンがより好ましい。
これらの第二のアミン化合物は、一種単独で、あるいは2種以上の化合物を組み合わせて使用することができる。
Among these amine compounds, it is preferable to use a monoamine compound represented by the general formula (1). Of these, tri-n-propylamine, dimethyloctylamine, dimethylcyclohexylamine, and N-methylpyrrolidine are more preferable.
These 2nd amine compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

本発明の方法に用いられるアルミニウム体形成用組成物は、さらにチタン化合物(以下、本明細書において「チタン触媒」ともいう。)を含有してもよい。チタン化合物を含有することで、基板とアルミニウムとの界面の密着性を向上することができる。
上記チタン化合物としては、例えば、下記一般式(3)〜(7)で表される化合物を挙げることができる。
The composition for forming an aluminum body used in the method of the present invention may further contain a titanium compound (hereinafter also referred to as “titanium catalyst” in the present specification). By containing the titanium compound, the adhesion at the interface between the substrate and aluminum can be improved.
As said titanium compound, the compound represented by following General formula (3)-(7) can be mentioned, for example.

Ti(OR・・・(3)
(上記一般式(3)中、Rは、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン化フェニル基である。)
Ti (OR 7 ) 4 (3)
(In the general formula (3), R 7 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a phenyl group, a halogenated alkyl group, or a halogenated phenyl group.)

Ti(OR4−x・・・(4)
(上記一般式(4)中、Rは上記一般式(3)のRと同様である。Lは下記一般式(8)で表わされる基であり、RおよびR10は同一もしくは異なり、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、またはハロゲン化フェニル基である。xは0〜3の整数である。)

Figure 0005817593
Ti (OR 8 ) x L 4-x (4)
(In the general formula (4), R 8 is the same as R 7 in the general formula (3). L is a group represented by the following general formula (8), and R 9 and R 10 are the same or different. C 1-10 alkyl group, phenyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, or halogenated phenyl group, x is an integer of 0-3.)
Figure 0005817593

Ti(OR11(X)4−y・・・(5)
(上記一般式(5)中、R11はアルキル基又はフェニル基である。Xはハロゲン原子である。yは0〜3の整数である。)
Ti (OR 11 ) y (X) 4-y (5)
(In the general formula (5), R 11 is an alkyl group or a phenyl group. X is a halogen atom. Y is an integer of 0 to 3.)

Ti(NR12・・・(6)
(上記一般式(6)中、R12はアルキル基又はフェニル基である。)
Ti (NR 12 ) 4 (6)
(In the general formula (6), R 12 is an alkyl group or a phenyl group.)

Ti(Cp)(Y)4−n・・・(7)
(上記一般式(7)中、Cpはシクロペンタジエニル基である。Yはハロゲン原子又はアルキル基である。nは1〜4の整数である。)
Ti (Cp) n (Y) 4-n (7)
(In the general formula (7), Cp is a cyclopentadienyl group. Y is a halogen atom or an alkyl group. N is an integer of 1 to 4.)

上記一般式(3)、(4)中、R及びRは、好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、トリフルオロメチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基である。
また、上記一般式(8)中、R及びR10は、好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、t−ブトキシ基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、トルフルオロメチル基である。より好ましくは、メチル基、エチル基、i−プロピル基、t−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、トルフルオロメチル基である。
In the general formulas (3) and (4), R 7 and R 8 are preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, a methoxy group, An ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a t-butoxy group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a phenoxy group, a methylphenoxy group, and a trifluoromethyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group Group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, t-butyl group, hexyl group, cyclohexyl group and phenyl group.
In the general formula (8), R 9 and R 10 are preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, a methoxy group, or an ethoxy group. N-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, t-butoxy group, phenoxy group, methylphenoxy group, and trifluoromethyl group. More preferred are methyl group, ethyl group, i-propyl group, t-butyl group, methoxy group, ethoxy group, i-propoxy group, t-butoxy group and trifluoromethyl group.

上記一般式(3)で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばチタニウムメトキシド、チタニウムエトキシド、チタニウム−n−プロポキシド、チタニウム−n−ノニルオキシド、チタニウムステアリルオキシド、チタニウムイソプロポキシド、チタニウム−n−ブトキシド、チタニウムイソブトキシド、チタニウム−t−ブトキシド、チタニウムトリメチルシロキシド、チタニウム−2−エチルヘキソオキシド、チタニウムメトキシプロポキシド、チタニウムフェノキシド、チタニウムメチルフェノキシド、チタニウムフルオロメトキシドおよびチタニウムクロロフェノキシド等を挙げることができる。   Specific examples of the titanium compound represented by the general formula (3) include, for example, titanium methoxide, titanium ethoxide, titanium-n-propoxide, titanium-n-nonyl oxide, titanium stearyl oxide, titanium isopropoxide, Titanium-n-butoxide, titanium isobutoxide, titanium-t-butoxide, titanium trimethylsiloxide, titanium-2-ethylhexoxide, titanium methoxypropoxide, titanium phenoxide, titanium methylphenoxide, titanium fluoromethoxide and titanium chlorophenoxide Etc.

上記一般式(4)で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばテトラキス(ペンタ−2,4−ジケト)チタニウム、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチルヘプタ−3,5−ジケト)チタニウム、テトラキス(1−エトキシブタン−1,3−ジケト)チタニウム、テトラキス(1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロペンタ−2,4−ジケト)チタニウム、(2,2−ジメチルヘキサ−3,5−ジケト)チタニウム、ビス(ペンタ−2,4−ジケト)チタニウムジメトキシド、ビス(2,2,6,6−テトラメチルヘプタ−3,5−ジケト)チタニウムジメトキシド、ビス(1−エトキシブタン−1,3−ジケト)チタニウムジメトキシド、ビス(1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロペンタ−2,4−ジケト)チタニウムジメトキシド、(2,2−ジメチルヘキサ−3,5−ジケト)チタニウムジメトキシド、ビス(ペンタ−2,4−ジケト)チタニウムジi−プロポキシド、ビス(2,2,6,6−テトラメチルヘプタ−3,5−ジケト)チタニウムジi−プロポキシド、ビス(1−エトキシブタン−1,3−ジケト)チタニウムジi−プロポキシド、ビス(1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロペンタ−2,4−ジケト)チタニウムジi−プロポキシド、(2,2−ジメチルヘキサ−3,5−ジケト)チタニウムジi−プロポキシド等を挙げることができる。   Specific examples of the titanium compound represented by the general formula (4) include, for example, tetrakis (penta-2,4-diketo) titanium, tetrakis (2,2,6,6-tetramethylhepta-3,5-diketo. ) Titanium, tetrakis (1-ethoxybutane-1,3-diketo) titanium, tetrakis (1,1,1,5,5,5-hexafluoropenta-2,4-diketo) titanium, (2,2-dimethyl) Hexa-3,5-diketo) titanium, bis (penta-2,4-diketo) titanium dimethoxide, bis (2,2,6,6-tetramethylhepta-3,5-diketo) titanium dimethoxide, bis ( 1-ethoxybutane-1,3-diketo) titanium dimethoxide, bis (1,1,1,5,5,5-hexafluoropenta-2,4-diketo) titanium Methoxide, (2,2-dimethylhexa-3,5-diketo) titanium dimethoxide, bis (penta-2,4-diketo) titanium di-propoxide, bis (2,2,6,6-tetramethylhepta -3,5-diketo) titanium di i-propoxide, bis (1-ethoxybutane-1,3-diketo) titanium di i-propoxide, bis (1,1,1,5,5,5-hexafluoro Examples include penta-2,4-diketo) titanium dii-propoxide and (2,2-dimethylhexa-3,5-diketo) titanium dii-propoxide.

上記一般式(5)で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばトリメトキシチタニウムクロライド、トリエトキシチタニウムクロライド、トリ−n−プロポキシチタニウムクロライド、トリ−i−プロポキシチタニウムクロライド、トリ−n−ブトキシチタニウムクロライド、トリ−t−ブトキシチタニウムクロライド、トリイソステアロイルチタニウムクロライド、ジメトキシチタニウムジクロライド、ジエトキシチタニウムジクロライド、ジ−n−プロポキシチタニウムジクロライド、ジ−i−プロポキシチタニウムジクロライド、ジ−n−ブトキシチタニウムジクロライド、ジ−t−ブトキシチタニウムジクロライド、ジイソステアロイルチタニウムジクロライド、メトキシチタニウムトリクロライド、エトキシチタニウムトリクロライド、n−プロポキシチタニウムトリクロライド、i−プロポキシチタニウムトリクロライド、n−ブトキシチタニウムトリクロライド、t−ブトキシチタニウムトリクロライド、イソステアロイルチタニウムトリクロライド、チタニウムテトラクロライド等を挙げることができる。   Specific examples of the titanium compound represented by the general formula (5) include, for example, trimethoxytitanium chloride, triethoxytitanium chloride, tri-n-propoxytitanium chloride, tri-i-propoxytitanium chloride, tri-n-butoxy. Titanium chloride, tri-t-butoxytitanium chloride, triisostearoyl titanium chloride, dimethoxytitanium dichloride, diethoxytitanium dichloride, di-n-propoxytitanium dichloride, di-i-propoxytitanium dichloride, di-n-butoxytitanium dichloride, Di-t-butoxy titanium dichloride, diisostearoyl titanium dichloride, methoxy titanium trichloride, ethoxy titanium trichloride Roraido, n- propoxytitanium trichloride, i- propoxytitanium trichloride, n- butoxytitanium trichloride, t-butoxy titanium trichloride, isostearoyl trichloride, can be mentioned titanium tetrachloride and the like.

