JP5810534B2 - Mim型トンネルダイオードの製造方法 - Google Patents
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ニッケルからなる第1の金属層と、厚さ1〜10nmの酸化ニッケルからなる絶縁層と、第2の金属層とがこの順に絶縁性基板上に積層されたMIM型のトンネルダイオードを製造する方法であって、
前記第1の金属層をプラズマ酸化法で酸化することにより前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含み、
該絶縁層形成工程では、前記第1の金属層をプラズマ酸化法で酸化するにあたり、平行平板型プラズマ発生装置を使用し、該平行平板型プラズマ発生装置の酸素圧力p(Pa)、自己バイアス電圧VDC(V)及び処理時間t(分)が次の条件を満たすようにするものである。
6.8≦p≦12.0,290≦VDC≦400,3≦t≦6
アルミニウムからなる第1の金属層と、厚さ1〜10nmの酸化アルミニウムからなる絶縁層と、第2の金属層とがこの順に絶縁性基板上に積層されたMIM型のトンネルダイオードを製造する方法であって、
前記第1の金属層をプラズマ酸化法で酸化することにより前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含み、
該絶縁層形成工程では、前記第1の金属層をプラズマ酸化法で酸化するにあたり、平行平板型プラズマ発生装置を使用し、該平行平板型プラズマ発生装置の酸素圧力p(Pa)、自己バイアス電圧VDC(V)及び処理時間t(分)が次の条件を満たすようにするものである。
3.2≦p≦8.0,310≦VDC≦420,3≦t≦6
6.8≦p≦12.0,290≦VDC≦400,3≦t≦6
3.2≦p≦8.0,310≦VDC≦420,3≦t≦6
厚さ1mmの熱酸化膜(SiO2膜)付きSi基板上に厚さ150nmのニッケル層を真空蒸着法で形成した。この試料を平行平板プラズマ発生装置内に設置し,酸素ガスプラズマ中で酸化することにより、ニッケル層上に酸化ニッケル層を形成した。制御パラメータは投入電力P[W/cm2],酸素圧力p[Pa],処理時間t[min]である。各実施例、各比較例におけるこれら制御パラメータの数値は表1に示したとおりである。なお、クリプトン等の希ガスは使用ぜず、基板の加熱も行わなかった。プラズマが発生するとカソードとの間に自己バイアス電圧VDCが発生する。自己バイアス電圧VDCはプラズマの特性を知る重要なパラメータであると同時にプラズマ中で発生した酸素イオンがニッケル層に打ち込まれる深さを規定する。各実施例、各比較例の自己バイアス電圧VDCの数値も表1に示した。続いて、酸化ニッケル層上に直径1mmの穴の開いた金属マスクをかけ、ニッケルを蒸着することにより直径1mmの大きさのニッケル上部電極を形成した。このあと,ニッケル上部電極以外の一部分の酸化ニッケル層を剥離除去し、第1の金属層の表面の一部を露出させた。その結果、SiO2膜付きSi基板上に、ニッケル層(第1の金属層)、酸化ニッケル層(絶縁層)、ニッケル上部電極(第2の金属層)がこの順に積層されたMIM型トンネルダイオードを得た。
厚さ1mmの熱酸化膜(SiO2膜)付きSi基板上に厚さ150nmのアルミニウム層を真空蒸着法で形成した。この試料を平行平板プラズマ発生装置内に設置し,酸素ガスプラズマ中で酸化することにより、アルミニウム層上に酸化アルミニウム層を形成した。制御パラメータは投入電力P[W/cm2],酸素圧力p[Pa],処理時間t[min]である。各実施例、各比較例におけるこれら制御パラメータの数値は表2に示したとおりである。なお、クリプトン等の希ガスは使用ぜず、基板の加熱も行わなかった。プラズマが発生するとカソードとの間に自己バイアス電圧VDCが発生する。自己バイアス電圧VDCはプラズマの特性を知る重要なパラメータであると同時にプラズマ中で発生した酸素イオンがアルミニウム層に打ち込まれる深さを規定する。各実施例、各比較例の自己バイアス電圧VDCの数値も表2に示した。続いて、酸化アルミニウム層上に直径1mmの穴の開いた金属マスクをかけ、アルミニウムを蒸着することにより直径1mmの大きさのアルミニウム上部電極を形成した。このあと,アルミニウム上部電極以外の一部分の酸化アルミニウム層を剥離除去し、第1の金属層の表面の一部を露出させた。その結果、SiO2膜付きSi基板上に、アルミニウム層(第1の金属層)、酸化アルミニウム層(絶縁層)、アルミニウム上部電極(第2の金属層)がこの順に積層されたMIM型トンネルダイオードを得た。
Claims (2)
- ニッケルからなる第1の金属層と、厚さ1〜10nmの酸化ニッケルからなる絶縁層と、第2の金属層とがこの順に絶縁性基板上に積層されたMIM型のトンネルダイオードを製造する方法であって、
前記第1の金属層をプラズマ酸化法で酸化することにより前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含み、
該絶縁層形成工程では、前記第1の金属層をプラズマ酸化法で酸化するにあたり、平行平板型プラズマ発生装置を使用し、該平行平板型プラズマ発生装置の酸素圧力p(Pa)、自己バイアス電圧VDC(V)及び処理時間t(分)が次の条件を満たすようにする、トンネルダイオードの製造方法。
6.8≦p≦12.0,290≦VDC≦400,3≦t≦6 - 前記絶縁層形成工程では、前記平行平板型プラズマ発生装置の極板単位面積あたりの投入電力P(W/cm2)が0.122≦P≦0.204を満たすようにする、請求項1に記載のトンネルダイオードの製造方法。
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JP2011009850A JP5810534B2 (ja) | 2011-01-20 | 2011-01-20 | Mim型トンネルダイオードの製造方法 |
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JP2012151346A JP2012151346A (ja) | 2012-08-09 |
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