CN109935638A - 一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法 - Google Patents

一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109935638A
CN109935638A CN201910053212.9A CN201910053212A CN109935638A CN 109935638 A CN109935638 A CN 109935638A CN 201910053212 A CN201910053212 A CN 201910053212A CN 109935638 A CN109935638 A CN 109935638A
Authority
CN
China
Prior art keywords
battery
film
region
ibc
passivating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910053212.9A
Other languages
English (en)
Inventor
邱江南
付少剑
白玉磐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Zhanyu New Energy Co Ltd
Original Assignee
Jiangxi Zhanyu New Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Zhanyu New Energy Co Ltd filed Critical Jiangxi Zhanyu New Energy Co Ltd
Priority to CN201910053212.9A priority Critical patent/CN109935638A/zh
Publication of CN109935638A publication Critical patent/CN109935638A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种IBC电池钝化膜，所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。IBC电池背面结结构为n/p呈指指状交叉排列，在提供钝化时，受较大反型层的限制，使其对钝化材料具有选择性，本发明提供的钝化膜层具有较少的电荷量，使钝化膜对n/p掺杂层不再具有选择性，本发明提供的钝化膜的结构和性质特别适宜针对n/p呈指状交叉排列的IBC电池背面的钝化；充分发挥了背面钝化膜的钝化能力，使得电池背面钝化性能大幅增加，暗饱和电流密度J0相对减少，据此可获得高Uoc的高性能电池，电池转化效率可获得0.3％～0.7％的提升。

Description

一种IBC电池钝化膜以及一种IBC电池及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种IBC电池钝化膜以及一种IBC电池及其制备方法。
背景技术
IBC电池即为背结背接触式电池，其电池结构特点为正面沉积钝化和减反射膜，无栅线结构，用于大面积聚光；背部分别进行P、B局部扩散，形成指状交叉排列的P区和N区。IBC电池因其背部电池结构特征使其背表面钝化变得相对困难，需要同时考虑P+区域和N+区域的钝化效果，并且需要钝化层互相兼容。IBC电池因背面P型区域和N型区域呈叉指状间隔排列，在提供场钝化时，不可避免地会引入反型层的产生，进而导致寄生分流(漏电偏大)和低注入水平(△<1015cm-3)情况下器件效率衰减
目前大多采用如下两种解决方案：
一、使用电荷量相对较低、H含量相对较低的膜层进行钝化，尽量减小反型层的强度，相对妥协钝化效果。IBC电池背部钝化膜需要同时钝化P型区域和N型区域，在提供场钝化时，只能选其一，在另一区域形成反型层，这导致需要钝化层的电荷量相对不能过高，从而较小反型层的轻度，用以减少寄生分流现象，导致的结果为钝化效果相对减弱，不可避免地还是会引入反型层，只是其强度相对减弱。
