JP2015218187A - White curable composition for optical semiconductor device and molding for optical semiconductor device and optical semiconductor device - Google Patents

White curable composition for optical semiconductor device and molding for optical semiconductor device and optical semiconductor device Download PDF

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樋口 勲夫
Isao Higuchi
勲夫 樋口
弘章 中川
Hiroaki Nakagawa
弘章 中川
崇至 鹿毛
Takashi Shikage
崇至 鹿毛
崇志 福田
Takashi Fukuda
崇志 福田
秀文 保井
Hidefumi Yasui
秀文 保井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a white curable composition for optical semiconductor devices which is low in light transmissivity even when the frame part of a molding is thinned, thereby allows increase of the reflectance and suppresses occurrence of cracks owing to high strength.SOLUTION: A white curable composition for optical semiconductor devices is used to obtain a molding which is to be arranged laterally relative to an optical semiconductor element in an optical semiconductor device and is white. When the white curable composition for optical semiconductor devices is molded into a sheet of the thickness of 50 μm, the sheet has a transmissivity at the wavelength of 450 nm of 10% or lower.

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置に関する。   The present invention relates to a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body having a frame portion disposed on the side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device. Moreover, this invention relates to the molded object for optical semiconductor devices and optical semiconductor device which used the said white curable composition for optical semiconductor devices.

発光ダイオード(LED)装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子(例えばLED)が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成型体が配置されている。該枠部を有する成型体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成型体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。   When an optical semiconductor element (for example, an LED), which is a light emitting element used in an optical semiconductor device, is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is normally sealed with the sealing compound for optical semiconductor devices. In order to fill the sealant, a molded body having a frame portion is disposed on a lead frame on which the optical semiconductor element is mounted. The sealing agent is filled inside the molded body having the frame portion. The molded body may be called a reflector, a case material, or a housing.

上記成型体を得るための成型材料の一例として、下記の特許文献1には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とカップリング剤とを含む硬化性組成物が開示されている。   As an example of a molding material for obtaining the molded body, the following Patent Document 1 discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, a white pigment, and a coupling agent. Has been.

また、下記の特許文献2には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。   Patent Document 2 below discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a white pigment.

特開2010−74124号公報JP 2010-74124 A 特開2011−009519号公報JP2011-009519A

近年、光半導体装置の小型化に伴い、成型体の枠部の薄型化が進められている。枠部が薄型化すると、特許文献1,2に記載のような従来の成型材料では、光半導体装置から発せられる光が上記枠部を透過しやすくなり、光半導体装置の輝度が低下する。また、上記枠部が薄型化すると、上記枠部の強度が低下し、トランスファー成型時にクラックが生じることがある。   In recent years, with the miniaturization of optical semiconductor devices, the frame portion of the molded body has been made thinner. When the frame portion is thinned, in the conventional molding materials as described in Patent Documents 1 and 2, light emitted from the optical semiconductor device is easily transmitted through the frame portion, and the luminance of the optical semiconductor device is lowered. In addition, when the frame portion is thinned, the strength of the frame portion is lowered, and cracks may occur during transfer molding.

本発明の目的は、成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率が低いため、反射率を高めることができ、かつ強度が高いため、クラックの発生を抑制することができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供することである。   An object of the present invention is to provide an optical semiconductor capable of suppressing the occurrence of cracks because the light transmittance is low even when the frame portion of the molded body is thin, and thus the reflectance can be increased and the strength is high. It is to provide a white curable composition for a device.

また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置を提供することを目的とする。   Another object of the present invention is to provide a molded body for an optical semiconductor device and an optical semiconductor device using the white curable composition for an optical semiconductor device.

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み50μmのシートに成型したときに、前記シートの波長450nmにおける透過率が10%以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided a white curable composition for an optical semiconductor device, which is used for obtaining a molded body having a frame portion disposed on a side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device and is white. When the white curable composition for optical semiconductor devices is molded into a sheet having a thickness of 50 μm, a white curable composition for optical semiconductor devices is provided in which the transmittance of the sheet at a wavelength of 450 nm is 10% or less. The

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、前記白色顔料以外の充填材が、粒径が50μm以上である充填材を含まないか、又は粒径が50μm以上である充填材を好ましくは1.5重量%未満で、より好ましくは1重量%未満で含む。   In a specific aspect of the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, the curable composition comprises an epoxy compound, an acid anhydride curing agent, a white pigment, and a filler other than the white pigment, And a filler other than the white pigment does not include a filler having a particle size of 50 μm or more, or a filler having a particle size of 50 μm or more is preferably less than 1.5% by weight. , More preferably less than 1% by weight.

前記白色顔料以外の充填材の平均粒径が1μm以上、40μm以下であることが好ましい。   The average particle diameter of the filler other than the white pigment is preferably 1 μm or more and 40 μm or less.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み50μmのシートに成型したときに、前記シートの引張強度が65MPa以上である。   In a specific aspect of the white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention, when the white curable composition for an optical semiconductor device is molded into a sheet having a thickness of 50 μm, the tensile strength of the sheet is 65 MPa or more. .

前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。前記白色顔料以外の充填材がシリカであることが好ましい。   The white pigment is preferably titanium oxide, zinc oxide or zirconium oxide. The filler other than the white pigment is preferably silica.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子が搭載されたリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる。   In a specific aspect of the white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention, the curable composition is used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in the optical semiconductor device. Used for.

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a molded body having a frame portion disposed on the side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device, which is obtained by curing the above-described white curable composition for an optical semiconductor device. An optical semiconductor device molded body is provided.

本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、前記成型体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a lead frame, an optical semiconductor element mounted on the lead frame, and a frame disposed on the lead frame and disposed on a side of the optical semiconductor element. There is provided an optical semiconductor device that is obtained by curing the white curable composition for optical semiconductor devices described above.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み50μmのシートに成型したときに、上記シートの波長450nmにおける透過率が10%以下であるので、成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率が低いため、反射率を高めることができ、かつ強度が高いため、クラックの発生を抑制することができる。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention has a transmittance of 10% or less at a wavelength of 450 nm when the white curable composition for optical semiconductor devices is molded into a sheet having a thickness of 50 μm. Even if the frame portion of the molded body is thinned, the light transmittance is low, so that the reflectance can be increased and the strength is high, so that the occurrence of cracks can be suppressed.

図1(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成型体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。1A and 1B are a cross-sectional view and a perspective view schematically showing an example of an optical semiconductor device including a molded body using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. It is. 図2は、図1に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the optical semiconductor device shown in FIG. 図3は、図2に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the optical semiconductor device shown in FIG. 図4は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成型体が連なった分割前成型体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 4 schematically illustrates an example of a pre-division optical semiconductor device component including a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention is connected. It is sectional drawing shown. 図5は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成型体が連なった分割前成型体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a pre-division optical semiconductor device including a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention are connected. FIG.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

(光半導体装置用白色硬化性組成物)
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物(以下、硬化性組成物と記載することがある)は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる。本発明に係る硬化性組成物は、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である。
(White curable composition for optical semiconductor devices)
A white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention (hereinafter sometimes referred to as a curable composition) is a molded body having a frame portion disposed on the side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device. Used to get. The curable composition according to the present invention is a white curable composition for an optical semiconductor device.

本発明に係る硬化性組成物を厚み50μmのシートに成型したときに、上記シートの波長450nmにおける透過率が10%以下である。   When the curable composition according to the present invention is molded into a sheet having a thickness of 50 μm, the transmittance of the sheet at a wavelength of 450 nm is 10% or less.

本発明に係る硬化性組成物の上記の構成を採用することで、上記硬化性組成物を成型して得られる枠部が薄くても、光半導体装置から発せられる光の透過率を低くすることができ、反射率を高めることができる。さらに、上記枠部の強度を高めることができ、トランスファー成型時のクラックの発生を抑制することができる。   By adopting the above-described configuration of the curable composition according to the present invention, the transmittance of light emitted from the optical semiconductor device is reduced even if the frame portion obtained by molding the curable composition is thin. And the reflectance can be increased. Furthermore, the strength of the frame portion can be increased, and the occurrence of cracks during transfer molding can be suppressed.

上記シートの上記透過率は、10%以下であるが、好ましくは9%以下、より好ましくは7%以下である。透過率が10%以下であることで、成型体の反射率を高めることができる。上記透過率は低いほどよく、上記透過率が低いほど成型体の反射率をより一層高めることができる。   The transmittance of the sheet is 10% or less, preferably 9% or less, more preferably 7% or less. The reflectance of a molded object can be raised because the transmittance | permeability is 10% or less. The lower the transmittance, the better, and the lower the transmittance, the higher the reflectance of the molded body.

