JP5801151B2 - 懸架式ボロメータマイクロプレートに基づく赤外線検出器 - Google Patents

Description

本発明は、赤外線ボロメータ検出の分野に関し、より詳細には、基板の上方に懸架されたマイクロプレートのアレイを使用するボロメータ検出の分野に関する。

赤外線検出、すなわち0.75μm〜1000μmの波長範囲内の検出は、特定の問題を伴う技術分野であることがよく知られている。実際には、すべての物体は、温度が0°Kを超過すると、ただちに赤外線スペクトル内で放出する。したがって、赤外線検出器が冷却されていない場合、敏感な要素(基板、コネクタ、および配線、パッケージ、光学系など)を取り囲む構成要素はかなりの赤外線放射を放出し、この赤外線放射が、検出しようとする場所から発生する放射に追加される。この望ましくない成分は、非常に多量となる可能性があり、300°Kの温度で検出素子によって生成される信号全体の99%を超えることもある。この望ましくない成分は、一般に、「熱雑音」または「同相雑音」と呼ばれる。

したがって、他のタイプの検出、特に可視スペクトル内の検出とは対照的に、この同相雑音を効果的に管理することが可能なアーキテクチャおよび動作原理を提供することが必要とされている。これを実現するために、最初の高感度赤外線検出器は、同相雑音を最小にするように、略百ケルビン、さらには数ケルビンの極度に低い温度に冷却された。

また、別個の2種類の赤外線検出器、すなわち「量子」検出器および「熱」検出器、特に熱ボロメータ検出器が存在する。これらの2つのタイプの検出によって使用される物理的な原理は根本的に異なり、それぞれ独自の問題を伴うこともよく知られている。

量子検出器の場合、半導体を使用して、赤外線スペクトル内の光子吸収効果により電子-正孔対を生成し、そのようにして作られた電荷キャリアは、通常PN型接合で組み合わされた電極を介して収集される。

対照的に、ボロメータ検出器の場合、入射する赤外線フラックスのパワーを熱に変換できるために選択された吸収性の材料が使用される。また、この材料、または第1の材料に接触する第2の材料を使用して、生成された熱を電気特性の変動、一般に電気抵抗の変動に変換する。次いで、この電気特性の変動が測定される。

1つの特定のボロメータ検出器アーキテクチャは、同相雑音を管理するように工夫されており、すなわち検出器は、支持および熱分離アームを用いていわゆる「読出し」基板の上方に懸架されたボロメータマイクロプレートのアレイを備える。

それ自体知られているように、このアーキテクチャは、ボロメータ素子を基板から熱的に分離するために特に提供されている。基板は、ボロメータ素子に極度に近接して位置するために、同相雑音の主要な原因である。これにより第1に、感度の点でかなりの進歩をもたらし、第2にこのアーキテクチャはまた、極度に低い温度に冷却することを不要にする。

そのようなアーキテクチャは、ボロメータマイクロプレートの感度に関する多数の研究の主題となってきた。具体的には、マイクロプレートの厚さが低減された場合、これらのマイクロプレートは、検出すべき放射の大部分を通過させる。マイクロプレートの感度を改善するには、通常、各マイクロプレートの下に、マイクロプレートに放射を2回通過させる金属反射板が提供される。さらに、マイクロプレートとそれに関連する金属反射板との間の距離も最適化されてきた。具体的には、これらの要素は、4分の1波長の空間を生成し、したがって共振を得るために、λ/4の空気または真空の間隙によって分離される。上式でλは、検出すべき波長である。

そのような構造は、たとえば文献：仏国特許発明第2752299号に記載されている。

懸架式のマイクロプレートに基づくアーキテクチャには多くの利点があり、特に極度に低い温度に冷却することなく使用できるが、ボロメータマイクロプレートの支持アームの存在により、現在の製作技法を使用して満足な曲線因子を実現することができない。

たとえば、略λ=10μmで吸収性のある12μmの辺寸法を有する正方形のマイクロプレートをもつ検出器を製造するには、各マイクロプレートについて少なくとも25μmの辺寸法を有する正方形の基板表面積を必要とする。したがって、検出専用のマイクロプレートのアレイの有効表面積は、アレイの総表面積の25%以下しかない。

