JP5798839B2 - Optical semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device, a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted, and the white curable composition for an optical semiconductor device. The present invention relates to a molded body and an optical semiconductor device using the composition.

発光ダイオード(LED)装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子(例えばLED)が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠状の成形体が配置されている。該枠状の成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター又はハウジングと呼ばれることがある。   When an optical semiconductor element (for example, an LED), which is a light emitting element used in an optical semiconductor device, is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is normally sealed with the sealing compound for optical semiconductor devices. In order to fill the sealing agent, a frame-shaped molded body is disposed on a lead frame on which the optical semiconductor element is mounted. The sealing agent is filled inside the frame-shaped molded body. The molded body is sometimes called a reflector or a housing.

上記成形体を形成するための組成物の一例として、下記の特許文献1には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化触媒と無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。この硬化性組成物を硬化させた硬化物を150℃の高温条件下に500時間放置した後に測定される光波長400nmにおける光拡散反射率は80%以上である。また、上記硬化性組成物では、トランスファー成形時のせん断離型力が10ショット以内に200KPa以下である。   As an example of a composition for forming the molded body, Patent Document 1 below discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing catalyst, and an inorganic filler. The light diffuse reflectance at a light wavelength of 400 nm measured after leaving the cured product obtained by curing the curable composition for 500 hours under a high temperature condition of 150 ° C. is 80% or more. Moreover, in the said curable composition, the shear mold release force at the time of transfer molding is 200 KPa or less within 10 shots.

下記の特許文献2には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。また、特許文献2では、硬化性組成物を用いたトランスファー成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、上記貫通孔の一方の開口部を上記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、光半導体素子を上記凹部内にそれぞれ配置する工程と、上記光反射層の表面を覆うように上記半導体素子が配置された上記凹部に封止樹脂を供給する工程と、上記封止樹脂を介在させることにより、上記光反射層の上記表面から離間させた状態で上記凹部を覆うレンズを配置した後、上記封止樹脂を硬化させる工程と、上記成形体を上記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程とを備える光半導体装置の製造方法が開示されている。   Patent Document 2 below discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a white pigment. In Patent Document 2, a light reflection layer having a plurality of through holes formed on a wiring member by transfer molding using a curable composition is formed on the wiring member, and one opening of the through hole is closed with the wiring member. A step of obtaining a molded body in which a plurality of recesses are formed, a step of disposing an optical semiconductor element in each of the recesses, and a sealing in the recess in which the semiconductor element is disposed so as to cover the surface of the light reflecting layer. A step of supplying a stop resin, and a step of curing the sealing resin after disposing a lens covering the recess in a state of being spaced from the surface of the light reflecting layer by interposing the sealing resin. And a method of manufacturing an optical semiconductor device comprising a step of dividing the molded body into the recesses to obtain a plurality of optical semiconductor devices.

特開2009−141327号公報JP 2009-141327 A 特開2011−9519号公報JP 2011-9519 A

特許文献1,2に記載のような従来の硬化性組成物をトランスファー成形する場合には、硬化性組成物の硬化速度が遅いという問題がある。このため、成形後の成形体を金型から取り出すことが困難であるという問題がある。   When the conventional curable composition as described in Patent Documents 1 and 2 is transfer molded, there is a problem that the curing rate of the curable composition is slow. For this reason, there exists a problem that it is difficult to take out the molded object after shaping | molding from a metal mold | die.

さらに、従来の硬化性組成物を用いて成形体を得た場合には、得られる成形体に成形むらが生じやすい。   Furthermore, when a molded body is obtained using a conventional curable composition, uneven molding tends to occur in the obtained molded body.

また、特許文献1に記載のような従来の硬化性組成物をトランスファー成形する場合には、ランナー部分から、トランスファー成形された成形体を含むLEDパッケージを分離する必要がある。しかしながら、従来の酸化チタンを含む硬化性組成物を用いた成形体は脆いので、上記LEDパッケージをランナー部分から分離する際に、成形体が損傷又は変形したり、成形体にクラック又は欠けが生じたりすることがある。   Moreover, when carrying out transfer molding of the conventional curable composition as described in Patent Document 1, it is necessary to separate the LED package including the transfer molded molded body from the runner portion. However, since the molded body using the conventional curable composition containing titanium oxide is brittle, when the LED package is separated from the runner portion, the molded body is damaged or deformed, or the molded body is cracked or chipped. Sometimes.

また、特許文献2に記載のような光半導体装置の製造方法では、成形体が複数連なった分割前成形体を、個々の成形体に分割する必要がある。しかしながら、該分割前成形体を個々の成形体に分割する際に、成形体にクラックが生じたり、欠けが生じたりすることがある。すなわち、従来の硬化性組成物を用いた場合には、成形体の加工性が低いという問題がある。   Moreover, in the manufacturing method of an optical semiconductor device as described in Patent Document 2, it is necessary to divide a molded body before division in which a plurality of molded bodies are continuous into individual molded bodies. However, when the pre-division molded body is divided into individual molded bodies, the molded body may be cracked or chipped. That is, when the conventional curable composition is used, there exists a problem that the workability of a molded object is low.

本発明の目的は、硬化性に優れており、かつ成形むらが抑制された成形体を得ることができる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to use a white curable composition for an optical semiconductor device capable of obtaining a molded article having excellent curability and suppressed molding unevenness, and the white curable composition for an optical semiconductor device. And providing an optical semiconductor device.

本発明の限定的な目的は、加工性に優れた成形体を得ることができる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置を提供することである。   A limited object of the present invention is to provide a white curable composition for an optical semiconductor device capable of obtaining a molded article excellent in processability, and a molded article and an optical semiconductor using the white curable composition for an optical semiconductor device. Is to provide a device.

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、硬化促進剤を含まないか又は含み、上記硬化促進剤が含まれない場合には、上記硬化剤が塩基性を有する硬化剤を含有し、上記硬化促進剤が含まれる場合には、上記硬化剤が塩基性を有する硬化剤を含有するか、又は上記硬化促進剤が塩基性を有する硬化促進剤を含有し、上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方の成分が、該成分5gを純水100mLに加えた液を加熱し、5分間沸騰させた後、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を100mLとした液のpHを測定したときに、pHが4以上、7未満の値を示す成分を含有する、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, in an optical semiconductor device, there is provided a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted. A compound, a curing agent, titanium oxide, and a filler different from titanium oxide, with or without a curing accelerator, and when the curing accelerator is not included, the curing agent is basic When the curing accelerator is included, the curing agent contains a basic curing agent, or the curing accelerator contains a basic curing accelerator. At least one of the titanium oxide and the filler is heated by boiling a liquid obtained by adding 5 g of the component to 100 mL of pure water and boiling for 5 minutes. Get the liquid and then get White for an optical semiconductor device containing a component having a pH value of 4 or more and less than 7 when the pH of a solution obtained by adding water in an amount of water evaporated by boiling to a boiling treatment solution to make the amount of water 100 mL is measured. A curable composition is provided.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方が、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物により被覆されている。   In a specific aspect of the white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention, at least one of the titanium oxide and the filler is coated with an acidic metal oxide or an acidic metal hydroxide.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の他の特定の局面では、上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方が、酸化珪素を含む被覆材料により被覆されている。   In another specific aspect of the white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention, at least one of the titanium oxide and the filler is coated with a coating material containing silicon oxide.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の別の特定の局面では、上記硬化剤が、酸無水物硬化剤を含有する。   In another specific aspect of the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, the curing agent contains an acid anhydride curing agent.

上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも1種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量は、400以上、3000以下であることが好ましい。上記エポキシ化合物は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。   The epoxy compound preferably includes at least one of an epoxy compound having an aromatic skeleton and an epoxy compound having an alicyclic skeleton. The epoxy compound preferably includes an epoxy compound having an aromatic skeleton. The epoxy equivalent of the epoxy compound having an aromatic skeleton is preferably 400 or more and 3000 or less. The epoxy compound preferably includes an epoxy compound having an alicyclic skeleton.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の他の特定の局面では、上記充填材は、球状充填材と破砕充填材との双方を含む。   In another specific aspect of the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, the filler includes both a spherical filler and a crushed filler.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。この場合に、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is a white curable composition for optical semiconductor devices, which is used to obtain a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in an optical semiconductor device. It is preferable that it is an adhesive composition. In this case, the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention obtains an individual molded body by dividing the molded body before division after obtaining the molded body before division in which a plurality of molded bodies are connected. Is preferably used for this purpose.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted and on the side of the optical semiconductor element in the optical semiconductor device, and is emitted from the optical semiconductor element. It is preferable that the white curable composition for optical semiconductor devices used for obtaining a molded body having a light reflecting portion that reflects the reflected light.

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。   The molded object for optical semiconductor devices which concerns on this invention is obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above.

本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、該リードフレーム上に配置された成形体とを備えており、上記成形体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。   An optical semiconductor device according to the present invention includes a lead frame, an optical semiconductor element mounted on the lead frame, and a molded body disposed on the lead frame. It is obtained by curing a white curable composition for semiconductor devices.

本発明に係る光半導体装置は、上記成形体が、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。   In the optical semiconductor device according to the present invention, the molded body is disposed on a side of the optical semiconductor element, and an inner surface of the molded body is a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element. It is preferable.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、硬化促進剤を含まないか又は含み、上記硬化促進剤が含まれない場合には、上記硬化剤が塩基性を有する硬化剤を含有し、上記硬化促進剤が含まれる場合には、上記硬化剤が塩基性を有する硬化剤を含有するか、又は上記硬化促進剤が塩基性を有する硬化促進剤を含有し、更に上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方の成分が、煮沸法によるpHが4以上、7未満の値を示す成分を含有するので、硬化性が良好であり、かつ成形むらが抑制された成形体を得ることができる。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention includes an epoxy compound, a curing agent, titanium oxide, and a filler different from titanium oxide, and does not include a curing accelerator or includes the curing agent. When the accelerator is not included, the curing agent contains a basic curing agent, and when the curing accelerator is included, the curing agent contains a basic curing agent, Or the said hardening accelerator contains the hardening accelerator which has basicity, and also the component in which at least one component of the said titanium oxide and the said filler shows the value of 4 or more and less than 7 by boiling method. Since it contains, the molding which has favorable sclerosis | hardenability and the shaping | molding nonuniformity was suppressed can be obtained.

