JP5802447B2 - 基板の半導体層にドープ領域を形成する方法および該方法の使用 - Google Patents
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Description
関する本開示は、添付の図面と関連させて解釈される場合、次の詳細な説明を参照して理解されるであろう。
Claims (15)
- ドーピング元素ペーストのペースト層を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、
高純度ドーピング元素層を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 - ドーピング元素層は、ペースト層と半導体層との間に挟持されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- ドーピング元素層は、ペースト層および半導体層と直接接触することを特徴とする請求項1または2記載の方法。
- 半導体層は、シリコン層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 半導体層は、ドープ層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 半導体層は、n型層であることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 半導体層は、p型層であることを特徴とする請求項5記載の方法。
- ドーピング元素は、アルミニウムであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 高純度ドーピング元素層は、物理的気相成長法を使用して、または化学的気相成長法を使用して半導体層に付与することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 10mg/cm2未満の量のペーストを基板にスクリーン印刷することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 焼成は、半導体層、高純度ドーピング元素層、およびペースト層を含む基板を、870℃〜1000℃の温度まで加熱することを含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 高純度ドーピング元素層の厚さは、3マイクロメートル未満であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- ドーピング元素層の純度は、少なくとも99.9%であることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法により基板の半導体層にドープ領域を形成するステップを含むことを特徴とする、pn接合を製造する方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法により基板の半導体層にドープ領域を形成するステップを含むことを特徴とする、光電池の裏面電界領域を製造する方法。
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