上記透過率は、以下の要領にて測定することができる。光半導体用白色硬化性組成物を170℃で5分間加熱プレスすることにより、厚み50μmのシートを作製する。作製したシートについて、分光光度計を用いて、波長450nmにおける透過率を測定する。   The transmittance can be measured as follows. A white curable composition for optical semiconductors is heated and pressed at 170 ° C. for 5 minutes to produce a sheet having a thickness of 50 μm. About the produced sheet | seat, the transmittance | permeability in wavelength 450nm is measured using a spectrophotometer.

上記透過率を10%以下とする方法としては、後述する白色顔料以外の充填材の特定の粒径の割合を調整する方法等が挙げられる。   Examples of the method of setting the transmittance to 10% or less include a method of adjusting the ratio of the specific particle size of the filler other than the white pigment described later.

本発明に係る硬化性組成物を、厚み50μmのシートに成型したときに、上記シートの引張強度は好ましくは65MPa以上、より好ましくは70MPa以上、更に好ましくは80MPa以上、特に好ましくは90MPa以上である。上記引張強度が65MPa以上であると、トランスファー成型時に金型から成型体を取り出す際にクラックや欠けの発生を抑制することができる。上記引張強度は高いほどよく、上記引張強度が高いほど、クラック及び欠けの発生をより一層抑えることができる。   When the curable composition according to the present invention is molded into a sheet having a thickness of 50 μm, the tensile strength of the sheet is preferably 65 MPa or more, more preferably 70 MPa or more, still more preferably 80 MPa or more, and particularly preferably 90 MPa or more. . When the tensile strength is 65 MPa or more, generation of cracks and chips can be suppressed when the molded body is taken out from the mold during transfer molding. The higher the tensile strength, the better. The higher the tensile strength, the more the generation of cracks and chips can be further suppressed.

本発明に係る硬化性組成物は、エポキシ化合物(A)を含むことが好ましく、硬化剤(B)を含むことが好ましく、白色顔料(C)を含むことが好ましく、白色顔料以外の充填材(D)を含むことが好ましく、硬化促進剤(E)を含むことが好ましい。   The curable composition according to the present invention preferably includes an epoxy compound (A), preferably includes a curing agent (B), preferably includes a white pigment (C), and a filler other than the white pigment ( D) is preferably included, and a curing accelerator (E) is preferably included.

以下、本発明に係る硬化性組成物に用いることができる各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component which can be used for the curable composition which concerns on this invention is demonstrated.

[エポキシ化合物(A)]
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物(A)を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物(A)はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物(A)を用いることにより、成型体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物(A)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Epoxy compound (A)]
It is preferable that the said curable composition contains the said epoxy compound (A) so that it can harden | cure by provision of a heat | fever. The epoxy compound (A) has an epoxy group. By using the said epoxy compound (A) as a thermosetting compound, the heat resistance and insulation reliability of a molded object become high. As for the said epoxy compound (A), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物(A)の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、及び複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。   Specific examples of the epoxy compound (A) include a bisphenol type epoxy compound, a novolac type epoxy compound, a glycidyl ester type epoxy compound obtained by reacting a polychloric acid compound and epichlorohydrin, a polyamine compound and epichlorohydride. Glycidylamine type epoxy compounds, glycidyl ether type epoxy compounds, aliphatic epoxy compounds, hydrogenated aromatic epoxy compounds, epoxy compounds having an alicyclic skeleton, and heterocyclic epoxy compounds obtained by reacting with phosphorus Can be mentioned. Examples of the polychloric acid compound include phthalic acid and dimer acid. Examples of the polyamine compound include diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid.

上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。   Examples of the bisphenol type epoxy compound include bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, bisphenol S type epoxy compounds, and diglycidyl ethers such as alkyl-substituted bisphenols. As said novolak-type epoxy compound, a phenol novolak-type epoxy compound, an ortho cresol novolak-type epoxy compound, etc. are mentioned. Examples of the heterocyclic epoxy compound include diglycidyl isocyanurate and triglycidyl isocyanurate.

上記エポキシ化合物(A)は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物(A)は、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。   The epoxy compound (A) is preferably colorless or has a color close to colorless. Therefore, the epoxy compound (A) is preferably a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a bisphenol S type epoxy compound, diglycidyl isocyanurate or triglycidyl isocyanurate.

光半導体装置から発せられる光の明るさをより一層低下し難くする観点からは、上記エポキシ化合物(A)として、耐熱性に優れたエポキシ化合物を用いることが好ましい。このため、脂環式エポキシ化合物又はトリグリシジルイソシアヌレートが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。   From the viewpoint of further reducing the brightness of light emitted from the optical semiconductor device, it is preferable to use an epoxy compound having excellent heat resistance as the epoxy compound (A). For this reason, an alicyclic epoxy compound or triglycidyl isocyanurate is preferable, and triglycidyl isocyanurate is more preferable.

過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物(A)は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of further suppressing the deterioration of the quality of the optical semiconductor device due to use in a harsh environment, the epoxy compound (A) preferably contains an epoxy compound having no aromatic skeleton, It is preferable that it is an epoxy compound which does not have.

上記エポキシ化合物(A)のエポキシ当量は、好ましくは50以上、より好ましくは100以上、好ましくは500以下、より好ましくは300以下である。上記エポキシ化合物(A)のエポキシ当量は、300以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記硬化性組成物の連続成型性、及び成型体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。   The epoxy equivalent of the epoxy compound (A) is preferably 50 or more, more preferably 100 or more, preferably 500 or less, more preferably 300 or less. The epoxy equivalent of the epoxy compound (A) is particularly preferably 300 or less. When the epoxy equivalent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the continuous moldability of the curable composition and the adhesion of the molded body to the adhesion target are further enhanced.

上記エポキシ化合物(A)の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記硬化性組成物100重量%中、上記エポキシ化合物(A)の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは95重量%以下、更に好ましくは80重量%以下である。上記エポキシ化合物(A)の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物(A)の含有量が上記上限以下であると、成型体の耐熱性がより一層高くなる。   The compounding quantity of the said epoxy compound (A) is suitably adjusted so that it may harden | cure moderately by provision of heat, and is not specifically limited. The content of the epoxy compound (A) in 100% by weight of the curable composition is preferably 1% by weight or more, more preferably 3% by weight or more, still more preferably 5% by weight or more, preferably 99% by weight or less. More preferably, it is 95 weight% or less, More preferably, it is 80 weight% or less. When the content of the epoxy compound (A) is not less than the above lower limit, the curable composition is more effectively cured by heating. When the content of the epoxy compound (A) is not more than the above upper limit, the heat resistance of the molded body is further increased.

[硬化剤(B)]
上記硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤(B)を含むことが好ましい。上記硬化剤(B)は、上記エポキシ化合物(A)を硬化させる。上記硬化剤(B)は酸無水物硬化剤であることが好ましい。該酸無水物硬化剤の使用によって、成型体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成型体の成型むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物(A)の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤(B)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing agent (B)]
The curable composition preferably contains the curing agent (B) so that it can be efficiently cured by application of heat. The curing agent (B) cures the epoxy compound (A). The curing agent (B) is preferably an acid anhydride curing agent. By using the acid anhydride curing agent, adhesion with a member such as a sealant or a lead frame that is in contact with the molded body is increased. In addition, by using the acid anhydride curing agent, the curability can be kept high and the molding unevenness of the molded body can be further suppressed. As the acid anhydride curing agent, a known acid anhydride curing agent used as a curing agent for the epoxy compound (A) can be used. As for the said hardening | curing agent (B), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。   As the acid anhydride curing agent, any of an acid anhydride having an aromatic skeleton and an acid anhydride having an alicyclic skeleton can be used.

好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   Preferred examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, glutaric anhydride. And methylhexahydrophthalic anhydride and methyltetrahydrophthalic anhydride.

上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   The acid anhydride curing agent preferably does not have a double bond. Preferable acid anhydride curing agents having no double bond include hexahydrophthalic anhydride and methylhexahydrophthalic anhydride.

上記エポキシ化合物(A)と上記硬化剤(B)との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物(A)100重量部に対して、上記硬化剤(B)(酸無水物硬化剤)の含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、更に好ましくは2重量部以上、特に好ましくは3重量部以上、好ましくは500重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは200重量部以下、特に好ましくは100重量部以下である。上記硬化剤(B)が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物を良好に硬化させることができる。   The mixing ratio of the epoxy compound (A) and the curing agent (B) is not particularly limited. The content of the curing agent (B) (acid anhydride curing agent) with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound (A) is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, and still more preferably. Is 2 parts by weight or more, particularly preferably 3 parts by weight or more, preferably 500 parts by weight or less, more preferably 300 parts by weight or less, still more preferably 200 parts by weight or less, particularly preferably 100 parts by weight or less. A curable composition can be hardened | cured favorably as the said hardening | curing agent (B) is more than the said minimum and below the said upper limit.