図1(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。1A and 1B are a cross-sectional view and a perspective view schematically showing an example of an optical semiconductor device including a molded body using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. It is. 図2は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 schematically illustrates an example of a pre-division optical semiconductor device component including a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention are connected. It is sectional drawing shown. 図3は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a pre-division optical semiconductor device including a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention are connected. FIG.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

(光半導体装置用白色硬化性組成物)
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物(A)と、硬化剤(B)と、酸化チタン(C)と、酸化チタンとは異なる充填材(D)とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、硬化促進剤(E)を含まないか又は含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、硬化促進剤(E)を含むことが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記硬化促進剤(E)が含まれない場合には、上記硬化剤(B)が塩基性を有する硬化剤を含有し、上記硬化促進剤(E)が含まれる場合には、上記硬化剤(B)が塩基性を有する硬化剤を含有するか、又は上記硬化促進剤(E)が塩基性を有する硬化促進剤を含有する。上記硬化促進剤(E)が含まれる場合には、上記硬化剤(B)が塩基性を有する硬化剤を含有しかつ上記硬化促進剤(E)が塩基性を有する硬化促進剤を含有していてもよい。
(White curable composition for optical semiconductor devices)
The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention includes an epoxy compound (A), a curing agent (B), titanium oxide (C), and a filler (D) different from titanium oxide. The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention does not contain or contains a curing accelerator (E). It is preferable that the white curable composition for optical semiconductor devices which concerns on this invention contains a hardening accelerator (E). In the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, when the curing accelerator (E) is not included, the curing agent (B) contains a basic curing agent, and the curing acceleration is performed. When the agent (E) is included, the curing agent (B) contains a basic curing agent, or the curing accelerator (E) contains a basic curing accelerator. When the said hardening accelerator (E) is contained, the said hardening agent (B) contains the hardening agent which has basicity, and the said hardening accelerator (E) contains the hardening accelerator which has basicity. May be.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、酸化チタン(C)及び充填材(D)の内の少なくとも一方の成分が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す成分を含有する。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、酸化チタン(C)が煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す酸化チタンを含んでいてもよく、充填材(D)が煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す充填材を含んでいてもよく、酸化チタン(C)が煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す酸化チタンを含みかつ充填材(D)が煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す充填材を含んでいてもよい。また、酸化チタン(C)の全体が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示してもよく、酸化チタン(C)の一部が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示してもよい。充填材(D)の全体が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示してもよく、充填材(D)の一部が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示してもよい。   In the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, at least one of the titanium oxide (C) and the filler (D) has a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7. The component which shows is contained. In the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, the titanium oxide (C) may contain titanium oxide having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7, and the filler ( D) may contain a filler having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7, and titanium oxide (C) has a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7. And the filler (D) may include a filler having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7. Further, the whole of titanium oxide (C) may have a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7, and a part of titanium oxide (C) has a pH measured by boiling method. A value of 4 or more and less than 7 may be indicated. The whole of the filler (D) may have a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7, and a part of the filler (D) has a pH measured by boiling method of 4 or more. , A value less than 7 may be indicated.

上記煮沸法とは、上記成分5gを純水100mLに加えた液を加熱し、5分間沸騰させた後、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を100mLとした液のpHを測定する方法である。   In the boiling method, a solution obtained by adding 5 g of the above component to 100 mL of pure water is heated and boiled for 5 minutes, and then left to stand until reaching 23 ° C. to obtain a boiling treatment liquid, and then the obtained boiling treatment This is a method of measuring the pH of a liquid in which the amount of water evaporated by boiling is added to the liquid to bring the amount of water to 100 mL.

本願明細書では、上記成分5gを純水100mLに加えた液を加熱し、5分間沸騰させた後、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を100mLとした液のpHを測定する方法を、煮沸法と呼ぶことがある。   In the present specification, a liquid obtained by adding 5 g of the above component to 100 mL of pure water is heated and boiled for 5 minutes, and then left to stand until reaching 23 ° C. to obtain a boiling treatment liquid, and then the obtained boiling treatment liquid In addition, the method of measuring the pH of a solution in which the amount of water evaporated by boiling is added to make the amount of water 100 mL may be called a boiling method.

上記煮沸法では、具体的には、上記成分5gを純水100mLに加えた液を、開口を有する容器内に入れる。上記容器を加熱することにより容器内の液を加熱し、容器内の液を沸騰させる。沸騰し始めてから5分間、沸騰状態を維持する。その後、容器の開口に栓体を取り付けて、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得る。容器の開口から栓を取り外して、得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて、水量を100mLとする。容器の開口に栓体を取り付けて、1分間振り混ぜた後、5分間静置する。このようにして、測定液を得る。得られた測定液のpHは、JIS Z8802の7.に記載された操作に準拠して測定できる。   In the boiling method, specifically, a solution obtained by adding 5 g of the above component to 100 mL of pure water is placed in a container having an opening. The liquid in the container is heated by heating the container, and the liquid in the container is boiled. Maintain boiling for 5 minutes after starting to boil. Thereafter, a stopper is attached to the opening of the container and left to reach 23 ° C. to obtain a boiling treatment liquid. The stopper is removed from the opening of the container, and the amount of water evaporated by boiling is added to the obtained boiling treatment liquid to make the amount of water 100 mL. A stopper is attached to the opening of the container, shaken for 1 minute, and allowed to stand for 5 minutes. In this way, a measurement liquid is obtained. The pH of the obtained measuring solution is JIS Z8802 7. Can be measured in accordance with the operation described in 1.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、所定の形状に成形された硬化物である。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in the optical semiconductor device. It is preferable that it is a thing. The molded body is a cured product molded into a predetermined shape.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用により、特に上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分の使用によって、白色硬化性組成物の硬化性を良好にし、かつ成形体の成形むらを抑制することができる。上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分以外の成分の塩基性を高めるなどして、硬化性を良好にした場合には、成形むらが生じやすくなる傾向があるが、上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分の使用により、成形むらを十分に抑制できる。   By adopting the above-described configuration in the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, particularly by using a component having a pH of 4 or more and less than 7 in the boiling method, the curability of the white curable composition is good. And uneven molding of the molded body can be suppressed. When the curability is improved by increasing the basicity of components other than the components having a pH of 4 or more and less than 7 in the boiling method, uneven molding tends to occur. By using a component having a pH of 4 or more and less than 7, molding unevenness can be sufficiently suppressed.

一般に酸化チタン及び充填材の表面にはそれぞれ、酸点と塩基点とが存在する。上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分の表面には、塩基点に比べて酸点が多く存在する。上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分は成形むらの抑制に大きく寄与する。なお、上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分とともに、上記煮沸法におけるpHが7以上である成分を用いても、上記煮沸法におけるpHが4以上、7未満である成分による硬化性の向上効果は十分に得られる。   In general, there are acid points and base points on the surfaces of titanium oxide and the filler, respectively. The surface of a component having a pH of 4 or more and less than 7 in the boiling method has more acid sites than base sites. A component having a pH of 4 or more and less than 7 in the boiling method greatly contributes to suppression of molding unevenness. In addition, even if it uses the component whose pH in the said boiling method is 7 or more with the component whose pH in the said boiling method is 4 or more and less than 7, hardening by the component whose pH in the said boiling method is 4 or more and less than 7 The effect of improving the property is sufficiently obtained.

酸化チタン(C)が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す成分を含有することが好ましい。また、充填材(D)が、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す成分を含有することも好ましい。   Titanium oxide (C) preferably contains a component having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7. Moreover, it is also preferable that a filler (D) contains the component in which pH measured by the boiling method shows the value of 4 or more and less than 7.

酸化チタン(C)と充填材(D)との合計100重量%中、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す上記成分の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、100重量%以下である。煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す上記成分の含有量が上記下限以上であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。酸化チタン(C)と充填材(D)との全体が煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す上記成分であってもよい。   The total content of titanium oxide (C) and filler (D) is 100% by weight or more, and the content of the above component having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7 is preferably 10% by weight or more. More preferably, it is 30 weight% or more and 100 weight% or less. When the content of the above component having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7 is not less than the above lower limit, the curability of the white curable composition is further enhanced, and the molding unevenness of the molded product is caused. It becomes even less likely to occur. The above-mentioned component in which the pH of the whole of titanium oxide (C) and filler (D) measured by boiling method is 4 or more and less than 7 may be used.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す上記成分の含有量は、好ましくは1重量%以上、より好ましくは3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上、特に好ましくは10重量%以上、最も好ましくは20重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは93重量%以下、更に好ましくは90重量%以下である。煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す上記成分の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for an optical semiconductor device, the content of the component having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7 is preferably 1% by weight or more, more preferably 3%. % By weight or more, more preferably 5% by weight or more, particularly preferably 10% by weight or more, most preferably 20% by weight or more, preferably 95% by weight or less, more preferably 93% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less. It is. When the content of the component having a pH measured by boiling method of 4 or more and less than 7 is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability of the white curable composition is further increased, and the molded product This makes it more difficult to form unevenness.

硬化剤(B)と硬化促進剤(E)との合計100重量%中、塩基性を有する硬化剤と塩基性を有する硬化促進剤との合計の含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、100重量%以下である。塩基性を有する硬化剤と塩基性を有する硬化促進剤との合計の含有量が上記下限以上であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなる。   Of the total of 100% by weight of the curing agent (B) and the curing accelerator (E), the total content of the basic curing agent and the basic curing accelerator is preferably 0.1% by weight or more, More preferably, it is 0.5 weight% or more and 100 weight% or less. When the total content of the basic curing agent and the basic curing accelerator is not less than the above lower limit, the curability of the white curable composition is further enhanced.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、塩基性を有する硬化剤と塩基性を有する硬化促進剤との合計の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.05重量%以上、好ましくは20重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。塩基性を有する硬化剤と塩基性を有する硬化促進剤との合計の含有量が上記下限以上であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the total content of the basic curing agent and the basic curing accelerator is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.8%. It is at least 05% by weight, preferably at most 20% by weight, more preferably at most 10% by weight. When the total content of the basic curing agent and the basic curing accelerator is not less than the above lower limit, the curability of the white curable composition is further enhanced.

さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した構成の採用により、加工性に優れた成形体を得ることができる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は成形性に優れているので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、均質なかつ良好な形状を有する成形体を容易に得ることができる。   Furthermore, by adopting the above-described configuration in the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, a molded article having excellent processability can be obtained. Since the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is excellent in moldability, the use of the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention makes it easy to form a molded body having a uniform and good shape. Can get to.

本発明では、例えば、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した後、ランナー部分から、成形された成形体を含むLEDパッケージを分離する際に、成形体に損傷、変形、クラック及び欠けが生じ難くなる。さらに、成形体が複数連なった分割前成形体を、個々の成形体に分割して、分割後成形体を得る場合に、成形体にクラック及び欠けが生じ難くなる。すなわち、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の使用により、該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を良好にダイシングすることができる。   In the present invention, for example, after molding the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, when separating the LED package including the molded product from the runner part, the molded product is damaged, deformed, Cracks and chips are less likely to occur. Furthermore, when the pre-division molded body having a plurality of molded bodies is divided into individual molded bodies to obtain a post-division molded body, cracks and chips are less likely to occur in the molded body. That is, by using the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, a molded body using the white curable composition for optical semiconductor devices can be diced satisfactorily.

また、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することによって、光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体の光の反射率を高めることができる。得られる成形体は、光の反射率が高いので、光半導体素子から発せられる光が成形体に到達したときに光を効果的に反射させる。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさを明るくすることができる。   Moreover, the reflectance of the molded object obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices is improved by employ | adopting the said composition in the white curable composition for optical semiconductor devices which concerns on this invention. Can do. Since the obtained molded body has a high reflectance of light, the light is effectively reflected when the light emitted from the optical semiconductor element reaches the molded body. For this reason, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor device can be increased.

