JP5810550B2 - 塩及びレジスト組成物 - Google Patents
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- 0 C*C(C(OC1(C)C(C2)CC(C)CC3C2C1C3)=O)=C Chemical compound C*C(C(OC1(C)C(C2)CC(C)CC3C2C1C3)=O)=C 0.000 description 14
- RZDMCGPZDGKURQ-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC(OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O)=O)=O)=C Chemical compound CC(C(OCC(OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O)=O)=O)=C RZDMCGPZDGKURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEDJWCLWKFYJKG-UHFFFAOYSA-N CC(C(Oc(c1c2cccc1)ccc2OC(C(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)=O)=C Chemical compound CC(C(Oc(c1c2cccc1)ccc2OC(C(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)=O)=C NEDJWCLWKFYJKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAVZTPWFRQOKNX-UHFFFAOYSA-N CC(C)(CC(C)(C)OC(C(C)=C)=O)C(OC(C)(CCO1)C1=O)=O Chemical compound CC(C)(CC(C)(C)OC(C(C)=C)=O)C(OC(C)(CCO1)C1=O)=O DAVZTPWFRQOKNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMGPUVQKHYVWSN-UHFFFAOYSA-N CC(C)(CC(C)(C)OC(C)=O)N Chemical compound CC(C)(CC(C)(C)OC(C)=O)N ZMGPUVQKHYVWSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWOKROVLCFRTC-UHFFFAOYSA-N CC(C)C1(C(C2)CC(CC3)C4C23C1C4)OC(C=C)=O Chemical compound CC(C)C1(C(C2)CC(CC3)C4C23C1C4)OC(C=C)=O NDWOKROVLCFRTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAMHKDCAKDPQHW-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(C(C)=C)O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(C(C)=C)O MAMHKDCAKDPQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GORLRWYYAFZZKH-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(C=C)=O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(C=C)=O GORLRWYYAFZZKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHWKBYLOVPBKNJ-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)O DHWKBYLOVPBKNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USMVEPUAMIKHEH-UHFFFAOYSA-N CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C=C)=O)=O Chemical compound CC(CCC1C2)(C2OC1=O)OC(COC(C=C)=O)=O USMVEPUAMIKHEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOVSNPMHLMCACF-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(C(C)=C)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(C(C)=C)=O ZOVSNPMHLMCACF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRULOWHFMKCMSZ-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(C=C)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(C=C)=O FRULOWHFMKCMSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRPSUUJJKMVNLF-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C(C)=C)=O)=O MRPSUUJJKMVNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVCADYYQMIAORO-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C=C)=O)=O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)OC(COC(C=C)=O)=O TVCADYYQMIAORO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1[S+](c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound c(cc1)ccc1[S+](c1ccccc1)c1ccccc1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
〔1〕 式(I)で表される塩。
[式(I)中、
R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
R3は、水素原子又はメチル基を表す。
X1は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
X2は、炭素数10〜14の2価の芳香族炭化水素基を表す。
X3は、単結合、*1−CO−O−*2又は*1−CO−O−(CH2)k−CO−O−*2を表す。
*1は−C(R3)=CH2との結合手を表す。*2はX2との結合手を表す。
kは1〜6の整数を表す。
Z1 +は、有機対イオンを表す。]
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
本発明は、上記式(I)で表される塩である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。R1及びR2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
R3は、水素原子又はメチル基を表す。
直鎖状アルカンジイル基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基が挙げられる。
分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1〜4のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を付け加えたものが挙げられる。
2価の環状飽和炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基(例えばシクロヘキサンジイル基)、2価の橋かけ環状炭化水素基(例えばアダマンタンジイル基)が挙げられる。
X1はこれらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
X11は、単結合又は炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
X12は、単結合又は炭素数1〜12の飽和炭化水素基を表す。
X13は、炭素数1〜13の飽和炭化水素基を表す。
X14は、炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
X15及びX16は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