上記硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物(A)全体のエポキシ当量と上記硬化剤(B)全体の硬化剤当量との当量比(エポキシ当量:硬化剤当量)は、0.3:1〜3:1であることが好ましく、1.3:1〜2:1であることがより好ましい。上記当量比(エポキシ当量:酸無水物硬化剤当量)が上記範囲を満足すると、成型体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。   In the curable composition, the equivalent ratio (epoxy equivalent: hardener equivalent) of the epoxy equivalent of the entire epoxy compound (A) and the hardener equivalent of the entire hardener (B) is 0.3: 1 to 3: 1 is preferable, and 1.3: 1 to 2: 1 is more preferable. When the equivalent ratio (epoxy equivalent: acid anhydride curing agent equivalent) satisfies the above range, the heat resistance and weather resistance of the molded article are further enhanced.

[白色顔料(C)]
上記硬化性組成物は上記白色顔料(C)を含むことが好ましい。白色顔料(C)の使用により、光の反射率が高い成型体を得ることができる。また、上記白色顔料(C)の使用によって、上記白色顔料(C)以外の充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成型体が得られる。上記白色顔料(C)は特に限定されない。上記白色顔料(C)として従来公知の白色顔料を使用可能である。上記白色顔料(C)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[White pigment (C)]
The curable composition preferably contains the white pigment (C). By using the white pigment (C), a molded article having high light reflectance can be obtained. Further, by using the white pigment (C), a molded article having a high light reflectance can be obtained as compared with the case where only the filler other than the white pigment (C) is used. The white pigment (C) is not particularly limited. A conventionally known white pigment can be used as the white pigment (C). As for the said white pigment (C), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白色顔料(C)としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。   Examples of the white pigment (C) include alumina, titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, antimony oxide and magnesium oxide.

成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料(C)は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、1種又は2種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料(C)は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料(C)は、酸化ジルコニウムであってもよい。   From the viewpoint of further increasing the light reflectance of the molded product, the white pigment (C) is preferably titanium oxide, zinc oxide or zirconium oxide. When this preferred white pigment is used, one or more white pigments can be used among titanium oxide, zinc oxide and zirconium oxide. The white pigment (C) is preferably titanium oxide or zinc oxide, preferably titanium oxide, and preferably zinc oxide. The white pigment (C) may be zirconium oxide.

上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。   The titanium oxide is preferably rutile titanium oxide. By using rutile type titanium oxide, the heat resistance of the molded body is further increased, and even if the optical semiconductor device is used in a harsh environment, the quality is hardly lowered.

上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料(C)100重量%中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、100重量%以下である。上記白色顔料(C)の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなる。   The titanium oxide is preferably rutile type titanium oxide surface-treated with aluminum oxide. In 100% by weight of the white pigment (C), the content of rutile titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more and 100% by weight or less. The total amount of the white pigment (C) may be rutile titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide. The use of rutile titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide further increases the heat resistance of the molded body.

上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「CR−90−2」、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「CR−58」、ルチル塩素法酸化チタンであるデュポン社製「R−900」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「R−630」等が挙げられる。   Examples of the rutile-type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide include, for example, “CR-90-2” manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., which is rutile chlorine method titanium oxide, and “CR, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., which is rutile chlorine method titanium oxide. -58 "," R-900 "manufactured by DuPont which is rutile chlorine method titanium oxide, and" R-630 "manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. which is rutile sulfuric acid method titanium oxide.

上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。   The zinc oxide is preferably surface-treated zinc oxide. From the viewpoint of further improving the workability of the molded body and the light reflectivity of the molded body, the zinc oxide is preferably surface-treated with a material containing silicon, aluminum or zirconia, and the surface is made of a material containing silicon. More preferably, it has been treated. The material containing silicon is preferably a silicone compound.

上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。   The zirconium oxide is preferably surface-treated zirconium oxide. From the viewpoint of further improving the workability of the molded body and the light reflectivity of the molded body, the zirconium oxide is preferably surface-treated with a material containing silicon, aluminum or zirconia, and the surface is treated with a material containing silicon. More preferably, it has been treated. The material containing silicon is preferably a silicone compound.

上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。   The surface treatment method is not particularly limited. As a surface treatment method, a dry method, a wet method, an integral blend method, and other known and commonly used surface treatment methods can be used.

上記白色顔料(C)の平均粒径は、好ましくは0.1μm以上、好ましくは40μm以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、成型体の光の反射率をより一層高めることができ、上記上限以下であると、同じく成型体の光の反射率をより一層高めることができる。   The average particle diameter of the white pigment (C) is preferably 0.1 μm or more, and preferably 40 μm or less. When the average particle size is not less than the above lower limit, the light reflectance of the molded body can be further increased, and when it is not more than the above upper limit, the light reflectance of the molded body can be further increased.

上記硬化性組成物100重量%中、上記白色顔料(C)の含有量及び上記酸化チタンの含有量はそれぞれ、好ましくは3重量%以上、より好ましくは5重量%以上、更に好ましくは7重量%以上、特に好ましくは10重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。上記白色顔料(C)の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the curable composition, the content of the white pigment (C) and the content of the titanium oxide are each preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, and further preferably 7% by weight. Above, particularly preferably 10% by weight or more, preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, still more preferably 85% by weight or less. When the content of the white pigment (C) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the light reflectance of the molded body is further increased, and the moldability of the curable composition is further enhanced.

[充填材(D)]
上記充填材(D)は、白色顔料以外の充填材である。上記充填材(D)は、白色顔料(C)とは異なる。上記充填材(D)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Filler (D)]
The filler (D) is a filler other than the white pigment. The filler (D) is different from the white pigment (C). As for the said filler (D), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記充填材(D)として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材(D)の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材(D)は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材(D)は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。   Any of an inorganic filler and an organic filler can be used as the filler (D). Specific examples of the filler (D) include silica, mica, beryllia, potassium titanate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, antimony oxide, aluminum borate, aluminum hydroxide, magnesium oxide, calcium carbonate. , Magnesium carbonate, aluminum carbonate, calcium silicate, aluminum silicate, magnesium silicate, calcium phosphate, calcium sulfate, barium sulfate, silicon nitride, boron nitride, calcined clay clay, talc, silicon carbide, crosslinked acrylic resin particles and Examples thereof include silicone particles. The filler (D) is preferably an inorganic filler. The filler (D) is not titanium oxide, which is a white pigment, is not zinc oxide, which is a white pigment, and is not zirconium oxide, which is a white pigment.

上記硬化性組成物の成型性、並びに成型体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材(D)はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。   From the viewpoint of further improving the moldability of the curable composition and the adhesion between the molded body and the adhesion target, the filler (D) preferably contains silica, more preferably silica. preferable.

上記白色顔料以外の充填材(D)は、粒径が50μm以上である充填材を含まないか、又は粒径が50μm以上である充填材を1.5重量%未満で含むことが好ましい。すなわち、粒径が50μm以上である充填材の含有量は少ないほどよい。粒径が50μm以上である充填材の含有量が1.5重量%未満であると、成型体の透過率を低減し、光の反射率をより一層高めることができる。上記白色顔料以外の充填材(D)における粒径が50μm以上である充填材の含有量は、より好ましくは1重量%未満である。本発明者らは、粒径が50μm以上である充填材の含有量が少ないほど、成型体の枠部を薄型化しても、光の透過率がかなり低くなって、反射率をより一層高めることができるだけでなく、かつ強度がかなり高くなって、クラックの発生を抑制することができることを見出した。   The filler (D) other than the white pigment preferably does not contain a filler having a particle size of 50 μm or more, or contains less than 1.5% by weight of a filler having a particle size of 50 μm or more. That is, the smaller the content of the filler having a particle size of 50 μm or more, the better. When the content of the filler having a particle size of 50 μm or more is less than 1.5% by weight, the transmittance of the molded body can be reduced and the light reflectance can be further increased. The content of the filler having a particle size of 50 μm or more in the filler (D) other than the white pigment is more preferably less than 1% by weight. As the content of the filler having a particle size of 50 μm or more is small, the inventors of the present invention have a considerably low light transmittance even when the frame portion of the molded body is thinned, thereby further increasing the reflectance. It has been found that not only can the strength be increased, but the strength can be considerably increased to suppress the occurrence of cracks.

粒径が50μm以上である充填材の割合は、以下の要領にて測定することができる。   The proportion of the filler having a particle size of 50 μm or more can be measured as follows.