表面を酸性にするために、酸化チタン(C)と充填材(D)との内の少なくとも一方は、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物により被覆されていることが好ましい。この場合には、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。酸化チタン(C)が、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物により被覆されていることが好ましく、充填材(D)が、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物により被覆されていることも好ましい。上記酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   In order to make the surface acidic, it is preferable that at least one of titanium oxide (C) and filler (D) is coated with an acidic metal oxide or acidic metal hydroxide. In this case, the curability of the white curable composition is further increased, and the molding unevenness of the molded body is further less likely to occur. Titanium oxide (C) is preferably coated with an acidic metal oxide or acidic metal hydroxide, and the filler (D) may be coated with an acidic metal oxide or acidic metal hydroxide. preferable. As for the said acidic metal oxide or acidic metal hydroxide, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物としては、アルミニウム、珪素、亜鉛、スズ又は鉛等を含有する金属化合物が挙げられる。本明細書において、珪素は金属元素に含まれることとする。白色硬化性組成物の硬化性をより一層高め、かつ成形体の成形むらをより一層抑制する観点からは、上記酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物を構成する金属元素は、アルミニウム及び珪素の内の少なくとも1種であることが好ましい。白色硬化性組成物の硬化性を更に一層高め、かつ成形体の成形むらを更に一層抑制する観点からは、酸化チタン(C)と充填材(D)との内の少なくとも一方は、酸化珪素を含む被覆材料により被覆されていることが好ましい。酸化チタン(C)が、酸化珪素を含む被覆材料により被覆されていることが好ましく、充填材(D)が、酸化珪素を含む被覆材料により被覆されていることも好ましい。上記酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物として、酸化珪素が好適に用いられる。   Examples of the acidic metal oxide or acidic metal hydroxide include metal compounds containing aluminum, silicon, zinc, tin, lead, or the like. In this specification, silicon is included in a metal element. From the viewpoint of further enhancing the curability of the white curable composition and further suppressing the molding unevenness of the molded body, the metal elements constituting the acidic metal oxide or acidic metal hydroxide are aluminum and silicon. Of these, at least one of them is preferred. From the viewpoint of further enhancing the curability of the white curable composition and further suppressing the molding unevenness of the molded body, at least one of the titanium oxide (C) and the filler (D) contains silicon oxide. It is preferable that the coating material is coated with the coating material. Titanium oxide (C) is preferably coated with a coating material containing silicon oxide, and the filler (D) is also preferably coated with a coating material containing silicon oxide. Silicon oxide is preferably used as the acidic metal oxide or acidic metal hydroxide.

白色硬化性組成物の硬化性を更に一層高め、かつ成形体の成形むらを更に一層抑制する観点からは、酸化チタン(C)がルチル型酸化チタンであり、該ルチル型酸化チタンが、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物により被覆されていることが好ましい。   From the standpoint of further enhancing the curability of the white curable composition and further suppressing the molding unevenness of the molded body, the titanium oxide (C) is a rutile titanium oxide, and the rutile titanium oxide is an acidic metal. It is preferably coated with an oxide or an acidic metal hydroxide.

上記酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物による被覆方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。   Examples of the coating method using the acidic metal oxide or acidic metal hydroxide include the following methods.

水又は水を主成分とする液中に酸化チタン又は充填材を分散させ、スラリーを得る。必要に応じてサンドミル又はボールミル等により、酸化チタン又は充填材を粉砕する。次いで、スラリーのpHを中性又は酸性、場合によってはアルカリ性にする。その後、被覆材料の原料となる水溶性塩をスラリーに添加し酸化チタン又は充填材の表面を被覆する。その後、スラリーを中和し、酸化チタン又は充填材を回収する。回収された酸化チタン又は充填材は、乾燥又は乾式粉砕されてもよい。   Titanium oxide or a filler is dispersed in water or a liquid containing water as a main component to obtain a slurry. If necessary, the titanium oxide or filler is pulverized by a sand mill or a ball mill. The pH of the slurry is then made neutral or acidic, optionally alkaline. Thereafter, a water-soluble salt serving as a raw material for the coating material is added to the slurry to coat the surface of the titanium oxide or filler. Thereafter, the slurry is neutralized and the titanium oxide or filler is recovered. The recovered titanium oxide or filler may be dried or dry pulverized.

以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の他の詳細を説明する。   Hereinafter, other details of each component contained in the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention will be described.

[エポキシ化合物(A)]
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、エポキシ化合物(A)を含む。エポキシ化合物(A)はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物としてエポキシ化合物(A)を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。エポキシ化合物(A)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Epoxy compound (A)]
The white curable composition contains the epoxy compound (A) so that it can be cured by application of heat. The epoxy compound (A) has an epoxy group. By using an epoxy compound (A) as a thermosetting compound, the heat resistance and insulation reliability of a molded object become high. As for an epoxy compound (A), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物(A)の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。   Specific examples of the epoxy compound (A) include bisphenol type epoxy compounds, novolak type epoxy compounds, glycidyl ester type epoxy compounds obtained by reacting polychloric acid compounds with epichlorohydrin, polyamine compounds and epichlorohydrides. Heterocycles such as glycidylamine type epoxy compounds, glycidyl ether type epoxy compounds, aliphatic epoxy compounds, hydrogenated aromatic epoxy compounds, epoxy compounds having an alicyclic skeleton, triglycidyl isocyanurate obtained by reacting with phosphorus And an epoxy compound of the formula. Examples of the polychloric acid compound include phthalic acid and dimer acid. Examples of the polyamine compound include diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid.

上記光半導体装置用白色樹脂組成物に含まれている上記エポキシ化合物(A)全体のエポキシ当量は好ましくは500以上、好ましくは20000以下である。該エポキシ当量が500以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層良好になる。該エポキシ当量が20000以下であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体の強度がより一層高くなる。上記エポキシ当量は、JIS K7236に準拠して測定される。   The epoxy equivalent of the whole epoxy compound (A) contained in the white resin composition for an optical semiconductor device is preferably 500 or more, and preferably 20000 or less. When the epoxy equivalent is 500 or more, the moldability of the white curable composition is further improved, the molded body is not easily brittle, and the processability of the molded body is further improved. When the epoxy equivalent is 20000 or less, the moldability of the white curable composition is further improved, and the strength of the molded body is further increased. The epoxy equivalent is measured according to JIS K7236.

成形体の強度を高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物(A)は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)の内の少なくとも1種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物(A)は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)と脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)との双方を含んでいてもよい。上記白色硬化性組成物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)のみを含んでいてもよく、脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)のみを含んでいてもよい。   From the viewpoint of increasing the strength of the molded body and further improving the workability of the molded body, the epoxy compound (A) is composed of an epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton and an epoxy compound (A2) having an alicyclic skeleton. It is preferable that at least one of these is included. The epoxy compound (A) may contain both an epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton and an epoxy compound (A2) having an alicyclic skeleton. The said white curable composition may contain only the epoxy compound (A1) which has an aromatic skeleton, and may contain only the epoxy compound (A2) which has an alicyclic skeleton.

成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物(A)は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further enhancing the strength and heat resistance of the molded article, the epoxy compound (A) preferably contains an epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton. As for the epoxy compound (A1) which has the said aromatic skeleton, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物(A)は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)を含むことが好ましい。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further improving the adhesion between the lead frame and the molded body, the epoxy compound (A) preferably includes an epoxy compound (A2) having an alicyclic skeleton. As for the epoxy compound (A2) which has the said alicyclic skeleton, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、芳香族骨格を有する多塩基酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、及び芳香族骨格を有するグリシジルエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。   Examples of the epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton include bisphenol A type epoxy compound, bisphenol F type epoxy compound, cresol novolac type epoxy compound, phenol novolac type epoxy compound, polybasic acid compound having aromatic skeleton and epichloro Examples thereof include glycidyl ester type epoxy compounds obtained by reacting with hydrin and glycidyl ether type epoxy compounds having an aromatic skeleton.

上記成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)は、ビスフェノール骨格又はノボラック骨格を有することが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the strength and heat resistance of the molded article, the epoxy compound (A1) having the aromatic skeleton preferably has a bisphenol skeleton or a novolak skeleton.

上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物(A1)のエポキシ当量は、好ましくは400以上、好ましくは3000以下である。該エポキシ当量が400以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該エポキシ当量が3000以下であると、成形体の強度がより一層高くなる。   The epoxy equivalent of the epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton is preferably 400 or more, and preferably 3000 or less. When the epoxy equivalent is 400 or more, the moldability of the white curable composition is further improved. When the epoxy equivalent is 3000 or less, the strength of the molded product is further increased.

上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)の具体例としては、2−(3,4−エポキシ)シクロヘキシル−5,5−スピロ−(3,4−エポキシ)シクロヘキサン−m−ジオキサン、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン、1,2:8,9−ジエポキシリモネン、ε−カプロラクトン修飾テトラ(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)ブタンテトラカルボキシレート、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物等が挙げられる。上記成形体の耐熱性をより一層高める観点から、上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物(A2)は2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(ダイセル化学社製「EHPE−3150」)が好ましい。   Specific examples of the epoxy compound (A2) having the alicyclic skeleton include 2- (3,4-epoxy) cyclohexyl-5,5-spiro- (3,4-epoxy) cyclohexane-m-dioxane, 3, 4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexene carboxylate, dicyclopentadiene dioxide, vinylcyclohexene monooxide, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane, 1,2: 8,9-diepoxy Limonene, ε-caprolactone modified tetra (3,4-epoxycyclohexylmethyl) butanetetracarboxylate, 2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol added with 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane Thing etc. are mentioned. From the viewpoint of further improving the heat resistance of the molded article, the epoxy compound (A2) having the alicyclic skeleton is 1,2-epoxy-4- (2) of 2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol. -Oxiranyl) cyclohexane adduct ("EHPE-3150" manufactured by Daicel Chemical Industries) is preferable.

上記エポキシ化合物(A)の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、エポキシ化合物(A)の含有量は好ましくは3重量%以上、より好ましくは5重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは95重量%以下、更に好ましくは80重量%以下である。エポキシ化合物(A)の含有量が上記下限以上であると、加熱により白色硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。エポキシ化合物(A)の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。   The compounding quantity of the said epoxy compound (A) is suitably adjusted so that it may harden | cure moderately by provision of heat, and is not specifically limited. In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the epoxy compound (A) is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, preferably 99%. % By weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less. When the content of the epoxy compound (A) is not less than the above lower limit, the white curable composition is more effectively cured by heating. When the content of the epoxy compound (A) is not more than the above upper limit, the heat resistance of the molded product is further increased.