X17は、炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。
X18及びX19は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の飽和炭化水素基を表す。
中でも、式(X1−1)で表される2価の基が好ましく、X11が単結合又は−CH2−である式(X1−1)で表される2価の基がより好ましい。
Rb4〜Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。
Rb11は、水素原子、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
Rb9〜Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜18、より好ましくは炭素数4〜12である。
Rb12は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよく、これらの環の−CH2−は、−O−、−S−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Lb11は、−S−又は−O−を表す。
o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2〜t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13〜Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、及びイソボルニル基である。
好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。
置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。
Rb9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
Rb11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
Rb19〜Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜18である。
前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。
v2〜x2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。v2〜x2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19〜Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。
なかでも、Rb19〜Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。
式(IA−2)で表される化合物としては、4−メタクリロイルオキシ−1−ナフトール、5−メタクリロイルオキシ−1−ナフトール、4−ヒドロキシ−1−ビニルナフタレン、2−ヒドロキシ−6−ビニルナフタレンなどが挙げられる。
式(IA−3)で表される塩は、特開2008−127367号公報に記載された方法で合成することができる。
式(IB−2)で表される化合物としては、4−メタクリロイルオキシ−1−ナフトール、5−メタクリロイルオキシ−1−ナフトール、4−ヒドロキシ−1−ビニルナフタレン、2−ヒドロキシ−6−ビニルナフタレンなどが挙げられる。
式(IB−5)で表される塩は、特開2008−127367号公報に記載された方法で合成することができる。
式(IB−6)で表される化合物としては、ブロモ酢酸等が挙げられる。
本発明の重合体は、式(I)で表される塩に由来する構造単位を含む重合体である。
本発明の重合体は、式(I)で表される塩とは異なるモノマーに由来する構造単位を含んでいてもよい。
重合体が、式(I)で表される塩とは異なるモノマーに由来する構造単位を含む場合、重合体における式(I)で表される塩に由来する構造単位の含有量は、重合体の全単位において、通常1〜30モル%であり、好ましくは2〜20モル%であり、より好ましくは3〜10モル%である。
式(I)で表される塩とは異なるモノマーについて、以下説明する。
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、−O−が3級炭素原子(但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く)と結合した式(1)で表されるアルコキシカルボニル基(即ち、3級アルコール残基を有するエステル結合)が挙げられる。なお以下では、式(1)で表される基を「酸に不安定な基(1)」という場合がある。
飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、例えば、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基)などの単環式の飽和環状炭化水素基;縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えば、ヒドロナフチル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基)などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環、シクロヘキサン環)又は多環(例えば、デカヒドロナフタレン環)とが縮合した基又は橋かけ環同士が縮合した基;これらが組み合わせられた基(メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基)等が挙げられる。
式(1)では、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数1〜16である。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は*−O−(CH2)k1−CO−O−を表す。
k1は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜10の飽和環状炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
Ra9は、水素原子、置換基(例えば、ヒドロキシ基)を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基(−COORa13)を表し、Ra13は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜8の飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Ra10〜Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜12の飽和環状炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して炭素数3〜20の環を形成し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の−CH2−は−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基、又は2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
Ra10〜Ra12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。
Ra10、Ra11及びこれらが結合する炭素が形成する環としては、例えば、飽和環状炭化水素基が挙げられ、具体的には、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。
[式(a1−4)中、
R10は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
laは0〜4の整数を表す。laが2以上の整数である場合、複数のR11は同一であっても異なってもよい。
R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表す。
Xa2は、単結合又は置換基を有していてもよい2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は−CO−、−O−、−S−、−SO2−又は−N(Rc)−で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。
Ya3は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基であり、前記脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。]
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等が挙げられる。
炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
R11のアルコキシ基としては、炭素数1又は2がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
