JP6259846B2 - White curable composition for optical semiconductor devices - Google Patents

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Description

本発明は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device, a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted, and the white curable composition for an optical semiconductor device. The present invention relates to a molded body for an optical semiconductor device and an optical semiconductor device using the composition.

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠状の成形体が配置されている。該枠状の成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター又はハウジングと呼ばれることがある。   When an optical semiconductor element (for example, an LED), which is a light emitting element used in an optical semiconductor device, is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is normally sealed with the sealing compound for optical semiconductor devices. In order to fill the sealing agent, a frame-shaped molded body is disposed on a lead frame on which the optical semiconductor element is mounted. The sealing agent is filled inside the frame-shaped molded body. The molded body is sometimes called a reflector or a housing.

上記成形体を形成するための組成物の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化触媒と無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。この硬化性組成物を硬化させた硬化物を１５０℃の高温条件下に５００時間放置した後に測定される光波長４００ｎｍにおける光拡散反射率は８０％以上である。また、上記硬化性組成物では、トランスファー成形時のせん断離型力が１０ショット以内に２００ＫＰａ以下である。   As an example of a composition for forming the molded body, Patent Document 1 below discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing catalyst, and an inorganic filler. The light diffuse reflectance at a light wavelength of 400 nm measured after leaving the cured product obtained by curing the curable composition for 500 hours under a high temperature condition of 150 ° C. is 80% or more. Moreover, in the said curable composition, the shear mold release force at the time of transfer molding is 200 KPa or less within 10 shots.

また、下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、カップリング剤と、酸化防止剤とを含む硬化性組成物が開示されている。特許文献２の実施例では、リン系酸化防止剤が用いられている。   Patent Document 2 below discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, and an antioxidant. In the example of Patent Document 2, a phosphorus-based antioxidant is used.

下記の特許文献３には、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と、酸無水物と、酸化防止剤と、硬化触媒と、反射部材と、無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。特許文献３の実施例では、リン系酸化防止剤及びフェノール系酸化防止剤である２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（ＢＨＴ）が用いられている。   Patent Document 3 below discloses a curable composition including an epoxy resin containing a triazine derivative epoxy resin, an acid anhydride, an antioxidant, a curing catalyst, a reflective member, and an inorganic filler. Yes. In the Example of patent document 3, 2,6-di-t-butyl-p-cresol (BHT) which is a phosphorus antioxidant and a phenolic antioxidant is used.

下記の特許文献４には、エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と白色顔料とを含む硬化性組成物が開示されている。また、特許文献４では、硬化性組成物を用いたトランスファー成形によって貫通孔が複数形成された光反射層を配線部材上に形成し、上記貫通孔の一方の開口部を上記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、光半導体素子を上記凹部内にそれぞれ配置する工程と、上記光反射層の表面を覆うように上記半導体素子が配置された上記凹部に封止樹脂を供給する工程と、上記封止樹脂を介在させることにより、上記光反射層の上記表面から離間させた状態で上記凹部を覆うレンズを配置した後、上記封止樹脂を硬化させる工程と、上記成形体を上記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程とを備える光半導体装置の製造方法が開示されている。   Patent Document 4 below discloses a curable composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a white pigment. Further, in Patent Document 4, a light reflection layer having a plurality of through holes formed by transfer molding using a curable composition is formed on a wiring member, and one opening of the through hole is closed with the wiring member. A step of obtaining a molded body in which a plurality of recesses are formed, a step of disposing an optical semiconductor element in each of the recesses, and a sealing in the recess in which the semiconductor element is disposed so as to cover the surface of the light reflecting layer. A step of supplying a stop resin, and a step of curing the sealing resin after disposing a lens covering the recess in a state of being spaced from the surface of the light reflecting layer by interposing the sealing resin. And a method of manufacturing an optical semiconductor device comprising a step of dividing the molded body into the recesses to obtain a plurality of optical semiconductor devices.

特開２００９−１４１３２７号公報JP 2009-141327 A 特開２００７−２９７６０１号公報JP 2007-297601 A ＷＯ２００７／０１５４２６Ａ１WO2007 / 015426A1 特開２０１１−９５１９号公報JP 2011-9519 A

特許文献１〜４に記載のような従来の硬化性組成物を用いて枠状の成形体を作製し、該枠状の成形体を用いて光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において、電極などの金属部にマイグレーションが発生するという問題がある。このため、電極における絶縁抵抗が低下したり、接続されるべき電極間の接続不良が生じたりすることがある。   The light obtained when a frame-shaped molded body was produced using conventional curable compositions as described in Patent Documents 1 to 4, and an optical semiconductor device was obtained using the frame-shaped molded body. In a semiconductor device, there is a problem that migration occurs in a metal part such as an electrode. For this reason, the insulation resistance in an electrode may fall, or the connection failure between the electrodes which should be connected may arise.

本発明の目的は、光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置用白色硬化性組成物、並びに該光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成形体及び光半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is for an optical semiconductor device in which migration is difficult to occur in a metal part in an obtained optical semiconductor device when an optical semiconductor device including a molded body obtained by molding a white curable composition for an optical semiconductor device is obtained. A white curable composition, and a molded body for an optical semiconductor device and an optical semiconductor device using the white curable composition for an optical semiconductor device are provided.

本発明の広い局面によれば、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、該酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ上記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a white curable composition for an optical semiconductor device, an epoxy compound, a curing agent, titanium oxide, a filler different from titanium oxide, a curing accelerator, An optical semiconductor comprising an antioxidant, wherein the molecular weight of the antioxidant is 600 or more and less than 2000, and the atoms constituting the antioxidant are only three kinds of carbon atom, oxygen atom and hydrogen atom A white curable composition for a device is provided.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、上記硬化剤は、酸無水物硬化剤である。   On the specific situation with the white curable composition for optical semiconductor devices which concerns on this invention, the said hardening | curing agent is an acid anhydride hardening | curing agent.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の他の特定の局面では、上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む。   In another specific aspect of the white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention, the epoxy compound includes at least one of an epoxy compound having an aromatic skeleton and an epoxy compound having an alicyclic skeleton. .

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物の別の特定の局面では、上記酸化チタンはルチル型酸化チタンである。   In another specific aspect of the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, the titanium oxide is rutile titanium oxide.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in the optical semiconductor device. It is preferable that it is a thing.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted and on the side of the optical semiconductor element in the optical semiconductor device, and is emitted from the optical semiconductor element. It is preferable that the white curable composition for optical semiconductor devices used for obtaining a molded body having a light reflecting portion that reflects the reflected light.

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。   The molded object for optical semiconductor devices which concerns on this invention is obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above.