[硬化剤(B)]
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、硬化剤(B)を含む。硬化剤(B)は、エポキシ化合物(A)を硬化させる。硬化剤(B)として、エポキシ化合物(A)の硬化剤として使用される公知の硬化剤が使用可能である。上記硬化剤(B)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing agent (B)]
The said white curable composition for optical semiconductor devices contains a hardening | curing agent (B) so that it can harden | cure efficiently by provision of heat. The curing agent (B) cures the epoxy compound (A). As the curing agent (B), a known curing agent used as a curing agent for the epoxy compound (A) can be used. As for the said hardening | curing agent (B), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化剤(B)としては、酸無水物、ジシアンジアミド、フェノール化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、トリアジン環を有する化合物、メチル(メタ)アクリレート樹脂又はスチレン樹脂等により形成されたシェルにより、トリフェニルホスフィン(硬化剤)が被覆されている潜在性硬化剤(例えば、日本化薬社製「EPCAT−P」及び「EPCAT−PS」)、ポリウレア系重合体又はラジカル重合体により形成されたシェルにより、アミンなどの硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤(特許第3031897号公報及び特許第3199818号公報に記載)、変性イミダゾールなどの硬化剤をエポキシ樹脂中に分散させて閉じ込め、粉砕することにより得られた潜在性硬化剤(旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュアHXA3792」及び「HXA3932HP」)、熱可塑性高分子内に硬化剤を分散させ、含有させた潜在性硬化剤(特許第3098061号公報に記載)、並びにテトラキスフェノール類化合物などにより被覆されたイミダゾール潜在性硬化剤(例えば、日本曹達社製「TEP−2E4MZ」及び「HIPA−2E4MZ」)等が挙げられる。これら以外の硬化剤(B)を用いてもよい。   As the curing agent (B), triphenylphosphine is formed by a shell formed of an acid anhydride, dicyandiamide, a phenol compound, a hydrazide compound, an imidazole compound, a compound having a triazine ring, a methyl (meth) acrylate resin or a styrene resin. A latent curing agent (for example, “EPCAT-P” and “EPCAT-PS” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), a polyurea polymer or a radical polymer formed by a shell formed with a (curing agent) is coated with an amine. It is obtained by dispersing a curing agent such as a latent curing agent (described in Japanese Patent No. 3031897 and Japanese Patent No. 3199818) coated with a curing agent such as modified imidazole in an epoxy resin and confining and grinding. Latent curing agent ("Novakyu" manufactured by Asahi Kasei E-materials HXA3792 "and" HXA3932HP "), a latent curing agent in which a curing agent is dispersed and contained in a thermoplastic polymer (described in Japanese Patent No. 3098061), and an imidazole latency coated with a tetrakisphenol compound or the like Examples thereof include curing agents (for example, “TEP-2E4MZ” and “HIPA-2E4MZ” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.). A curing agent (B) other than these may be used.

リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化剤(B)は、酸無水物硬化剤を含有することがより好ましい。上記白色硬化性組成物は、酸無水物硬化剤を含むことが好ましい。酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。   From the viewpoint of further improving the adhesion between the lead frame and the molded body, the curing agent (B) preferably contains an acid anhydride curing agent. The white curable composition preferably contains an acid anhydride curing agent. By using an acid anhydride curing agent, it is possible to maintain high curability and further suppress molding unevenness of the molded body. As the acid anhydride curing agent, any of an acid anhydride having an aromatic skeleton and an acid anhydride having an alicyclic skeleton can be used.

好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   Preferred examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, glutaric anhydride. And methylhexahydrophthalic anhydride and methyltetrahydrophthalic anhydride.

上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   The acid anhydride curing agent preferably does not have a double bond. Preferable acid anhydride curing agents having no double bond include hexahydrophthalic anhydride and methylhexahydrophthalic anhydride.

上記硬化剤(B)は、塩基性を有する硬化剤を含有することが好ましい。塩基性を有する硬化剤の使用により、白色硬化性組成物の硬化性がより一層良好になる。なお、上記硬化剤が塩基性を有するか否かは、硬化剤1gをアセトン5gと純水5gとを含む液10g中に入れ、80℃で1時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のpHが塩基性であることにより判断される。   The curing agent (B) preferably contains a basic curing agent. By using a basic curing agent, the curability of the white curable composition is further improved. Whether or not the curing agent has basicity is determined by putting 1 g of the curing agent in 10 g of a liquid containing 5 g of acetone and 5 g of pure water, heating the mixture with stirring at 80 ° C. for 1 hour, and then after heating. When an insoluble component in the liquid is removed by filtration to obtain an extract, it is judged that the pH of the extract is basic.

上記エポキシ化合物(A)と上記硬化剤(B)との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物(A)100重量部に対して、硬化剤(B)の含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、更に好ましくは2重量部以上、特に好ましくは3重量部以上、好ましくは500重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは100重量部以下である。   The mixing ratio of the epoxy compound (A) and the curing agent (B) is not particularly limited. The content of the curing agent (B) is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, still more preferably 2 parts by weight or more, particularly preferably 100 parts by weight of the epoxy compound (A). 3 parts by weight or more, preferably 500 parts by weight or less, more preferably 300 parts by weight or less, and still more preferably 100 parts by weight or less.

上記エポキシ化合物(A)100重量部に対して、上記塩基性を有する硬化剤の含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、更に好ましくは2重量部以上、特に好ましくは3重量部以上、好ましくは500重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは100重量部以下である。塩基性を有する硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。   The content of the basic curing agent with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound (A) is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, and still more preferably 2 parts by weight or more. The amount is particularly preferably 3 parts by weight or more, preferably 500 parts by weight or less, more preferably 300 parts by weight or less, and still more preferably 100 parts by weight or less. When the content of the basic curing agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability of the white curable composition is further increased, and the molding unevenness of the molded body is further less likely to occur.

上記エポキシ化合物(A)100重量部に対して、上記酸無水物硬化剤の含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、更に好ましくは2重量部以上、特に好ましくは3重量部以上、好ましくは500重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは100重量部以下である。酸無水物硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。   The content of the acid anhydride curing agent with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound (A) is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, still more preferably 2 parts by weight or more. The amount is preferably 3 parts by weight or more, preferably 500 parts by weight or less, more preferably 300 parts by weight or less, and still more preferably 100 parts by weight or less. When the content of the acid anhydride curing agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability can be kept high and the molding unevenness of the molded body can be further suppressed.

また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、エポキシ化合物(A)全体のエポキシ当量と硬化剤(B)の硬化剤当量との当量比(エポキシ当量:硬化剤当量)は、0.3:1〜2:1であることが好ましく、0.5:1〜1.5:1であることがより好ましい。上記当量比(エポキシ当量:硬化剤当量)が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。   Moreover, in the said white curable composition for optical semiconductor devices, the equivalent ratio (epoxy equivalent: hardening | curing agent equivalent) of the epoxy equivalent of the whole epoxy compound (A) and the hardening | curing agent equivalent of a hardening | curing agent (B) is 0.00. The ratio is preferably 3: 1 to 2: 1, and more preferably 0.5: 1 to 1.5: 1. When the equivalent ratio (epoxy equivalent: curing agent equivalent) satisfies the above range, the heat resistance and weather resistance of the molded article are further enhanced.

(酸化チタン(C))
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は酸化チタン(C)を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記酸化チタン(C)の使用によって、酸化チタン(C)とは異なる充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている酸化チタン(C)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Titanium oxide (C))
Since the said white curable composition for optical semiconductor devices contains a titanium oxide (C), the molded object with a high reflectance of light can be obtained. Further, by using the titanium oxide (C), it is possible to obtain a molded article having a high light reflectance as compared with a case where only a filler different from the titanium oxide (C) is used. As for the titanium oxide (C) contained in the said white curable composition for optical semiconductor devices, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記酸化チタン(C)は、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。   The titanium oxide (C) is preferably rutile titanium oxide or anatase titanium oxide. By using rutile-type titanium oxide, a molded body having further excellent heat resistance can be obtained. The anatase type titanium oxide has a lower hardness than the rutile type titanium oxide. For this reason, the moldability of the said curable composition becomes still higher by use of anatase type titanium oxide.

上記酸化チタン(C)は、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタン(C)100重量%中、上記アルミニウム酸化物より表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、100重量%以下である。上記酸化チタン(C)の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。   It is preferable that the said titanium oxide (C) contains the rutile type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide. In 100% by weight of the titanium oxide (C), the content of the rutile titanium oxide surface-treated from the aluminum oxide is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more and 100% by weight or less. The total amount of titanium oxide (C) may be rutile titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide. Use of the rutile type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide further increases the heat resistance of the molded body.

上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製の品番:CR−58や、ルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製の品番:R−630等が挙げられる。   Examples of the rutile-type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide include, for example, a product number manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., which is a rutile chlorine method titanium oxide, and a product number manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., which is a rutile sulfuric acid method titanium oxide. : R-630 and the like.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、上記酸化チタン(C)の含有量は、好ましくは3重量%以上、より好ましくは10重量%以上、更に好ましくは15重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。酸化チタン(C)の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the titanium oxide (C) is preferably 3% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, further preferably 15% by weight or more, preferably Is 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and still more preferably 85% by weight or less. When the content of titanium oxide (C) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the light reflectance of the molded body is further increased, the heat resistance of the molded body is further increased, and the molded body is exposed to a high temperature. When it is done, it becomes difficult to yellow.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、上記煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す酸化チタンの含有量は、0重量%以上、好ましくは1重量%以上、より好ましくは3重量%以上、更に好ましくは10重量%以上、特に好ましくは15重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。上記煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す酸化チタンの含有量が上記下限(0重量%を除く)以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of titanium oxide having a pH measured by the boiling method of 4 or more and less than 7 is 0% by weight or more, preferably 1% by weight. Or more, more preferably 3% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 15% by weight or more, preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, still more preferably 85% by weight or less. . When the content of titanium oxide having a pH measured by the boiling method of 4 or more and less than 7 is not less than the above lower limit (excluding 0% by weight) and not more than the above upper limit, curability of the white curable composition. Becomes even higher, and the molding unevenness of the molded body becomes even less likely to occur.

(充填材(D))
上記充填材(D)は、酸化チタンとは異なる充填材である。上記充填材(D)は特に限定されない。上記充填材(D)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Filler (D))
The filler (D) is a filler different from titanium oxide. The filler (D) is not particularly limited. As for the said filler (D), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記充填材(D)として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材(D)の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材(D)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Any of an inorganic filler and an organic filler can be used as the filler (D). Specific examples of the filler (D) include silica, alumina, mica, beryllia, potassium titanate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, zirconium oxide, antimony oxide, aluminum borate, aluminum hydroxide, Magnesium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum carbonate, calcium silicate, aluminum silicate, magnesium silicate, calcium phosphate, calcium sulfate, barium sulfate, silicon nitride, boron nitride, calcined clay, talc, silicon carbide, cross-linked Examples include acrylic resin particles and silicone particles. As for the said filler (D), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

成形体の強靭性を高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記充填材(D)は、球状充填材(D1)と破砕充填材(D2)との双方を含むことが好ましい。   From the viewpoint of enhancing the toughness of the molded body and further improving the workability of the molded body, the filler (D) preferably includes both the spherical filler (D1) and the crushed filler (D2). .