上記一般式(6)で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばテトラキス(ジメチルアミノ)チタニウム、テトラキス(ジエチルアミノ)チタニウム、テトラキス(ジ−t−ブトキシアミノ)チタニウム、テトラキス(ジ−i−プロポキシアミノ)チタニウム、テトラキス(ジフェニルアミノ)チタニウムを挙げることができる。   Specific examples of the titanium compound represented by the general formula (6) include tetrakis (dimethylamino) titanium, tetrakis (diethylamino) titanium, tetrakis (di-t-butoxyamino) titanium, tetrakis (di-i-propoxy). Amino) titanium and tetrakis (diphenylamino) titanium can be mentioned.

上記一般式(7)で表されるチタン化合物の具体例としては、例えばジシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジシクロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、シクロペンタジエニルチタニウムトリブロマイド、ジシクロペンタジエニルジメチルチタニウム、ジシクロペンタジエニルジエチルチタニウム、ジシクロペンタジエニルジ−t−ブチルチタニウム、ジシクロペンタジエニルフェニルチタニウムクロライド、ジシクロペンタジエニルメチルチタニウムクロライド等を挙げることができる。   Specific examples of the titanium compound represented by the general formula (7) include, for example, dicyclopentadienyl titanium dichloride, dicyclopentadienyl titanium dibromide, cyclopentadienyl titanium trichloride, and cyclopentadienyl titanium trichloride. Examples include bromide, dicyclopentadienyldimethyltitanium, dicyclopentadienyldiethyltitanium, dicyclopentadienyldi-t-butyltitanium, dicyclopentadienylphenyltitanium chloride, dicyclopentadienylmethyltitanium chloride, etc. be able to.

本発明のアルミニウム体形成用組成物が、第二のアミン化合物を含有する場合、第二のアミン化合物の濃度は、前記第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体と、第二のアミン化合物との合計100質量%に対して、好ましくは70質量%以下であり、より好ましくは50質量%以下であり、特に好ましくは3質量%〜50質量%である。   When the composition for forming an aluminum body of the present invention contains a second amine compound, the concentration of the second amine compound is such that the complex of the first amine compound and aluminum hydride, and the second amine compound. Is preferably 70% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass to 50% by mass with respect to 100% by mass in total.

本発明のアルミニウム体形成用組成物がチタン化合物を含有する場合、チタン化合物の濃度は、第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体、及びチタン化合物の合計に対して、好ましくは1モル%以下であり、より好ましくは0.00001〜1モル%であり、更に好ましくは0.00005〜0.01モル%である。チタン化合物をこの範囲の含有量とすることにより、良好な埋め込み性と、基板との密着性を両立することができる。   When the composition for forming an aluminum body of the present invention contains a titanium compound, the concentration of the titanium compound is preferably 1 mol% with respect to the total of the complex of the first amine compound and aluminum hydride and the titanium compound. It is below, More preferably, it is 0.00001-1 mol%, More preferably, it is 0.00005-0.01 mol%. By setting the content of the titanium compound in this range, it is possible to achieve both good embedding and adhesion to the substrate.

アルミニウム体形成用組成物中の有機溶媒と、第二のアミン化合物とを除いた質量が組成物の全質量中に占める割合(以下、「非揮発成分含有率」という。)は、形成すべき膜状のアルミニウム体の膜厚に応じて、変動させることが好ましい。例えば、膜状のアルミニウム体の膜厚が200nm未満の場合、アルミニウム体形成用組成物の非揮発成分の含有率は、好ましくは5〜55質量%であり、より好ましくは10〜50質量%である。膜状のアルミニウム体の膜厚が200nm以上である場合には、好ましくは55〜90質量%であり、より好ましくは70〜85質量%である。   The proportion of the total mass of the composition excluding the organic solvent in the composition for forming an aluminum body and the second amine compound (hereinafter referred to as “nonvolatile component content”) should be formed. It is preferable to vary according to the film thickness of the film-like aluminum body. For example, when the film-like aluminum body has a film thickness of less than 200 nm, the content of non-volatile components in the aluminum body-forming composition is preferably 5 to 55 mass%, more preferably 10 to 50 mass%. is there. When the film thickness of the film-like aluminum body is 200 nm or more, it is preferably 55 to 90% by mass, more preferably 70 to 85% by mass.

本発明のアルミニウム体形成用組成物は、その製造方法が特に限定されるものではない。例えば、上記第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を有機溶媒の存在下で合成した後、副生物等の不溶物をフィルター等で除去した溶液をそのままアルミニウム体形成用組成物として用いることができる。あるいはまた、この溶液に所望の有機溶媒を添加した後、反応に用いた溶媒、例えばジエチルエーテルを減圧下で除去することによって、アルミニウム体形成用組成物としてもよい。   The manufacturing method of the composition for forming an aluminum body of the present invention is not particularly limited. For example, a solution obtained by synthesizing a complex of the first amine compound and aluminum hydride in the presence of an organic solvent and then removing insolubles such as by-products with a filter or the like is used as it is as a composition for forming an aluminum body. Can do. Alternatively, after adding a desired organic solvent to this solution, the solvent used in the reaction, for example, diethyl ether, may be removed under reduced pressure to obtain an aluminum body-forming composition.

本発明のアルミニウム体形成用組成物が、さらに第二のアミン化合物および/またはチタン化合物を含有する場合、アルミニウム体形成用組成物は、例えば、上記アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有する溶液に、攪拌しながら所定量の第二のアミン化合物および/またはチタン化合物の溶液を添加して調製することができる。添加するときの溶液の温度は、好ましくは0〜150℃、より好ましくは5〜100℃である。攪拌する時間は、好ましくは0.1〜120分間、より好ましくは0.2〜60分間である。このような条件で混合することにより、安定な組成物を得ることができる。   When the composition for forming an aluminum body of the present invention further contains a second amine compound and / or a titanium compound, the composition for forming an aluminum body contains, for example, a complex of the above amine compound and aluminum hydride. A predetermined amount of the second amine compound and / or titanium compound solution can be added to the solution while stirring. The temperature of the solution at the time of addition becomes like this. Preferably it is 0-150 degreeC, More preferably, it is 5-100 degreeC. The stirring time is preferably 0.1 to 120 minutes, more preferably 0.2 to 60 minutes. By mixing under such conditions, a stable composition can be obtained.

<アルミニウム体の形成方法>
本発明のアルミニウム体形成方法は、基体上に上述したアルミニウム体形成用組成物を塗布して塗膜を形成し、該塗膜に加熱及び光照射のうちの少なくとも一種の処理を施して、基体上で上記塗膜を膜状のアルミニウム体に変換することにより、基体上にアルミニウム体を形成するものである。
上記基体(後述の下地膜を有する場合は、基体本体)を構成する材料の材質、形状等に特に制限はない。基体の材質は、塗膜のアルミニウム体への変換工程に加熱処理を採用する場合にはその加熱処理に耐えられるものであることが好ましい。塗膜が形成される基体の形状は塊状、板状、フィルム形状等で特に制限されるものではなく、塗膜が形成される基体表面は平面でもよく、段差のある非平面でもよい。また、基体は表面に凹部を有していてもよい。なお、「凹部」とは、基体上に形成された配線溝または電極溝(トレンチ)と、配線接続孔(ホール)の両方を含むものである。
基体の材質の具体例としては、例えばガラス、金属、プラスチック、セラミックス等を挙げることができる。ガラスとしては、例えば石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス等が使用でき、金属としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、シリコン、アルミニウム、鉄等の他ステンレス鋼等が使用できる。プラスチックとしては、例えばポリイミド、ポリエーテルスルホン等を挙げることができる。
<Method for forming aluminum body>
In the method for forming an aluminum body of the present invention, a coating film is formed by applying the above-described composition for forming an aluminum body on a substrate, and the coating film is subjected to at least one treatment of heating and light irradiation to form a substrate. By converting the coating film into a film-like aluminum body, an aluminum body is formed on the substrate.
There are no particular limitations on the material, shape, etc. of the material constituting the substrate (substrate body in the case of having a base film described later). The material of the substrate is preferably one that can withstand the heat treatment when the heat treatment is employed in the step of converting the coating film into an aluminum body. The shape of the substrate on which the coating film is formed is not particularly limited by a block shape, a plate shape, a film shape, or the like, and the surface of the substrate on which the coating film is formed may be a flat surface or a non-planar surface having a step. Moreover, the base | substrate may have a recessed part on the surface. The “concave portion” includes both a wiring groove or electrode groove (trench) formed on the substrate and a wiring connection hole (hole).
Specific examples of the material of the substrate include glass, metal, plastic, ceramics and the like. Examples of the glass that can be used include quartz glass, borosilicate glass, soda glass, and lead glass. Examples of the metal that can be used include gold, silver, copper, nickel, silicon, aluminum, iron, and other stainless steel. Examples of the plastic include polyimide and polyethersulfone.