二、在P型区域和N型区域分别使用含负电荷和正电荷的钝化膜进行钝化，规避反型层的产生，该工艺流程可取得极佳的钝化效果，但工艺流程及控制过于复杂，成本过高。针对IBC电池背部P区和N区进行分区使用带有不同电荷性的钝化膜进行钝化，其过程需要重复使用掩膜光刻技术，其工艺流程及控制过于复杂，成本过高，难以实现规模化生产。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种IBC电池钝化膜以及一种IBC电池及其制备方法，本发明提供的钝化膜层具有较少的电荷量，使钝化膜对n/p掺杂层不再具有选择性，使得电池背面钝化性能大幅增加，暗饱和电流密度J0相对减少，据此可获得高Uoc的高性能电池，电池转化效率可获得0.3％左右的提升。
本发明提供了一种IBC电池钝化膜，所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。
优选的，所述IBC电池钝化膜选自单层钝化膜、叠层钝化膜或经过电晕处理的钝化膜，所述单层钝化膜选自MoOx或SiOxNy，所述叠层钝化膜选自SiOx/AlOx/SiNx叠层膜，MoOx中，x＝2～3；SiOxNy中，x＝2～3，y＝3～4；SiOx中，x＝2～3；AlOx中，x＝1～2；SiNx中，x＝2～3；所述经过电晕处理的钝化膜为钝化膜前体经过电晕处理得到，。
优选的，所述单层钝化膜的厚度为60～100nm。
优选的，所述叠层钝化膜中SiOx层的厚度为2～5nm，AlOx层的厚度为2～3nm，SiNx层的厚度为80～120nm。
优选的，所述钝化膜前体选自SiOx层、AlOx层、SiNx层和SiOxNy层中的一种或多种叠加而成。
本发明还提供了一种IBC电池，包括：
N型单晶硅衬底；
依次叠加复合于所述N型单晶硅衬底正面的具有织构化结构的减反射膜和N+区域；
在所述N型单晶硅衬底的背面形成的P+区域和N+区域交错间隔的发射区；
复合于所述发射区的钝化膜，所述钝化膜选自上述IBC电池钝化膜。
优选的，所述减反射膜选自SiNx。
本发明还提供了一种上述IBC电池的制备方法，包括以下步骤：
A)将N型单晶硅衬底正面进行织构化处理；
B)在N型单晶硅衬底的双面沉积扩散掩膜层；
C)去除N型单晶硅衬底背面、与P+区域对应的扩散掩膜层，然后进行掺B高温扩散，形成P+区域；
D)在步骤C)形成的P+区域表面沉积掩膜层，然后去除N型单晶硅衬底正面以及背面、与N+区域对应的扩散掩膜层，进行掺P高温扩散，形成N+区域；
E)去除步骤D)中，在P+区域表面沉积的掩膜层，然后依次在电池的背面沉积钝化膜以及在电池正面沉积减反射膜，得到电池前体；
所述沉积钝化膜的方法包括：
E1)在所述电池前体的背面沉积单层钝化膜；
或者，
E2)在所述电池前体的背面沉积叠层钝化膜；
或者，
E3)在所述电池前体的背面沉积钝化膜前体后进行电晕处理；
F)制作电池电极，得到IBC电池。
优选的，所述制作电极的方法包括蒸镀或丝网印刷结合烧结。
优选的，所述电晕的电压为5～10KV，输出频率为15～25KHz，功率为1～20Kw。
与现有技术相比，本发明提供了一种IBC电池钝化膜，所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。IBC电池背面结结构为n/p呈指指状交叉排列，在提供钝化时，受较大反型层的限制，使其对钝化材料具有选择性，本发明提供的钝化膜层具有较少的电荷量，使钝化膜对n/p掺杂层不再具有选择性，本发明提供的钝化膜的结构和性质特别适宜针对n/p呈指状交叉排列的IBC电池背面的钝化；充分发挥了背面钝化膜的钝化能力，使得电池背面钝化性能大幅增加，暗饱和电流密度J0相对减少，据此可获得高Uoc的高性能电池，电池转化效率可获得0.3％～0.7％的提升。
附图说明
图1为本发明提供的具有单层钝化膜的IBC电池的结构示意图；
图2为本发明提供的具有叠层钝化膜的IBC电池的结构示意图；
图3为本发明提供的具有经过电晕处理的钝化膜的IBC电池的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种IBC电池钝化膜，所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。
所述IBC电池钝化膜选自单层钝化膜、叠层钝化膜或经过电晕处理的钝化膜。
在本发明的一些具体实施方式中，所述IBC电池钝化膜选自单层钝化膜。所述单层钝化膜选自MoOx或SiOxNy，其中，MoOx中，x＝2～3；SiOxNy中，x＝2～3，y＝3～4。所述单层钝化膜的厚度为60～100nm，优选为70～90nm，进一步优选为75～85nm。
在本发明的一些具体实施方式中，所述单层钝化膜中MoOx的厚度100nm。
在本发明的一些具体实施方式中，所述IBC电池钝化膜选自叠层钝化膜。所述叠层钝化膜选自SiOx/AlOx/SiNx叠层膜，其中，SiOx中，x＝2～3；AlOx中，x＝1～2；SiNx中，x＝2～3。