上記白色顔料以外の充填材(D)50gをアセトン150gに超音波をかけながら分散させる。次いで目開き50μmのメッシュでろ過し、メッシュ不通過分を風乾させた後に重量を測定する。   50 g of filler (D) other than the white pigment is dispersed in 150 g of acetone while applying ultrasonic waves. Next, the mixture is filtered through a mesh having a mesh size of 50 μm, and the portion not passing through the mesh is air-dried, and then the weight is measured.

粒径が50μm以上である充填材が1重量%未満である上記充填材(D)としては、龍森社製「MSR−3512−SC4」(50μm以上の粒径の割合が0.1重量%)、「MSR−3512−SC3」(50μm以上の粒径の割合が0.8重量%)等が挙げられる。また、充填材をふるいにかけて、50μm以上の粒径の割合を制御してもよい。   As the filler (D) having a particle size of 50 μm or more and less than 1% by weight, “MSR-3512-SC4” manufactured by Tatsumori Co., Ltd. (the ratio of the particle size of 50 μm or more is 0.1% by weight) ), “MSR-3512-SC3” (the ratio of the particle diameter of 50 μm or more is 0.8% by weight), and the like. Further, the ratio of the particle diameter of 50 μm or more may be controlled by sieving the filler.

上記充填材(D)の平均粒径は、好ましくは1μm以上、好ましくは40μm以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、トランスファー成型時のクラックをより一層抑制することができる。   The average particle diameter of the filler (D) is preferably 1 μm or more, and preferably 40 μm or less. When the average particle size is equal to or more than the lower limit, the strength of the molded body is further increased, and cracks during transfer molding can be further suppressed.

上記充填材(D)における平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が50%のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Beckman Coulter社製「LS 13 320」等が挙げられる。   The average particle size in the filler (D) is a particle size value when the integrated value is 50% in the volume-based particle size distribution curve. The average particle size can be measured using, for example, a laser beam type particle size distribution meter. As a commercial product of the laser beam type particle size distribution analyzer, “LS 13 320” manufactured by Beckman Coulter, Inc. can be cited.

上記硬化性組成物100重量%中、上記充填材(D)の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、更に好ましくは20重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。上記充填材(D)の含有量及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。上記充填材(D)の含有量及び上記シリカの含有量が上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなる。   In 100% by weight of the curable composition, the content of the filler (D) and the content of the silica are each preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, and further preferably 20% by weight or more. Preferably, it is 95 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, More preferably, it is 85 weight% or less. When the content of the filler (D) and the content of the silica are not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the moldability of the curable composition is further enhanced. When the content of the filler (D) and the content of the silica are not more than the upper limit, the light reflectance of the molded body is further increased.

上記硬化性組成物100重量%中、上記白色顔料(C)と上記充填材(D)との合計の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは50重量%以上、更に好ましくは60重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、更に好ましくは85重量%以下である。上記白色顔料(C)と上記充填材(D)との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性及び成型体の光の反射率がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料(C)と上記充填材(D)との合計の含有量が50重量%以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。   In 100% by weight of the curable composition, the total content of the white pigment (C) and the filler (D) is preferably 20% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and still more preferably 60%. % By weight or more, preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and still more preferably 85% by weight or less. When the total content of the white pigment (C) and the filler (D) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the moldability of the curable composition and the light reflectance of the molded body are even higher. Thus, the fluidity of the curable composition becomes even more appropriate. Moreover, when the total content of the white pigment (C) and the filler (D) is 50% by weight or more, the strength of the molded body is further increased, and the fluidity of the curable composition is further increased. Become moderate.

上記硬化性組成物100重量%中、充填材(D)に含まれる粒径が50μm以上である充填材の含有量は、好ましくは1重量%以下、より好ましくは0.5重量%以下、特に好ましくは0重量%(未含有)である。   In 100% by weight of the curable composition, the content of the filler having a particle size of 50 μm or more contained in the filler (D) is preferably 1% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or less, particularly Preferably, it is 0% by weight (not contained).

[硬化促進剤(E)]
上記硬化性組成物は、硬化促進剤(E)を含むことが好ましい。上記硬化促進剤(E)の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成型体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤(E)は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing accelerator (E)]
It is preferable that the said curable composition contains a hardening accelerator (E). By using the curing accelerator (E), the curability of the curable composition can be increased, and the heat resistance of the molded body can be further increased. As for the said hardening accelerator (E), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤(E)としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator (E) include urea compounds, onium salt compounds, imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds, and organometallic compounds.

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア及びトリ−n−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。   Examples of the urea compound include urea, aliphatic urea compounds, and aromatic urea compounds. Specific examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, and tri-n-. Examples include butylthiourea. Urea compounds other than these may be used.

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。   Examples of the onium salt compounds include ammonium salts, phosphonium salts, and sulfonium salt compounds.

上記イミダゾール化合物としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl- 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2 ′ -Methyl Midazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole Can be mentioned.

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。   The phosphorus compound contains phosphorus and is a phosphorus-containing compound. Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate, and tetra-n-. Examples thereof include butylphosphonium-tetraphenylborate. Phosphorus compounds other than these may be used.

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、4,4−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第4級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。   Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine, diazabicycloalkane, diazabicycloalkene, quaternary ammonium salt, triethylenediamine, and tri-2,4. , 6-dimethylaminomethylphenol. You may use the salt of these compounds.

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)及びトリスアセチルアセトナートコバルト(III)等が挙げられる。   Examples of the organometallic compound include alkali metal compounds and alkaline earth metal compounds. Specific examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), and trisacetylacetonate cobalt (III).

上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成型体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤(E)は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤(E)は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the curability of the curable composition and further enhancing the heat resistance of the molded body, the curing accelerator (E) is preferably a urea compound, an onium salt compound, or a phosphorus compound. . The curing accelerator (E) is preferably a urea compound, preferably an onium salt compound, and preferably a phosphorus compound.

上記エポキシ化合物(A)と上記硬化促進剤(E)との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物(A)100重量部に対して、上記硬化促進剤(E)の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは10重量部以下、更に好ましくは5重量部以下である。   The mixing ratio of the epoxy compound (A) and the curing accelerator (E) is not particularly limited. The content of the curing accelerator (E) with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound (A) is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less. More preferably, it is 10 parts by weight or less, and still more preferably 5 parts by weight or less.

[離型剤(F)]
上記硬化性組成物は、上記離型剤(F)を含まないか又は含む。連続成型性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤(F)を含んでいてもよい。上記離型剤(F)は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Release agent (F)]
The curable composition does not contain or contains the release agent (F). From the viewpoint of further improving the continuous moldability, the curable composition may contain the release agent (F). As for the said mold release agent (F), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記離型剤(F)は特に限定されない。上記離型剤(F)として、従来公知の離型剤を使用可能である。上記離型剤(F)としては、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、エステル系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。   The release agent (F) is not particularly limited. As the release agent (F), a conventionally known release agent can be used. Examples of the release agent (F) include fatty acid ester waxes, oxidized or non-oxidized polyolefin waxes, paraffin waxes, ester waxes, carnauba waxes, and silicone compounds. Examples of the silicone compound include silicone oil and modified silicone oil.

上記硬化性組成物100重量%中、上記離型剤(F)の含有量は0重量%(未含有)以上、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.05重量%以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは3重量%以下である。上記硬化性組成物は、上記離型剤(F)を含んでいなくてもよい。上記離型剤(F)の含有量が上記下限以上であると、連続成型性がより一層高くなる。上記離型剤(F)の含有量が上記上限以下であると、密着対象物と成型体との密着性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the curable composition, the content of the release agent (F) is 0% by weight (not contained) or more, preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, preferably Is 5% by weight or less, more preferably 3% by weight or less. The said curable composition does not need to contain the said mold release agent (F). When the content of the release agent (F) is not less than the above lower limit, the continuous moldability is further enhanced. When the content of the release agent (F) is not more than the above upper limit, the adhesion between the adhesion target and the molded body is further enhanced.

密着対象物と成型体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤(F)を含まないか、上記硬化性組成物100重量%中、上記離型剤(F)を2重量%以下で含むことが特に好ましい。   From the viewpoint of further improving the adhesion between the object to be adhered and the molded body, the curable composition does not contain the release agent (F) or the mold release in 100% by weight of the curable composition. It is particularly preferable that the agent (F) is contained at 2% by weight or less.

[他の成分]
上記硬化性組成物は、必要に応じて、密着助剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
[Other ingredients]
The above curable composition is, as necessary, an adhesion aid, an antioxidant, a resin modifier, a colorant, a diluent, a surface treatment agent, a flame retardant, a viscosity modifier, a dispersant, a dispersion aid, a surface. It may contain a modifier, a plasticizer, an antibacterial agent, an antifungal agent, a leveling agent, a stabilizer, an anti-sagging agent or a phosphor. The diluent may be a reactive diluent or a non-reactive diluent.