また、本発明の広い局面によれば、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、該リードフレーム上に配置された成形体とを備えており、上記成形体が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られており、上記光半導体装置用白色硬化性組成物が、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、該酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ上記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、光半導体装置が提供される。   Further, according to a wide aspect of the present invention, a lead frame, an optical semiconductor element mounted on the lead frame, and a molded body disposed on the lead frame are provided, and the molded body is white The white curable composition for optical semiconductor devices is obtained by curing, and the white curable composition for optical semiconductor devices is filled differently from epoxy compound, curing agent, titanium oxide, and titanium oxide. A material, a curing accelerator, and an antioxidant, wherein the molecular weight of the antioxidant is 600 or more and less than 2000, and the atoms constituting the antioxidant are carbon atoms, oxygen atoms, and hydrogen atoms There are provided only three types of optical semiconductor devices.

本明細書では、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物に関する発明と、上述した光半導体装置に関する発明との双方が開示される。   In this specification, both the invention relating to the above-described white curable composition for optical semiconductor devices and the invention relating to the above-described optical semiconductor device are disclosed.

本発明に係る光半導体装置は、上記成形体が、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。   In the optical semiconductor device according to the present invention, the molded body is disposed on a side of the optical semiconductor element, and an inner surface of the molded body is a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element. It is preferable.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、更に該酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ上記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみであるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において、金属部にマイグレーションが発生するのを抑制できる。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention includes an epoxy compound, a curing agent, titanium oxide, a filler different from titanium oxide, a curing accelerator, and an antioxidant, Since the molecular weight of the antioxidant is 600 or more and less than 2000, and the atoms constituting the antioxidant are only three kinds of carbon atom, oxygen atom and hydrogen atom, the white for an optical semiconductor device according to the present invention In an optical semiconductor device including a molded body obtained by molding a curable composition, migration can be suppressed from occurring in a metal part.

本発明に係る光半導体装置では、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物が用いられているので、金属部にマイグレーションが発生するのを抑制できる。   In the optical semiconductor device according to the present invention, since the above-described white curable composition for an optical semiconductor device is used, it is possible to suppress migration from occurring in the metal part.

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。1A and 1B are a cross-sectional view and a perspective view schematically showing an example of an optical semiconductor device including a molded body using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. It is. 図２は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 schematically illustrates an example of a pre-division optical semiconductor device component including a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention are connected. It is sectional drawing shown. 図３は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a pre-division optical semiconductor device including a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies using a white curable composition for an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention are connected. FIG.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、酸化チタン（Ｃ）と、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、酸化防止剤（Ｆ）とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、酸化防止剤（Ｆ）として、分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみで構成されている酸化防止剤（Ｆ１）が用いられる。該酸化防止剤（Ｆ１）を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 (White curable composition for optical semiconductor devices)
The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is white. The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention includes an epoxy compound (A), a curing agent (B), titanium oxide (C), a filler (D) different from titanium oxide, and curing acceleration. An agent (E) and an antioxidant (F). In the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, the antioxidant (F) has a molecular weight of 600 or more and less than 2000, and is composed of only three types of carbon atom, oxygen atom and hydrogen atom. Antioxidant (F1) is used. There are only three types of atoms constituting the antioxidant (F1): a carbon atom, an oxygen atom and a hydrogen atom.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、所定の形状に成形された硬化物である。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in the optical semiconductor device. It is preferable that it is a thing. The molded body is a cured product molded into a predetermined shape.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を成形して成形体を作製し、該成形体を用いて光半導体装置が得られる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上述した組成の採用により、特に、特定の上記酸化防止剤（Ｆ１）の使用によって、得られた光半導体装置が通電して長期間使用されても、金属部にマイグレーションが発生し難くなる。このため、電極における絶縁抵抗の低下を抑制でき、接続されるべき電極間の接続不良を抑制できる。従って、光半導体装置の信頼性を高めることができる。上記成形体を得るための光半導体装置用白色硬化性組成物において、上述した組成を採用することにより、特に、特定の上記酸化防止剤（Ｆ１）の使用により、従来酸化防止剤の配合による効果として知られていない新たな効果として、電極などの金属部にマイグレーションが発生し難くなり、例えば電極における絶縁抵抗の低下を抑制できることを、本発明者らは見出した。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is molded to produce a molded body, and an optical semiconductor device is obtained using the molded body. By adopting the above-described composition in the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention, in particular, by using the specific antioxidant (F1), the obtained optical semiconductor device is energized and used for a long time. However, migration hardly occurs in the metal part. For this reason, the fall of the insulation resistance in an electrode can be suppressed, and the connection failure between the electrodes which should be connected can be suppressed. Therefore, the reliability of the optical semiconductor device can be improved. In the white curable composition for optical semiconductor devices for obtaining the molded article, by adopting the above-described composition, particularly by using the specific antioxidant (F1), the effect of blending the conventional antioxidants As a new effect which is not known as the above, the present inventors have found that migration hardly occurs in a metal part such as an electrode, and for example, it is possible to suppress a decrease in insulation resistance in the electrode.

また、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物における上記組成を採用することによって、光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体の光の反射率を高めることができる。得られる成形体は、光の反射率が高いので、光半導体素子から発せられる光が成形体に到達したときに光を効果的に反射させる。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさを明るくすることができる。   Moreover, the reflectance of the molded object obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices is improved by employ | adopting the said composition in the white curable composition for optical semiconductor devices which concerns on this invention. Can do. Since the obtained molded body has a high reflectance of light, the light is effectively reflected when the light emitted from the optical semiconductor element reaches the molded body. For this reason, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor device can be increased.

以下、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component contained in the white curable composition for optical semiconductor devices which concerns on this invention is demonstrated.

［エポキシ化合物（Ａ）］
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、エポキシ化合物（Ａ）を含む。エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物としてエポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 [Epoxy compound (A)]
The white curable composition contains the epoxy compound (A) so that it can be cured by application of heat. The epoxy compound (A) has an epoxy group. By using an epoxy compound (A) as a thermosetting compound, the heat resistance and insulation reliability of a molded object become high. As for an epoxy compound (A), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。   Specific examples of the epoxy compound (A) include bisphenol type epoxy compounds, novolak type epoxy compounds, glycidyl ester type epoxy compounds obtained by reacting polychloric acid compounds with epichlorohydrin, polyamine compounds and epichlorohydrides. Heterocycles such as glycidylamine type epoxy compounds, glycidyl ether type epoxy compounds, aliphatic epoxy compounds, hydrogenated aromatic epoxy compounds, epoxy compounds having an alicyclic skeleton, triglycidyl isocyanurate obtained by reacting with phosphorus And an epoxy compound of the formula. Examples of the polychloric acid compound include phthalic acid and dimer acid. Examples of the polyamine compound include diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid.