R12及びR13の炭化水素基としては、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、イソボルニル基等が好ましい。
Xa2及びYa3が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、好ましくはヒドロキシ基である。
樹脂(A)が酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。また、アダマンチル基を有するモノマー(特に酸に不安定な基を有するモノマー(a1−1))に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)100モル%に対して15モル%以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマー(a2−0)を使用することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
R8は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
R9は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のR9は同一であっても異なってもよい。]
また、アルコキシ基としては、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
maは0〜2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。
フェノール性水酸基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
La3は、−O−又は*−O−(CH2)k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。
Ra14は、好ましくはメチル基である。
Ra15は、好ましくは水素原子である。
Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は*−O−(CH2)k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
Ra18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ra21は、炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。
La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は*−O−(CH2)d1−CO−O−であることが好ましく(前記d1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
Ra18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
その他の酸安定モノマー(a4)としては、例えば、式(a4−1)で表される無水マレイン酸、式(a4−2)で表される無水イタコン酸又は式(a4−3)で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。
Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、置換基(例えば、ヒドロキシ基)を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基(−COORa27)を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して−CO−O−CO−を形成し、
Ra27は、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表し、脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。但し−COORa27が酸不安定基となるものは除く(即ちRa27は、3級炭素原子が−O−と結合するものを含まない)。
Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜8、より好ましくは炭素数1〜6である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜18、より好ましくは炭素数4〜12である。
Ra27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基、2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
本発明の第1のレジスト組成物は、式(I)で表される塩を含有する酸発生剤と樹脂とを含有し、さらに、他の酸発生剤を含有していてもよい。
本発明の第1のレジスト組成物が含む樹脂は、上記の重合体における式(I)で表される塩とは異なるモノマーに由来する構造単位を含む樹脂である。
樹脂(A)の含有量は、組成物の固形分中80質量%以上であることが好ましい。
なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
Lb1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−SO2−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Z+は、有機カチオンを表す。]
式(B1)では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2−プロピリデン基等の直鎖状アルキレン基;
直鎖状アルキレンに、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,2−プロピレン基、1−メチル−1,4−ブチレン基、2−メチル−1,4−ブチレン基等の分岐状アルキレン;
1,3−シクロブチレン基、1,3−シクロペンチレン基、1,4−シクロヘキシレン基、1,5−シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基である単環式の飽和環状炭化水素基;
1,4−ノルボルニレン基、2,5−ノルボルニレン基、1,5−アダマンチレン基、2,6−アダマンチレン基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
Lb2は、単結合又は炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
Lb3は、単結合又は炭素数1〜12の飽和炭化水素基を表す。
Lb4は、炭素数1〜13の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。
Lb5は、炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16である。
Lb8は、炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。
Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は12である。
中でも、式(b1−1)で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又は−CH2−である式(b1−1)で表される2価の基がより好ましい。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子(但しフッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜16の飽和環状炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2)j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜16の飽和環状炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。
ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
本発明の第2のレジスト組成物は、重合体(D)を含有し、さらに、酸発生剤を含有していてもよい。
重合体の含有量は、組成物の固形分中80質量%以上であることが好ましい。
なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
酸発生剤の含有量は、重合体(D)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物(C)を含有していることが適している。
塩基性化合物(C)の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01〜1質量%程度であることが好ましい。
Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基)、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し前記脂肪族炭化水素基、前記飽和環状炭化水素基又は前記芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていてもよい。