上記密着助剤としては特に限定されず、カップリング剤、メラミン、イソシアネート化合物等の窒素原子を有する化合物、硫黄原子を有する化合物等が挙げられる。上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤等が挙げられる。   The adhesion aid is not particularly limited, and examples thereof include a compound having a nitrogen atom such as a coupling agent, melamine, and an isocyanate compound, and a compound having a sulfur atom. It does not specifically limit as said coupling agent, A silane coupling agent, a titanate coupling agent, etc. are mentioned.

上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。   It does not specifically limit as said antioxidant, A phenolic antioxidant, phosphorus antioxidant, an amine antioxidant, etc. are mentioned.

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。   The colorant is not particularly limited, and various organic materials such as phthalocyanine, azo compound, disazo compound, quinacridone, anthraquinone, flavantron, perinone, perylene, dioxazine, condensed azo compound, azomethine compound, infrared absorber and ultraviolet absorber. And inorganic pigments such as lead sulfate, chromium yellow, zinc yellow, chromium vermillion, valve shell, cobalt purple, bitumen, ultramarine, carbon black, chromium green, chromium oxide and cobalt green.

(光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成型体)
上記色硬化性組成物の、示差走査熱量測定により求められたガラス転移点は、好ましくは−20℃以上、より好ましくは0℃以上、好ましくは50℃以下、より好ましくは40℃以下である。上記ガラス転移点が上記下限以上であると、タブレットの強度がより一層高くなり、タブレットに欠けがより一層生じ難くなる。上記ガラス転移点が上記上限以下であると、成型不良がより一層生じ難くなり、特にトランスファー成型時の成型不良がより一層生じ難くなる。
(Other details of white curable composition for optical semiconductor device and molded body for optical semiconductor device)
The glass transition point of the color curable composition determined by differential scanning calorimetry is preferably −20 ° C. or higher, more preferably 0 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower, more preferably 40 ° C. or lower. When the glass transition point is not less than the above lower limit, the strength of the tablet is further increased, and the tablet is more difficult to be chipped. When the glass transition point is less than or equal to the above upper limit, molding defects are less likely to occur, and in particular, molding defects during transfer molding are even less likely to occur.

上記示差走査熱量測定では、23℃から降温速度10℃/分で−100℃まで冷却した後、昇温速度10℃/分で200℃まで加熱する条件で、測定が行われる。上記示差走査熱量測定では、例えば、エイアイアイ・ナノテクノロジー社製「EXSTAR DSC7020」等が用いられる。   In the differential scanning calorimetry, the measurement is performed under the condition of cooling from 23 ° C. to −100 ° C. at a temperature decrease rate of 10 ° C./min and then heating to 200 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min. In the differential scanning calorimetry, for example, “EXSTAR DSC7020” manufactured by AI Nano Technology, etc. is used.

上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる。上記硬化性組成物は、金型を用いて成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。   The said curable composition is used in order to obtain the molded object which has a frame part arrange | positioned at the side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device. It is preferable that the said curable composition is used in order to obtain a molded object using a metal mold | die. The curable composition has a frame portion disposed on the side of the optical semiconductor element in the optical semiconductor device, and seals the optical semiconductor element in a region surrounded by the inner surface of the frame portion. It is preferably used for obtaining a molded body used by being filled with a sealant. The curable composition is preferably used to obtain a molded body having an opening through which light emitted from the optical semiconductor element is extracted.

上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成型体は、光半導体装置用成型体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。   In the optical semiconductor device, the curable composition is preferably a curable composition used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted. The lead frame is, for example, a component for supporting and fixing the optical semiconductor element and achieving electrical connection between the electrode of the optical semiconductor element and external wiring. The molded body is an optical semiconductor device molded body, and is preferably an optical semiconductor element mounting substrate.

光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。   Since a molded body having a high light reflectance is obtained, the curable composition is disposed on the lead frame on which the optical semiconductor element is mounted and on the side of the optical semiconductor element in the optical semiconductor device. It is preferable that it is a curable composition used in order to obtain the molded object which has the light reflection part which reflects the light emitted from the semiconductor element.

光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記成型体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成型体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合(ダイボンディング)するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成型体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。   Since a molded body having high light reflectance is obtained, the curable composition is disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted and surrounding the optical semiconductor element in a semiconductor device, and the optical semiconductor It is preferably a curable composition used for obtaining a molded body having a light reflecting portion on the inner surface for reflecting light emitted from the element. The molded body preferably has a frame portion surrounding the optical semiconductor element, and is preferably an outer wall member surrounding the optical semiconductor element. The molded body is preferably a frame-shaped member. In addition, it is preferable that the said molded object differs from the die-bonding material for joining an optical semiconductor element (die bonding) in an optical semiconductor device. It is preferable that the molded body does not include the die bond material.

上記硬化性組成物は、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、該分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、複数の成型体がリードフレームを介して連なった分割前成型体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。   The curable composition is preferably used for obtaining individual molded bodies by dividing the molded body before division after obtaining the molded body before division in which a plurality of molded bodies are continuous. In the curable composition, after obtaining a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies are connected via a lead frame, the lead frame is cut to divide the pre-division molded body to obtain individual molded bodies. Is preferably used for this purpose.

上記硬化性組成物は、エポキシ化合物(A)と硬化剤(B)と白色顔料(C)と白色顔料以外の充填材(D)と硬化促進剤(E)などと必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕、タブレット化する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。15〜150℃で5〜100分間混練することが好ましく、15〜150℃で5〜60分間混練することがより好ましく、5〜150℃で5〜40分間混練することが更に好ましく、20〜100℃で10〜30分間混練することが特に好ましい。   The curable composition is blended with an epoxy compound (A), a curing agent (B), a white pigment (C), a filler (D) other than the white pigment, a curing accelerator (E), and the like as necessary. It can be obtained by mixing other components with a conventionally known method. A general method for producing the curable composition includes a method in which each component is kneaded by an extruder, a kneader, a roll, an extruder, etc., and then the kneaded product is cooled, pulverized, and tableted. From the viewpoint of improving dispersibility, the kneading of each component is preferably performed in a molten state. The kneading conditions are appropriately determined depending on the type and amount of each component. Kneading is preferably performed at 15 to 150 ° C for 5 to 100 minutes, more preferably 15 to 150 ° C for 5 to 60 minutes, further preferably 5 to 150 ° C for 5 to 40 minutes, and further preferably 20 to 100. It is particularly preferable to knead at 10 ° C. for 10 to 30 minutes.

成型体の外観をより一層良好にする観点からは、上記硬化性組成物を得る際に、50℃〜90℃で10分〜60分加熱混練した後、30℃を超え、50℃未満で24時間〜240時間エージングが行われていることが好ましい。上記エージングにおける温度が30℃を超えることで、エージングによる反応が適度に進行し、タブレット強度がより一層高くなり、タブレットの欠けがより一層生じ難くなる。上記エージングにおける温度が50℃未満であることで、エポキシ化合物と酸無水物硬化剤との相溶性がより一層良好になる。   From the viewpoint of further improving the appearance of the molded body, when the curable composition is obtained, the mixture is heated and kneaded at 50 ° C. to 90 ° C. for 10 minutes to 60 minutes, and then exceeds 30 ° C. and less than 50 ° C. It is preferable that aging is performed for a period of time to 240 hours. When the temperature in the aging exceeds 30 ° C., the reaction due to aging proceeds appropriately, the tablet strength is further increased, and chipping of the tablet is further less likely to occur. When the temperature in the aging is less than 50 ° C., the compatibility between the epoxy compound and the acid anhydride curing agent is further improved.

本発明に係る光半導体装置用成型体は、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記硬化性組成物は所定の形状に成型される。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成型体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。   The molded object for optical semiconductor devices which concerns on this invention is obtained by hardening the curable composition mentioned above. The curable composition is molded into a predetermined shape. The molded body obtained by curing the curable composition is suitably used for reflecting light emitted from an optical semiconductor element in an optical semiconductor device.

上記硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成型体を得る方法としては、圧縮成型法、トランスファー成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及びブロー成型法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成型法が好ましい。   Examples of the method for obtaining the molded body for an optical semiconductor device using the curable composition include a compression molding method, a transfer molding method, a lamination molding method, an injection molding method, an extrusion molding method, and a blow molding method. Of these, transfer molding is preferred.

成型体の製造を容易にし、かつ圧縮強度が高いタブレットを得ることができることから、上記硬化性組成物は、トランスファー成型するためのタブレットであることが好ましい。   The curable composition is preferably a tablet for transfer molding because it makes it easy to produce a molded body and a tablet with high compressive strength can be obtained.