上記光半導体装置用白色樹脂組成物全体のエポキシ当量は好ましくは５００以上、好ましくは２００００以下である。該エポキシ当量が５００以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体が脆くなり難く、成形体の加工性がより一層良好になる。該エポキシ当量が２００００以下であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になり、更に成形体の強度がより一層高くなる。上記エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に準拠して測定される。   The epoxy equivalent of the whole white resin composition for optical semiconductor devices is preferably 500 or more, and preferably 20000 or less. When the epoxy equivalent is 500 or more, the moldability of the white curable composition is further improved, the molded body is not easily brittle, and the processability of the molded body is further improved. When the epoxy equivalent is 20000 or less, the moldability of the white curable composition is further improved, and the strength of the molded body is further increased. The epoxy equivalent is measured according to JIS K7236.

成形体の強度を高め、成形体の加工性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）の内の少なくとも１種を含むことが好ましい。上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）と脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）との双方を含んでいてもよい。上記白色硬化性組成物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）のみを含んでいてもよく、脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）のみを含んでいてもよい。   From the viewpoint of increasing the strength of the molded body and further improving the workability of the molded body, the epoxy compound (A) is composed of an epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton and an epoxy compound (A2) having an alicyclic skeleton. It is preferable that at least one of these is included. The epoxy compound (A) may contain both an epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton and an epoxy compound (A2) having an alicyclic skeleton. The said white curable composition may contain only the epoxy compound (A1) which has an aromatic skeleton, and may contain only the epoxy compound (A2) which has an alicyclic skeleton.

成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）を含むことが好ましい。上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further enhancing the strength and heat resistance of the molded article, the epoxy compound (A) preferably contains an epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton. As for the epoxy compound (A1) which has the said aromatic skeleton, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）を含むことが好ましい。上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further improving the adhesion between the lead frame and the molded body, the epoxy compound (A) preferably includes an epoxy compound (A2) having an alicyclic skeleton. As for the epoxy compound (A2) which has the said alicyclic skeleton, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

成形体の耐熱性をより一層高め、かつリードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）と脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）との双方を含むことが特に好ましい。   From the viewpoint of further improving the heat resistance of the molded body and further improving the adhesion between the lead frame and the molded body, the epoxy compound (A) is an alicyclic epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton. It is particularly preferable that both the epoxy compound (A2) having a skeleton be included.

上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、芳香族骨格を有する多塩基酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、及び芳香族骨格を有するグリシジルエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。   Examples of the epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton include bisphenol A type epoxy compound, bisphenol F type epoxy compound, cresol novolac type epoxy compound, phenol novolac type epoxy compound, polybasic acid compound having aromatic skeleton and epichloro Examples thereof include glycidyl ester type epoxy compounds obtained by reacting with hydrin and glycidyl ether type epoxy compounds having an aromatic skeleton.

上記成形体の強度及び耐熱性をより一層高める観点からは、上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）は、ビスフェノール骨格又はノボラック骨格を有することが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the strength and heat resistance of the molded article, the epoxy compound (A1) having the aromatic skeleton preferably has a bisphenol skeleton or a novolak skeleton.

上記芳香族骨格を有するエポキシ化合物（Ａ１）のエポキシ当量は、好ましくは４００以上、好ましくは３０００以下である。該エポキシ当量が４００以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。該エポキシ当量が３０００以下であると、成形体の強度がより一層高くなる。   The epoxy equivalent of the epoxy compound (A1) having an aromatic skeleton is preferably 400 or more, and preferably 3000 or less. When the epoxy equivalent is 400 or more, the moldability of the white curable composition is further improved. When the epoxy equivalent is 3000 or less, the strength of the molded product is further increased.

上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）の具体例としては、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、ε−カプロラクトン修飾テトラ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）ブタンテトラカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物等が挙げられる。上記成形体の耐熱性をより一層高める観点から、上記脂環式骨格を有するエポキシ化合物（Ａ２）は、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（ダイセル化学社製「ＥＨＰＥ−３１５０」）であることが好ましい。   Specific examples of the epoxy compound (A2) having the alicyclic skeleton include 2- (3,4-epoxy) cyclohexyl-5,5-spiro- (3,4-epoxy) cyclohexane-m-dioxane, 3, 4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexene carboxylate, dicyclopentadiene dioxide, vinylcyclohexene monooxide, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane, 1,2: 8,9-diepoxy Limonene, ε-caprolactone modified tetra (3,4-epoxycyclohexylmethyl) butanetetracarboxylate, 2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol added with 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane Thing etc. are mentioned. From the viewpoint of further improving the heat resistance of the molded article, the epoxy compound (A2) having the alicyclic skeleton is 1,2-epoxy-4- (2,2-bis (hydroxymethyl) -1-butanol. 2-oxiranyl) cyclohexane adduct (“EHPE-3150” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) is preferable.

上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により白色硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。   The compounding quantity of the said epoxy compound (A) is suitably adjusted so that it may harden | cure moderately by provision of heat, and is not specifically limited. In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the epoxy compound (A) is preferably 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, preferably 99%. % By weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less. When the content of the epoxy compound (A) is not less than the above lower limit, the white curable composition is more effectively cured by heating. When the content of the epoxy compound (A) is not more than the above upper limit, the heat resistance of the molded product is further increased.