上記基体は、予め、基体本体にチタン、パラジウム、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子を含む有機金属化合物(ただし、第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を除く。)を含有する溶液(以下、「下地膜形成用組成物」ともいう。)を塗布し、次いで加熱処理してなる下地膜を有してもよい。基体が該下地膜を有することにより、該基体上への膜状のアルミニウム体の成膜性をより良好にすることができる。
上記チタン原子を含む有機金属化合物としては、例えば、チタニウムアルコキシド、アミノ基を有するチタニウム化合物、チタニウムのβ−ジケトン錯体、シクロペンタジエニル基を有するチタニウム化合物、ハロゲン原子を有するチタニウム化合物等を挙げることができる。
上記パラジウム原子を含む有機金属化合物としては、例えば、ハロゲン原子を有するパラジウム錯体、パラジウムのアセテート、パラジウムのβ−ジケトン錯体、パラジウムと共役カルボニル基を有する化合物との錯体、パラジウムのホスフィン錯体等を挙げることができる。
上記アルミニウム原子を含む有機金属化合物は、第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を除くものであり、例えばアルミニウムアルコキシド、アルミニウムアルキレート、アルミニウムのβ−ジケトン錯体等を挙げることができる。
The base is previously an organometallic compound containing at least one metal atom selected from the group consisting of titanium, palladium, and aluminum in the base body (except for the complex of the first amine compound and aluminum hydride). It may have a base film formed by applying a solution containing the above (hereinafter also referred to as “a composition for forming a base film”), followed by heat treatment. When the base has the base film, the film formability of the film-like aluminum body on the base can be improved.
Examples of the organometallic compound containing a titanium atom include a titanium alkoxide, a titanium compound having an amino group, a β-diketone complex of titanium, a titanium compound having a cyclopentadienyl group, and a titanium compound having a halogen atom. Can do.
Examples of the organometallic compound containing a palladium atom include a palladium complex having a halogen atom, palladium acetate, a palladium β-diketone complex, a complex of palladium and a compound having a conjugated carbonyl group, and a palladium phosphine complex. be able to.
The organometallic compound containing an aluminum atom excludes the complex of the first amine compound and aluminum hydride, and examples thereof include aluminum alkoxide, aluminum alkylate, and aluminum β-diketone complex.

かかる有機金属化合物の具体例としては、チタン原子を含む有機金属化合物として、例えば前述したチタン化合物と同じチタン化合物を挙げることができる。
パラジウム原子を含む有機金属化合物のうち、ハロゲン原子を有するパラジウム錯体として、例えばアリルパラジウムクロライド、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム等;
パラジウムのアセテートとして、例えばパラジウムアセテート等;
パラジウムのβ−ジケトン錯体として、例えばペンタン−2,4−ジオナトパラジウム、ヘキサフルオロペンタンジオナトパラジウム等;
パラジウムと共役カルボニル基を有する化合物との錯体として、例えばビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム等;
パラジウムのホスフィン錯体として、例えばビス[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラジウム、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムクロライド、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムアセテート、ジアセテートビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロ[1,2−ビス(ジフェニルホスフィン)エタン]パラジウム、トランス−ジクロロビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム、トランス−ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、トランス−ジクロロビス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム等を、それぞれ挙げることができる。
Specific examples of such an organometallic compound include, for example, the same titanium compound as the above-described titanium compound as an organometallic compound containing a titanium atom.
Among organometallic compounds containing a palladium atom, palladium complexes having a halogen atom include, for example, allyl palladium chloride, dichlorobis (acetonitrile) palladium, dichlorobis (benzonitrile) palladium and the like;
Examples of palladium acetate include palladium acetate;
As a β-diketone complex of palladium, for example, pentane-2,4-dionatopalladium, hexafluoropentanedionatopalladium and the like;
As a complex of palladium and a compound having a conjugated carbonyl group, for example, bis (dibenzylideneacetone) palladium and the like;
Examples of palladium phosphine complexes include bis [1,2-bis (diphenylphosphino) ethane] palladium, bis (triphenylphosphine) palladium chloride, bis (triphenylphosphine) palladium acetate, and diacetate bis (triphenylphosphine) palladium. Dichloro [1,2-bis (diphenylphosphine) ethane] palladium, trans-dichlorobis (tricyclohexylphosphine) palladium, trans-dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, trans-dichlorobis (tri-o-tolylphosphine) palladium, tetrakis (Triphenylphosphine) palladium etc. can be mentioned, respectively.

上記アルミニウム原子を含む有機金属化合物としては、アルミニウムアルコキシドとして、例えばアルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウム−n−ブトキシド、アルミニウム−s−ブトキシド、アルミニウム−t−ブトキシド、アルミニウムエトキシエトキシエトキシド、アルミニウムフェノキシド等;
アルミニウムアルキレートとして、例えばアルミニウムアセテート、アルミニウムアクリレート、アルミウムメタクリレート、アルミニウムシクロヘキサンブチレート等;
アルミニウムのβ−ジケトン錯体として、例えばペンタン−2,4−ジケトアルミニウム、ヘキサフルオロペンタン−2,4−ジケトアルミニウム、2,2,6,6−テトラメチルヘプタン−3,5−ジケトアルミニウム、ビス(エトキシブタン−1,3−ジケト)アルミニウムs−ブトキシド、(エトキシブタン−1,3−ジケト)アルミニウムジ−s−ブトキシド、(エトキシブタン−1,3−ジケト)アルミニウムジイソプロポキシド等を、それぞれ挙げることができる。
これらのうち、チタニウムイソプロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、ビス(エトキシブタン−1,3−ジケト)チタニウムジイソプロポキシド、テトラ(ペンタン−2,4−ジケト)チタニウム、ペンタン−2,4−ジケトパラジウム、ヘキサフルオロペンタン−2,4−ジケトパラジウム、ペンタン−2,4−ジケトアルミニウム又はヘキサフルオロペンタン−2,4−ジケトアルミニウムを用いるのが好ましい。
Examples of the organometallic compound containing an aluminum atom include aluminum alkoxides such as aluminum ethoxide, aluminum isopropoxide, aluminum-n-butoxide, aluminum-s-butoxide, aluminum-t-butoxide, aluminum ethoxyethoxyethoxide, and aluminum. Phenoxide, etc .;
Examples of aluminum alkylates include aluminum acetate, aluminum acrylate, aluminum methacrylate, aluminum cyclohexane butyrate and the like;
Examples of aluminum β-diketone complexes include pentane-2,4-diketoaluminum, hexafluoropentane-2,4-diketoaluminum, 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-diketoaluminum. Bis (ethoxybutane-1,3-diketo) aluminum s-butoxide, (ethoxybutane-1,3-diketo) aluminum di-s-butoxide, (ethoxybutane-1,3-diketo) aluminum diisopropoxide, etc. Can be mentioned respectively.
Of these, titanium isopropoxide, aluminum isopropoxide, bis (ethoxybutane-1,3-diketo) titanium diisopropoxide, tetra (pentane-2,4-diketo) titanium, pentane-2,4-di It is preferred to use ketopalladium, hexafluoropentane-2,4-diketopalladium, pentane-2,4-diketoaluminum or hexafluoropentane-2,4-diketoaluminum.

これらチタン、パラジウム及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子を含む有機金属化合物の溶液に用いる溶媒としては、該有機金属化合物を溶解することができればいずれの溶媒も使用することができる。これら溶媒としては、例えばエーテル、エーテル基を有するエステル、炭化水素、アルコール、非プロトン性極性溶媒等及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。
上記エーテルとしては、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等;
上記エーテル基を有するエステルとして例えばエチレングリコルモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2−アセトキシ−1−メトキシプロパン等;
上記炭化水素として、例えばトルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、デカリン、テトラリン、デュレン等;
上記アルコールとして、例えばメタノール、エタノール、プロパノール等;
上記非プロトン性極性溶媒として、例えばN−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホアミド、γ−ブチロラクトン等を、それぞれ挙げることができる。
溶液中の上記有機金属化合物の含有量は、好ましくは0.1〜10質量%であり、より好ましくは0.1〜5質量%である。なお、この溶媒は、水や酸素を取り除いたものを用いることが望ましい。
As the solvent used for the solution of the organometallic compound containing at least one metal atom selected from the group consisting of titanium, palladium and aluminum, any solvent can be used as long as the organometallic compound can be dissolved. Examples of these solvents include ethers, ether-containing esters, hydrocarbons, alcohols, aprotic polar solvents, and the like, and mixed solvents thereof.
Examples of the ether include tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and the like;
Examples of the ester having an ether group include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 2-acetoxy-1-methoxypropane and the like;
Examples of the hydrocarbon include toluene, xylene, hexane, cyclohexane, octane, decalin, tetralin, durene and the like;
Examples of the alcohol include methanol, ethanol, propanol and the like;
Examples of the aprotic polar solvent include N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, hexamethylphosphoamide, and γ-butyrolactone.
Content of the said organometallic compound in a solution becomes like this. Preferably it is 0.1-10 mass%, More preferably, it is 0.1-5 mass%. Note that it is desirable to use a solvent from which water and oxygen have been removed.