所述叠层钝化膜中SiOx层的厚度为2～5nm，优选为3～4nm，AlOx层的厚度为2～3nm，SiNx层的厚度为80～120nm，优选为90～110nm，进一步优选为95～105nm。
在本发明的一些具体实施方式中，所述叠层钝化膜中SiOx层的厚度为2nm，AlOx层的厚度为3nm，SiNx层的厚度为90nm。
叠层钝化膜的各层的设置原则为：通过调整叠层膜中各层的厚度从而使总带电荷量Qf<500C/cm3。SiOx和SiNx带正电，AlOx带负电，一般AlOx负电荷量高于SiOx和SiNx，可通过增加SiOx的厚度减少叠层膜的总电荷量，具体为SiOx沉积2～5nm，AlOx沉积2～3nm；(AlOx带负电荷密度远高于SiOx、SiNx带正电荷密度，故形成叠层膜时，需控制AlOx足够薄方可保证整体叠膜电荷量<500C/cm3)
在本发明的一些具体实施方式中，所述IBC电池钝化膜选自经过电晕处理的钝化膜。其中，所述经过电晕处理的钝化膜为钝化膜前体经过电晕处理得到，所述钝化膜前体选自SiOx层、AlOx层、SiNx层和SiOxNy层中的一种或多种叠加而成。
仅通过叠层方式实现钝化膜电荷量较小是通过各膜层厚度分布来控制的，对于厚度要求较高，若用电晕方式对厚度分布要求则大幅降低，膜层选择可单层钝化膜也可以为叠层钝化膜。
所述电晕的电压为5～10KV，优选为6～9KV，进一步优选为7～8KV，输出频率为15～25KHz，优选为18～22KHz，进一步优选为19～21KHz，功率为1～20Kw，优选为5～15Kw，进一步优选为7～12Kw。
本发明还提供了一种IBC电池，包括：
N型单晶硅衬底；
依次叠加复合于所述N型单晶硅衬底正面的具有织构化结构的N+区域和减反射膜；
在所述N型单晶硅衬底的背面形成的P+区域和N+区域交错间隔的发射区；
复合于所述发射区的钝化膜，所述钝化膜选自权利要求1～6任意一项所述的IBC电池钝化膜。
本发明提供的IBC电池以N型单晶硅为衬底。
所述IBC电池还包括依次叠加复合于所述N型单晶硅衬底正面的具有织构化结构的N+区域和减反射膜。本发明对所述减反射膜的种类并没有特殊限制，本领域技术人员公知的减反射膜即可。在本发明的一些具体实施方式中，所述减反射膜选自SiNx。
所述IBC电池还包括在所述N型单晶硅衬底的背面形成的P+区域和N+区域交错间隔的发射区。本发明对所述P+区域和N+区域交错间隔的方式并没有特殊限制，本领域技术人员公知的P+区域和N+区域的设置方式即可。
所述IBC电池还包括复合于所述发射区的钝化膜，所述钝化膜选自上述IBC电池钝化膜。
在本发明的一些具体实施方式中，所述IBC电池的结构参见图1，图1为本发明提供的具有单层钝化膜的IBC电池的结构示意图。
在本发明的一些具体实施方式中，所述IBC电池的结构参见图2，图2为本发明提供的具有叠层钝化膜的IBC电池的结构示意图。
在本发明的一些具体实施方式中，所述IBC电池的结构参见图3，图3为本发明提供的具有经过电晕处理的钝化膜的IBC电池的结构示意图。
本发明还提供了一种IBC电池的制备方法，包括以下步骤：
A)将N型单晶硅衬底正面进行织构化处理；
B)在N型单晶硅衬底的双面沉积扩散掩膜层；
C)去除N型单晶硅衬底背面、与P+区域对应的扩散掩膜层，然后进行掺B高温扩散，形成P+区域；
D)在步骤C)形成的P+区域表面沉积掩膜层，然后去除N型单晶硅衬底正面以及背面、与N+区域对应的扩散掩膜层，进行掺P高温扩散，形成N+区域；
E)去除步骤D)中，在P+区域表面沉积的掩膜层，然后依次在电池的背面沉积钝化膜以及在电池正面沉积减反射膜，得到电池前体；
所述沉积钝化膜的方法包括：
E1)在所述电池前体的背面沉积单层钝化膜；
或者，
E2)在所述电池前体的背面沉积叠层钝化膜；
或者，
E3)在所述电池前体的背面沉积钝化膜前体后进行电晕处理；
F)制作电池电极，得到IBC电池。
在本发明中，步骤A)～步骤D)为本领域技术人员公知的方法，本发明对上述步骤没有特殊限制。
完成步骤D)后，在P+区域表面沉积的掩膜层，然后依次在电池的背面沉积钝化膜以及在电池正面沉积减反射膜，得到电池前体。
其中，本发明对在P+区域表面沉积的掩膜层以及在电池正面沉积减反射膜的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的方法即可。
在本发明中，所述沉积钝化膜的方法包括：
E1)在所述电池前体的背面沉积单层钝化膜。本发明对所述沉积的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的钝化膜沉积的方法即可。在本发明的一些具体实施方式中，所述沉积方法选自ALD或PECVD法即可。