［硬化剤（Ｂ）］
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、硬化剤（Ｂ）を含む。硬化剤（Ｂ）は、エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。硬化剤（Ｂ）として、エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 [Curing agent (B)]
The said white curable composition for optical semiconductor devices contains a hardening | curing agent (B) so that it can harden | cure efficiently by provision of heat. The curing agent (B) cures the epoxy compound (A). As the curing agent (B), a known curing agent used as a curing agent for the epoxy compound (A) can be used. As for the said hardening | curing agent (B), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化剤（Ｂ）としては、酸無水物、ジシアンジアミド、フェノール化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、トリアジン環を有する化合物、メチル（メタ）アクリレート樹脂又はスチレン樹脂等により形成されたシェルにより、トリフェニルホスフィン（硬化剤）が被覆されている潜在性硬化剤（例えば、日本化薬社製「ＥＰＣＡＴ−Ｐ」及び「ＥＰＣＡＴ−ＰＳ」）、ポリウレア系重合体又はラジカル重合体により形成されたシェルにより、アミンなどの硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤（特許第３０３１８９７号公報及び特許第３１９９８１８号公報に記載）、変性イミダゾールなどの硬化剤をエポキシ樹脂中に分散させて閉じ込め、粉砕することにより得られた潜在性硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュアＨＸＡ３７９２」及び「ＨＸＡ３９３２ＨＰ」）、熱可塑性高分子内に硬化剤を分散させ、含有させた潜在性硬化剤（特許第３０９８０６１号公報に記載）、並びにテトラキスフェノール類化合物などにより被覆されたイミダゾール潜在性硬化剤（例えば、日本曹達社製「ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ」及び「ＨＩＰＡ−２Ｅ４ＭＺ」）等が挙げられる。これら以外の硬化剤（Ｂ）を用いてもよい。   As the curing agent (B), triphenylphosphine is formed by a shell formed of an acid anhydride, dicyandiamide, a phenol compound, a hydrazide compound, an imidazole compound, a compound having a triazine ring, a methyl (meth) acrylate resin or a styrene resin. A latent curing agent (for example, “EPCAT-P” and “EPCAT-PS” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), a polyurea polymer or a radical polymer formed by a shell formed with a (curing agent) is coated with an amine. It is obtained by dispersing a curing agent such as a latent curing agent (described in Japanese Patent No. 3031897 and Japanese Patent No. 3199818) coated with a curing agent such as modified imidazole in an epoxy resin and confining and grinding. Latent curing agent ("Novakyu" manufactured by Asahi Kasei E-materials HXA3792 "and" HXA3932HP "), a latent curing agent in which a curing agent is dispersed and contained in a thermoplastic polymer (described in Japanese Patent No. 3098061), and an imidazole latency coated with a tetrakisphenol compound or the like Examples thereof include curing agents (for example, “TEP-2E4MZ” and “HIPA-2E4MZ” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) A curing agent (B) other than these may be used.

リードフレームと成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化剤（Ｂ）は、酸無水物硬化剤を含有することがより好ましい。上記白色硬化性組成物は、酸無水物硬化剤を含むことが好ましい。酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。   From the viewpoint of further improving the adhesion between the lead frame and the molded body, the curing agent (B) preferably contains an acid anhydride curing agent. The white curable composition preferably contains an acid anhydride curing agent. By using an acid anhydride curing agent, it is possible to maintain high curability and further suppress molding unevenness of the molded body. As the acid anhydride curing agent, any of an acid anhydride having an aromatic skeleton and an acid anhydride having an alicyclic skeleton can be used.

好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   Preferred examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, glutaric anhydride. And methylhexahydrophthalic anhydride and methyltetrahydrophthalic anhydride.

上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。   The acid anhydride curing agent preferably does not have a double bond. Preferable acid anhydride curing agents having no double bond include hexahydrophthalic anhydride and methylhexahydrophthalic anhydride.

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、硬化剤（Ｂ）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは１００重量部以下である。   The mixing ratio of the epoxy compound (A) and the curing agent (B) is not particularly limited. The content of the curing agent (B) is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, still more preferably 2 parts by weight or more, particularly preferably 100 parts by weight of the epoxy compound (A). 3 parts by weight or more, preferably 500 parts by weight or less, more preferably 300 parts by weight or less, and still more preferably 100 parts by weight or less.

また、上記光半導体装置用白色硬化性組成物中で、エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と硬化剤（Ｂ）の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜２：１であることが好ましく、０．５：１〜１．５：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。   Moreover, in the said white curable composition for optical semiconductor devices, the equivalent ratio (epoxy equivalent: hardening | curing agent equivalent) of the epoxy equivalent of the whole epoxy compound (A) and the hardening | curing agent equivalent of a hardening | curing agent (B) is 0.00. The ratio is preferably 3: 1 to 2: 1, and more preferably 0.5: 1 to 1.5: 1. When the equivalent ratio (epoxy equivalent: curing agent equivalent) satisfies the above range, the heat resistance and weather resistance of the molded article are further enhanced.

（酸化チタン（Ｃ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は酸化チタン（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記酸化チタン（Ｃ）の使用によって、酸化チタン（Ｃ）とは異なる充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物に含まれている酸化チタン（Ｃ）は特に限定されない。酸化チタン（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Titanium oxide (C))
Since the said white curable composition for optical semiconductor devices contains a titanium oxide (C), the molded object with a high reflectance of light can be obtained. Further, by using the titanium oxide (C), it is possible to obtain a molded article having a high light reflectance as compared with a case where only a filler different from the titanium oxide (C) is used. The titanium oxide (C) contained in the said white curable composition for optical semiconductor devices is not specifically limited. As for titanium oxide (C), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記酸化チタン（Ｃ）は、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましく、ルチル型酸化チタンであることがより好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性及び耐光性により一層優れた成形体が得られる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。   The titanium oxide (C) is preferably rutile type titanium oxide or anatase type titanium oxide, and more preferably rutile type titanium oxide. By using rutile-type titanium oxide, a molded article having more excellent heat resistance and light resistance can be obtained. The anatase type titanium oxide has a lower hardness than the rutile type titanium oxide. For this reason, the moldability of the said curable composition becomes still higher by use of anatase type titanium oxide.

上記酸化チタン（Ｃ）は、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタン（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物より表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。   It is preferable that the said titanium oxide (C) contains the rutile type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide. In 100% by weight of the titanium oxide (C), the content of the rutile titanium oxide surface-treated from the aluminum oxide is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more and 100% by weight or less. The total amount of titanium oxide (C) may be rutile titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide. Use of the rutile type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide further increases the heat resistance of the molded body.

上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製の品番：ＣＲ−５８や、ルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製の品番：Ｒ−６３０等が挙げられる。   Examples of the rutile-type titanium oxide surface-treated with the aluminum oxide include, for example, a product number manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., which is rutile chlorine method titanium oxide, and a product number manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., which is rutile sulfuric acid method titanium oxide. : R-630 and the like.

上記酸化チタン（Ｃ）は、ケイ素酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記ケイ素酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。   It is preferable that the said titanium oxide (C) contains the rutile type titanium oxide surface-treated with the silicon oxide. By using the rutile type titanium oxide surface-treated with the silicon oxide, the heat resistance of the molded body is further enhanced.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは１５重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。酸化チタン（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the titanium oxide (C) is preferably 3% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, further preferably 15% by weight or more, preferably Is 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and still more preferably 85% by weight or less. When the content of titanium oxide (C) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the light reflectance of the molded body is further increased, the heat resistance of the molded body is further increased, and the molded body is exposed to a high temperature. When it is done, it becomes difficult to yellow.