これら下地膜形成用組成物の基体本体への塗布は、例えばスピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スプレー法、液滴吐出法等の適宜の方法により行うことができる。基体本体がトレンチ構造を有する場合、その開口幅が300nm以下であり、かつトレンチのアスペクト比が5以上の場合には、下地膜形成用組成物を基体本体へ塗布した後に、基体をしばらくの間、塗布の際の環境圧力よりも低い圧力下に置くことでトレンチ内部により均一に下地膜形成用組成物を塗布することができる。具体的手法としては、下地膜形成用組成物を、トレンチを有する基体上に塗布する時の圧力(以下、「第一圧力」という。)よりも小さい圧力下(以下、「第二圧力」という。)に基体を保持する。第二圧力は、第一圧力に対して、好ましくは1〜70%であり、より好ましくは10〜40%である。例えば、塗布時の圧力が1.01×10Pa(常圧)であった場合の第二圧力としては、好ましくは1.01×10〜7.09×10Paであり、より好ましくは1.01×10〜4.05×10Paである。基板を第二圧力下に保持する時間としては、好ましくは10秒〜10分であり、より好ましくは10秒〜1分である。基板を第二圧力に保持した後、好ましくは不活性気体を用いて圧力を戻した後、次の加熱工程に供されることとなるが、この圧力を減少し、同圧力で保持した後圧力を戻す一連の操作は、数回繰り返してもよい。第二圧力から第一圧力に戻すための昇圧時間としては、好ましくは3秒〜5分であり、より好ましくは5秒〜1分である。また、繰り返し回数としては、膜の均一性と作業性の双方の観点から10回以下が好ましく、作業性を優先させて5回以下がさらに好ましい。こうして形成された下地膜形成用組成物からなる塗膜(以下、「下地膜」ともいう。)は、次いで加熱される。加熱温度は好ましくは30〜350℃であり、より好ましくは40〜300℃である。加熱時間は、好ましくは5〜90分であり、より好ましくは10〜60分である。この塗布工程から加熱工程終了までの周囲雰囲気は、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスからなることが好ましい。さらに必要に応じて水素等の還元性ガスや、酸素等の酸化性ガスを混入した雰囲気で実施してもよい。
これら下地膜の厚さは、加熱後の膜厚として0.001〜5μmであることが好ましく、0.005〜0.5μmであることがより好ましい。
The base film forming composition can be applied to the substrate body by an appropriate method such as spin coating, roll coating, curtain coating, dip coating, spraying, or droplet discharge. When the substrate body has a trench structure, when the opening width is 300 nm or less and the aspect ratio of the trench is 5 or more, the substrate is applied for a while after the base film forming composition is applied to the substrate body. The composition for forming a base film can be applied more uniformly in the trenches by placing it under a pressure lower than the environmental pressure at the time of application. As a specific method, under pressure (hereinafter referred to as “second pressure”) lower than the pressure (hereinafter referred to as “first pressure”) when the base film forming composition is applied onto a substrate having a trench. .) Hold the substrate. The second pressure is preferably 1 to 70%, more preferably 10 to 40% with respect to the first pressure. For example, the second pressure when the application pressure is 1.01 × 10 5 Pa (normal pressure) is preferably 1.01 × 10 3 to 7.09 × 10 4 Pa, more preferably Is 1.01 × 10 4 to 4.05 × 10 4 Pa. The time for holding the substrate under the second pressure is preferably 10 seconds to 10 minutes, more preferably 10 seconds to 1 minute. After holding the substrate at the second pressure, the pressure is preferably returned using an inert gas, and then subjected to the next heating step. After this pressure is reduced and held at the same pressure, the pressure is reduced. The series of operations for returning may be repeated several times. The pressure increase time for returning from the second pressure to the first pressure is preferably 3 seconds to 5 minutes, and more preferably 5 seconds to 1 minute. Further, the number of repetitions is preferably 10 times or less from the viewpoint of both film uniformity and workability, and more preferably 5 times or less in view of workability. The coating film (hereinafter, also referred to as “undercoat film”) made of the composition for forming an undercoat film thus formed is then heated. The heating temperature is preferably 30 to 350 ° C, more preferably 40 to 300 ° C. The heating time is preferably 5 to 90 minutes, more preferably 10 to 60 minutes. The ambient atmosphere from the coating process to the end of the heating process is preferably made of an inert gas such as nitrogen, helium, or argon. Furthermore, it may be carried out in an atmosphere mixed with a reducing gas such as hydrogen or an oxidizing gas such as oxygen, if necessary.
The thickness of these base films is preferably 0.001 to 5 μm, more preferably 0.005 to 0.5 μm, as the film thickness after heating.

上述した基体上に、本発明のアルミニウム体形成用組成物を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スプレー法、液滴吐出法等の適宜の方法を用いることができる。これらの塗布工程では、基体上の形状、大きさ等により、基体の隅々にまでアルミニウム体形成用組成物が行き亘るような塗布条件が採用される。例えば塗布法としてスピンコート法を採用する場合において、スピナーの回転数を、300〜2,500rpm、更に500〜2,000rpmとすることができる。また、基体が凹部を有するものである場合には、下地膜形成用組成物の塗布において上述したような塗布後の環境圧力の変動を採用してもよい。
上記塗布工程の後、塗布したアルミニウム体形成用組成物中に含有される溶媒等の低沸点成分を除去するために、加熱処理を行ってもよい。加熱する温度及び時間は、使用する溶媒の種類、沸点(蒸気圧)により異なるが、例えば100〜350℃において、1〜90分間とすることができる。このとき、系全体を減圧にすることで、溶媒の除去をより低温で行うこともできる。減圧下における加熱処理の条件は、好ましくは100〜250℃において、10〜60分間である。
Examples of the method for applying the aluminum body-forming composition of the present invention on the substrate described above include appropriate methods such as spin coating, roll coating, curtain coating, dip coating, spraying, and droplet discharge. The method can be used. In these coating steps, coating conditions are adopted such that the composition for forming an aluminum body reaches every corner of the substrate depending on the shape and size on the substrate. For example, when the spin coating method is employed as the coating method, the spinner rotation speed can be set to 300 to 2,500 rpm, and further to 500 to 2,000 rpm. In addition, when the substrate has a concave portion, the above-described variation in the environmental pressure after coating may be employed in the coating of the base film forming composition.
After the coating step, heat treatment may be performed to remove low-boiling components such as a solvent contained in the coated aluminum body-forming composition. The temperature and time for heating vary depending on the type of solvent used and the boiling point (vapor pressure), but can be, for example, 100 to 350 ° C. and 1 to 90 minutes. At this time, the solvent can be removed at a lower temperature by reducing the pressure of the entire system. The conditions for the heat treatment under reduced pressure are preferably 100 to 250 ° C. and 10 to 60 minutes.

次いで、上記の如くして形成された塗膜に対し、加熱及び光照射のうちの少なくとも一種の処理を施すことによって、塗膜が膜状のアルミニウム体に変換され、基体上に膜状のアルミニウム体が形成される。
上記加熱処理の温度は、好ましくは60℃以上、より好ましくは70℃〜600℃、特に好ましくは100℃〜400℃である。加熱時間は、好ましくは30秒間〜120分間、より好ましくは1〜90分間、特に好ましくは10〜60分間である。
上記光処理に用いる光源としては、例えば水銀ランプ、重水素ランプ、希ガスの放電光、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、希ガスハロゲンエキシマレーザー等を挙げることができる。上記水銀ランプとしては、例えば低圧水銀ランプ又は高圧水銀ランプを挙げることができる。上記希ガスの放電光に用いる希ガスとしては、例えばアルゴン、クリプトン、キセノン等を挙げることができる。上記希ガスハロゲンエキシマレーザーに使用する希ガスハロゲンとしては、例えばXeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等を挙げることができる。
これらの光源の出力としては、好ましくは10〜5,000W、より好ましくは100〜1,000Wである。これらの光源の波長は特に限定されないが、好ましくは170nm〜600nmである。また、形成されるアルミニウム膜の膜質の点で、レーザー光の使用が特に好ましい。
上記塗布工程並びに加熱工程及び光照射工程を行う際の雰囲気は、不活性雰囲気又は還元性雰囲気であることが好ましい。不活性雰囲気は、例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを使用することにより実現することができる。還元性雰囲気は、水素等の還元性ガスの使用又は還元性ガスと上記不活性ガスとを併用することにより実現することができる。
上記加熱処理及び光処理は、どちらか一方のみを行ってもよく、加熱処理及び光処理の双方を行ってもよい。加熱処理及び光処理の双方を行う場合には、その順番の前後は問わず、加熱処理及び光処理を同時に行ってもよい。これらのうち、加熱処理のみを行うか、加熱処理及び光処理の双方を行うことが好ましい。
Next, the coating film formed as described above is subjected to at least one treatment of heating and light irradiation to convert the coating film into a film-like aluminum body, and the film-like aluminum is formed on the substrate. The body is formed.
The temperature of the heat treatment is preferably 60 ° C or higher, more preferably 70 ° C to 600 ° C, and particularly preferably 100 ° C to 400 ° C. The heating time is preferably 30 seconds to 120 minutes, more preferably 1 to 90 minutes, and particularly preferably 10 to 60 minutes.
Examples of the light source used for the light treatment include a mercury lamp, a deuterium lamp, a rare gas discharge light, a YAG laser, an argon laser, a carbon dioxide gas laser, and a rare gas halogen excimer laser. Examples of the mercury lamp include a low-pressure mercury lamp and a high-pressure mercury lamp. Examples of the rare gas used for the discharge light of the rare gas include argon, krypton, and xenon. Examples of the rare gas halogen used in the rare gas halogen excimer laser include XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, and the like.
The output of these light sources is preferably 10 to 5,000 W, more preferably 100 to 1,000 W. Although the wavelength of these light sources is not specifically limited, Preferably it is 170 nm-600 nm. In addition, the use of laser light is particularly preferable from the viewpoint of the film quality of the formed aluminum film.
The atmosphere at the time of performing the coating step, the heating step, and the light irradiation step is preferably an inert atmosphere or a reducing atmosphere. The inert atmosphere can be realized by using an inert gas such as nitrogen, helium, or argon. The reducing atmosphere can be realized by using a reducing gas such as hydrogen or by using the reducing gas and the inert gas in combination.
Only one of the heat treatment and the light treatment may be performed, or both the heat treatment and the light treatment may be performed. When both heat treatment and light treatment are performed, the heat treatment and light treatment may be performed at the same time regardless of the order. Among these, it is preferable to perform only heat treatment or perform both heat treatment and light treatment.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の操作は、特に記した場合を除き、すべて乾燥窒素雰囲気下で実施した。また、用いた溶媒は、すべて事前にモレキュラーシーブス4A(ユニオン昭和(株)製)で脱水し、かつ窒素ガスをバブリングすることにより脱気を行った。また、合成に用いた各種三級アルキルアミン塩酸塩は、35質量%の塩酸と対応する三級アルキルアミンとを反応させた後、脱溶、再結晶、及び減圧乾燥を施すことによりそれぞれ得た。
なお、アラン・アミン錯体の蒸気圧の測定は以下の方法に従って測定を行った。
[アラン・アミン錯体の蒸気圧測定法]
蒸気圧の測定は静止法により実施した。具体的には、窒素雰囲気下にて精密圧力計およびガス導入バルブ付き密閉容器(内容量100ml)内部にアラン・アミン錯体を30g充填し、密閉後は大気下で容器全体を一旦液体窒素で1時間冷却する。その後、冷却を継続しながら容器内部を、ガス導入バルブを経由して高真空ポンプで減圧(10−3torr以下)し、安定した時点の内部圧力をゼロとするように設定した。次いで、減圧をやめた後、容器のガス導入バルブを閉めて、容器を密閉系とした。その後、冷却を止めて、室温に1晩放置後、その時点での温度と容器内部の圧力(アラン・アミン錯体の蒸気圧)を計測した。さらに圧力計を含む容器全体を50℃の恒温槽内に入れ、3時間後の容器内部の圧力(アラン・アミン錯体の蒸気圧)を計測した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The following operations were all performed in a dry nitrogen atmosphere unless otherwise specified. All the solvents used were dehydrated in advance with Molecular Sieves 4A (manufactured by Union Showa Co., Ltd.) and degassed by bubbling nitrogen gas. Further, various tertiary alkylamine hydrochlorides used in the synthesis were obtained by reacting 35% by mass of hydrochloric acid with the corresponding tertiary alkylamine, followed by desolubilization, recrystallization, and drying under reduced pressure. .
The vapor pressure of the alane / amine complex was measured according to the following method.
[Method for measuring vapor pressure of alane-amine complexes]
The vapor pressure was measured by the static method. Specifically, 30 g of alane / amine complex is filled in a sealed vessel (with a capacity of 100 ml) with a precision pressure gauge and a gas introduction valve in a nitrogen atmosphere, and after sealing, the entire vessel is temporarily filled with liquid nitrogen in the atmosphere. Cool for hours. Then, while continuing cooling, the inside of the container was depressurized (10 −3 torr or less) with a high vacuum pump via a gas introduction valve, and the internal pressure at a stable time was set to zero. Next, after the decompression was stopped, the gas introduction valve of the container was closed to make the container a closed system. Thereafter, the cooling was stopped, and the mixture was allowed to stand at room temperature overnight, and then the temperature at that time and the pressure inside the container (the vapor pressure of the alan / amine complex) were measured. Further, the entire container including the pressure gauge was placed in a constant temperature bath at 50 ° C., and the pressure inside the container after three hours (the vapor pressure of the Alane / amine complex) was measured.