仏国特許発明第2752299号

本発明の目的は、マイクロプレートの表面積とアレイの総表面積との比を修正することなく、この有効表面積を実質上増大させるアーキテクチャを提案することによって、懸架式マイクロプレートに基づくボロメータ検出器内の有効表面積の低減に関する前述の問題を解決することである。

これを実現するために、本発明の目的は、所定の赤外線波長範囲内の電磁放射を検出するボロメータアレイ検出器であって、
- 基板と、
- 支持アームによって基板の上方に懸架された、前記放射を検出するボロメータマイクロプレートのアレイと、
- 前記放射のうちマイクロプレートによって吸収されることなく前記マイクロプレートを通過した部分を反射するように、基板上かつマイクロプレートの下に形成された金属反射板と、を備えるボロメータアレイ検出器である。

本発明によれば、すべてのマイクロプレートについて、
- 反射板は、マイクロプレートに対向して配置された部分を含み、またマイクロプレートの下に配置されない部分として延び、
- 少なくとも反射板のうちマイクロプレートの下に配置されない部分は、前記放射のうち前記部分に入射する部分を、反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分に向かって伝搬する導波光に結合させることが可能な反復パターンをもつ表面テクスチャを有する。

言い換えれば、基板の表面積のうちマイクロプレートの下に配置されない部分は、表面プラズモン励起を使用することによってマイクロプレートの下で受け取った放射を誘導する反復パターンを備える。次いで、反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分は、放射のこの部分を実際のマイクロプレートに向かって反射し、またこれらのマイクロプレートを通過した放射も反射する。したがって、基板のうちマイクロプレートの下に配置されない部分は、検出のために使用され、これにより、マイクロプレートの寸法を増大させることなく有効検出表面積が増大される。

以下の説明では、この分野では通常受け入れられているように、「画素」という用語は、検出アレイに言及するとき、画像素子に関連する出力信号を生成するすべてのハードウェア要素、ならびにこれらの要素専用の表面を指す。

一実施形態では、特定の波長範囲に対する金属層を構成する金属の表皮の深さより少なくとも大きい金属の厚さにわたって、テクスチャが生成される。このようにすると、反射板は、放射に対して不透明なまま維持される。たとえば、金属層をエッチングすることによってテクスチャが生成される場合、エッチングは最後まで延びることなく、表皮の深さを超過する金属の厚さで止まる。

一実施形態では、テクスチャは、閉じた同心状の輪郭、特に同心状の円または正方形を画定するスリットを含む。このようにすると、テクスチャによる検出は、入射する放射の偏光の影響を受けにくい。

別法として、テクスチャは、テクスチャによる検出が単一の偏光の影響を受けやすいように、単一方向に反復する平行のスリットを含む。

本発明の一実施形態では、反射板は、少なくともマイクロプレートのアレイの表面積全体の下で基板を覆う金属層内に形成され、反射板は、金属層のうち反射板のテクスチャの周期性で切れ目を画定する領域を用いて個別化される。

そのような切れ目により、反射板を個別化し、隣接する画素間のいわゆるクロストーク、すなわちある画素が、普通なら隣接する画素によって検出されているべき放射を検出することを回避することが可能になる。これにより、良好な画素分離を実現する。

さらに、反射板を製作する方法は、基板上に1枚の無地の金属層のシートを堆積させ、続いてリソグラフィで単一のマスクを使用して個々の反射板を生成することによって簡単に実現できるため、簡単である。

一実施形態では、周期的テクスチャパターンの周期Pはλ/n以下であり、上式でλは、検出すべき波長範囲内の波長であり、nは、マイクロプレートを反射板から分離する媒体の屈折率である。このパターンの前記周期は、λ/(3×n)に実質上等しいことが好ましい。

一実施形態では、テクスチャの深さhは、λ/(5×n)以下であり、λ/(10×n)に実質上等しいことが好ましい。このようにして、テクスチャによる放射の吸収は低減される。具体的には、テクスチャがスリットからなる場合、そのような厚さは、放射がトラップされ、したがってスリット内に吸収されるのを防止する。

テクスチャの凹状部分は、テクスチャの総表面積の50%未満であることが有利である。具体的には、テクスチャは、0.05＜e/p＜0.5になるように選択された長さeを有する周期的スリットからなる。上式でPは、テクスチャパターンの周期である。これにより、導波モード励起を促進し、放射損失を低くする。