（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、酸化チタンとは異なる充填材である。上記充填材（Ｄ）は特に限定されない。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Filler (D))
The filler (D) is a filler different from titanium oxide. The filler (D) is not particularly limited. As for the said filler (D), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Any of an inorganic filler and an organic filler can be used as the filler (D). Specific examples of the filler (D) include silica, alumina, mica, beryllia, potassium titanate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, zirconium oxide, antimony oxide, aluminum borate, aluminum hydroxide, Magnesium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum carbonate, calcium silicate, aluminum silicate, magnesium silicate, calcium phosphate, calcium sulfate, barium sulfate, silicon nitride, boron nitride, calcined clay, talc, silicon carbide, cross-linked Examples include acrylic resin particles and silicone particles. As for the said filler (D), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記充填材（Ｄ）はシリカであることが好ましい。シリカの使用により、成形体の強度がより一層高くなる。   The filler (D) is preferably silica. Use of silica further increases the strength of the molded body.

上記白色硬化性組成物の成形性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、平均粒径が１０μｍ以上、５０μｍ以下である充填材を含むことが好ましい。上記白色硬化性組成物の成形性をより一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、平均粒径１μｍ以上、１０μｍ未満である充填材を含むことが好ましい。上記白色硬化性組成物の成形性を更に一層高める観点からは、上記充填材（Ｄ）は、平均粒径が１０μｍ以上、５０μｍ以下である第１の充填材と、平均粒径１μｍ以上、１０μｍ未満である第２の充填材とを含むことが特に好ましい。   From the viewpoint of further improving the moldability of the white curable composition, the filler (D) preferably includes a filler having an average particle size of 10 μm or more and 50 μm or less. From the viewpoint of further improving the moldability of the white curable composition, the filler (D) preferably contains a filler having an average particle size of 1 μm or more and less than 10 μm. From the viewpoint of further improving the moldability of the white curable composition, the filler (D) includes a first filler having an average particle diameter of 10 μm or more and 50 μm or less, and an average particle diameter of 1 μm or more and 10 μm. It is particularly preferable to include a second filler that is less than.

上記平均粒径とは、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。上記平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ１３ ３２０」等が挙げられる。   The average particle size is a particle size value when the integrated value is 50% in the volume-based particle size distribution curve. The average particle size can be measured using, for example, a laser beam type particle size distribution meter. As a commercial product of the laser beam type particle size distribution analyzer, “LS13 320” manufactured by Beckman Coulter, Inc., and the like can be given.

上記充填材（Ｄ）は、球状充填材を含んでいてもよく、破砕充填材を含んでいてもよく、球状充填材と破砕充填材との双方を含んでいてもよい。   The filler (D) may include a spherical filler, may include a crushed filler, or may include both a spherical filler and a crushed filler.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。充填材（Ｄ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、白色硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the filler (D) is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, and further preferably 20% by weight or more, preferably Is 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and still more preferably 85% by weight or less. When the content of the filler (D) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the moldability of the white curable composition is further enhanced. When the content of the filler (D) is not more than the above upper limit, the light reflectance of the molded body is further increased.

（硬化促進剤（Ｅ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との反応を促進するために、硬化促進剤（Ｅ）を含む。硬化促進剤（Ｅ）の使用により、上記白色硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Curing accelerator (E))
The said white curable composition for optical semiconductor devices contains a hardening accelerator (E) in order to accelerate | stimulate reaction with the said epoxy compound (A) and the said hardening | curing agent (B). By using the curing accelerator (E), the curability of the white curable composition can be increased, and the heat resistance of the molded body can be further increased. As for a hardening accelerator (E), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator (E) include urea compounds, onium salt compounds, imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds, and organometallic compounds.

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。   Examples of the urea compound include urea, aliphatic urea compounds, and aromatic urea compounds. Specific examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, and tri-n-. Examples include butylthiourea. Urea compounds other than these may be used.

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。   Examples of the onium salt compounds include ammonium salts, phosphonium salts, and sulfonium salt compounds.

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl- 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2 ′ -Methyl Midazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole Can be mentioned.

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。   The phosphorus compound contains phosphorus and is a phosphorus-containing compound. Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate, and tetra-n- Examples thereof include butylphosphonium-tetraphenylborate. Phosphorus compounds other than these may be used.

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。   Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine, diazabicycloalkane, diazabicycloalkene, quaternary ammonium salt, triethylenediamine, and tri-2,4. , 6-dimethylaminomethylphenol. You may use the salt of these compounds. Phenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate, tetra-n-butylphosphonium-tetraphenylborate It is done.

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。   Examples of the organometallic compound include alkali metal compounds and alkaline earth metal compounds. Specific examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), and trisacetylacetonate cobalt (III).

上記白色硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the curability of the white curable composition and further enhancing the heat resistance of the molded article, the curing accelerator (E) may be a urea compound, an onium salt compound, or a phosphorus compound. preferable. The curing accelerator (E) is preferably a urea compound, preferably an onium salt compound, and preferably a phosphorus compound.

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。   The mixing ratio of the epoxy compound (A) and the curing accelerator (E) is not particularly limited. The content of the curing accelerator (E) is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the epoxy compound (A). Preferably it is 10 weight part or less, More preferably, it is 5 weight part or less.

（酸化防止剤（Ｆ））
上記酸化防止剤（Ｆ）としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。 (Antioxidant (F))
As said antioxidant (F), a phenolic antioxidant, a phosphorus antioxidant, an amine antioxidant, etc. are mentioned.