前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数5〜10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6〜10程度である。
Rc7は、脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキル基)、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基(好ましくはシクロアルキル基)又は芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の水素原子は、上記と同様の置換基を有していてもよい。
m3は0〜3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。
Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1〜6程度である。
アニリン(C2−1)としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
中でもジイソプロピルアニリン(特に2,6−ジイソプロピルアニリン)が好ましい。
ここで、
Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。
窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11〜Rc14、Rc16〜Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。
芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23〜Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。
o3〜u3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。o3〜u3のいずれかが2以上であるとき、それぞれ、複数のRc20〜Rc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
Rc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。
Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜6程度であり、アルカノイル基は、好ましくは炭素数2〜6程度である。
Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基(好ましくはアルキレン基)、−CO−、−C(=NH)−、−C(=NRc3)−、−S−、−S−S−又はこれらの組合せを表す。前記2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6程度である。
Rc3は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
化合物(C5)としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。
化合物(C6)としては、例えば、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
化合物(C7)としては、例えば、2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
化合物(C8)としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
化合物(C9)としては、例えば、ピリジン、4−メチルピリジンなどが挙げられる。
化合物(C10)としては、例えば、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。
化合物(C11)としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。
本発明のレジスト組成物は、溶剤(E)を、組成物中90質量%以上の量で含有していてもよい。溶剤(E)を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤(E)の含有量は、組成物中90質量%以上(好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上)、99.9質量%以下(好ましくは99質量%以下)である。
溶剤(E)の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(東ソー株式会社製HLC−8120GPC型、カラムは”TSKgel Multipore HXL−M”3本、溶媒はテトラヒドロフラン)により求めた値である。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
式(II−1)で表される塩を、特開2008−127367号公報に記載された方法で合成した。式(II−1)で表される塩20.00部、アセトニトリル80.00部、式(III−1)で表される化合物(商品名:カルボニルジイミダゾール 東京化成製)8.88部を仕込み、80℃で30分間攪拌した後、得られた反応物を23℃まで冷却し、ろ過して、式(IV−1)で表される塩を含有する溶液103.31部を得た。
式(IV−1)で表される塩を含有する溶液103.31部及び式(V−1)で表される化合物(商品名:4−メタクリロイルオキシ−1−ナフトール 川崎化成工業製)9.89部を仕込み、23℃で1時間攪拌した後、更に、トリフルオロ酢酸9.36部を加えて、23℃で3時間攪拌した後、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、得られた濃縮物に、クロロホルム300部及びイオン交換水70部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、酢酸エチル60部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル100部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してすることにより、式(I−1)で表される塩6.03部を得た。
MS(ESI(−)Spectrum):M− 385.0
式(II−2)で表される塩を、特開2008−127367号公報に記載された方法で合成した。式(II−2)で表される塩20.00部、アセトニトリル80.00部、式(III−2)で表される化合物(商品名:カルボニルジイミダゾール 東京化成製)8.88部を仕込み、80℃で30分間攪拌した後、得られた反応物を23℃まで冷却し、ろ過して、式(IV−2)で表される塩を含有する溶液103.89部を得た。
式(IV−2)で表される塩を含有する溶液103.89部及び式(V−2)で表される化合物(商品名:6−ヒドロキシ−2−ビニルナフタレン 東ソー有機化学製)7.38部を仕込み、23℃で3時間攪拌した後、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、得られた濃縮物に、クロロホルム300部及びイオン交換水70部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、酢酸エチル60部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル100部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してすることにより、式(I−2)で表される塩4.25部を得た。
MS(ESI(−)Spectrum):M− 327.0
式(II−3)で表される塩20.00部、アセトニトリル80.00部、式(III−3)で表される化合物(商品名:カルボニルジイミダゾール 東京化成製)7.77部を仕込み、80℃で30分間攪拌した後、得られた反応物を23℃まで冷却し、ろ過して、式(IV−1)で表される塩を含有する溶液102.68部を得た。
式(IV−3)で表される塩を含有する溶液102.68部及び式(V−3)で表される化合物10.41部を仕込み、23℃で1時間攪拌した後、更に、トリフルオロ酢酸9.36部を加えて、23℃で3時間攪拌した後、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、得られた濃縮物に、クロロホルム300部及びイオン交換水70部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、酢酸エチル60部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル100部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してすることにより、式(I−3)で表される塩25.49部を得た。
MS(ESI(−)Spectrum):M− 385.0