一実施形態では、マイクロプレートと関連する反射板との間の平均の高さLは、λ/(4×n)以下である。これにより、導波モードとマイクロプレートとの間のエバネッセント型の結合を使用することによって、テクスチャによって導波されるモードとマイクロプレートとの間の結合を促進する。

一実施形態では、反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分はテクスチャ化されず、これにより、反射板のうちマイクロプレートの下に位置する部分による放射の吸収を防止する。

本発明による3つのボロメータ画素×3つのボロメータ画素のアレイの概略上面図である。 線A-Aに沿って切り取った図1のアレイの概略横断面図である。 図1のアレイの画素の簡略化した概略横断面図である。 同心状の正方形の形で周辺の周期的パターンをもつ画素の概略図である。 同心状の円の形で周辺の周期的パターンをもつ画素の概略図である。 本発明による2つの検出器および従来技術による検出器の吸収曲線を示すグラフである。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。 本発明による検出器の一実施形態を示す概略横断面図である。

本発明は、例示のみを目的とする添付の図面に関連する以下の説明によって、より容易に理解できるであろう。添付の図面では、同一の参照符号は同一または類似の構成要素を指す。

図1および2は、3つの画素×3つの画素を含むボロメータ検出器アレイ10を例として示す。

各画素12は、支持および熱分離アーム18によって基板16の上方に懸架されたボロメータマイクロプレート14を備え、それによって、0.75μm〜1000μmの赤外線波長範囲内で入射するIR電磁放射を検出することが可能になる。

それ自体知られているように、マイクロプレート14は、入射するIR放射の効果によって暖まり、マイクロプレート14の電気抵抗は、その温度の増大に応じて変動する。同じ材料を使用して、これらの機能をどちらも実施することができ、たとえばTiNは、中赤外線範囲内の波長を検出するのに適している。

支持および熱分離アーム18は主に、電導体要素を含む熱伝導率の低い材料からなり、それによって、マイクロプレート14にバイアス電圧および/またはバイアス電流をかけてその電気抵抗を測定することが可能になる。アーム18は、マイクロプレート14のバイアスを制御する基板16内に提供された読出し回路に電気的に接続される。

本発明では、ボロメータマイクロプレート14の構造および動作は比較的重要ではなく、任意のタイプのマイクロプレート、たとえば文献：仏国特許発明第2752299号に記載のマイクロプレートを考案することができる。把握すべき重要なことは、本発明が、任意のボロメータアレイに該当し、そこでマイクロプレートの表面積が画素の表面積に対して低減されることである。

各画素12はまた、基板16上に堆積された金属層によって形成された平坦な反射板20を備える。反射板20は、マイクロプレート14の下に位置する第1の部分22と、マイクロプレート14の周りに位置する第2の部分24とを含む。以下、部分22を反射板の「中心部分」と呼び、部分24を反射板の「周辺部分」と呼ぶ。

反射板の中心部分22は、無地、すなわちテクスチャ化されていないことが好ましく、その主要な機能は、放射のうち吸収されることなく前記マイクロプレートを通過した部分を反射することであり、したがって放射はマイクロプレートを少なくとも2回通過することが可能になり、さらには、たとえばマイクロプレート14と中心部分22との間の距離が4分の1波長の空間を形成するように調整された場合、共振を得ることが可能になる。

反射板20の周辺部分24は、周期的パターン、たとえば平行スリット26をもつ表面テクスチャを有し、平行スリット26は、反射板20の厚さ内でエッチングされた方形の横断面を有し、同心状の正方形を形成する。

図2に矢印で示すように、周期的パターンは、周辺部分24上に入射する放射を表面「プラズモン」波とも呼ばれる導波光に結合するように設計される。次いで導波光は、反射板20の中心部分22に向かって伝搬し、中心部分22は、エバネッセント結合によってこの導波光をマイクロプレート14に向かって反射し、したがって導波光を吸収することができる。

このように、マイクロプレート14を取り囲む周期的パターンは、放射を検出するのに専用の有効表面積を「実質上」増大させ、したがって、それによってマイクロプレート14自体を修正することなく、検出器の感度を増大させる。

図3の簡略化した横断面図では、周辺部分24の周期的パターンは、λ/n以下である周期Pを有する。上式でλは、検出すべき波長の範囲内の波長であり、nは、マイクロプレート14を反射板20から分離する媒体(通常は空気)の屈折率である。これによって、波長λを有する表面プラズモン波を励起することが可能になる。周期Pがより大きくなると回折が生成されるが、周期Pが増大して結合が最終的になくなるまで、回折は波の結合品質に悪影響を及ぼす。