上記フェノール系酸化防止剤の市販品としては、ＩＲＧＡＮＯＸ １０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ １０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６、ＩＲＧＡＮＯＸ １１３５、ＩＲＧＡＮＯＸ ２４５、ＩＲＧＡＮＯＸ ２５９、及びＩＲＧＡＮＯＸ ２９５（以上、いずれもＢＡＳＦ社製）、アデカスタブ ＡＯ−３０、アデカスタブ ＡＯ−４０、アデカスタブ ＡＯ−５０、アデカスタブ ＡＯ−６０、アデカスタブ ＡＯ−７０、アデカスタブ ＡＯ−８０、アデカスタブ ＡＯ−９０、及びアデカスタブ ＡＯ−３３０（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＡ−８０、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＭＤＰ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＢＢＭ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＭ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＳ（Ｆ）、及びＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＰ（以上、いずれも住友化学工業社製）、ＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ１０、ＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ１６、ＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ１４、及びＨＯＳＴＡＮＯＸ Ｏ３（以上、いずれもクラリアント社製）、アンテージ ＢＨＴ、アンテージ Ｗ−３００、アンテージ Ｗ−４００、及びアンテージ Ｗ５００（以上、いずれも川口化学工業社製）、並びにＳＥＥＮＯＸ ２２４Ｍ、及びＳＥＥＮＯＸ ３２６Ｍ（以上、いずれもシプロ化成社製）等が挙げられる。   Examples of commercially available phenolic antioxidants include IRGANOX 1010, IRGANOX 1035, IRGANOX 1076, IRGANOX 1135, IRGANOX 245, IRGANOX 259, and IRGANOX 295 (all of which are manufactured by BASF), ADK STAB AO-30, and ADK STAB AO. -40, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, ADK STAB AO-80, ADK STAB AO-90, and ADK STAB AO-330 (all of which are manufactured by ADEKA), Sumilizer GA-80, and Sumizer MDP -S, Sumilizer BBM-S, Sumilizer GM, Sumilizer GS (F), and Sumilizer G (All are manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), HOSTANOX O10, HOSTANOX O16, HOSTANOX O14, and HOSTANOX O3 (all are manufactured by Clariant), Antage BHT, Antage W-300, Antage W-400, and Antage W500 (All as described above, manufactured by Kawaguchi Chemical Industry Co., Ltd.), SEENOX 224M, and SEENOX 326M (all as described above, manufactured by Sipro Kasei Co., Ltd.).

上記リン系酸化防止剤としては、シクロヘキシルフォスフィン及びトリフェニルフォスフィン等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤の市販品としては、アデアスタブ ＰＥＰ−４Ｃ、アデアスタブ ＰＥＰ−８、アデアスタブ ＰＥＰ−２４Ｇ、アデアスタブ ＰＥＰ−３６、アデアスタブ ＨＰ−１０、アデアスタブ ２１１２、アデアスタブ ２６０、アデアスタブ ５２２Ａ、アデアスタブ １１７８、アデアスタブ １５００、アデアスタブ Ｃ、アデアスタブ １３５Ａ、アデアスタブ ３０１０、及びアデアスタブ ＴＰＰ（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、サンドスタブ Ｐ−ＥＰＱ、及びホスタノックス ＰＡＲ２４（以上、いずれもクラリアント社製）、並びにＪＰ−３１２Ｌ、ＪＰ−３１８−０、ＪＰＭ−３０８、ＪＰＭ−３１３、ＪＰＰ−６１３Ｍ、ＪＰＰ−３１、ＪＰＰ−２０００ＰＴ、及びＪＰＨ−３８００（以上、いずれも城北化学工業社製）等が挙げられる。   Examples of the phosphorus antioxidant include cyclohexylphosphine and triphenylphosphine. Commercially available products of the above phosphorus antioxidants include Adeastab PEP-4C, Adeastab PEP-8, Adeastab PEP-24G, Adeastab PEP-36, Adeastab HP-10, Adeastab 2112, Adeastab 260, Adeastab 522A, Adeastab 1178, Adeastab 1500, Adeastab C, Adeastab 135A, Adeastab 3010, and Adeastab TPP (all of which are manufactured by ADEKA), Sandstub P-EPQ, and Hostanox PAR24 (all of which are manufactured by Clariant), and JP-312L, JP -318-0, JPM-308, JPM-313, JPP-613M, JPP-31, JPP-2000PT, and JPH-3800 (all of which are Johoku Manabu Kogyo Co., Ltd.), and the like.

上記アミン系酸化防止剤としては、トリエチルアミン、メラミン、エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−トリル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジン及び第四級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。   Examples of the amine-based antioxidant include triethylamine, melamine, ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine, 2,4-diamino-6-tolyl-S-triazine, and 2,4-diamino- Examples include 6-xylyl-S-triazine and quaternary ammonium salt derivatives.

上述のように、酸化防止剤（Ｆ）として、各種の酸化防止剤が知られている。上記酸化防止剤（Ｆ）として、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物では、分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみで構成されている酸化防止剤（Ｆ１）が選択して用いられる。すなわち、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみで構成されている酸化防止剤（Ｆ１）を含む。上記酸化防止剤（Ｆ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   As described above, various antioxidants are known as the antioxidant (F). As said antioxidant (F), in the white curable composition for optical semiconductor devices which concerns on this invention, molecular weight is 600 or more and less than 2000, and it is comprised only with 3 types of a carbon atom, an oxygen atom, and a hydrogen atom. Selected antioxidant (F1) is used. That is, the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention has an antioxidant (F1) having a molecular weight of 600 or more and less than 2000, and comprising only three kinds of carbon atom, oxygen atom and hydrogen atom. )including. As for the said antioxidant (F1), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記酸化防止剤（Ｆ１）の分子量が６００未満であると、光半導体装置の使用時に金属部におけるマイグレーションが生じやすくなる。上記酸化防止剤（Ｆ１）の分子量が２０００以上であると、成形体の耐熱黄変性が低下する。成形体の耐熱黄変性をより一層高める観点はらは、上記酸化防止剤（Ｆ１）の分子量は好ましくは１８００以下、より好ましくは１５００以下である。   When the molecular weight of the antioxidant (F1) is less than 600, migration in the metal part is likely to occur during use of the optical semiconductor device. When the molecular weight of the antioxidant (F1) is 2000 or more, the heat-resistant yellowing of the molded product is lowered. From the viewpoint of further enhancing the heat-resistant yellowing of the molded product, the molecular weight of the antioxidant (F1) is preferably 1800 or less, more preferably 1500 or less.

上記酸化防止剤（Ｆ１）を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。これら原子以外の原子が含まれていると、例えば窒素原子、リン原子、硫黄原子等が含まれていると、金属部におけるマイグレーションの発生を十分に抑制することは困難である。   The atoms constituting the antioxidant (F1) are only three kinds of carbon atom, oxygen atom and hydrogen atom. If atoms other than these atoms are contained, for example, if nitrogen atoms, phosphorus atoms, sulfur atoms, etc. are contained, it is difficult to sufficiently suppress the occurrence of migration in the metal part.

なお、本明細書において、「分子量」とは、上記酸化防止剤（Ｆ１）の構造式から算出される分子量を意味する。   In the present specification, “molecular weight” means a molecular weight calculated from the structural formula of the antioxidant (F1).

また、金属部におけるマイグレーションの発生をより一層抑制する観点からは、上記酸化防止剤（Ｆ１）はフェノール系酸化防止剤であることが特に好ましい。   In addition, from the viewpoint of further suppressing the occurrence of migration in the metal part, the antioxidant (F1) is particularly preferably a phenolic antioxidant.