[下地膜形成用組成物の調製]
チタニウム(IV)ビス(アセトアセタト)ジイソプロポキシド0.30g、及びテトラキス(ジメチルアミノ)チタニウム64μLを20mLのガラス容器にとり、ここへ2−アセトキシ−1−メトキシプロパンを加えて全量を18.00gとした。これらの混合物を充分に攪拌した後、室温で2時間静置した。次いでこれをポリテトラフロロエチレン製の孔径0.1μmのメンブランフィルタ(Whatman Inc.製)を用いて濾過することにより、下地膜形成用組成物を得た。
[Preparation of composition for forming undercoat film]
Take 0.30 g of titanium (IV) bis (acetoacetato) diisopropoxide and 64 μL of tetrakis (dimethylamino) titanium in a 20 mL glass container, and add 2-acetoxy-1-methoxypropane to this to give a total amount of 18.00 g. did. These mixtures were sufficiently stirred and allowed to stand at room temperature for 2 hours. Subsequently, this was filtered using a membrane filter (manufactured by Whatman Inc.) having a pore diameter of 0.1 μm made of polytetrafluoroethylene to obtain a composition for forming a base film.

[アルミニウム体形成用組成物の調製]
(1−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム50gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ500mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。トリプロピルアミン塩酸塩213gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを、吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてシクロヘキサン550mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でトリプロピルアミン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で40℃、添加終了時は28℃であった。
その後、ポリテトラフロロエチレン製のチューブの先端にクオーツウール(東ソー製)を詰めたものを用いて、反応混合物を圧送により別容器に取り出し、取り出した液は窒素雰囲気下で30μm径を有するグラスフィルターで減圧により濾過した。濾液は3Lなす型フラスコで受け、濾過終了後に磁気攪拌子を入れ、吸引栓三方コックを装着した。
この吸引栓三方コックを、トラップを介して真空ポンプに接続し、フラスコは35℃に加熱しつつ、マグネチックスターラによって回転数500rpmで攪拌しながら減圧にて溶媒を除去した。1時間ほどで白色固体がフラスコ内に析出し、溶剤の残留が目視では観察されなくなったため、撹拌を止めた上で減圧溶媒除去を継続した。以降は1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とした。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで5時間を要した。得られた固体はプロトンNMR分析や元素分析により、トリプロピルアミンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は144gであり、収率は70%であった。
また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で1.4torr、50℃で2.7torrであることがわかった。
(1−2)アルミニウム体形成用組成物Aの調製
上記1−1で得られた錯体6.0gを、t−ブチルベンゼン14.0gで溶解し、錯体を30質量%有する溶液を調製した。次いでこの溶液をポリテトラフロロエチレン製の孔径0.1μmのメンブランフィルタ(Whatman Inc.製)を用いてアミン・アラン錯体溶液のろ液を得た。次いで別の容器にシクロペンタジエニルチタニウムトリクロリド0.11gとt−ブチルベンゼン24.89gとを混合し、十分に攪拌した後室温で4時間静置し、次いでこれをポリテトラフロロエチレン製の孔径0.1μmのメンブランフィルタ(Whatman Inc.製)を用いて濾過することにより、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロリドを20μmol/g含有するチタン錯体溶液のろ液を得た。上記で調製したアミン・アラン錯体溶液のろ液全量(アミン・アラン錯体35mmol)に、チタン錯体溶液のろ液を1.75g(35μmol)を室温にて攪拌下に加え、次いで1分間攪拌を継続することにより、アルミニウム体形成用組成物Aを調製した。
[Preparation of composition for forming aluminum body]
(1-1) Synthesis of complex of first amine compound and aluminum hydride 50 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. A 500 mL powder addition funnel, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper were connected to the three connection ports of the three-neck flask. After charging 213 g of tripropylamine hydrochloride into a powder addition funnel, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal via a suction stopper three-way cock. Next, 550 ml of cyclohexane was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring with a magnetic stirrer at 500 rpm, tripropylamine hydrochloride was gradually dropped into a three-necked flask over 2 hours at room temperature, and stirring was continued for another 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 40 ° C. at the maximum and 28 ° C. at the end of the addition.
Then, using a tube made of polytetrafluoroethylene filled with quartz wool (manufactured by Tosoh), the reaction mixture was taken out into another container by pressure feeding, and the taken out liquid was a glass filter having a diameter of 30 μm in a nitrogen atmosphere. And filtered under reduced pressure. The filtrate was received in a 3 L eggplant-shaped flask. After completion of filtration, a magnetic stirrer was inserted, and a suction stopper three-way cock was attached.
The suction stopper three-way cock was connected to a vacuum pump through a trap, and the solvent was removed under reduced pressure while stirring the flask at 35 ° C. with a magnetic stirrer while heating the flask to 35 ° C. In about 1 hour, a white solid precipitated in the flask, and the residue of the solvent was no longer observed with the naked eye. Therefore, the solvent removal under reduced pressure was continued after the stirring was stopped. Thereafter, the mass of the flask was measured every hour, and the removal of the reduced-pressure solvent was terminated when the weight loss was within 0.5 g.
In this synthesis example, it took 5 hours from the start to the end of the removal of the solvent under reduced pressure. The obtained solid was confirmed to be a complex of tripropylamine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The mass of the obtained complex was 144 g, and the yield was 70%.
Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 1.4 torr at 25 degreeC and 2.7 torr at 50 degreeC.
(1-2) Preparation of Composition A for Forming Aluminum Body 6.0 g of the complex obtained in 1-1 was dissolved in 14.0 g of t-butylbenzene to prepare a solution having 30% by mass of the complex. Next, this solution was filtered using a membrane filter (manufactured by Whatman Inc.) made of polytetrafluoroethylene having a pore size of 0.1 μm to obtain a filtrate of an amine / alanine complex solution. Next, 0.11 g of cyclopentadienyltitanium trichloride and 24.89 g of t-butylbenzene were mixed in another container, stirred well and allowed to stand at room temperature for 4 hours, and then this was made of polytetrafluoroethylene. Filtration was performed using a membrane filter (manufactured by Whatman Inc.) having a pore diameter of 0.1 μm to obtain a filtrate of a titanium complex solution containing 20 μmol / g of cyclopentadienyl titanium trichloride. 1.75 g (35 μmol) of the titanium complex solution filtrate was added to the total amount of the amine-alanine complex filtrate prepared above (35 mmol of amine-alanine complex) with stirring at room temperature, and then the stirring was continued for 1 minute. By doing this, the composition A for forming an aluminum body was prepared.