或者，
E2)在所述电池前体的背面沉积叠层钝化膜。本发明对所述沉积的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的钝化膜沉积的方法即可。在本发明的一些具体实施方式中，所述沉积方法选自ALD或PECVD法即可。
或者，
E3)在所述电池前体的背面沉积钝化膜前体后进行电晕处理。本发明对所述沉积的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的钝化膜沉积的方法即可。在本发明的一些具体实施方式中，所述沉积方法选自ALD或PECVD法即可。所述电晕处理中，所述电晕的电压为5～10KV，优选为6～9KV，进一步优选为7～8KV，输出频率为15～25KHz，优选为18～22KHz，进一步优选为19～21KHz，功率为1～20Kw，优选为5～15Kw，进一步优选为7～12Kw。
在电池正面沉积减反射膜后，制作电池电极，得到IBC电池。
其中，本发明对所述制作电池电极的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的制作电池电极的方法即可。在本发明中，优选采用蒸镀或丝网印刷结合烧结。
所述蒸镀为P+和N+区域蒸镀形成电极。
所述丝网印刷结合烧结的方法为：
分区丝网印刷并烧结，所述烧结的具体方法为温度先到350～400℃，使浆料中的有机相挥发，再将温度升高至800～900℃浆料和基体硅之间形成Ag-Si合金进而形成欧姆接触。
在本发明的一些具体实施方式中，所述在电池正面沉积减反射膜后，分区丝网印刷之前，还包括退火的步骤：
所述退火的温度为400～500℃，退火的时间为5～10min，退火气氛为5slm的N2气氛。
本发明提供的钝化膜为富氢膜层，通过叠层膜或者退火处理方式激活钝化膜中的氢原子实现进一步钝化。
本发明提供的IBC电池背面钝化膜带电荷量Qf<500C/cm3，基本实现钝化膜的零电荷量，使其对IBC电池背部掺杂层的钝化不再具有选择性。另外，将钝化膜退火及电荷量控制的组合处理方式，较大提高了IBC电池背部的钝化质量，使其电学损失减少，效率得以提升。
IBC电池背面结结构为n/p呈指指状交叉排列，在提供钝化时，受较大反型层的限制，使其对钝化材料具有选择性，本发明提供的钝化膜层具有较少的电荷量，使钝化膜对n/p掺杂层不再具有选择性，本发明提供的钝化膜的结构和性质特别适宜针对n/p呈指状交叉排列的IBC电池背面的钝化；充分发挥了背面钝化膜的钝化能力，使得电池背面钝化性能大幅增加，暗饱和电流密度J0相对减少，据此可获得高Uoc的高性能电池，电池转化效率可获得0.3％～0.7％的提升。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的IBC电池钝化膜以及IBC电池及其制备方法进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1：
将N型原硅片利用碱进行制绒织构化处理，具体地，去重控制在0.52g，反射率控制在10.65％；双面沉积SiO2制作扩散掩膜层，具体地掩膜层厚度2nm，光刻法去除背面P+定义区域的SiO2掩膜层，去除掩膜层的区域进行P型改性掺杂，方阻控制在75Ohm，再次沉积SiO2制作掩膜保护已经制作完成的P型区域，厚度控制2nm，光刻法去除定义好的N型区域的掩膜，对N型区域进行N型的改性掺杂，方阻控制100Ohm，在电池背部利用ALD沉积带少量电荷的钝化膜MoOx，其厚度控制在100nm，其背面钝化膜总带电量为135C/cm3，正面沉积SiNx减反射膜并进行退火处理(N2氛围，420℃处理10min)，最后进行分区丝网印刷，并烧结(烧结的具体方法为温度先到380℃左右，使浆料中的有机相挥发，再将温度升高至845℃浆料和基体硅之间形成Ag-Si合金进而形成欧姆接触)。通过以上工艺方法制作的IBC电池较常规IBC电池Uoc的到提升，获得了更高效率的IBC电池，如表1：
实施例2：
将N型原硅片利用碱进行制绒织构化处理，具体地，去重控制在0.55g，反射率控制在10.95％；双面沉积SiO2制作扩散掩膜层，具体地掩膜层厚度2nm，光刻法去除背面P+定义区域和N+定义区域的SiO2掩膜层，P+区域印刷含硼的浆料，N+区域印刷含磷的浆料，高温退火处理(N2氛围下800℃持续12min)，背面沉积叠层膜，具体为SiOx/AlOx/SiNx叠层膜沉积，利用PECVD工艺方法实现，特别地，其中SiOx控制在2nm，AlOx控制在3nm，SiNx控制在90nm，其背面钝化膜总带电量为180C/cm3，电池正面沉积SiNx减反膜，厚度为82nm，最后利用分区丝网印刷并烧结(烧结的具体方法为温度先到380℃左右，使浆料中的有机相挥发，再将温度升高至845℃浆料和基体硅之间形成Ag-Si合金进而形成欧姆接触)制作电极。制成具有优质钝化膜结构的IBC电池，其电性能方面表现优异，如表1：