周期Pは、λ/(3×n)に実質上等しいことが有利である。実際には、本発明者らは、周期Pがこの値をとるときに結合が最適であることを観察した。

マイクロプレート14は、中心部分22から距離Lだけ離れて位置することが有利であり、この距離は、λ/(4×n)以下である。これによって、反射板の周辺部分24によって結合された導波光と吸収性のマイクロプレート14との間に結合、より具体的にはエバネッセント結合をもたらし、周辺部分24によって提供されるマイクロプレート14に向かう結合によって回収されたエネルギーを、効率的に「反射」することができる。

テクスチャの凹状部分は、テクスチャの総表面積の50%未満であることが有利である。スリット26に関する限り、これは、スリット26の幅eが、e/p＜0.5になるように選択されることを意味する。このようにして、ほとんど放射損失がなく、導波光の励起が得られる。また、幅eは、e/p＞0.05になるように選択されることが有利である。そのような値を超えると、反射板が準連続金属膜のように挙動するため、結合は実際には非常に弱くなり、したがってあまり引き付けなくなる。

テクスチャの深さhは、λ/(5×n)以下であることが有利であり、λ/(10×n)に実質上等しいことが好ましい。したがって、周期的パターンの凹状部分の深さを低減させると、放射がこれらの部分内にトラップされたままになり、したがってこれらの部分が形成される材料によって吸収されるのを防止する。

波長λで反射板20の金属材料の表皮深さより大きい反射板20の中実の厚さHがテクスチャの下に存在し、それにより周辺部分24が放射に対して不透明になり、したがって放射が基板16に向かって透過されるのを防止することが有利である。

上述の実施形態では、周期的パターンは、同心状の正方形を形成するスリット26からなる。このようにすると、周辺部分24によって生成される結合は、入射する放射の偏光の影響を受けにくい。図4Aでは、スリット26のうち正方形の2つの対向する辺を形成する部分は、1つの偏光、たとえば偏光TEの影響を受けやすく、スリット26のうち正方形の2つの他の対向する辺を形成する部分は、垂直偏光、この例では偏光TMの影響を受けやすい。このレイアウトにより、偏光TEの50%と偏光TMの50%を結合することが可能になる。

それにもかかわらず、他の形状のパターンも可能である。たとえば、結合が入射する放射の偏光の影響を受けにくくするには、図4Bに示すように、スリット26を円形および同心状にする。具体的には、隅部がまったくないことにより、リソグラフィを使用することによって正方形を製作するのがより容易になる。

別法として、一部の適用分野では、単一タイプの偏光の検出を必要とすることがあり、この場合、周辺部分24の周期的パターンは、単一の軸に沿って進む平行スリットから構成される。

2つの隣接する画素の周辺部分24は、反復するテクスチャパターン内に切れ目を作る領域によって分離されることが有利である。たとえば、正方形のスリット26の場合、反復パターン内に切れ目を作る領域は、周辺部分24の無地部分の幅より少なくとも5%大きい相対的な幅を有する無地部分28、または周辺部分24のスリットの幅より少なくとも5%大きい相対的な幅を有するスリットである。

そのような切れ目領域のために、反射板の周辺部分24上に入射する放射は、その反射板の中心部分22に向かってのみ伝搬し、したがって結合によるクロストークを防止することができる。このようにして、反射板20は効果的に個別化される。

中心部分22が無地である一実施形態について、上述した。別法として、中心部分は、周辺部分24と同じ方法でテクスチャ化され、したがってテクスチャは、1つの画素に専用の基板の表面積全体を覆う。

図5は、本発明による反射板のうちテクスチャ化した周辺部分によって提供される吸収の進歩を示す。より具体的には、25μmの辺寸法を有する正方形の画素表面積に対して12μmの辺寸法を有するTiNから作られた正方形のマイクロプレートを含む様々な検出器レイアウトに対して、入射する放射の波長に応じて吸収を測定した。検出器は、11μmの波長に調整される。

第1の検出器レイアウトは、従来技術のレイアウトと同等である。各マイクロプレートは、無地の金属反射板の上方、この金属反射板から2.5μmのところに配置される。反射板は、テクスチャ化された周辺部分をもたない。この第1の構成の吸収を曲線「A」で示す。