(2−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム50gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ500mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。N−メチルピロリジン塩酸塩144gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを、吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてトルエン550mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でN−メチルピロリジン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で35℃、添加終了時は25℃であった。
その後、前記(1−1)と同様にして、反応混合物を濾過した後、溶媒の除去を行った。溶媒の除去は1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とし、無色透明の液体を得た。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで3時間を要した。得られた固体はプロトンNMR分析や元素分析により、N−メチルピロリジンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は132gであり、収率は64%であった。また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で1.3torr、50℃で3.0torrであることがわかった。
(2−2)アルミニウム体形成用組成物Bの調製
上記2−1で得られた錯体4.0gにN−メチルピロリジンを0.20g添加し、これをt−ブチルベンゼン15.8gで溶解し、錯体を20質量%有する溶液を調製した。該錯体を有する溶液を用いる以外は、前記(1−2)と同様にして、アルミニウム体形成用組成物Bを調製した。
(2-1) Synthesis of complex of first amine compound and aluminum hydride 50 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. A 500 mL powder addition funnel, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper were connected to the three connection ports of the three-neck flask. After charging 144 g of N-methylpyrrolidine hydrochloride into the powder addition funnel, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal through a suction stopper three-way cock. Next, 550 ml of toluene was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring with a magnetic stirrer at a rotation speed of 500 rpm, N-methylpyrrolidine hydrochloride was gradually dropped into a three-necked flask over 2 hours at room temperature, and stirring was further continued for 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 35 ° C. at the maximum and 25 ° C. at the end of the addition.
Thereafter, in the same manner as in (1-1) above, the reaction mixture was filtered, and then the solvent was removed. The solvent was removed by measuring the mass of the flask every hour, and when the weight loss was within 0.5 g, the removal of the solvent under reduced pressure was terminated to obtain a colorless and transparent liquid.
In this synthesis example, it took 3 hours from the start to the end of removal of the solvent under reduced pressure. The obtained solid was confirmed to be a complex of N-methylpyrrolidine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The mass of the obtained complex was 132 g, and the yield was 64%. Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 1.3 torr at 25 degreeC and 3.0 torr at 50 degreeC.
(2-2) Preparation of aluminum body-forming composition B 0.20 g of N-methylpyrrolidine was added to 4.0 g of the complex obtained in 2-1 above, and this was dissolved in 15.8 g of t-butylbenzene. A solution having 20% by mass of the complex was prepared. Except using the solution which has this complex, it carried out similarly to said (1-2), and prepared the composition B for aluminum body formation.

(3−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム40gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ500mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。トリブチルアミン塩酸塩210gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてヘキサン1500mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でトリブチルアミン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で42℃、添加終了時は29℃であった。
その後、前記(1−1)と同様にして、反応混合物を濾過した後、溶媒を除去したところ、1時間ほどで白色固体がフラスコ内に析出し、溶剤の残留が目視では観察されなくなったため、撹拌を止めた上で減圧溶媒除去を継続した。以降は1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とした。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで3.5時間を要した。得られた固体はプロトンNMR分析や元素分析により、トリブチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は198gであり、収率は97%であった。
また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で0.8torr、50℃で1.4torrであることがわかった。
(3−2)アルミニウム体形成用組成物Cの調製
上記3−1で得られた錯体7.5gを、t−ブチルベンゼン12.5gで溶解し、錯体を38質量%有する溶液を調製した。次いでこの溶液をポリテトラフロロエチレン製の孔径0.1μmのメンブランフィルタ(Whatman Inc.製)を用いてアミン・アラン錯体溶液のろ液を得て(アミン・アラン錯体35mmol)アルミニウム体形成用組成物Cとした。
(3-1) Synthesis of Complex of First Amine Compound and Aluminum Hydride 40 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. A 500 mL powder addition funnel, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper were connected to the three connection ports of the three-neck flask. After charging 210 g of tributylamine hydrochloride into a powder addition funnel, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal through a suction stopper three-way cock. Next, 1500 ml of hexane was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring at 500 rpm with a magnetic stirrer, tributylamine hydrochloride was gradually dropped into the three-necked flask over 2 hours at room temperature, and stirring was continued for further 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 42 ° C. at the maximum, and 29 ° C. at the end of the addition.
Thereafter, the reaction mixture was filtered in the same manner as in (1-1), and the solvent was removed. As a result, a white solid precipitated in the flask in about 1 hour, and the solvent residue was no longer observed visually. After the stirring was stopped, the solvent removal under reduced pressure was continued. Thereafter, the mass of the flask was measured every hour, and the removal of the reduced-pressure solvent was terminated when the weight loss was within 0.5 g.
In this synthesis example, it took 3.5 hours from the start to the end of the vacuum solvent removal. The obtained solid was confirmed to be a complex of tributylamine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The obtained complex had a mass of 198 g and a yield of 97%.
Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 0.8 torr at 25 degreeC and 1.4 torr at 50 degreeC.
(3-2) Preparation of Composition C for Forming Aluminum Body 7.5 g of the complex obtained in 3-1 above was dissolved in 12.5 g of t-butylbenzene to prepare a solution having 38% by mass of the complex. Next, this solution was used to obtain a filtrate of an amine / alanine complex solution using a membrane filter (manufactured by Whatman Inc.) made of polytetrafluoroethylene having a pore size of 0.1 μm (amine / alane complex 35 mmol). C.

(4−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム38gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ500mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。ジメチルオクチルアミン塩酸塩174gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてヘキサン560mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でジメチルオクチルアミン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で35℃、添加終了時は28℃であった。
その後、ポリテトラフロロエチレン製のチューブの先端にクオーツウール(東ソー製)を詰めたものを用いて、反応混合物を圧送により別容器に取り出し、取り出した液は窒素雰囲気下で30μm径を有するグラスフィルターで減圧により濾過した。濾液は2Lなす型フラスコで受け、濾過終了後に磁気攪拌子を入れ、吸引栓三方コックを装着した。
この吸引栓三方コックを、トラップを介して真空ポンプに接続し、フラスコは35℃に加熱しつつ、マグネチックスターラによって回転数500rpmで攪拌しながら減圧にて溶媒を除去した。1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とし、無色透明の液体を得た。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで4時間を要した。得られた液体はプロトンNMR分析や元素分析により、ジメチルオクチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は120gであり、収率は71%であった。また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で2.0torr、50℃で4.0torrであることがわかった。
(4−2)アルミニウム体形成用組成物Dの調製
上記4−1で得られた錯体6.6gにジメチルオクチルアミンを0.33g添加し、これをt−ブチルベンゼン13.1gで溶解し、錯体を33質量%有する溶液を調製した。該錯体を有する溶液を用いる以外は、前記(1−2)と同様にして、アルミニウム体形成用組成物Dを調製した。
(4-1) Synthesis of Complex of First Amine Compound and Aluminum Hydride 38 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. A 500 mL powder addition funnel, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper were connected to the three connection ports of the three-neck flask. After charging 174 g of dimethyloctylamine hydrochloride into the addition funnel for powder, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal through a suction stopper three-way cock. Next, 560 ml of hexane was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring at 500 rpm with a magnetic stirrer, dimethyloctylamine hydrochloride was gradually dropped into the three-necked flask over 2 hours at room temperature, and then stirring was continued for another 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 35 ° C. at the maximum, and 28 ° C. at the end of the addition.
Then, using a tube made of polytetrafluoroethylene filled with quartz wool (manufactured by Tosoh), the reaction mixture was taken out into another container by pressure feeding, and the taken out liquid was a glass filter having a diameter of 30 μm in a nitrogen atmosphere. And filtered under reduced pressure. The filtrate was received in a 2 L eggplant-shaped flask, and after completion of the filtration, a magnetic stirrer was inserted and a suction stopper three-way cock was attached.
The suction stopper three-way cock was connected to a vacuum pump through a trap, and the solvent was removed under reduced pressure while stirring the flask at 35 ° C. with a magnetic stirrer while heating the flask to 35 ° C. The mass of the flask was measured every hour, and when the weight loss was within 0.5 g, the removal of the vacuum solvent was terminated, and a colorless and transparent liquid was obtained.
In this synthesis example, it took 4 hours from the start to the end of removal of the solvent under reduced pressure. The obtained liquid was confirmed to be a complex of dimethyloctylamine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The obtained complex had a mass of 120 g and a yield of 71%. Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 2.0 torr at 25 degreeC and 4.0 torr at 50 degreeC.
(4-2) Preparation of aluminum body-forming composition D 0.33 g of dimethyloctylamine was added to 6.6 g of the complex obtained in 4-1 above, and this was dissolved in 13.1 g of t-butylbenzene. A solution having 33% by mass of the complex was prepared. Except using the solution which has this complex, it carried out similarly to said (1-2), and prepared the composition D for aluminum body formation.

(5−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム38gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ500mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。ジメチルシクロヘキシルアミン塩酸塩147gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてヘキサン560mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でジメチルシクロヘキシルアミン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で31℃、添加終了時は24℃であった。
その後、前記(4−1)と同様にして、反応混合物を濾過した後、溶媒の除去を行った。溶媒の除去は1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とし、白色の固体を得た。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで4時間を要した。得られた固体はプロトンNMR分析や元素分析により、ジメチルシクロヘキシルアミンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は95gであり、収率は67%であった。また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で2.2torr、50℃で4.4torrであることがわかった。
(5−2)アルミニウム体形成用組成物Eの調製
上記5−1で得られた錯体5.5gをt−ブチルベンゼン14.5gで溶解し、錯体を28質量%有する溶液を調製した。該錯体を有する溶液を用いる以外は、前記(1−2)と同様にして、アルミニウム体形成用組成物Eを調製した。
(5-1) Synthesis of Complex of First Amine Compound and Aluminum Hydride 38 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. A 500 mL powder addition funnel, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper were connected to the three connection ports of the three-neck flask. After charging 147 g of dimethylcyclohexylamine hydrochloride into a powder addition funnel, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal through a suction stopper three-way cock. Next, 560 ml of hexane was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring at 500 rpm with a magnetic stirrer, dimethylcyclohexylamine hydrochloride was gradually dropped into the three-necked flask over 2 hours at room temperature, and stirring was further continued for 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 31 ° C. at the maximum and 24 ° C. at the end of the addition.
Thereafter, in the same manner as in (4-1) above, the reaction mixture was filtered, and then the solvent was removed. The solvent was removed by measuring the mass of the flask every hour, and when the weight loss was within 0.5 g, the removal of the solvent under reduced pressure was terminated to obtain a white solid.
In this synthesis example, it took 4 hours from the start to the end of removal of the solvent under reduced pressure. The obtained solid was confirmed to be a complex of dimethylcyclohexylamine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The obtained complex had a mass of 95 g and a yield of 67%. Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 2.2 torr at 25 degreeC and 4.4 torr at 50 degreeC.
(5-2) Preparation of Composition E for Forming Aluminum Body 5.5 g of the complex obtained in the above 5-1 was dissolved in 14.5 g of t-butylbenzene to prepare a solution having 28% by mass of the complex. Except using the solution which has this complex, it carried out similarly to said (1-2), and prepared the composition E for aluminum body formation.