トランスファー成型法では、例えば、成型温度100〜200℃、成型圧力5〜20MPa及び成型時間60〜300秒の条件で、上記硬化性組成物をトランスファー成型することにより、成型体が得られる。   In the transfer molding method, for example, a molded body is obtained by transfer molding the curable composition under the conditions of a molding temperature of 100 to 200 ° C., a molding pressure of 5 to 20 MPa, and a molding time of 60 to 300 seconds.

(光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態)
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備える。上記光半導体装置における上記成型体が、上記光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色タブレットは、上記白色硬化性組成物を用いて形成される。
(Details of optical semiconductor device and embodiment of optical semiconductor device)
An optical semiconductor device according to the present invention includes a lead frame, an optical semiconductor element mounted on the lead frame, and a frame disposed on the lead frame and disposed on a side of the optical semiconductor element. A molded body having a portion. The molded body in the optical semiconductor device is obtained by molding and curing the white tablet for an optical semiconductor device. The white tablet for optical semiconductor devices is formed using the white curable composition.

本発明に係る光半導体装置では、上記成型体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。   In the optical semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the inner surface of the molded body is a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element.

図1(a)及び(b)に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。   1A and 1B schematically show an example of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention in a cross-sectional view and a perspective view.

本実施形態の光半導体装置1は、リードフレーム2と光半導体素子3と第1の成型体4と第2の成型体5とを有する。光半導体素子3は発光ダイオード(LED)であることが好ましい。第1の成型体4と第2の成型体5とは一体的に形成されておらず、別の2つの部材である。第1の成型体4と第2の成型体5とは一体的に形成されていてもよい。第1の成型体4は、枠部である。第2の成型体5は、底部である。光半導体装置1では、成型体は、枠部(第1の成型体4)と、底部(第2の成型体5)とを有する。第1の成型体4である枠部は、外壁部である。第1の成型体4である枠部は、環状である。   The optical semiconductor device 1 of the present embodiment includes a lead frame 2, an optical semiconductor element 3, a first molded body 4, and a second molded body 5. The optical semiconductor element 3 is preferably a light emitting diode (LED). The first molded body 4 and the second molded body 5 are not formed integrally, but are two other members. The first molded body 4 and the second molded body 5 may be formed integrally. The first molded body 4 is a frame part. The second molded body 5 is the bottom. In the optical semiconductor device 1, the molded body has a frame (first molded body 4) and a bottom (second molded body 5). The frame portion that is the first molded body 4 is an outer wall portion. The frame part which is the 1st molded object 4 is cyclic | annular.

なお、成型体は、底部を有さない成型体であってもよい。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成型体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成型体は、枠部のみの枠状の成型体であってもよい。上記底部材は、成型体であってもよい。   Note that the molded body may be a molded body having no bottom. You may use combining the molded object which has a frame part obtained by hardening the said curable composition, and another bottom member. The molded body may be a frame-shaped molded body having only a frame portion. The bottom member may be a molded body.

リードフレーム2上に、光半導体素子3が搭載され、配置されている。また、リードフレーム2上に、第1の成型体4(枠部)が配置されている。また、複数のリードフレーム2間とリードフレーム2の下方とには、第2の成型体5(底部)が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成型体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第1の成型体4の内側に光半導体素子3が配置されている。光半導体素子3の側方に第1の成型体4が配置されており、光半導体素子3を取り囲むように第1の成型体4が配置されている。第1,第2の成型体4,5(枠部及び底部を有する成型体)は、上述した硬化性組成物の硬化物であり、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第1の成型体4は、光反射性を有し、内面4aに光反射部を有する。すなわち、第1の成型体4の内面4aは光反射部である。従って、光半導体素子3の周囲は、第1の成型体4の光反射性を有する内面4aにより囲まれている。第1の成型体4のみが、上述した硬化性組成物の硬化物であってもよい。   An optical semiconductor element 3 is mounted and arranged on the lead frame 2. A first molded body 4 (frame portion) is disposed on the lead frame 2. Further, a second molded body 5 (bottom portion) is disposed between the plurality of lead frames 2 and below the lead frames 2. Note that the molded body or the bottom member may not be disposed below the lead frame, and the lead frame may be exposed. The optical semiconductor element 3 is disposed inside the first molded body 4. A first molded body 4 is disposed on the side of the optical semiconductor element 3, and the first molded body 4 is disposed so as to surround the optical semiconductor element 3. The first and second molded bodies 4 and 5 (molded bodies having a frame part and a bottom part) are cured products of the above-described curable composition, and are obtained by curing the above-described curable composition. Therefore, the 1st molded object 4 has light reflectivity, and has a light reflection part in the inner surface 4a. That is, the inner surface 4a of the first molded body 4 is a light reflecting portion. Therefore, the periphery of the optical semiconductor element 3 is surrounded by the inner surface 4 a having the light reflectivity of the first molded body 4. Only the 1st molded object 4 may be the hardened | cured material of the curable composition mentioned above.

第1の成型体4(枠部)は、光半導体素子3から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第1,第2の成型体4,5は、白色である。第1の成型体4の内面4aは、内面4aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面4aに到達した矢印Bで示す光が内面4aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。   The first molded body 4 (frame portion) has an opening through which light emitted from the optical semiconductor element 3 is extracted. The first and second molded bodies 4 and 5 are white. The inner surface 4a of the first molded body 4 is formed such that the diameter of the inner surface 4a increases as it goes toward the opening end. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light indicated by the arrow B reaching the inner surface 4 a is reflected by the inner surface 4 a and travels forward of the optical semiconductor element 3.

光半導体素子3は、リードフレーム2上に、ダイボンド材6を用いて接続されている。ダイボンド材6は、導電性を有する。光半導体素子3に設けられたボンディングパッド(図示せず)とリードフレーム2とが、ボンディングワイヤー7により電気的に接続されている。光半導体素子3及びボンディングワイヤー7を封止するように、第1の成型体4の内面4aで囲まれた領域内には、封止剤8が充填されている。   The optical semiconductor element 3 is connected to the lead frame 2 using a die bond material 6. The die bond material 6 has conductivity. A bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead frame 2 are electrically connected by a bonding wire 7. A sealing agent 8 is filled in a region surrounded by the inner surface 4 a of the first molded body 4 so as to seal the optical semiconductor element 3 and the bonding wire 7.

光半導体装置1では、光半導体素子3を駆動すると、破線Aで示すように光が発せられる。光半導体装置1では、光半導体素子3からリードフレーム2の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第1の成型体4の内面4aに到達した光が矢印Bで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置1から取り出される光は明るい。   In the optical semiconductor device 1, when the optical semiconductor element 3 is driven, light is emitted as indicated by a broken line A. In the optical semiconductor device 1, not only light irradiated from the optical semiconductor element 3 to the side opposite to the upper surface of the lead frame 2, that is, upward, but also light reaching the inner surface 4 a of the first molded body 4 is indicated by an arrow B. There is also light that is reflected by the light. Therefore, the light extracted from the optical semiconductor device 1 is bright.

図2に、図1に示す光半導体装置1の変形例を示す。図1に示す光半導体装置1と図2に示す光半導体装置21とでは、ダイボンド材6,22及びボンディングワイヤー7,23による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置1におけるダイボンド材6は導電性を有する。これに対し、光半導体装置21はダイボンド材22を有し、ダイボンド材22は導電性を有さない。光半導体装置1では、光半導体素子3に設けられたボンディングパッド(図示せず)とリードフレーム2(図1(a)において右側に位置するリードフレーム)とが、ボンディングワイヤー7により電気的に接続されている。光半導体装置21は、ボンディングワイヤー7に加えて、ボンディングワイヤー23を有する。光半導体装置21では、光半導体素子3に設けられたボンディングパッド(図示せず)とリードフレーム2(図2において右側に位置するリードフレーム)とが、ボンディングワイヤー7により電気的に接続されており、更に、光半導体素子3に設けられたボンディングパッド(図示せず)とリードフレーム2(図2において左側に位置するリードフレーム)とが、ボンディングワイヤー23により電気的に接続されている。   FIG. 2 shows a modification of the optical semiconductor device 1 shown in FIG. The optical semiconductor device 1 shown in FIG. 1 differs from the optical semiconductor device 21 shown in FIG. 2 only in the electrical connection structure using the die bonding materials 6 and 22 and the bonding wires 7 and 23. The die bond material 6 in the optical semiconductor device 1 has conductivity. On the other hand, the optical semiconductor device 21 has a die bond material 22, and the die bond material 22 does not have conductivity. In the optical semiconductor device 1, a bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and a lead frame 2 (lead frame located on the right side in FIG. 1A) are electrically connected by a bonding wire 7. Has been. The optical semiconductor device 21 has a bonding wire 23 in addition to the bonding wire 7. In the optical semiconductor device 21, a bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and a lead frame 2 (a lead frame located on the right side in FIG. 2) are electrically connected by a bonding wire 7. Further, a bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead frame 2 (lead frame located on the left side in FIG. 2) are electrically connected by a bonding wire 23.