上記球状充填材(D1)は球状である。球状充填材(D1)はアスペクト比が2以下である充填材をいう。球状充填材(D1)は、真球状であってもよく、球を扁平にした楕円球状であってもよく、又はこれらに類似した形状であってもよい。   The spherical filler (D1) is spherical. The spherical filler (D1) refers to a filler having an aspect ratio of 2 or less. The spherical filler (D1) may be a true sphere, an elliptical sphere obtained by flattening a sphere, or a shape similar to these.

上記破砕充填材(D2)は、破砕された充填材である。上記破砕充填材(D2)のアスペクト比は、特に限定されない。破砕充填材(D2)のアスペクト比は好ましくは1.5以上、好ましくは20以下である。アスペクト比が1.5未満である破砕充填材(D2)は、比較的高価である。従って、白色硬化性組成物のコストが高くなる。上記アスペクト比が20以下であると、破砕充填材(D2)の充填が容易である。   The crushed filler (D2) is a crushed filler. The aspect ratio of the crushing filler (D2) is not particularly limited. The aspect ratio of the crushed filler (D2) is preferably 1.5 or more, and preferably 20 or less. The crushed filler (D2) having an aspect ratio of less than 1.5 is relatively expensive. Therefore, the cost of a white curable composition becomes high. When the aspect ratio is 20 or less, the crushing filler (D2) can be easily filled.

上記破砕充填材(D2)のアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置(商品名:FPA、日本ルフト社製)を用いて、破砕充填材(D2)の破砕面を測定することにより求めることができる。   The aspect ratio of the crushed filler (D2) is, for example, measuring the crushed surface of the crushed filler (D2) using a digital image analysis particle size distribution measuring device (trade name: FPA, manufactured by Nippon Luft). It can ask for.

上記球状充填材(D1)の好ましい例としては、シリカ、アルミナ、チタン酸カリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウム、硼酸アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム及び硫酸カルシウム等の無機球状充填材、並びに架橋アクリルの樹脂粒子等の有機球状充填材等が挙げられる。上記球状充填材(D1)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Preferred examples of the spherical filler (D1) include silica, alumina, potassium titanate, zirconium oxide, strontium titanate, aluminum borate, magnesium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium phosphate and Examples include inorganic spherical fillers such as calcium sulfate, and organic spherical fillers such as crosslinked acrylic resin particles. As for the said spherical filler (D1), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記破砕充填材(D2)の好ましい例としては、シリカ、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム及び炭化ケイ素等が挙げられる。上記破砕充填材(D2)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Preferred examples of the crushed filler (D2) include silica, antimony oxide, zirconium oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, barium carbonate, alumina, mica, beryllia, barium titanate, titanate. Potassium, strontium titanate, calcium titanate, aluminum carbonate, aluminum silicate, calcium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, silicon nitride, boron nitride, calcined clay, etc., talc, aluminum borate, silicon carbide, etc. Can be mentioned. As for the said crushing filler (D2), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

成形性を高め、かつ熱伝導性及び光反射特性に優れた成形体を得る観点からは、上記破砕充填材(D2)は、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム又は水酸化マグネシウムであることが好ましい。   From the viewpoint of improving the moldability and obtaining a molded article excellent in thermal conductivity and light reflection characteristics, the crushed filler (D2) is composed of silica, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, zirconium oxide, aluminum hydroxide or Magnesium hydroxide is preferred.

上記充填材(D)の平均粒径、上記球状充填材(D1)の平均粒径及び上記破砕充填材(D2)の平均粒径はそれぞれ、好ましくは0.1μm以上、好ましくは100μm以下である。該平均粒径が上記下限以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該平均粒径が上記上限以下であると、成形体の外観不良がより一層生じ難くなる。   The average particle diameter of the filler (D), the average particle diameter of the spherical filler (D1), and the average particle diameter of the crushed filler (D2) are each preferably 0.1 μm or more, preferably 100 μm or less. . When the average particle size is not less than the above lower limit, the moldability of the white curable composition is further improved. When the average particle size is less than or equal to the above upper limit, the appearance defect of the molded body is more difficult to occur.

上記充填材(D)の上記球状充填材(D1)における平均粒径及び上記破砕充填材(D2)における平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が50%のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Beckman Coulter社製の商品「LS 13 320」等が挙げられる。   The average particle diameter of the filler (D) in the spherical filler (D1) and the average particle diameter of the crushed filler (D2) are the particle diameter values when the integrated value is 50% in the volume-based particle size distribution curve. It is. The average particle size can be measured using, for example, a laser beam type particle size distribution meter. As a commercially available product of the laser beam type particle size distribution analyzer, a product “LS 13 320” manufactured by Beckman Coulter, Inc. may be mentioned.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、上記充填材(D)の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、更に好ましくは20重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。充填材(D)の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。充填材(D)の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the filler (D) is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, and further preferably 20% by weight or more, preferably Is 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and still more preferably 85% by weight or less. When the content of the filler (D) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the moldability of the white curable composition is further enhanced. When the content of the filler (D) is not more than the above upper limit, the light reflectance of the molded body is further increased.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、上記煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す酸化チタンとは異なる充填材の含有量は、0重量%以上、好ましくは1重量%以上、より好ましくは3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上、特に好ましくは10重量%以上、最も好ましくは20重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。上記煮沸法により測定されたpHが4以上、7未満の値を示す酸化チタンとは異なる充填材の含有量が上記下限(0重量%を除く)以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the filler different from titanium oxide having a pH measured by the boiling method of 4 or more and less than 7 is 0% by weight or more, Preferably 1% by weight or more, more preferably 3% by weight or more, still more preferably 5% by weight or more, particularly preferably 10% by weight or more, most preferably 20% by weight or more, preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight. % By weight or less, more preferably 85% by weight or less. When the content of the filler different from titanium oxide having a pH measured by the boiling method of 4 or more and less than 7 is not less than the above lower limit (excluding 0% by weight) and not more than the above upper limit, white curability The curability of the composition is further increased, and the molding unevenness of the molded body is further less likely to occur.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、上記酸化チタン(C)と上記充填材(D)との合計の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、更に好ましくは20重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは93重量%以下、更に好ましくは90重量%以下である。酸化チタン(C)と充填材(D)の合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の成形性及び成形体の光の反射率がより一層高くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the total content of the titanium oxide (C) and the filler (D) is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more. More preferably, it is 20% by weight or more, preferably 95% by weight or less, more preferably 93% by weight or less, and still more preferably 90% by weight or less. When the total content of titanium oxide (C) and filler (D) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the moldability of the white curable composition and the light reflectance of the molded body are further increased.

上記球状充填材(D1)と上記破砕充填材(D2)とを併用する場合には、上記光半導体装置用白色硬化性組成物では、上記球状充填材(D1)の含有量の上記破砕充填材(D2)の含有量に対する重量比(球状充填材(D1)/破砕充填材(D2))が、0.3以上、30以下であることが好ましく、1以上、15以下であることがより好ましい。上記球状充填材(D1)の含有量及び上記破砕充填材(D2)の含有量は、上記白色硬化性組成物100重量%中での含有量を示す。すなわち、上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、球状充填材(D1)と破砕充填材(D2)とを重量比(球状充填材(D1):破砕充填材(D2))で、3:10〜30:1で含むことが好ましく、1:1〜15:1で含むことがより好ましい。球状充填材(D1)の含有量が相対的に多くなると、成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層高くなって、成形体にクラック及び欠けがより一層生じ難くなる。破砕充填材(D2)の含有量が相対的に多くなると、成形体の強度がより一層高くなる。   When the spherical filler (D1) and the crushed filler (D2) are used in combination, in the white curable composition for optical semiconductor devices, the crushed filler having a content of the spherical filler (D1) is used. The weight ratio to the content of (D2) (spherical filler (D1) / crushed filler (D2)) is preferably 0.3 or more and 30 or less, more preferably 1 or more and 15 or less. . Content of the said spherical filler (D1) and content of the said crushing filler (D2) show content in 100 weight% of the said white curable composition. That is, in the white curable composition for optical semiconductor devices, the spherical filler (D1) and the crushed filler (D2) are in a weight ratio (spherical filler (D1): crushed filler (D2)). It is preferable to contain by 10-30: 1, and it is more preferable to contain by 1: 1-15: 1. When the content of the spherical filler (D1) is relatively increased, the molded body is less likely to be brittle, the processability of the molded body is further improved, and cracks and chips are less likely to occur in the molded body. When the content of the crushing filler (D2) is relatively increased, the strength of the molded body is further increased.

(硬化促進剤(E))
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記エポキシ化合物(A)と上記硬化剤(B)との反応を促進するために、硬化促進剤(E)を含むことが好ましい。硬化促進剤(E)の使用により、上記白色硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。硬化促進剤(E)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Curing accelerator (E))
The white curable composition for optical semiconductor devices preferably contains a curing accelerator (E) in order to promote the reaction between the epoxy compound (A) and the curing agent (B). By using the curing accelerator (E), the curability of the white curable composition can be increased, and the heat resistance of the molded body can be further increased. As for a hardening accelerator (E), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤(E)は、塩基性を有する硬化促進剤を含有することが好ましい。塩基性を有する硬化促進剤の使用により、白色硬化性組成物の硬化性がより一層良好になる。   It is preferable that the said hardening accelerator (E) contains the hardening accelerator which has basicity. Use of the curing accelerator having basicity further improves the curability of the white curable composition.

なお、上記硬化剤が塩基性を有するか否かは、硬化剤1gをアセトン5gと純水5gとを含む液10g中に入れ、80℃で1時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のpHが塩基性であることにより判断される。   Whether or not the curing agent has basicity is determined by putting 1 g of the curing agent in 10 g of a liquid containing 5 g of acetone and 5 g of pure water, heating the mixture with stirring at 80 ° C. for 1 hour, and then after heating. When an insoluble component in the liquid is removed by filtration to obtain an extract, it is judged that the pH of the extract is basic.

上記硬化促進剤(E)としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator (E) include urea compounds, onium salt compounds, imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds, and organometallic compounds.

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア及びトリ−n−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。   Examples of the urea compound include urea, aliphatic urea compounds, and aromatic urea compounds. Specific examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, and tri-n-. Examples include butylthiourea. Urea compounds other than these may be used.

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。   Examples of the onium salt compounds include ammonium salts, phosphonium salts, and sulfonium salt compounds.

上記イミダゾール化合物としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl- 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2 ′ -Methyl Midazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole Can be mentioned.

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。   The phosphorus compound contains phosphorus and is a phosphorus-containing compound. Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate, and tetra-n-. Examples thereof include butylphosphonium-tetraphenylborate. Phosphorus compounds other than these may be used.

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、4,4−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第4級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。   Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine, diazabicycloalkane, diazabicycloalkene, quaternary ammonium salt, triethylenediamine, and tri-2,4. , 6-dimethylaminomethylphenol. You may use the salt of these compounds. Phenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate, tetra-n-butylphosphonium-tetraphenylborate It is done.