式(II−4)で表される塩21.92部、アセトニトリル87.68部、式(III−1)で表される化合物(商品名:カルボニルジイミダゾール 東京化成製)7.77部を仕込み、80℃で30分間攪拌した後、得られた反応物を23℃まで冷却し、ろ過して、式(IV−1)で表される塩を含有する溶液115.36部を得た。
式(IV−4)で表される塩を含有する溶液115.36部及び式(V−4)で表される化合物10.41部を仕込み、23℃で1時間攪拌した後、更に、トリフルオロ酢酸9.36部を加えて、23℃で3時間攪拌した後、ろ過した。回収された濾液を濃縮し、得られた濃縮物に、クロロホルム300部及びイオン交換水70部を仕込み、30分間攪拌した後、分液した。この水洗操作を3回繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、酢酸エチル60部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル100部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してすることにより、式(I−4)で表される塩26.15部を得た。
MS(ESI(−)Spectrum):M− 385.0
式(A)で表される化合物15.00部、式(B)で表される化合物9.97部、式(C)で表される化合物3.35部及び式(I−1)で表される塩4.60部を、(モル比55:30:10:5の割合)仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、2質量倍のアセトニトリル65.85部を加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.80部を(全モノマーの合計モル数に対して12mol%の割合)添加し、これを6時間加熱還流した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製、ろ過し、共重合体を得た。
得られた共重合体と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のメチルイソブチルケトン98.78部と、全モノマーの合計質量に対して3質量%の割合でp−トルエンスルホン酸0.99部と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のイオン交換水98.78部を添加し、23℃で6時間攪拌した。その後、分液を行い、得られた有機層に、イオン交換水98.78部を添加し、水洗を行った。この水洗を4回行った。得られた有機層を濃縮し、残渣にn−ヘプタン428.04部を添加した。得られた混合物を、23℃で30分間攪拌した後、ろ過し、重量平均分子量が約3.7×103の共重合体23.82部を得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D1とする。
式(A)で表される化合物15.00部、式(B)で表される化合物9.97部、式(C)で表される化合物3.35部及び式(I−2)で表される塩4.19部を、(モル比55:30:10:5の割合)仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、2質量倍のアセトニトリル65.03部を加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.80部を(全モノマーの合計モル数に対して12mol%の割合)添加し、これを6時間加熱還流した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製、ろ過し、共重合体を得た。
得られた共重合体と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のメチルイソブチルケトン97.54部と、全モノマーの合計質量に対して3質量%の割合でp−トルエンスルホン酸0.98部と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のイオン交換水97.54部を添加し、23℃で6時間攪拌した。その後、分液を行い、得られた有機層に、イオン交換水97.54部を添加し、水洗を行った。この水洗を4回行った。得られた有機層を濃縮し、残渣にn−ヘプタン422.69部を添加した。得られた混合物を、23℃で30分間攪拌した後、ろ過し、重量平均分子量が約3.9×103の共重合体20.14部を得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D2とする。
式(A)で表される化合物15.00部、式(B)で表される化合物9.97部、式(C)で表される化合物3.35部及び式(I−3)で表される塩4.60部を、(モル比55:30:10:5の割合)仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、2質量倍のアセトニトリル65.85部を加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.80部を(全モノマーの合計モル数に対して12mol%の割合)添加し、これを6時間加熱還流した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製、ろ過し、共重合体を得た。
得られた共重合体と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のメチルイソブチルケトン98.78部と、全モノマーの合計質量に対して3質量%の割合でp−トルエンスルホン酸0.99部と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のイオン交換水98.78部を添加し、23℃で6時間攪拌した。その後、分液を行い、得られた有機層に、イオン交換水98.78部を添加し、水洗を行った。この水洗を4回行った。得られた有機層を濃縮し、残渣にn−ヘプタン430部を添加した。得られた混合物を、23℃で30分間攪拌した後、ろ過し、重量平均分子量が約3.9×103の共重合体24.12部を得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D3とする。
式(A)で表される化合物15.00部、式(B)で表される化合物9.97部、式(C)で表される化合物3.35部及び式(I−4)で表される塩4.90部を、(モル比55:30:10:5の割合)仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、2質量倍のアセトニトリル66.44部を加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.80部を(全モノマーの合計モル数に対して12mol%の割合)添加し、これを6時間加熱還流した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製、ろ過し、共重合体を得た。
得られた共重合体と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のメチルイソブチルケトン99.66部と、全モノマーの合計質量に対して3質量%の割合でp−トルエンスルホン酸1.00部と、全モノマーの合計質量に対して3質量倍のイオン交換水99.66部を添加し、23℃で6時間攪拌した。その後、分液を行い、得られた有機層に、イオン交換水99.66部を添加し、水洗を行った。この水洗を4回行った。得られた有機層を濃縮し、残渣にn−ヘプタン450部を添加した。得られた混合物を、23℃で30分間攪拌した後、ろ過し、重量平均分子量が約3.8×103の共重合体25.22部を得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D4とする。
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル39.7g(0.16モル)とp−アセトキシスチレン103.8g(0.64モル)とをイソプロパノール265gに溶解して、溶液を窒素雰囲気下で75℃まで昇温した。溶液に、ラジカル開始剤としてジメチル2,2−アゾビス(2−メチルプロピオネート)11.05g(0.048モル)をイソプロパノール22.11gに溶解した液を滴下した。得られた反応液を12時間過熱還流した。冷却後反応液を大量のメタノールに注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたメタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−アセトキシスチレンの共重合体は250g(メタノール含有)であった。
得られた共重合体250gと4−ジメチルアミノピリジン10.3g(0.084モル)とをメタノール202gに加えて20時間加熱還流した。冷却後、反応液を氷酢酸7.6g(0.126モル)で中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製、ろ過した。得られたメタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−ヒドロキシスチレンの共重合体は95.9gであった。重量平均分子量は約8.6×103(GPCポリスチレン換算)であり、共重合比は約20:80であった。この樹脂を樹脂A1とする。