図3に、図2に示す光半導体装置21の変形例を示す。図3に示す光半導体装置31は、図1に示す光半導体装置1の変形例でもある。図2に示す光半導体装置21と、図3に示す光半導体装置31とでは、第1,第2の成型体4,5及び成型体32の構造のみが異なる。光半導体装置21では、第1,第2の成型体4,5が用いられており、第1の成型体4は、リードフレーム2上に配置されており、第2の成型体5は、複数のリードフレーム2間とリードフレーム2の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置31では、1つの成型体32が用いられている。成型体32は、リードフレーム2上に配置された枠部32aと、複数のリードフレーム2間に配置された充填部32bとを有する。枠部32aと充填部32bとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成型体は配置されていなくてもよい。成型体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。   FIG. 3 shows a modification of the optical semiconductor device 21 shown in FIG. The optical semiconductor device 31 shown in FIG. 3 is also a modification of the optical semiconductor device 1 shown in FIG. The optical semiconductor device 21 shown in FIG. 2 is different from the optical semiconductor device 31 shown in FIG. 3 only in the structures of the first and second molded bodies 4 and 5 and the molded body 32. In the optical semiconductor device 21, the first and second molded bodies 4 and 5 are used. The first molded body 4 is disposed on the lead frame 2, and the second molded body 5 includes a plurality of second molded bodies 5. Between the lead frames 2 and below the lead frame 2. On the other hand, in the optical semiconductor device 31, one molded body 32 is used. The molded body 32 has a frame portion 32 a disposed on the lead frame 2 and a filling portion 32 b disposed between the plurality of lead frames 2. The frame part 32a and the filling part 32b are integrally formed. As described above, the optical semiconductor device only needs to have a frame portion disposed on the side of the optical semiconductor element in the optical semiconductor device. The molded body may not be disposed below the lead frame. The molded body may not have a bottom portion disposed below the lead frame. The back surface of the lead frame may be exposed.

なお、図1〜3に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成型体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。   The structures shown in FIGS. 1 to 3 are merely examples of the optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to a structure of a molded body, a mounting structure of an optical semiconductor element, and the like.

また、図4に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品11を用意して、分割前光半導体装置用部品11を破線Xで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品11は、分割前リードフレーム2Aと、分割前第1の成型体4Aと、分割前第2の成型体5Aとを有する。個々の光半導体装置用部品を得た後、光半導体素子3を搭載し、該光半導体素子3を封止剤8により封止して、光半導体装置1を得てもよい。分割前リードフレーム2Aを破線Xで示す部分で切断すると、リードフレーム2が得られる。分割前第1の成型体4Aを破線Xで示す部分で切断すると、第1の成型体4が得られる。分割前第2の成型体5Aを破線Xで示す部分で切断すると、第2の成型体5が得られる。   Also, as shown in FIG. 4, a pre-division optical semiconductor device component 11 in which a plurality of optical semiconductor device components are connected is prepared, and the pre-division optical semiconductor device component 11 is cut at a portion indicated by a broken line X. Individual optical semiconductor device components may be obtained. The pre-division optical semiconductor device component 11 includes a pre-division lead frame 2A, a pre-division first molded body 4A, and a pre-division second molded body 5A. After obtaining individual components for an optical semiconductor device, the optical semiconductor device 3 may be mounted and the optical semiconductor device 3 may be sealed with a sealant 8 to obtain the optical semiconductor device 1. When the pre-division lead frame 2A is cut at a portion indicated by a broken line X, the lead frame 2 is obtained. When the first molded body 4A before division is cut at the portion indicated by the broken line X, the first molded body 4 is obtained. When the pre-division second molded body 5A is cut at the portion indicated by the broken line X, the second molded body 5 is obtained.

さらに、図5に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置12を用意して、分割前光半導体装置12を破線Xで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置12は、分割前リードフレーム2Aと、分割前第1の成型体4Aと、分割前第2の成型体5Aとを有する。また、図1〜3に示す光半導体装置1,21,31と同様に、分割前光半導体装置12では、分割前リードフレーム2A上に、光半導体素子3が搭載され、配置されている。なお、図4,5では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成型体が連なって分割前成型体が形成されているが、複数の成型体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。   Further, as shown in FIG. 5, a pre-division optical semiconductor device 12 in which a plurality of pre-division optical semiconductor devices are connected is prepared, and the pre-division optical semiconductor device 12 is cut at a portion indicated by a broken line X to obtain individual light. A semiconductor device may be obtained. The pre-division optical semiconductor device 12 includes a pre-division lead frame 2A, a pre-division first molded body 4A, and a pre-division second molded body 5A. 1 to 3, in the pre-division optical semiconductor device 12, the optical semiconductor element 3 is mounted and disposed on the pre-division lead frame 2A. 4 and 5, in the pre-division optical semiconductor device component and the pre-division optical semiconductor device, a plurality of molded bodies are connected to form a pre-division molded body, but a plurality of molded bodies are not connected to each other. The front optical semiconductor device component and the pre-division optical semiconductor device may be divided to obtain the optical semiconductor device component and the optical semiconductor device.

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。   Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. The present invention is not limited to the following examples. In the examples and comparative examples, the following materials were used.

(エポキシ化合物(A))
1)EHPE3150(脂環骨格を有するエポキシ樹脂、ダイセル社製、エポキシ当量177)
2)TEPIC−S(トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学社製、エポキシ当量100)
(Epoxy compound (A))
1) EHPE3150 (epoxy resin having an alicyclic skeleton, manufactured by Daicel, epoxy equivalent 177)
2) TEPIC-S (triglycidyl isocyanurate, manufactured by Nissan Chemical Industries, epoxy equivalent 100)

(硬化剤(B))
1)リカシッドHH(ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点33℃)
2)リカシッドTH(テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製、融点101℃)
(Curing agent (B))
1) Ricacid HH (hexahydrophthalic anhydride, manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd., melting point 33 ° C.)
2) Ricacid TH (tetrahydrophthalic anhydride, manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd., melting point 101 ° C.)

(白色顔料(C))
1)CR−58(酸化チタン、ルチル型、Alにより表面処理されている、平均粒径0.25μm、石原産業社製)
2)酸化亜鉛I種(酸化亜鉛、平均粒径1μm、堺化学工業社製)
3)UEP(酸化ジルコニウム、平均粒径0.6μm、第一稀元素化学工業社製)
(White pigment (C))
1) CR-58 (titanium oxide, rutile type, surface-treated with Al, average particle size 0.25 μm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
2) Zinc oxide type I (zinc oxide, average particle size 1 μm, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.)
3) UEP (zirconium oxide, average particle size 0.6 μm, manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Industries, Ltd.)

(充填材(D))
1)MSR−3512−SC4(球状シリカ、平均粒径30μm、粒径が50μm以上である球状シリカの割合0.3重量%、龍森社製)
2)MSR−3512−SC3(球状シリカ、平均粒径30μm、粒径が50μm以上である球状シリカの割合1.2重量%、龍森社製)
3)FB−105アッパーカット品(球状シリカ、平均粒径12μm、粒径が50μm以上である球状シリカの割合0.2重量%):FB−105(球状シリカ、電気化学工業社製)を目開き45μmのふるいで粗大粒子を取り除いた処理品
4)MSR−3512(球状シリカ、平均粒径30μm、粒径が50μm以上である球状シリカの割合5.0重量%、龍森社製)
(Filler (D))
1) MSR-3512-SC4 (spherical silica, average particle size of 30 μm, proportion of spherical silica having a particle size of 50 μm or more, 0.3% by weight, manufactured by Tatsumori)
2) MSR-3512-SC3 (spherical silica, average particle size 30 μm, proportion of spherical silica having a particle size of 50 μm or more 1.2% by weight, manufactured by Tatsumori)
3) FB-105 upper cut product (spherical silica, average particle size 12 μm, proportion of spherical silica having a particle size of 50 μm or more 0.2% by weight): FB-105 (spherical silica, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) 4) MSR-3512 (spherical silica, average particle size of 30 μm, proportion of spherical silica having a particle size of 50 μm or more, 5.0% by weight, manufactured by Tatsumori Co., Ltd.)

(硬化促進剤(E))
1)PX−4ET(テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジオネート、日本化学工業社製)
(Curing accelerator (E))
1) PX-4ET (tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodionate, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.)