上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記酸化防止剤（Ｆ１）の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは５重量部以上、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。上記酸化防止剤（Ｆ１）の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、光半導体装置において封止剤の変色をより一層抑制でき、光半導体装置から発せられる光度の低下をより一層抑制できる。さらに、上記酸化防止剤（Ｆ１）の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。   The content of the antioxidant (F1) is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 5 parts by weight or more, preferably 50 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight of the epoxy compound (A). Is 30 parts by weight or less. When the content of the antioxidant (F1) is not less than the above lower limit and not more than the upper limit, discoloration of the sealant can be further suppressed in the optical semiconductor device, and a decrease in luminous intensity emitted from the optical semiconductor device can be further suppressed. . Furthermore, when the content of the antioxidant (F1) is not less than the above lower limit and not more than the upper limit, a molded body that is more excellent in heat resistance can be obtained.

（カップリング剤（Ｇ））
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、カップリング剤（Ｇ）をさらに含んでいてもよい。カップリング剤（Ｇ）の使用により、成形体において熱硬化性成分と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）との接着性が良好になる。カップリング剤（Ｇ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Coupling agent (G))
The white curable composition for optical semiconductor devices may further contain a coupling agent (G). By using the coupling agent (G), the adhesiveness between the thermosetting component, titanium oxide (C) and the filler (D) is improved in the molded body. As for a coupling agent (G), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記カップリング剤（Ｇ）としては特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。該シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、カチオニックシラン系カップリング剤、ビニルシラン系カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられる。カップリング剤（Ｇ）は、シランカップリング剤であることが好ましい。   Although it does not specifically limit as said coupling agent (G), For example, a silane coupling agent and a titanate coupling agent are mentioned. As the silane coupling agent, generally an epoxy silane coupling agent, an amino silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, a vinyl silane coupling agent, an acrylic silane coupling agent, a mercapto silane coupling agent and These composite coupling agents are mentioned. The coupling agent (G) is preferably a silane coupling agent.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物１００重量％中、上記カップリング剤（Ｇ）の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは５重量％以下である。   In 100% by weight of the white curable composition for optical semiconductor devices, the content of the coupling agent (G) is preferably 0.01% by weight or more, and preferably 5% by weight or less.

（他の成分）
上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、必要に応じて、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。 (Other ingredients)
The white curable composition for optical semiconductor devices, if necessary, a mold release agent, a resin modifier, a colorant, a diluent, a surface treatment agent, a flame retardant, a viscosity modifier, a dispersant, a dispersion aid, A surface modifier, a plasticizer, an antibacterial agent, an antifungal agent, a leveling agent, a stabilizer, an anti-sagging agent or a phosphor may be included. The diluent may be a reactive diluent or a non-reactive diluent.

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外線吸収剤及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。   The colorant is not particularly limited, and various organic systems such as phthalocyanine, azo compound, disazo compound, quinacridone, anthraquinone, flavantron, perinone, perylene, dioxazine, condensed azo compound, azomethine compound, infrared absorber and ultraviolet absorber Examples of the pigment include inorganic pigments such as lead sulfate, chromium yellow, zinc yellow, chromium vermilion, valve shell, cobalt purple, bitumen, ultramarine, carbon black, chromium green, chromium oxide, and cobalt green.

（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。 (Other details of white curable composition for optical semiconductor device and molded body for optical semiconductor device)
The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is a white curable composition for an optical semiconductor device used for obtaining a molded body disposed on a lead frame on which an optical semiconductor element is mounted in the optical semiconductor device. It is preferable that it is a thing. The lead frame is, for example, a component for supporting and fixing the optical semiconductor element and achieving electrical connection between the electrode of the optical semiconductor element and external wiring. The molded body is a molded body for an optical semiconductor device, and is preferably an optical semiconductor element mounting substrate.

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。   Since a molded article having high light reflectance is obtained, the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is provided on the lead frame on which the optical semiconductor element is mounted and on the side of the optical semiconductor element in the semiconductor device. It is preferable that the white curable composition for an optical semiconductor device is used for obtaining a molded body that is disposed on the side and has a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element.

光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましく、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なる。   Since a molded article having high light reflectance is obtained, the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention surrounds the optical semiconductor element on the lead frame on which the optical semiconductor element is mounted in the semiconductor device. It is preferable that the white curable composition for an optical semiconductor device is used for obtaining a molded body that is disposed as described above and has a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element on its inner surface. The molded body is preferably an outer wall member surrounding the optical semiconductor element, and is preferably a frame-shaped member. In addition, the said molded object differs from the die-bonding material for joining an optical semiconductor element (die bonding) in an optical semiconductor device.

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、複数の成形体がリードフレーム及び白色硬化性組成物の内の少なくとも一方を介して連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。分割の方法としては、金型による打ち抜きや、ダイシングなどの方法が挙げられる。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた分割前成形体の加工性は高いので、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得ても、成形体にクラック及び欠けを生じ難くすることができる。   The white curable composition for an optical semiconductor device according to the present invention is obtained by obtaining a pre-division molded body in which a plurality of molded bodies are continuous via at least one of a lead frame and a white curable composition, and before the division. It is preferably used to divide the molded body to obtain individual molded bodies. Examples of the dividing method include punching with a mold and dicing. Since the processability of the pre-division molded product using the white curable composition for optical semiconductor devices according to the present invention is high, cracks and Chipping can be made difficult to occur.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）と酸化防止剤（Ｆ１）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記白色硬化性樹脂組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することがより好ましい。   The said white curable composition for optical semiconductor devices is mix | blended with an epoxy compound (A), a hardening | curing agent (B), a titanium oxide (C), a filler (D), and antioxidant (F1) as needed. It can be obtained by mixing other components with a conventionally known method. As a general method for producing the white curable resin composition, there is a method in which each component is kneaded by an extruder, a kneader, a roll, an extruder, etc., and then the kneaded product is cooled and pulverized. From the viewpoint of improving dispersibility, the kneading of each component is preferably performed in a molten state. The kneading conditions are appropriately determined depending on the type and amount of each component. Kneading is preferably performed at 15 to 150 ° C for 5 to 40 minutes, and more preferably kneading at 20 to 100 ° C for 10 to 30 minutes.

本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。本発明に係る光半導体装置用成形体は、光半導体装置において金属部と接触するように用いられることが好ましく、電極と接触するように用いられることがより好ましい。上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。   The molded object for optical semiconductor devices which concerns on this invention is obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above. The white curable composition for optical semiconductor devices is formed into a predetermined shape. The molded body for an optical semiconductor device according to the present invention is preferably used so as to contact a metal part in the optical semiconductor device, and more preferably used so as to contact an electrode. The molded body obtained by curing the white curable composition for optical semiconductor devices is suitably used for reflecting light emitted from the optical semiconductor element in the optical semiconductor device.