(6−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム150gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ3000mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。エチルジメチルアミン塩酸塩368gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてヘキサン1500mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でエチルジメチルアミン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で38℃、添加終了時は32℃であった。
その後、前記(1−1)と同様にして、反応混合物を濾過した後、溶媒の除去を行った。溶媒の除去は1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とし、無色透明の液体を得た。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで4.5時間を要した。得られた固体はプロトンNMR分析や元素分析により、エチルジメチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は243gであり、収率は70%であった。また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で2.9torr、50℃で12.5torrであることがわかった。
(6−2)アルミニウム体形成用組成物Fの調製
上記6−1で得られた錯体3.6gを、t−ブチルベンゼン16.4gで溶解し、錯体を18質量%有する溶液を調製した。該錯体を有する溶液を用いる以外は、前記(1−2)と同様にして、アルミニウム体形成用組成物Fを調製した。
(6-1) Synthesis of complex of first amine compound and aluminum hydride 150 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. The three connection ports of the three-necked flask were each connected with a 3000 mL addition funnel for powder, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper. After charging 368 g of ethyldimethylamine hydrochloride into a powder addition funnel, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal through a suction stopper three-way cock. Next, 1500 ml of hexane was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring at a rotational speed of 500 rpm with a magnetic stirrer, ethyldimethylamine hydrochloride was gradually dropped into the three-necked flask over 2 hours at room temperature, and stirring was continued for another 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 38 ° C. at the maximum and 32 ° C. at the end of the addition.
Thereafter, in the same manner as in (1-1) above, the reaction mixture was filtered, and then the solvent was removed. The solvent was removed by measuring the mass of the flask every hour, and when the weight loss was within 0.5 g, the removal of the solvent under reduced pressure was terminated to obtain a colorless and transparent liquid.
In this synthesis example, 4.5 hours were required from the start to the end of removal of the solvent under reduced pressure. The obtained solid was confirmed to be a complex of ethyldimethylamine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The mass of the obtained complex was 243 g, and the yield was 70%. Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 2.9 torr at 25 degreeC and 12.5 torr at 50 degreeC.
(6-2) Preparation of composition F for forming aluminum body 3.6 g of the complex obtained in 6-1 above was dissolved in 16.4 g of t-butylbenzene to prepare a solution having 18% by mass of the complex. Except using the solution which has this complex, it carried out similarly to the said (1-2), and prepared the composition F for aluminum body formation.

(7−1)第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体の合成
磁気攪拌子を入れた3Lの三口フラスコ中に水素化リチウムアルミニウム170gを仕込んだ。三口フラスコの3つの接続口にはそれぞれ1500mLの粉体用添加漏斗、窒素気流に接続した吸引栓三方コック及びガラス栓を接続した。トリエチルアミン塩酸塩555gを粉体用添加漏斗に仕込んだ後に、三口フラスコを吸引栓三方コックを介して窒素シール下においた。次に、上記の三口フラスコにガラス製シリンジを用いてヘキサン1500mlを加えた。マグネチックスターラにより回転数500rpmで攪拌しながら、室温下でトリエチルアミン塩酸塩を2時間かけて三口フラスコ中に徐々に落とした後、更に4時間攪拌を継続した。この際、液内の温度は最高で35℃、添加終了時は30℃であった。
その後、前記(1−1)と同様にして、反応混合物を濾過した後、溶媒の除去を行った。溶媒の除去は1時間毎にフラスコの質量を計測し、その減量が0.5g以内に収まった段階で減圧溶媒除去を終了とし、無色透明の液体を得た。
なお、この合成例では減圧溶媒除去開始から終了まで4.5時間を要した。得られた固体はプロトンNMR分析や元素分析により、トリエチルアミンと水素化アルミニウムとの錯体であることが確認された。なお得られた錯体の質量は406gであり、収率は77%であった。また、この錯体の蒸気圧を前記方法で測定した結果、25℃で2.1torr、50℃で6.5torrであることがわかった。
(7−2)アルミニウム体形成用組成物Gの調製
上記7−1で得られた錯体4.6gにトリエチルアミンを0.23g加え、さらにt−ブチルベンゼン13.17gで溶解し、錯体を23質量%有する溶液を調製した。該錯体を有する溶液を用いる以外は、前記(1−2)と同様にして、アルミニウム体形成用組成物Gを調製した。
(7-1) Synthesis of Complex of First Amine Compound and Aluminum Hydride 170 g of lithium aluminum hydride was charged into a 3 L three-necked flask containing a magnetic stirrer. The three connection ports of the three-neck flask were each connected with a 1500 mL powder addition funnel, a suction stopper three-way cock connected to a nitrogen stream, and a glass stopper. After charging 555 g of triethylamine hydrochloride into an addition funnel for powder, the three-necked flask was placed under a nitrogen seal through a suction stopper three-way cock. Next, 1500 ml of hexane was added to the three-necked flask using a glass syringe. While stirring at 500 rpm with a magnetic stirrer, triethylamine hydrochloride was gradually dropped into the three-necked flask over 2 hours at room temperature, and stirring was continued for further 4 hours. At this time, the temperature in the liquid was 35 ° C. at the maximum and 30 ° C. at the end of the addition.
Thereafter, in the same manner as in (1-1) above, the reaction mixture was filtered, and then the solvent was removed. The solvent was removed by measuring the mass of the flask every hour, and when the weight loss was within 0.5 g, the removal of the solvent under reduced pressure was terminated to obtain a colorless and transparent liquid.
In this synthesis example, 4.5 hours were required from the start to the end of removal of the solvent under reduced pressure. The obtained solid was confirmed to be a complex of triethylamine and aluminum hydride by proton NMR analysis and elemental analysis. The obtained complex had a mass of 406 g and a yield of 77%. Moreover, as a result of measuring the vapor pressure of this complex by the said method, it turned out that it is 2.1 torr at 25 degreeC and 6.5 torr at 50 degreeC.
(7-2) Preparation of aluminum body-forming composition G 0.23 g of triethylamine was added to 4.6 g of the complex obtained in 7-1 above, and further dissolved with 13.17 g of t-butylbenzene to obtain 23 mass of the complex. % Solution was prepared. Except using the solution which has this complex, it carried out similarly to said (1-2), and prepared the composition G for aluminum body formation.

上述したアルミニウム体形成用組成物を用いて、以下の成膜実験を行った。
[実施例1]
以下の操作はすべて窒素雰囲気下で行った。
幅200nm、深さ1000nm、長さ3mmの直線状のトレンチ(アスペクト比=約5)を、200nm間隔(ピッチ400nm)で多数有する12インチのシリコンパターンウエハーを用意した。なお、トレンチはこの基板の面のうちの一方に形成されている。前記12インチのシリコン基板をスピンコーターに装着し、窒素ガス雰囲気下にて、上述した下地膜形成用組成物1mLを滴下して、回転数3,000rpmで10秒間スピンさせた。この基板を150℃に設定したホットプレートに乗せ、2分間加熱した。
この基板を、トレンチ有する面を上にして再びスピンコーターに装着し、上記(1−2)にて調製されたアルミニウム体形成用組成物Aの全量を、トレンチ有する面を上にした基板上に滴下し、1000rpmの回転数で10秒間スピンさせた後、100℃のホットプレートで2分間加熱した。この後、さらに400℃まで昇温させて30分間その温度で保持したところ、基板表面は金属光沢を有する膜で覆われた。この膜のうち、基板のトレンチを有しないところに形成された部分につき、ESCAスペクトルを観察したところ、eVにAl 2pに帰属されるピークが観察され、この膜がアルミニウム膜であることが分かった。
この基板を、トレンチに直行する方向に切断し、その断面を(株)日立製作所製、電界放出型走査電子顕微鏡「S−4200」で観察し、(A)基板のトレンチを有しない部分、(B)トレンチ壁面のうち開口部から下へ200nm下った部分(トレンチの上部壁面)(C)開口部から下へ800nm下った部分(トレンチの下部壁面)(D)トレンチ底面の膜厚を測定した。また、トレンチパターン部位の頂部における膜剥がれの有無を測定した。結果を表1に示す。
また、トレンチの無い12インチブランケットシリコンウエハーについても前記シリコンパターンウエハーに対するものと同じ成膜処理を実施し、シリコンウエハーのノッチ部分と、ウエハーの中心部分を通り反対端にいたるまでの30cmの直線領域において、1cm間隔でシート抵抗を三菱化学アナリティック製抵抗率計「Loresta−GP MCP−T600」にて測定し、その平均値と標準偏差を算出した。結果を表1に示す。
The following film forming experiment was conducted using the above-described composition for forming an aluminum body.
[Example 1]
The following operations were all performed under a nitrogen atmosphere.
A 12-inch silicon pattern wafer having a large number of linear trenches (aspect ratio = about 5) having a width of 200 nm, a depth of 1000 nm, and a length of 3 mm at intervals of 200 nm (pitch 400 nm) was prepared. The trench is formed on one of the surfaces of the substrate. The 12-inch silicon substrate was mounted on a spin coater, and 1 mL of the above-described composition for forming an underlayer was dropped in a nitrogen gas atmosphere, and was spun at 3,000 rpm for 10 seconds. This substrate was placed on a hot plate set at 150 ° C. and heated for 2 minutes.
This substrate was mounted on the spin coater again with the surface having the trench up, and the entire amount of the aluminum body-forming composition A prepared in (1-2) above was placed on the substrate with the surface having the trench up. The solution was dropped and spun at 1000 rpm for 10 seconds, and then heated on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes. Thereafter, when the temperature was further raised to 400 ° C. and held at that temperature for 30 minutes, the substrate surface was covered with a film having a metallic luster. Among these films, when the ESCA spectrum was observed for a portion formed where the substrate did not have a trench, a peak attributed to Al 2p was observed in eV, and it was found that this film was an aluminum film. .
This substrate is cut in a direction perpendicular to the trench, and a cross section thereof is observed with a field emission scanning electron microscope “S-4200” manufactured by Hitachi, Ltd. (A) A portion of the substrate having no trench, B) The portion of the trench wall surface that is 200 nm down from the opening (upper wall surface of the trench) (C) The portion that is 800 nm down from the opening (lower wall surface of the trench) (D) The film thickness of the bottom surface of the trench is measured . Further, the presence or absence of film peeling at the top of the trench pattern portion was measured. The results are shown in Table 1.
Also, a 12-inch blanket silicon wafer having no trench is subjected to the same film forming process as that for the silicon pattern wafer, and a straight line area of 30 cm from the notch portion of the silicon wafer to the opposite end through the center portion of the wafer. The sheet resistance was measured with a resistivity meter “Loresta-GP MCP-T600” manufactured by Mitsubishi Chemical Analytic at intervals of 1 cm, and the average value and standard deviation were calculated. The results are shown in Table 1.