实施例3：
将N型原硅片利用碱进行制绒织构化处理，具体地，去重控制在0.48g，反射率控制在10.9％；双面沉积SiO2制作扩散掩膜层，具体地掩膜层厚度2nm，光刻法去除背面P+定义区域的SiO2掩膜层，去除掩膜层的区域进行P型改性掺杂，方阻控制在73Ohm，再次沉积SiO2制作掩膜保护已经制作完成的P型区域，厚度控制2nm，光刻法去除定义好的N型区域的掩膜，对N型区域进行N型的改性掺杂，方阻控制95Ohm，电池背面使用PECVD方法沉积AlOx/SiNx(AlOx：20nm，SiNx90nm)，其中整体的背面叠层膜带高密度的负电荷，再利用电晕处理背面叠层钝化膜调整其带电性(电压：5KV，输出频率：20KHz，功率：5Kw)使其背面钝化膜总带电量为90C/cm3，再在电池正面沉积SiNx减反膜(80nm)，最后P+和N+区域蒸镀形成电极，制成具有优质背面钝化结构的IBC电池，较常规IBC电池具有较大优势，如表1：
对比例1
将N型原硅片利用碱进行制绒织构化处理，具体地，去重控制在0.52g，反射率控制在10.65％；双面沉积SiO2制作扩散掩膜层，具体地掩膜层厚度2nm，光刻法去除背面P+定义区域的SiO2掩膜层，去除掩膜层的区域进行P型改性掺杂，方阻控制在75Ohm，再次沉积SiO2制作掩膜保护已经制作完成的P型区域，厚度控制2nm，光刻法去除定义好的N型区域的掩膜，对N型区域进行N型的改性掺杂，方阻控制100Ohm，背面沉积叠层膜，具体为AlOx/SiNx叠层膜沉积，利用PECVD工艺方法实现，特别地，AlOx控制在20nm，SiNx控制在100nm，正面沉积SiNx减反射膜并进行退火处理(N2氛围，420℃处理10min)，最后进行分区丝网印刷，并烧结(烧结的具体方法为温度先到380℃左右，使浆料中的有机相挥发，再将温度升高至845℃浆料和基体硅之间形成Ag-Si合金进而形成欧姆接触)。通过以上工艺方法制作的IBC电池的性能如表1：
对比例2
将N型原硅片利用碱进行制绒织构化处理，具体地，去重控制在0.55g，反射率控制在10.95％；双面沉积SiO2制作扩散掩膜层，具体地掩膜层厚度2nm，光刻法去除背面P+定义区域和N+定义区域的SiO2掩膜层，P+区域印刷含硼的浆料，N+区域印刷含磷的浆料，高温退火处理(N2氛围下800℃持续12min)，背面沉积叠层膜，具体为AlOx/SiNx叠层膜沉积，利用PECVD工艺方法实现，特别地，AlOx控制在20nm，SiNx控制在100nm，电池正面沉积SiNx减反膜，厚度为82nm，最后利用分区丝网印刷并烧结(烧结的具体方法为温度先到380℃左右，使浆料中的有机相挥发，再将温度升高至845℃浆料和基体硅之间形成Ag-Si合金进而形成欧姆接触)制作电极。制成的IBC电池的性能如表1：
表1
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种IBC电池钝化膜，其特征在于，所述IBC电池钝化膜的电荷量Qf<500C/cm3。
2.根据权利要求1所述的电池钝化膜，其特征在于，所述IBC电池钝化膜选自单层钝化膜、叠层钝化膜或经过电晕处理的钝化膜，所述单层钝化膜选自MoOx或SiOxNy，所述叠层钝化膜选自SiOx/AlOx/SiNx叠层膜，MoOx中，x＝2～3；SiOxNy中，x＝2～3，y＝3～4；SiOx中，x＝2～3；AlOx中，x＝1～2；SiNx中，x＝2～3；所述经过电晕处理的钝化膜为钝化膜前体经过电晕处理得到。
3.根据权利要求2所述的电池钝化膜，其特征在于，所述单层钝化膜的厚度为60～100nm。
4.根据权利要求2所述的电池钝化膜，其特征在于，所述叠层钝化膜中SiOx层的厚度为2～5nm，AlOx层的厚度为2～3nm，SiNx层的厚度为80～120nm。
5.根据权利要求2所述的电池钝化膜，其特征在于，所述钝化膜前体选自SiOx层、AlOx层、SiNx层和SiOxNy层中的一种或多种叠加而成。
6.一种IBC电池，其特征在于，包括：
N型单晶硅衬底；
依次叠加复合于所述N型单晶硅衬底正面的具有织构化结构的减反射膜和N+区域；
在所述N型单晶硅衬底的背面形成的P+区域和N+区域交错间隔的发射区；