(離型剤(F))
1)セリダスト3715(ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン社製)
2)M−9676(ステアリン酸ステアリル、日油社製)
(Release agent (F))
1) Seridust 3715 (polyethylene wax, manufactured by Clariant Japan)
2) M-9676 (stearyl stearate, manufactured by NOF Corporation)

(実施例1〜15及び比較例1〜5)
下記表1に示す各成分を下記表1に示す配合量で配合(配合単位は重量部)し、混合機(東洋精機製作所社製「ラボプラストミルR−60」)にて、70℃で20分間(加熱混練工程)で加熱混練した後、下記の表1に示す温度及び時間の条件(エージング工程)でエージングを行い、得られた硬化性組成物を粉砕して、粉末状の硬化性組成物(タブレット)を得た。
(Examples 1-15 and Comparative Examples 1-5)
Each component shown in the following Table 1 is blended in the blending amount shown in the following Table 1 (the blending unit is parts by weight), and 20 at 70 ° C. with a mixer (“Labo Plast Mill R-60” manufactured by Toyo Seiki Seisakusho). After heat-kneading for 1 minute (heat-kneading step), aging is performed under the conditions of temperature and time (aging step) shown in Table 1 below, and the resulting curable composition is pulverized to form a powdery curable composition A thing (tablet) was obtained.

(測定及び評価)
(1)透過率
得られた硬化性組成物を170℃で5分間加熱プレスすることにより、厚み50μmのシートを作製した。得られたシートについて、分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製「U−3900」)を用いて、波長450nmにおける透過率を測定した。測定条件は、スキャン範囲300−800nm、スキャンスピード600nm/分とした。
(Measurement and evaluation)
(1) Transmittance The obtained curable composition was heated and pressed at 170 ° C. for 5 minutes to produce a sheet having a thickness of 50 μm. About the obtained sheet | seat, the transmittance | permeability in wavelength 450nm was measured using the spectrophotometer ("U-3900" by Hitachi High-Technologies Corporation). The measurement conditions were a scan range of 300 to 800 nm and a scan speed of 600 nm / min.

(2)引張強度
上記(1)の透過率の評価で得られたシートを用いて、引張試験機(エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTC」)の条件をチャック間距離50mm、引張速度10mm/分として、引張強度を測定した。
(2) Tensile strength Using the sheet obtained by the transmittance evaluation described in (1) above, the tensile tester (“Tensilon RTC” manufactured by A & D Corporation) was set to a distance between chucks of 50 mm and a tensile speed of 10 mm. The tensile strength was measured as / min.

(3)トランスファー成型性
銅素材(TAMAC 194)にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、リードフレーム(銀めっき表面、厚み0.2mm)を得た。
(3) Transfer moldability After forming a circuit by etching on a copper material (TAMAC 194), silver plating was performed to obtain a lead frame (silver plating surface, thickness 0.2 mm).

金型として、縦15個×横10個のマトリックス状に配置された150個の凹部(光半導体素子搭載部)を有する一括成型用金型を用意した。キャビティサイズは、1個当たり4mm×2mm、深さ1mmとした。金型クリーニング材(日本カーバイド社製「ニカレットRCC」)を用いて、上記金型を3回クリーニングした後、金型離型回復材(日本カーバイド社製「ニカレットECR−C KU」)を用いて、金型に離型性を付与した。   As a mold, a collective mold having 150 concave portions (optical semiconductor element mounting portions) arranged in a matrix of 15 vertical × 10 horizontal was prepared. The cavity size was 4 mm × 2 mm per piece and the depth was 1 mm. Using a mold cleaning material (“Nicaret RCC” manufactured by Nippon Carbide), the mold was cleaned three times, and then a mold release recovery material (“Nicaret ECR-C KU” manufactured by Nippon Carbide) was used. The mold was given releasability.

離型性が付与された金型を用いて、得られたタブレットのトランスファー成型を行い、光半導体装置搭載用基板を得た。得られた光半導体装置搭載用基板を目視により検査し、成型性を下記の基準で判定した。   Using the mold provided with releasability, the obtained tablet was transfer molded to obtain a substrate for mounting an optical semiconductor device. The obtained substrate for mounting an optical semiconductor device was visually inspected, and the moldability was determined according to the following criteria.

[トランスファー成型性の判定基準]
○:成型体に充填不良による欠け及びクラックなどの外観異常がない
△:成型体に充填不良による欠け及びクラックなどの外観異常が僅かにある
×:成型体に充填不良による欠け及びクラックなどの明らかな外観異常がある
[Transfer moldability criteria]
○: There is no appearance abnormality such as chipping and cracking due to poor filling in the molded body
Δ: Slightly abnormal appearance such as chipping and cracking due to poor filling in the molded product
X: The molded product has obvious appearance abnormalities such as chipping and cracks due to poor filling

組成及び結果を下記の表1に示す。   The composition and results are shown in Table 1 below.

Figure 2015218187
Figure 2015218187

1…光半導体装置
2…リードフレーム
2A…分割前リードフレーム
3…光半導体素子
4…第1の成型体
4A…分割前第1の成型体
4a…内面
5…第2の成型体
5A…分割前第2の成型体
6…ダイボンド材
7…ボンディングワイヤー
8…封止剤
11…分割前光半導体装置用部品
12…分割前光半導体装置
21…光半導体装置
22…ダイボンド材
23…ボンディングワイヤー
31…光半導体装置
32…成型体
32a…枠部
32b…充填部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Lead frame 2A ... Lead frame 3 before division | segmentation 3 ... Optical semiconductor element 4 ... 1st molded object 4A ... 1st molded object 4a ... Inner surface 5 ... 2nd molded object 5A ... Before division | segmentation 2nd molded object 6 ... Die bond material 7 ... Bonding wire 8 ... Sealant 11 ... Parts for optical semiconductor devices before division 12 ... Optical semiconductor device before division 21 ... Optical semiconductor device 22 ... Die bonding material 23 ... Bonding wire 31 ... Light Semiconductor device 32 ... molded body 32a ... frame portion 32b ... filling portion

Claims (9)

光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み50μmのシートに成型したときに、前記シートの波長450nmにおける透過率が10%以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
A white curable composition for an optical semiconductor device, which is used to obtain a molded body having a frame portion disposed on the side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device, and is white,
The white curable composition for optical semiconductor devices whose transmittance | permeability in wavelength 450nm of the said sheet | seat is 10% or less when shape | molding the white curable composition for optical semiconductor devices into a 50 micrometers thick sheet | seat.
エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、
前記白色顔料以外の充填材が、粒径が50μm以上である充填材を含まないか、又は粒径が50μm以上である充填材を1.5重量%未満で含む、請求項1に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
An epoxy compound, an acid anhydride curing agent, a white pigment, a filler other than the white pigment, and a curing accelerator,
2. The light according to claim 1, wherein the filler other than the white pigment does not include a filler having a particle diameter of 50 μm or more, or contains less than 1.5 wt% of a filler having a particle diameter of 50 μm or more. White curable composition for semiconductor devices.
前記白色顔料以外の充填材が、粒径が50μm以上である充填材を含まないか、又は粒径が50μm以上である充填材を1重量%未満で含む、請求項2に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   3. The optical semiconductor device according to claim 2, wherein the filler other than the white pigment does not include a filler having a particle diameter of 50 μm or more, or contains less than 1% by weight of a filler having a particle diameter of 50 μm or more. White curable composition. 前記白色顔料以外の充填材の平均粒径が1μm以上、40μm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-3 whose average particle diameters of fillers other than the said white pigment are 1 micrometer or more and 40 micrometers or less. 光半導体装置用白色硬化性組成物を厚み50μmのシートに成型したときに、前記シートの引張強度が65MPa以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curing for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 4, wherein when the white curable composition for optical semiconductor devices is molded into a sheet having a thickness of 50 µm, the tensile strength of the sheet is 65 MPa or more. Sex composition. 前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであり、
前記白色顔料以外の充填材がシリカである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
The white pigment is titanium oxide, zinc oxide or zirconium oxide;
The white curable composition for optical semiconductor devices according to claim 1, wherein the filler other than the white pigment is silica.
光半導体装置において光半導体素子が搭載されたリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-6 used in order to obtain the molded object arrange | positioned on the lead frame in which the optical semiconductor element was mounted in an optical semiconductor device. 光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体。
A molded body having a frame portion disposed on the side of an optical semiconductor element in an optical semiconductor device,
The molded object for optical semiconductor devices obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-7.
リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、
前記成型体が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置。
A lead frame;
An optical semiconductor element mounted on the lead frame;
A molded body disposed on the lead frame and having a frame portion disposed on a side of the optical semiconductor element;
The optical semiconductor device obtained by the said molded object hardening | curing the white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-7.
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