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)及びトリスアセチルアセトナートコバルト(III)等が挙げられる。   Examples of the organometallic compound include alkali metal compounds and alkaline earth metal compounds. Specific examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), and trisacetylacetonate cobalt (III).

上記白色硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤(E)は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤(E)は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the curability of the white curable composition and further enhancing the heat resistance of the molded article, the curing accelerator (E) may be a urea compound, an onium salt compound, or a phosphorus compound. preferable. The curing accelerator (E) is preferably a urea compound, preferably an onium salt compound, and preferably a phosphorus compound.

上記エポキシ化合物(A)と上記硬化促進剤(E)との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物(A)100重量部に対して、硬化促進剤(E)の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは10重量部以下、更に好ましくは5重量部以下である。   The mixing ratio of the epoxy compound (A) and the curing accelerator (E) is not particularly limited. The content of the curing accelerator (E) is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the epoxy compound (A). Preferably it is 10 weight part or less, More preferably, it is 5 weight part or less.

上記エポキシ化合物(A)100重量部に対して、上記塩基性を有する硬化促進剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは10重量部以下、更に好ましくは5重量部以下である。塩基性を有する硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の硬化性がより一層高くなり、成形体の成形むらがより一層生じ難くなる。   The content of the basic curing accelerator is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound (A). The amount is more preferably 10 parts by weight or less, still more preferably 5 parts by weight or less. When the content of the basic curing accelerator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability of the white curable composition is further increased, and the molding unevenness of the molded body is further less likely to occur.

(カップリング剤(F))
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、カップリング剤(F)をさらに含むことが好ましい。カップリング剤(F)の使用により、成形体において熱硬化性成分と酸化チタン(C)と充填材(D)との接着性が良好になる。カップリング剤(F)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Coupling agent (F))
It is preferable that the said white curable composition for optical semiconductor devices further contains a coupling agent (F). By using the coupling agent (F), the adhesiveness between the thermosetting component, titanium oxide (C) and the filler (D) is improved in the molded body. As for a coupling agent (F), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記カップリング剤(F)としては特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。該シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、カチオニックシラン系カップリング剤、ビニルシラン系カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられる。カップリング剤(F)は、シランカップリング剤であることが好ましい。   Although it does not specifically limit as said coupling agent (F), For example, a silane coupling agent and a titanate coupling agent are mentioned. As the silane coupling agent, generally an epoxy silane coupling agent, an amino silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, a vinyl silane coupling agent, an acrylic silane coupling agent, a mercapto silane coupling agent and These composite coupling agents are mentioned. The coupling agent (F) is preferably a silane coupling agent.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物100重量%中、上記カップリング剤(F)の含有量は好ましくは0.01重量%以上、好ましくは5重量%以下である。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the coupling agent (F) is preferably 0.01% by weight or more, and preferably 5% by weight or less.

(他の成分)
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
(Other ingredients)
The white curable composition for an optical semiconductor device includes an antioxidant, a release agent, a resin modifier, a colorant, a diluent, a surface treatment agent, a flame retardant, a viscosity modifier, a dispersant, if necessary. It may contain a dispersion aid, a surface modifier, a plasticizer, an antibacterial agent, an antifungal agent, a leveling agent, a stabilizer, an anti-sagging agent or a phosphor. The diluent may be a reactive diluent or a non-reactive diluent.

上記酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。   Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants, and amine antioxidants.

上記フェノール系酸化防止剤の市販品としては、IRGANOX 1010、IRGANOX 1035、IRGANOX 1076、IRGANOX 1135、IRGANOX 245、IRGANOX 259、及びIRGANOX 295(以上、いずれもBASF社製)、アデカスタブ AO−30、アデカスタブ AO−40、アデカスタブ AO−50、アデカスタブ AO−60、アデカスタブ AO−70、アデカスタブ AO−80、アデカスタブ AO−90、及びアデカスタブ AO−330(以上、いずれもADEKA社製)、Sumilizer GA−80、Sumilizer MDP−S、Sumilizer BBM−S、Sumilizer GM、Sumilizer GS(F)、及びSumilizer GP(以上、いずれも住友化学工業社製)、HOSTANOX O10、HOSTANOX O16、HOSTANOX O14、及びHOSTANOX O3(以上、いずれもクラリアント社製)、アンテージ BHT、アンテージ W−300、アンテージ W−400、及びアンテージ W500(以上、いずれも川口化学工業社製)、並びにSEENOX 224M、及びSEENOX 326M(以上、いずれもシプロ化成社製)等が挙げられる。   Examples of commercially available phenolic antioxidants include IRGANOX 1010, IRGANOX 1035, IRGANOX 1076, IRGANOX 1135, IRGANOX 245, IRGANOX 259, and IRGANOX 295 (all of which are manufactured by BASF), ADK STAB AO-30, and ADK STAB AO. -40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO-90, and ADK STAB AO-330 (all of which are manufactured by ADEKA), Sumilizer GA-80, and Sumizer MDP -S, Sumilizer BBM-S, Sumilizer GM, Sumilizer GS (F), and Sumilizer G (All are manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), HOSTANOX O10, HOSTANOX O16, HOSTANOX O14, and HOSTANOX O3 (all are manufactured by Clariant), Antage BHT, Antage W-300, Antage W-400, and Antage W500 (All as described above, manufactured by Kawaguchi Chemical Industry Co., Ltd.), SEENOX 224M, and SEENOX 326M (all as described above, manufactured by Sipro Kasei Co., Ltd.).

上記リン系酸化防止剤としては、シクロヘキシルフォスフィン及びトリフェニルフォスフィン等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤の市販品としては、アデアスタブ PEP−4C、アデアスタブ PEP−8、アデアスタブ PEP−24G、アデアスタブ PEP−36、アデアスタブ HP−10、アデアスタブ 2112、アデアスタブ 260、アデアスタブ 522A、アデアスタブ 1178、アデアスタブ 1500、アデアスタブ C、アデアスタブ 135A、アデアスタブ 3010、及びアデアスタブ TPP(以上、いずれもADEKA社製)、サンドスタブ P−EPQ、及びホスタノックス PAR24(以上、いずれもクラリアント社製)、並びにJP−312L、JP−318−0、JPM−308、JPM−313、JPP−613M、JPP−31、JPP−2000PT、及びJPH−3800(以上、いずれも城北化学工業社製)等が挙げられる。   Examples of the phosphorus antioxidant include cyclohexylphosphine and triphenylphosphine. Commercially available products of the above phosphorus antioxidants include Adeastab PEP-4C, Adeastab PEP-8, Adeastab PEP-24G, Adeastab PEP-36, Adeastab HP-10, Adeastab 2112, Adeastab 260, Adeastab 522A, Adeastab 1178, Adeastab 1500, Adeastab C, Adeastab 135A, Adeastab 3010, and Adeastab TPP (all of which are manufactured by ADEKA), Sandstub P-EPQ, and Hostanox PAR24 (all of which are manufactured by Clariant), and JP-312L, JP -318-0, JPM-308, JPM-313, JPP-613M, JPP-31, JPP-2000PT, and JPH-3800 (all of which are Johoku Manabu Kogyo Co., Ltd.), and the like.

上記アミン系酸化防止剤としては、トリエチルアミン、メラミン、エチルジアミノ−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−トリル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−キシリル−S−トリアジン及び第四級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。   Examples of the amine-based antioxidant include triethylamine, melamine, ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine, 2,4-diamino-6-tolyl-S-triazine, and 2,4-diamino- Examples include 6-xylyl-S-triazine and quaternary ammonium salt derivatives.

上記エポキシ化合物(A)100重量部に対して、上記酸化防止剤の含有量は好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは5重量部以上、好ましくは50重量部以下、より好ましくは30重量部以下である。上記酸化防止剤の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。   The content of the antioxidant is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 5 parts by weight or more, preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound (A). Or less. When the content of the antioxidant is not less than the above lower limit and not more than the upper limit, a molded body that is more excellent in heat resistance can be obtained.

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。   The colorant is not particularly limited, and various organic materials such as phthalocyanine, azo compound, disazo compound, quinacridone, anthraquinone, flavantron, perinone, perylene, dioxazine, condensed azo compound, azomethine compound, infrared absorber and ultraviolet absorber. And inorganic pigments such as lead sulfate, chromium yellow, zinc yellow, chromium vermillion, valve shell, cobalt purple, bitumen, ultramarine, carbon black, chromium green, chromium oxide and cobalt green.

(光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体)
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物である。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
(Other details of white curable composition for optical semiconductor device and molded body for optical semiconductor device)
The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in the optical semiconductor device. It is a thing. The lead frame is, for example, a component for supporting and fixing the optical semiconductor element and achieving electrical connection between the electrode of the optical semiconductor element and external wiring. The molded body is a molded body for an optical semiconductor device, and is preferably an optical semiconductor element mounting substrate.

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。   Since a molded article having high light reflectance is obtained, the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is provided on the lead frame on which the optical semiconductor element is mounted and on the side of the optical semiconductor element in the semiconductor device. It is preferable that the white curable composition for an optical semiconductor device is used for obtaining a molded body that is disposed on the side and has a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element.

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましく、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合(ダイボンディング)するためのダイボンド材とは異なる。   Since a molded article having high light reflectance is obtained, the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention surrounds the optical semiconductor element on the lead frame on which the optical semiconductor element is mounted in the semiconductor device. It is preferable that the white curable composition for an optical semiconductor device is used for obtaining a molded body that is disposed as described above and has a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element on its inner surface. The molded body is preferably an outer wall member surrounding the optical semiconductor element, and is preferably a frame-shaped member. In addition, the said molded object differs from the die-bonding material for joining an optical semiconductor element (die bonding) in an optical semiconductor device.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた分割前成形体の加工性は高いので、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得ても、成形体にクラック及び欠けを生じ難くすることができる。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is used for obtaining individual molded bodies by dividing the pre-divided molded bodies after obtaining the molded bodies before division in which a plurality of molded bodies are continuous. It is preferable. Since the processability of the pre-division molded product using the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is high, cracks and Chipping can be made difficult to occur.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物(A)と硬化剤(B)と酸化チタン(C)と充填材(D)と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記白色硬化性樹脂組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。15〜150℃で5〜40分間混練することが好ましく、20〜100℃で10〜30分間混練することがより好ましい。   The said white curable composition for optical semiconductor devices is the epoxy compound (A), a hardening | curing agent (B), a titanium oxide (C), a filler (D), and the other component mix | blended as needed conventionally. It can be obtained by mixing by a known method. As a general method for producing the white curable resin composition, there is a method in which each component is kneaded by an extruder, a kneader, a roll, an extruder, etc., and then the kneaded product is cooled and pulverized. From the viewpoint of improving dispersibility, the kneading of each component is preferably performed in a molten state. The kneading conditions are appropriately determined depending on the type and amount of each component. Kneading is preferably performed at 15 to 150 ° C for 5 to 40 minutes, and more preferably kneading at 20 to 100 ° C for 10 to 30 minutes.