复合于所述发射区的钝化膜，所述钝化膜选自权利要求1～6任意一项所述的IBC电池钝化膜。
7.根据权利要求6所述的IBC电池，其特征在于，所述减反射膜选自SiNx。
8.一种如权利要求6所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)将N型单晶硅衬底正面进行织构化处理；
B)在N型单晶硅衬底的双面沉积扩散掩膜层；
C)去除N型单晶硅衬底背面、与P+区域对应的扩散掩膜层，然后进行掺B高温扩散，形成P+区域；
D)在步骤C)形成的P+区域表面沉积掩膜层，然后去除N型单晶硅衬底正面以及背面、与N+区域对应的扩散掩膜层，进行掺P高温扩散，形成N+区域；
E)去除步骤D)中，在P+区域表面沉积的掩膜层，然后依次在电池的背面沉积钝化膜以及在电池正面沉积减反射膜，得到电池前体；
所述沉积钝化膜的方法包括：
E1)在所述电池前体的背面沉积单层钝化膜；
或者，
E2)在所述电池前体的背面沉积叠层钝化膜；
或者，
E3)在所述电池前体的背面沉积钝化膜前体后进行电晕处理；
F)制作电池电极，得到IBC电池。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制作电极的方法包括蒸镀或丝网印刷结合烧结。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述电晕的电压为5～10KV，输出频率为15～25KHz，功率为1～20Kw。
CN201910053212.9A 2019-01-21 2019-01-21 一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法 Pending CN109935638A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910053212.9A CN109935638A (zh) 2019-01-21 2019-01-21 一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910053212.9A CN109935638A (zh) 2019-01-21 2019-01-21 一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109935638A true CN109935638A (zh) 2019-06-25

Family

ID=66985070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910053212.9A Pending CN109935638A (zh) 2019-01-21 2019-01-21 一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109935638A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100084009A1 (en) * 2007-03-16 2010-04-08 Bp Corporation North America Inc. Solar Cells
CN101882650A (zh) * 2010-06-29 2010-11-10 常州大学 带有电荷埋层的太阳电池的制备方法
CN102623565A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 光为绿色新能源股份有限公司 一种新型电池的制备方法
CN102986042A (zh) * 2010-06-18 2013-03-20 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 制造光伏太阳能电池的方法
CN103035770A (zh) * 2012-12-21 2013-04-10 常州天合光能有限公司 背钝化的ibc太阳能电池结构及其制备方法
CN205723556U (zh) * 2016-04-14 2016-11-23 中电投西安太阳能电力有限公司 一种n型ibc太阳能电池结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100084009A1 (en) * 2007-03-16 2010-04-08 Bp Corporation North America Inc. Solar Cells