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル及びp−アセトキシスチレンの使用量を59.6g(0.24モル)及び90.8g(0.56モル)に変更したこと以外は、樹脂B1の合成と同様の操作を行って、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチルとp−ヒドロキシスチレンとの共重合体102.8gを得た。重量平均分子量は約8.2×103(GPCポリスチレン換算)であり、共重合比は約30:70であった。この樹脂を樹脂A2とする。
I−1:式(I−1)で表される塩
I−2:式(I−2)で表される塩
B1:
B2:トリフェニルスルホニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホネート
B3:ビス(シクロヘキシルスルホニウム)ジアゾメタン
<重合体>
D1:重合体D1
D2:重合体D2
D3:重合体D3
D4:重合体D4
<樹脂>
A1:樹脂A1
A2:樹脂A2
<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン
C2:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 400.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 100.0部
γ−ブチロラクトン 5.0部
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.06μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表2の「PB」欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機〔(株)日立製作所製の「HL−800D 50keV」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表2の「PEB」欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表2に示した。
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.05μmとなるようにスピンコートした。
レジスト液塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表3の「PB」欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表3の「PEB」欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表3に示した。
Claims (9)
- 式(I)で表される塩。
[式(I)中、
R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
R3は、水素原子又はメチル基を表す。
X1は、式(X 1 −1)、式(X 1 −5)又は式(X 1 −6)で表される基を示す。]
[式(X 1 −1)、式(X 1 −5)、式(X 1 −6)中、
X 11 は、単結合又は炭素数1〜15の飽和炭化水素基を表す。
X 17 は、炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。
X 18 及びX 19 は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の飽和炭化水素基を表す。
X2は、炭素数10〜14の2価の芳香族炭化水素基を表す。
X3は、単結合、*1−CO−O−*2又は*1−CO−O−(CH2)k−CO−O−*2を表す。
*1は−C(R3)=CH2との結合手を表す。*2はX2との結合手を表す。
kは1〜6の整数を表す。
Z1 +は、有機対イオンを表す。] - 式(I)で表される塩。
[式(I)中、
R 1 及びR 2 は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
R 3 は、水素原子又はメチル基を表す。
X 1 は、*1−CO−O−*2(*1は−C(R 1 )(R 2 )−との結合手を表し、*2はX 2 との結合手を表す。)を示す。
X 2 は、炭素数10〜14の2価の芳香族炭化水素基を表す。
X 3 は、単結合、*1−CO−O−*2又は*1−CO−O−(CH 2 )k−CO−O−*2を表す。
*1は−C(R 3 )=CH 2 との結合手を表す。*2はX 2 との結合手を表す。
kは1〜6の整数を表す。
Z 1 + は、有機対イオンを表す。] - Z1 +が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項1又は2記載の塩。
- 請求項1〜3のいずれか記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。
- 請求項1〜3のいずれか記載の塩に由来する構造単位を有する重合体。
- 請求項4記載の酸発生剤と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。
- 請求項5記載の重合体を含むレジスト組成物。
- さらに塩基性化合物を含む請求項6又は7記載のレジスト組成物。
- (1)請求項6〜8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011038145A JP5810550B2 (ja) | 2010-03-24 | 2011-02-24 | 塩及びレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010067441 | 2010-03-24 | ||
JP2010067441 | 2010-03-24 | ||
JP2011038145A JP5810550B2 (ja) | 2010-03-24 | 2011-02-24 | 塩及びレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011219459A JP2011219459A (ja) | 2011-11-04 |
JP5810550B2 true JP5810550B2 (ja) | 2015-11-11 |
Family
ID=45036888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011038145A Active JP5810550B2 (ja) | 2010-03-24 | 2011-02-24 | 塩及びレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5810550B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6307290B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2018-04-04 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5201363B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI400226B (zh) * | 2008-10-17 | 2013-07-01 | Shinetsu Chemical Co | 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法 |
JP2011118310A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Fujifilm Corp | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5719612B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2015-05-20 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5216032B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-06-19 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5415982B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法 |
JP5548473B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2014-07-16 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂の製造方法、この方法により得られる樹脂、この樹脂を含んだ組成物、並びに、この組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法 |
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---|---|
JP2011219459A (ja) | 2011-11-04 |
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