[実施例2]
アルミニウム体形成用組成物として上記(2−2)で調製されたアルミニウム体形成用組成物Bを用いること以外は、実施例1と同様の条件で評価を行った。結果を表1に示す。
[実施例3]
アルミニウム体形成用組成物として上記(3−2)で調製されたアルミニウム体形成用組成物Cを用いること以外は、実施例1と同様の条件で評価を行った。結果を表1に示す。
[実施例4]
アルミニウム体形成用組成物として上記(4−2)で調製されたアルミニウム体形成用組成物Dを用いること以外は、実施例1と同様の条件で評価を行った。結果を表1に示す。
[実施例5]
アルミニウム体形成用組成物として上記(5−2)で調製されたアルミニウム体形成用組成物Eを用いること以外は、実施例1と同様の条件で評価を行った。結果を表1に示す。
[Example 2]
Evaluation was performed under the same conditions as in Example 1 except that the aluminum body-forming composition B prepared in (2-2) above was used as the aluminum body-forming composition. The results are shown in Table 1.
[Example 3]
Evaluation was performed under the same conditions as in Example 1 except that the aluminum body-forming composition C prepared in (3-2) above was used as the aluminum body-forming composition. The results are shown in Table 1.
[Example 4]
Evaluation was performed under the same conditions as in Example 1 except that the aluminum body-forming composition D prepared in (4-2) above was used as the aluminum body-forming composition. The results are shown in Table 1.
[Example 5]
Evaluation was performed under the same conditions as in Example 1 except that the aluminum body-forming composition E prepared in (5-2) above was used as the aluminum body-forming composition. The results are shown in Table 1.

[比較例1]
アルミニウム体形成用組成物として上記(6−2)で調製されたアルミニウム体形成用組成物Fを用いること以外は、実施例1と同様の条件で評価を行った。結果を表1に示す。
[比較例1]
アルミニウム体形成用組成物として上記(7−2)で調製されたアルミニウム体形成用組成物Gを用いること以外は、実施例1と同様の条件で評価を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 1]
Evaluation was performed under the same conditions as in Example 1 except that the aluminum body-forming composition F prepared in (6-2) above was used as the aluminum body-forming composition. The results are shown in Table 1.
[Comparative Example 1]
Evaluation was performed under the same conditions as in Example 1 except that the aluminum body-forming composition G prepared in (7-2) above was used as the aluminum body-forming composition. The results are shown in Table 1.

Figure 0005817593
Figure 0005817593

表1の結果から、アルミニウム体形成用組成物に含まれるアミン・アラン錯体のモル濃度を統一した条件で比較した場合、アミン・アラン錯体の蒸気圧が50℃において5.0Torr以下の場合には、膜厚が厚く、またトレンチ内のステップカバレージが良好であることがわかる。さらに、12インチウエハー内のシート抵抗値のばらつきも低いことから、膜質が面内で均一であることがわかる。
一方、アミン・アラン錯体の蒸気圧が50℃において5.0Torrを超える場合には、トレンチ内部のステップカバレージは良好なものの、膜厚が薄く、さらに膜の基板からの剥がれも起こりやすい。また、これに起因してシート抵抗値の面内均一性が劣っている。
以上のことより、アルミニウム体形成用組成物に含まれるアミン・アラン錯体の蒸気圧が5.0Torrを超えると、塗布工程および加熱工程において錯体分子の揮発が激しくなり、これが膜厚の低下、膜剥がれ、及び膜質の面内均一性の低下という現象に結びついているものと考えられる。このことは塗膜時に供給されたアミン・アラン錯体が有効に用いられている割合が低いことも意味しており、その観点からもアルミニウム体形成用組成物として用いるアミン・アラン錯体の蒸気圧は適度に低い方が良く、具体的には50℃で5.0torr以下が良いことがわかった。
From the results shown in Table 1, when the molar concentration of the amine / arane complex contained in the composition for forming an aluminum body is compared under a unified condition, the vapor pressure of the amine / arane complex is 5.0 Torr or less at 50 ° C. It can be seen that the film thickness is large and the step coverage in the trench is good. Furthermore, since the variation of the sheet resistance value in the 12-inch wafer is low, it can be seen that the film quality is uniform in the plane.
On the other hand, when the vapor pressure of the amine / alane complex exceeds 5.0 Torr at 50 ° C., the step coverage inside the trench is good, but the film thickness is thin, and the film tends to peel off from the substrate. Further, due to this, the in-plane uniformity of the sheet resistance value is inferior.
From the above, when the vapor pressure of the amine / alane complex contained in the composition for forming an aluminum body exceeds 5.0 Torr, volatilization of the complex molecules becomes severe in the coating process and the heating process, which causes a decrease in film thickness, It is thought that this is connected to the phenomenon of peeling and deterioration of in-plane uniformity of the film quality. This also means that the proportion of amine / alane complex supplied at the time of coating is effectively used, and from this point of view, the vapor pressure of the amine / alanine complex used as the aluminum body forming composition is It was found that a reasonably low value is better, specifically, 5.0 torr or less at 50 ° C. is good.

Claims (5)

第一のアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体、及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物であって、該錯体の蒸気圧が50℃において5.0Torr以下であり、かつ、前記第一のアミン化合物が下記一般式(1)で表される、アルミニウム体形成用組成物。
Figure 0005817593
(上記一般式(1)においてRは炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基、または炭素数3〜6の脂環式基である。RおよびRはそれぞれ独立して、炭素数1〜8のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基、または炭素数3〜6の脂環式基でもよく、RおよびRが互いに連結して炭素数4以上の環状構造を有する一つの炭化水素基を形成していてもよい。ただし、RおよびRがアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または脂環式基である場合、R、R、Rのうち少なくとも1つは炭素数3以上の基である。また、R、R、Rの全てが炭素数4以下のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基の場合、 、R 、R の全てが炭素数3〜4でかつ直鎖状のアルキル基、アルケニル基、もしくはアルキニル基である。)
A composition for forming an aluminum body, comprising a complex of a first amine compound and aluminum hydride, and an organic solvent, wherein the vapor pressure of the complex is 5.0 Torr or less at 50 ° C., and the first The composition for forming an aluminum body is represented by the following general formula (1).
Figure 0005817593
(In the general formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group, or an alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms. R 2 and R 3 are each independently selected. An alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, or an alkynyl group, or an alicyclic group having 3 to 6 carbon atoms, and R 2 and R 3 are connected to each other to form a cyclic structure having 4 or more carbon atoms. One of the hydrocarbon groups may be formed, provided that when R 2 and R 3 are an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or an alicyclic group, among R 1 , R 2 , and R 3 At least one is a group having 3 or more carbon atoms, and when all of R 1 , R 2 , and R 3 are alkyl groups, alkenyl groups, or alkynyl groups having 4 or less carbon atoms, R 1 , R 2 , R in all of 3 3 to 4 carbon atoms One straight chain alkyl group, an alkenyl group or alkynyl group.)
さらに、錯体を形成していない第二のアミン化合物を含有する請求項1に記載のアルミニウム体形成用組成物。   Furthermore, the composition for aluminum body formation of Claim 1 containing the 2nd amine compound which has not formed the complex. さらに、チタン化合物を含有する請求項1または2に記載のアルミニウム体形成用組成物。   Furthermore, the composition for aluminum body formation of Claim 1 or 2 containing a titanium compound. 基体上に、請求項1〜3のいずれか1項に記載されたアルミニウム体形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び/又は光照射することにより、前記基体上にアルミニウム体を形成する、アルミニウム体形成方法。   An aluminum body is formed on the substrate by applying the aluminum body-forming composition described in any one of claims 1 to 3 on the substrate, and then heating and / or irradiating with light. Body formation method. 上記基体が、予め、基体本体に、チタン、パラジウム、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属原子を含む有機金属化合物(ただし、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を除く。)を含有する下地膜形成用組成物を塗布し、次いで該下地膜形成用組成物を加熱してなるものである、請求項4に記載のアルミニウム体形成方法。   The substrate previously contains an organometallic compound containing at least one metal atom selected from the group consisting of titanium, palladium, and aluminum (excluding a complex of an amine compound and aluminum hydride) in the substrate body. The aluminum body forming method according to claim 4, wherein the base film forming composition is applied, and then the base film forming composition is heated.
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