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。   The molded object for optical semiconductor devices which concerns on this invention is obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above. The white curable composition for optical semiconductor devices is formed into a predetermined shape. The molded body obtained by curing the white curable composition for optical semiconductor devices is suitably used for reflecting light emitted from the optical semiconductor element in the optical semiconductor device.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。   Examples of a method for obtaining the molded article for an optical semiconductor device using the white curable composition for an optical semiconductor device include a compression molding method, a transfer molding method, a laminate molding method, an injection molding method, an extrusion molding method, and a blow molding method. Is mentioned. Of these, transfer molding is preferred.

トランスファー成形法では、例えば、成形温度100〜200℃、成形圧力5〜20MPa及び成形時間60〜300秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。   In the transfer molding method, for example, the molded product is formed by transfer molding the white curable composition for an optical semiconductor device under the conditions of a molding temperature of 100 to 200 ° C., a molding pressure of 5 to 20 MPa, and a molding time of 60 to 300 seconds. can get.

(光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態)
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。
(Details of optical semiconductor device and embodiment of optical semiconductor device)
An optical semiconductor device according to the present invention includes a lead frame, an optical semiconductor element mounted on the lead frame, and a molded body disposed on the lead frame, and the molded body is for the optical semiconductor device. It is obtained by curing a white curable composition.

本発明に係る光半導体装置では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。   In the optical semiconductor device according to the present invention, the molded body is disposed on a side of the optical semiconductor element, and an inner surface of the molded body is a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element. It is preferable.

図1(a)及び(b)に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を断面図及び斜視図で示す。   1A and 1B are a sectional view and a perspective view of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

本実施形態の光半導体装置1は、リードフレーム2と光半導体素子3と第1の成形体4と第2の成形体5とを有する。光半導体素子3は発光ダイオード(LED)であることが好ましい。第1の成形体4と第2の成形体5とは一体的に形成されておらず、別の2つの部材である。第1の成形体4と第2の成形体5とは一体的に形成されていてもよい。   The optical semiconductor device 1 according to this embodiment includes a lead frame 2, an optical semiconductor element 3, a first molded body 4, and a second molded body 5. The optical semiconductor element 3 is preferably a light emitting diode (LED). The first molded body 4 and the second molded body 5 are not formed integrally, but are two other members. The first molded body 4 and the second molded body 5 may be integrally formed.

リードフレーム2上に、光半導体素子3が搭載され、配置されている。また、リードフレーム2上に、第1の成形体4が配置されている。また、複数のリードフレーム2間とリードフレーム2の下方とには、第2の成形体5が配置されている。第1の成形体4の内側に光半導体素子3が配置されている。光半導体素子3の側方に第1の成形体4が配置されており、光半導体素子3を取り囲むように第1の成形体4が配置されている。第1,第2の成形体4,5は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第1の成形体4は、光反射性を有し、内面4aに光反射部を有する。すなわち、第1の成形体4の内面4aは光反射部である。従って、光半導体素子3の周囲は、第1の成形体4の光反射性を有する内面4aにより囲まれている。   An optical semiconductor element 3 is mounted and arranged on the lead frame 2. A first molded body 4 is arranged on the lead frame 2. A second molded body 5 is disposed between the plurality of lead frames 2 and below the lead frames 2. The optical semiconductor element 3 is disposed inside the first molded body 4. A first molded body 4 is disposed on the side of the optical semiconductor element 3, and the first molded body 4 is disposed so as to surround the optical semiconductor element 3. The 1st, 2nd molded objects 4 and 5 are hardened | cured material of the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above, and are obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above. Therefore, the 1st molded object 4 has light reflectivity, and has a light reflection part in the inner surface 4a. That is, the inner surface 4a of the first molded body 4 is a light reflecting portion. Therefore, the periphery of the optical semiconductor element 3 is surrounded by the inner surface 4 a having the light reflectivity of the first molded body 4.

第1の成形体4の内面4aは、内面4aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面4aに到達した矢印Bで示す光が内面4aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。   The inner surface 4a of the first molded body 4 is formed such that the diameter of the inner surface 4a increases as it goes toward the opening end. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light indicated by the arrow B reaching the inner surface 4 a is reflected by the inner surface 4 a and travels forward of the optical semiconductor element 3.

光半導体素子3は、リードフレーム2上に、ダイボンド材6を用いて接続されている。光半導体素子3に設けられたボンディングパッド(図示せず)とリードフレーム2とが、ボンディングワイヤー7により電気的に接続されている。光半導体素子3及びボンディングワイヤー7を封止するように、第1の成形体4の内面4aで囲まれた領域内には、封止剤8が充填されている。   The optical semiconductor element 3 is connected to the lead frame 2 using a die bond material 6. A bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead frame 2 are electrically connected by a bonding wire 7. A sealing agent 8 is filled in the region surrounded by the inner surface 4 a of the first molded body 4 so as to seal the optical semiconductor element 3 and the bonding wire 7.

光半導体装置1では、光半導体素子3を駆動すると、破線Aで示すように光が発せられる。光半導体装置1では、光半導体素子3からリードフレーム2の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第1の成形体4の内面4aに到達した光が矢印Bで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置1から取り出される光の明るさは明るい。   In the optical semiconductor device 1, when the optical semiconductor element 3 is driven, light is emitted as indicated by a broken line A. In the optical semiconductor device 1, the light reaching the inner surface 4 a of the first molded body 4 as indicated by the arrow B as well as the light irradiated from the optical semiconductor element 3 to the side opposite to the upper surface of the lead frame 2, that is, the upper side. There is also light that is reflected by the light. Therefore, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor device 1 is bright.

なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。   The structure shown in FIG. 1 is merely an example of an optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to a structure of a molded body, a mounting structure of an optical semiconductor element, and the like.

また、図2に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品11を用意して、分割前光半導体装置用部品11を破線Xで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品11は、分割前リードフレーム2Aと、分割前第1の成形体4Aと、分割前第2の成形体5Aとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子3を搭載し、該光半導体素子3を封止剤8により封止して、光半導体装置1を得てもよい。分割前リードフレーム2Aを破線Xで示す部分で切断すると、リードフレーム2が得られる。分割前第1の成形体4Aを破線Xで示す部分で切断すると、第1の成形体4が得られる。分割前第2の成形体5Aを破線Xで示す部分で切断すると、第2の成形体5が得られる。   Further, as shown in FIG. 2, a pre-division optical semiconductor device component 11 in which a plurality of optical semiconductor device components are connected is prepared, and the pre-division optical semiconductor device component 11 is cut at a portion indicated by a broken line X. Individual optical semiconductor device components may be obtained. The pre-division optical semiconductor device component 11 includes a pre-division lead frame 2A, a pre-division first molded body 4A, and a pre-division second molded body 5A. After obtaining individual components for an optical semiconductor device, the optical semiconductor device 3 may be mounted, and the optical semiconductor device 3 may be sealed with a sealant 8 to obtain the optical semiconductor device 1. When the pre-division lead frame 2A is cut at a portion indicated by a broken line X, the lead frame 2 is obtained. When the first molded body 4A before division is cut at a portion indicated by a broken line X, the first molded body 4 is obtained. When the second molded body 5A before division is cut at a portion indicated by a broken line X, the second molded body 5 is obtained.

さらに、図3に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置12を用意して、分割前光半導体装置12を破線Xで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置12は、分割前リードフレーム2Aと、分割前第1の成形体4Aと、分割前第2の成形体5Aとを有する。また、図1に示す光半導体装置1と同様に、分割前光半導体装置12では、分割前リードフレーム2A上に、光半導体素子3が搭載され、配置されている。なお、図2,3では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。   Further, as shown in FIG. 3, a pre-division optical semiconductor device 12 in which a plurality of pre-division optical semiconductor devices are connected is prepared, and the pre-division optical semiconductor device 12 is cut at a portion indicated by a broken line X to obtain individual light. A semiconductor device may be obtained. The pre-division optical semiconductor device 12 includes a pre-division lead frame 2A, a pre-division first molded body 4A, and a pre-division second molded body 5A. As in the optical semiconductor device 1 shown in FIG. 1, in the pre-division optical semiconductor device 12, the optical semiconductor element 3 is mounted and arranged on the pre-division lead frame 2A. 2 and 3, in the pre-division optical semiconductor device component and the pre-division optical semiconductor device, a plurality of molded bodies are connected to form a pre-division molded body, but a plurality of molded bodies are not connected to each other. The front optical semiconductor device component and the pre-division optical semiconductor device may be divided to obtain the optical semiconductor device component and the optical semiconductor device.

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. The present invention is not limited to the following examples.

実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。   In the examples and comparative examples, the following materials were used.

(エポキシ化合物(A))
1)YD−012(芳香族骨格を有するビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量650、新日鐵化学社製)
2)YD−019(芳香族骨格を有するビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量2900、新日鐵化学社製)
3)YDCN704(芳香族骨格を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、新日鐵化学社製)
4)EHPE3150(脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量180、ダイセル化学社製)
(Epoxy compound (A))
1) YD-012 (bisphenol A type epoxy resin having an aromatic skeleton, epoxy equivalent 650, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
2) YD-019 (bisphenol A type epoxy resin having an aromatic skeleton, epoxy equivalent 2900, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
3) YDCN704 (Cresol novolac type epoxy resin having an aromatic skeleton, epoxy equivalent 210, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
4) EHPE3150 (epoxy resin having an alicyclic skeleton, epoxy equivalent 180, manufactured by Daicel Chemical Industries)

(硬化剤(B))
1)DICY7(ジシアンジアミド、塩基性を有する、三菱化学社製)
2)2MZ−A(2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、塩基性を有する、四国化成社製)
3)リカシッドHH(ヘキサヒドロ無水フタル酸、塩基性を有さない、新日本理化社製)
4)リカシッドMH−700(ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、塩基性を有さない、新日本理化社製)
(Curing agent (B))
1) DICY7 (dicyandiamide, basic, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
2) 2MZ-A (2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, basic, manufactured by Shikoku Chemicals)
3) Licacid HH (hexahydrophthalic anhydride, non-basic, manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.)
4) Ricacid MH-700 (mixture of hexahydrophthalic anhydride and methylhexahydrophthalic anhydride, non-basic, manufactured by Shin Nippon Rika)

(酸化チタン(C))
1)CR−90(ルチル型酸化チタン、煮沸法によるpH6.2、Al,Siにより表面処理されている、石原産業社製)
2)CR−50−2(ルチル型酸化チタン、煮沸法によるpH8.0、Alにより表面処理されている、有機処理されている、石原産業社製)
なお、1),2)の酸化チタンは、酸性金属化合物又は酸性金属水酸化物により被覆されている。酸化チタンを表面処理する際に、金属種がAlである場合は水酸化アルミニウムもしくは酸化アルミニウム、金属種がSiである場合は酸化珪素が用いられている。
(Titanium oxide (C))
1) CR-90 (rutile titanium oxide, pH 6.2 by boiling method, surface-treated with Al, Si, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
2) CR-50-2 (rutile titanium oxide, pH 8.0 by boiling method, surface treatment with Al, organic treatment, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
The titanium oxides 1) and 2) are coated with an acidic metal compound or acidic metal hydroxide. In the surface treatment of titanium oxide, aluminum hydroxide or aluminum oxide is used when the metal species is Al, and silicon oxide is used when the metal species is Si.