第2の検出器レイアウトは、図1〜3に関連して説明したレイアウトと同等である。各マイクロプレート14は、反射板20から2.5μmのところに位置する。反射板20の周辺部分24は、中心部分22を除いて、画素12専用の基板16の表面積全体を覆い、スリット26の周期性Pは3.4μmに等しく、幅eは0.6μmに等しく、また厚さhは0.7μmに等しい。この第2の構成の吸収を曲線「B」で示す。

第3の検出器レイアウトは、テクスチャが反射板20の中心部分22を含めて画素12専用の基板16の表面積全体を覆うという点で、第2のレイアウトとは異なる。スリット26は、第2のレイアウトの場合と同じ幾何形状を有し、この第3の構成の吸収を曲線「C」で示す。

図5で明らかになるように、本発明のおかげで、非常に大きい吸収の進歩が得られ、この進歩は、第2のレイアウトの場合、従来技術と比較するとλ=11μmで50%を超える。

第3のレイアウトを使用して得られる吸収の進歩は、従来技術と比較すると20%より大きいが、第2のレイアウトを使用して得られる吸収ほど高くない。したがって、中心部分22を無地にすることは好ましい選択肢である。

本発明による検出器を製作する方法について、図6〜15を参照して以下に説明する。

この方法は、懸架式マイクロプレート14のアレイをその上方に製作しようとする基板16の表面積全体を覆って金属層30を堆積させるステップから始まる(図6)。反射板20が後に製作される層30は、たとえば、アルミニウム、チタン、窒化チタン、銅、またはタングステンの層である。層30の厚さは、反射板20の周辺部分24のテクスチャに関連する高さHおよびhの合計に等しい(図3)。

この方法では引き続き、リソグラフィマスクを生成するステップを行う。このマスクは、感光性の樹脂層34内に生成され、樹脂層34を介して、マイクロプレート14の支持および熱分離アーム18のための位置の上方にアイランド38の境界を画する切込み36が作られる(図7)。

次いで金属層30は、後に支持アーム18を収容する金属突起コンタクト40の境界を画するように、好ましくは乾式エッチングによって、切込み36を介して基板16までエッチングされる(図8)。したがって、コンタクト40は、アーム18のための接続コンタクトとして使用され、金属層30のうち反射板20が製作される残り部分から電気的に分離される。

樹脂層34は、たとえば乾式または湿式剥離を使用することによって、従来通り除去される(図9)。

次いでこの方法では引き続き、金属層30上に堆積された感光性の樹脂層42内にリソグラフィマスクを従来通り生成するステップを行い、樹脂層42を介して、反射板20に対する所望のテクスチャに対応する切込み44が作られる。示されている例では、これは、周辺部分24のテクスチャのみである(図10)。明らかに、適用分野がそのように求める場合、リソグラフィマスク42内で、金属層30のうち反射板20の中心部分22になるための部分46上に、切込みを提供することができる。

次いで、金属層30は、反射板を製作するように、マスク42の切込み44を介して反射板20のテクスチャの所望の深さh(図3)まで部分的にエッチングされる(図11)。この部分的なエッチングは、たとえば塩素化化学物質、臭素化化学物質、またはフッ素化化学物質を使用して乾式エッチングによって実行されることが好ましいが、たとえば酸性化学物質またはアルカリ性化学物質を使用することによって、湿式エッチングによって実行することもできる。湿式エッチングのエッチング速度より直線的なエッチング速度を提供する限り、乾式エッチングが好ましく、これにより、より容易に制御可能なエッチングを得ることが可能になる。

次いで、リソグラフィマスク42は、たとえば湿式または乾式の剥離によって除去され(図12)、次いでアセンブリ上に犠牲層46が堆積され(図13)、この層は、金属層30の上方にL(図3)に等しい厚さを有する。

次いで、犠牲層46上で中心部分22の上方にボロメータマイクロプレート14が形成され、犠牲層46を介してコンタクト40の上方に、それ自体知られている方法で、支持および熱分離アーム18が製造される(図14)。

次いで、この方法は、犠牲層46を除去するステップによって完了する(図15)。

本発明は、
- 検出表面積を広げることによる懸架式マイクロプレートをもつボロメータ検出器の感度の大幅な増大、
- 多スペクトルの撮像を実行する可能性、（実際には、周期的に構造化することで、1つの波長、たとえば図5に示す場合略λ=11μmの波長を優先的に結合する。したがって、画素ごとに周期性を修正することで、各画素が特有の波長を強める画素のアレイを生成する。）
- 特に1つの偏光を強める可能性、
を実現する。