CN102986042A (zh) * 2010-06-18 2013-03-20 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 制造光伏太阳能电池的方法
CN101882650A (zh) * 2010-06-29 2010-11-10 常州大学 带有电荷埋层的太阳电池的制备方法
CN102623565A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 光为绿色新能源股份有限公司 一种新型电池的制备方法
CN103035770A (zh) * 2012-12-21 2013-04-10 常州天合光能有限公司 背钝化的ibc太阳能电池结构及其制备方法
CN205723556U (zh) * 2016-04-14 2016-11-23 中电投西安太阳能电力有限公司 一种n型ibc太阳能电池结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KAI CARSTENS等: "Universal passivation for p++ and n++ areas on IBC solar cells", 《ENERGY PROCEDIA》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019119817A1 (zh) 一种太阳能异质结电池及其制备方法
US8293568B2 (en) Crystalline silicon PV cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process
AU2013359837B2 (en) Methods for electroless conductivity enhancement of solar cell metallization
EP2908340A1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
CN107887453A (zh) 一种双面氧化铝p型perc太阳能电池及制作方法
CN111628052B (zh) 一种钝化接触电池的制备方法
CN105900248A (zh) 电介质钝化的金属绝缘体光伏太阳能电池
CN114038921B (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN107342333A (zh) 一种hibc电池及其制备方法
CN111755552A (zh) 太阳能电池及其制作方法
CN114864729B (zh) 硅基异质结太阳电池及其制备方法
WO2015152816A1 (en) A hybrid all-back-contact solar cell and method of fabricating the same
CN103474506A (zh) 双面受光太阳电池制作方法
CN110233189A (zh) 一种背面局域重掺杂的太阳能电池及其制备方法
JP2015050277A (ja) 太陽電池およびその製造方法
TW201133888A (en) Solar cell and method for manufacturing of such a solar cell
CN114975669A (zh) 太阳电池及制备方法、发电装置
CN114883427A (zh) 一种晶硅异质结太阳电池结构及其制备方法
CN105470347A (zh) 一种perc电池的制作方法
CN106653923B (zh) 一种适合薄片化的n型pert双面电池结构及其制备方法
CN117096222A (zh) 正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法
CN113875025A (zh) 太阳能电池和太阳能电池的制造方法
CN109935638A (zh) 一种ibc电池钝化膜以及一种ibc电池及其制备方法
WO2022227442A1 (zh) 一种太阳能电池和硅薄膜的制备方法
CN111883597A (zh) Perc电池的复合钝化膜、制备方法及perc电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190625

RJ01 Rejection of invention patent application after publication