(充填材(D))
1)MSR−3512(球状シリカ、煮沸法によるpH6.5、平均粒径30μm、龍森社製)
2)HSP−2000(球状シリカ、煮沸法によるpH6.5、平均粒径2μm、東亜合成社製)
3)A−1(破砕シリカ、煮沸法によるpH6.8、平均粒径11μm、龍森社製)
4)B−55(破砕充填材である硫酸バリウム、煮沸法によるpH8.5、平均粒径1.2μm、堺化学工業社製)
(Filler (D))
1) MSR-3512 (spherical silica, pH 6.5 by boiling method, average particle size 30 μm, manufactured by Tatsumori)
2) HSP-2000 (spherical silica, pH 6.5 by boiling method, average particle size 2 μm, manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
3) A-1 (crushed silica, pH 6.8 by boiling method, average particle size 11 μm, manufactured by Tatsumori)
4) B-55 (barium sulfate as a crushing filler, pH 8.5 by boiling method, average particle size 1.2 μm, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.)

(硬化促進剤(E))
1)SA102(DBU−オクチル酸塩、塩基性を有する、サンアプロ社製)
2)PX−4ET(テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオネート、塩基性を有する、日本化学工業社製)
(Curing accelerator (E))
1) SA102 (DBU-octylate, basic, manufactured by San Apro)
2) PX-4ET (tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithionate, basic, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.)

(実施例1〜12及び比較例1〜4)
下記表1,2に示す各成分を下記表1,2に示す配合量で配合し、混合機(ラボプラストミルR−60、東洋精機製作所製)にて15分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物が常温(23℃)で液状である場合、溶融混練物を白色硬化性組成物として用いた。溶融混練物が常温(23℃)で固体である場合、常温で粉砕した後、タブレット化して、白色硬化性組成物を得た。
(Examples 1-12 and Comparative Examples 1-4)
The components shown in the following Tables 1 and 2 are blended in the blending amounts shown in the following Tables 1 and 2, and mixed for 15 minutes with a mixer (Laboplast Mill R-60, manufactured by Toyo Seiki Seisakusho) to obtain a melt-kneaded product. It was. When the melt-kneaded product was liquid at ordinary temperature (23 ° C.), the melt-kneaded product was used as a white curable composition. When the melt-kneaded material was solid at ordinary temperature (23 ° C.), it was pulverized at ordinary temperature and then tableted to obtain a white curable composition.

(評価)
(1)硬化性
銅素材(TAMAC 194)にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み0.2mmのリードフレームを得た。トランスファー成形(成形温度180℃、成形時間4分)でMAP成形法により上記リードフレーム上に、成形体を備えた光半導体装置搭載用基板を作製した。金型としては、縦15個×横10個のマトリックス状に配置された150個の凹部(光半導体素子搭載部)を有する一括成形用金型を用いた。キャビティサイズは、1個当たり6mm×3mm、深さ5mmとした。得られた光半導体装置搭載用基板を金型から取り外す際の状態から、硬化性を下記の基準で判定した。
(Evaluation)
(1) Curability After forming a circuit on a copper material (TAMAC 194) by etching, silver plating was applied to obtain a lead frame having a thickness of 0.2 mm. A substrate for mounting an optical semiconductor device provided with a molded body was produced on the lead frame by transfer molding (molding temperature 180 ° C., molding time 4 minutes) on the lead frame by the MAP molding method. As the mold, a batch molding mold having 150 concave portions (optical semiconductor element mounting portions) arranged in a matrix of 15 vertical × 10 horizontal was used. The cavity size was 6 mm × 3 mm per piece and the depth was 5 mm. From the state at the time of removing the obtained optical semiconductor device mounting substrate from the mold, the curability was determined according to the following criteria.

[硬化性の判定基準]
○:金型から取り出しが可能であった
×:金型から取り出す際に、成形体の金型への付着又は成形体の変形が見られた
[Criteria for curability]
○: It was possible to remove from the mold. ×: When removed from the mold, adhesion of the molded body to the mold or deformation of the molded body was observed.

(2)成形むら
上記硬化性の評価で得られた成形体(分割前成形体)を目視で観察し、成形むらを下記の基準で判定した。
(2) Molding unevenness The molded product (molded product before division) obtained by the above evaluation of curability was visually observed, and the molding unevenness was determined according to the following criteria.

[成形むらの判定基準]
○○:外観に全く異常がない
○:成形体の欠け、成形体におけるボイド及び成形体の充填不良が合計で1箇所見られた
×:成形体の欠け、成形体におけるボイド及び成形体の充填不良が合計で2箇所以上見られた
[Criteria for forming unevenness]
○○: No abnormality in the appearance ○: Chipping of the molded body, voids in the molded body and poor filling of the molded body were found in one place ×: Chipping of the molded body, voids in the molded body and filling of the molded body 2 or more defects were seen in total

(3)加工性
上記硬化性の評価で得られた成形体を170℃で2時間アフターキュアした。複数の成形体がマトリックス状に連なった分割前成形体を、ダイシング装置(ディスコ社製「DAD3350」)を用いて、個々の成形体に分割し、光半導体素子搭載部を1つ有する光半導体搭載用基板を150個得た。
(3) Workability The molded body obtained by the above evaluation of curability was after-cured at 170 ° C. for 2 hours. An optical semiconductor mounting having a single optical semiconductor element mounting portion by dividing a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies are arranged in a matrix form into individual molded bodies using a dicing apparatus ("DAD3350" manufactured by DISCO). 150 substrates were obtained.

上記150個の光半導体搭載用基板における成形体のダイシング面を観察し、加工性を下記の基準で判定した。   The dicing surfaces of the molded bodies on the 150 optical semiconductor mounting substrates were observed, and the workability was determined according to the following criteria.

[加工性の判定基準]
○○:成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、150個中3個以下
○:成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、150個中4個以上、10個以下
×:成形体にクラック又は欠けが発生した光半導体搭載用基板が、150個中11個以上
[Criteria for workability]
○○: No more than 3 out of 150 optical semiconductor mounting substrates with cracks or chips in the molded body ○: 4 or more optical semiconductor mounting substrates with cracks or chips in the molded body, 10 or less ×: 11 or more of 150 optical semiconductor mounting substrates in which cracks or chips occurred in the molded body

結果を下記の表1,2に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 0005798839
Figure 0005798839

Figure 0005798839
Figure 0005798839

1…光半導体装置
2…リードフレーム
2A…分割前リードフレーム
3…光半導体素子
4…第1の成形体
4A…分割前第1の成形体
4a…内面
5…第2の成形体
5A…分割前第2の成形体
6…ダイボンド材
7…ボンディングワイヤー
8…封止剤
11…分割前光半導体装置用部品
12…分割前光半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Lead frame 2A ... Lead frame before division 3 ... Optical semiconductor element 4 ... 1st molded object 4A ... 1st molded object 4a before division | segmentation 5 ... 2nd molded object 5A ... Before division | segmentation 2nd molded object 6 ... Die bond material 7 ... Bonding wire 8 ... Sealant 11 ... Parts for optical semiconductor devices before division 12 ... Optical semiconductor devices before division

Claims (9)

リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
前記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、
前記成形体が、光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られており、
前記光半導体装置用白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含み、
前記光半導体装置用白色硬化性組成物が、硬化促進剤を含まないか又は含み、
前記硬化促進剤が含まれない場合には、前記硬化剤が塩基性を有する硬化剤を含有し、前記硬化促進剤が含まれる場合には、前記硬化剤が塩基性を有する硬化剤を含有するか、又は前記硬化促進剤が塩基性を有する硬化促進剤を含有し、
前記酸化チタン及び前記充填材の内の少なくとも一方の成分が、該成分5gを純水100mLに加えた液を加熱し、5分間沸騰させた後、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を100mLとした液のpHを測定したときに、pHが4以上、7未満の値を示す成分を含有し、 前記pHが4以上、7未満の値を示す成分が、pHが4以上、6.8以下の値を示す成分であり、
前記pHが4以上、6.8以下の値を示す成分の含有量が、前記酸化チタンと前記充填剤との合計100重量%中、30重量%以上である、光半導体装置。
A lead frame;
An optical semiconductor element mounted on the lead frame;
A molded body disposed on the lead frame,
The molded body is obtained by curing a white curable composition for optical semiconductor devices,
The white curable composition for an optical semiconductor device includes an epoxy compound, a curing agent, titanium oxide, and a filler different from titanium oxide,
The white curable composition for an optical semiconductor device does not contain or contains a curing accelerator,
When the curing accelerator is not included, the curing agent contains a basic curing agent, and when the curing accelerator is included, the curing agent contains a basic curing agent. Or the curing accelerator contains a basic curing accelerator,
At least one of the titanium oxide and the filler is heated to a solution obtained by adding 5 g of the component to 100 mL of pure water, boiled for 5 minutes, and then allowed to stand until reaching 23 ° C. Next, when the pH of the liquid obtained by adding water of the amount of water evaporated by boiling to the obtained boiling treatment liquid to make the amount of water 100 mL was measured, a component showing a value of 4 or more and less than 7 was obtained. The component having a pH of 4 or more and less than 7 is a component having a pH of 4 or more and 6.8 or less,
The optical semiconductor device, wherein the content of a component having a pH of 4 or more and 6.8 or less is 30 % by weight or more in a total of 100% by weight of the titanium oxide and the filler.
前記酸化チタン及び前記充填材の内の少なくとも一方が、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物により被覆されている、請求項1に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein at least one of the titanium oxide and the filler is covered with an acidic metal oxide or an acidic metal hydroxide. 前記酸化チタン及び前記充填材の内の少なくとも一方が、酸化珪素を含む被覆材料により被覆されている、請求項1又は2に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein at least one of the titanium oxide and the filler is covered with a coating material containing silicon oxide. 前記硬化剤が、酸無水物硬化剤を含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the curing agent contains an acid anhydride curing agent. 前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも1種を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the epoxy compound includes at least one of an epoxy compound having an aromatic skeleton and an epoxy compound having an alicyclic skeleton. 前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項5に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 5, wherein the epoxy compound includes an epoxy compound having an aromatic skeleton. 前記芳香族骨格を有するエポキシ化合物のエポキシ当量が、400以上、3000以下である、請求項5又は6に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 5 or 6, wherein an epoxy equivalent of the epoxy compound having an aromatic skeleton is 400 or more and 3000 or less. 前記エポキシ化合物が、脂環式骨格を有するエポキシ化合物を含む、請求項5〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 5, wherein the epoxy compound includes an epoxy compound having an alicyclic skeleton. 前記充填材が、球状充填材と破砕充填材との双方を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the filler includes both a spherical filler and a crushed filler.
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