10 ボロメータ検出器アレイ
12 画素
14 ボロメータマイクロプレート
16 基板
18 支持および熱分離アーム
20 反射板
22 第1の部分、中心部分
24 第2の部分、周辺部分
26 平行スリット
28 無地部分
30 金属層
34 樹脂層
36 切込み
38 アイランド
40 金属突起コンタクト
42 樹脂層、リソグラフィマスク
44 切込み
46 部分、犠牲層

Claims (13)

1. 所定の赤外線波長範囲内の電磁放射を検出するボロメータアレイ検出器であって、
   基板(16)と、
   支持アーム(18)によって前記基板(16)の上方に懸架された、前記放射を検出するボロメータマイクロプレート(14)のアレイと、
   前記放射のうち前記マイクロプレート(14)によって吸収されることなく前記マイクロプレート(14)を通過した部分を反射するように、前記基板(16)上でマイクロプレート(14)の下に形成された金属反射板(20)と、を備えるボロメータアレイ検出器において、
   各マイクロプレート(14)について、
   反射板(20)が、前記マイクロプレート(14)の真下に位置する第1の部分(22)を含み、前記第1の部分(22)がマイクロプレート(14)の下に配置されない第2の部分(24)によって拡張されており、
   少なくとも反射板(20)のうち前記マイクロプレート(14)の下に配置されない前記第２の部分(24)が、前記放射のうち前記部分(24)上に入射する部分を、前記反射板(20)のうちマイクロプレート(14)の下に配置された第1の部分(22)に向かって伝搬する導波光に結合させることが可能な反復パターンの表面テクスチャを有し、前記導波光と前記マイクロプレート(14)との間にエバネッセント結合をもたらすように前記反射板(20)が前記マイクロプレート(14)の下に配置されていることを特徴とする、ボロメータアレイ検出器。
2. 前記反射板が金属からなる層を備え、前記層が金属の下部厚さと金属の上部厚さとに分割され、テクスチャ(26)が金属の上部厚さに形成され、金属の下部厚さが、所定の赤外線波長範囲での前記層の金属の表皮深さよりも少なくとも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のボロメータアレイ検出器。
3. テクスチャ(26)が、閉じた同心状の輪郭を画定するスリットを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のボロメータアレイ検出器。
4. 前記テクスチャが、単一方向に周期的な平行のスリットを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のボロメータアレイ検出器。
5. 反射板(20)が、少なくとも前記マイクロプレート(14)のアレイの表面積全体の下で基板(16)を覆う金属層(30)内に形成され、反射板(20)が、金属層(30)のうち反射板(20)の前記テクスチャ(26)の周期性で切れ目を画定する領域(28)を用いて個別化されることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。
6. テクスチャ(26)の前記反復パターンの周期Pが、λ/nより小さく、上式でλが、検出すべき波長の範囲内の波長であり、nが、マイクロプレート(14)を反射板(20)から分離する媒体の屈折率であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。
7. 周期Ｐが、λ/(3×n)に等しいことを特徴とする、請求項6に記載のボロメータアレイ検出器。
8. テクスチャ(26)の深さhが、λ/(5×n)以下であることを特徴とする、請求項6または7に記載のボロメータアレイ検出器。
9. テクスチャ(26)の深さhが、λ/(10×n)に等しいことを特徴とする、請求項8に記載のボロメータアレイ検出器。
10. テクスチャ(26)の凹状部分が、前記テクスチャの総表面積の50%未満であることを特徴とする、請求項6から9のいずれか一項に記載のボロメータアレイ検出器。
11. テクスチャ(26)が、0.05＜e/p＜0.5になるように選択された幅eを有する周期的スリットからなり、上式でPが、前記テクスチャパターンの周期であることを特徴とする、請求項10に記載のボロメータアレイ検出器。
12. マイクロプレート(14)と反射板(20)の間の平均の高さLが、λ/(4×n)以下であることを特徴とする、請求項6から11のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。
13. 反射板(20)のうちマイクロプレート(14)の下に位置する部分(22)がテクスチャ化されていないことを特徴とする、請求項1から12のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。

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