上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。   Examples of a method for obtaining the molded article for an optical semiconductor device using the white curable composition for an optical semiconductor device include a compression molding method, a transfer molding method, a laminate molding method, an injection molding method, an extrusion molding method, and a blow molding method. Is mentioned. Of these, transfer molding is preferred.

トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記光半導体装置用白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。   In the transfer molding method, for example, the molded product is formed by transfer molding the white curable composition for an optical semiconductor device under the conditions of a molding temperature of 100 to 200 ° C., a molding pressure of 5 to 20 MPa, and a molding time of 60 to 300 seconds. can get.

（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。 (Details of optical semiconductor device and embodiment of optical semiconductor device)
An optical semiconductor device according to the present invention includes a lead frame, an optical semiconductor element mounted on the lead frame, and a molded body disposed on the lead frame, and the molded body is used for the optical semiconductor device. It is obtained by curing a white curable composition.

本発明に係る光半導体装置では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。   In the optical semiconductor device according to the present invention, the molded body is disposed on a side of the optical semiconductor element, and an inner surface of the molded body is a light reflecting portion that reflects light emitted from the optical semiconductor element. It is preferable.

図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を断面図及び斜視図で示す。   1A and 1B are a sectional view and a perspective view of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。   The optical semiconductor device 1 according to this embodiment includes a lead frame 2, an optical semiconductor element 3, a first molded body 4, and a second molded body 5. The optical semiconductor element 3 is preferably a light emitting diode (LED). The first molded body 4 and the second molded body 5 are not formed integrally, but are two other members. The first molded body 4 and the second molded body 5 may be integrally formed.

リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５が配置されている。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５は、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。   An optical semiconductor element 3 is mounted and arranged on the lead frame 2. A first molded body 4 is arranged on the lead frame 2. A second molded body 5 is disposed between the plurality of lead frames 2 and below the lead frames 2. The optical semiconductor element 3 is disposed inside the first molded body 4. A first molded body 4 is disposed on the side of the optical semiconductor element 3, and the first molded body 4 is disposed so as to surround the optical semiconductor element 3. The 1st, 2nd molded objects 4 and 5 are hardened | cured material of the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above, and are obtained by hardening the white curable composition for optical semiconductor devices mentioned above. Therefore, the 1st molded object 4 has light reflectivity, and has a light reflection part in the inner surface 4a. That is, the inner surface 4a of the first molded body 4 is a light reflecting portion. Therefore, the periphery of the optical semiconductor element 3 is surrounded by the inner surface 4 a having the light reflectivity of the first molded body 4.

第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。   The inner surface 4a of the first molded body 4 is formed such that the diameter of the inner surface 4a increases as it goes toward the opening end. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light indicated by the arrow B reaching the inner surface 4 a is reflected by the inner surface 4 a and travels forward of the optical semiconductor element 3.

光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。   The optical semiconductor element 3 is connected to the lead frame 2 using a die bond material 6. A bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead frame 2 are electrically connected by a bonding wire 7. A sealing agent 8 is filled in the region surrounded by the inner surface 4 a of the first molded body 4 so as to seal the optical semiconductor element 3 and the bonding wire 7.

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。   In the optical semiconductor device 1, when the optical semiconductor element 3 is driven, light is emitted as indicated by a broken line A. In the optical semiconductor device 1, not only the light irradiated from the optical semiconductor element 3 to the side opposite to the upper surface of the lead frame 2, that is, the upper side, but also the light reaching the inner surface 4 a of the first molded body 4 is indicated by an arrow B. There is also light that is reflected by the light. Therefore, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor device 1 is bright.

なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。   The structure shown in FIG. 1 is merely an example of an optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to a structure of a molded body, a mounting structure of an optical semiconductor element, and the like.

また、図２に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。   Further, as shown in FIG. 2, a pre-division optical semiconductor device component 11 in which a plurality of optical semiconductor device components are connected is prepared, and the pre-division optical semiconductor device component 11 is cut at a portion indicated by a broken line X. Individual optical semiconductor device components may be obtained. The pre-division optical semiconductor device component 11 includes a pre-division lead frame 2A, a pre-division first molded body 4A, and a pre-division second molded body 5A. After obtaining individual components for an optical semiconductor device, the optical semiconductor device 3 may be mounted, and the optical semiconductor device 3 may be sealed with a sealant 8 to obtain the optical semiconductor device 1. When the pre-division lead frame 2A is cut at a portion indicated by a broken line X, the lead frame 2 is obtained. When the first molded body 4A before division is cut at a portion indicated by a broken line X, the first molded body 4 is obtained. When the second molded body 5A before division is cut at a portion indicated by a broken line X, the second molded body 5 is obtained.

さらに、図３に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１に示す光半導体装置１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図２，３では、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。   Further, as shown in FIG. 3, a pre-division optical semiconductor device 12 in which a plurality of pre-division optical semiconductor devices are connected is prepared, and the pre-division optical semiconductor device 12 is cut at a portion indicated by a broken line X to obtain individual light. A semiconductor device may be obtained. The pre-division optical semiconductor device 12 includes a pre-division lead frame 2A, a pre-division first molded body 4A, and a pre-division second molded body 5A. As in the optical semiconductor device 1 shown in FIG. 1, in the pre-division optical semiconductor device 12, the optical semiconductor element 3 is mounted and arranged on the pre-division lead frame 2A. 2 and 3, in the pre-division optical semiconductor device component and the pre-division optical semiconductor device, a plurality of molded bodies are connected to form a pre-division molded body, but a plurality of molded bodies are not connected to each other. The front optical semiconductor device component and the pre-division optical semiconductor device may be divided to obtain the optical semiconductor device component and the optical semiconductor device.

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. The present invention is not limited to the following examples.

実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。   In the examples and comparative examples, the following materials were used.

（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＹＤ−０１３（芳香族骨格を有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量８５０、新日鐵化学社製）
２）ＹＤＣＮ７０４（芳香族骨格を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、新日鐵化学社製）
３）ＥＨＰＥ３１５０（脂環式骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０、ダイセル化学社製） (Epoxy compound (A))
1) YD-013 (bisphenol A type epoxy resin having an aromatic skeleton, epoxy equivalent 850, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
2) YDCN704 (Cresol novolac type epoxy resin having an aromatic skeleton, epoxy equivalent 210, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
3) EHPE3150 (epoxy resin having an alicyclic skeleton, epoxy equivalent 180, manufactured by Daicel Chemical Industries)

（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）リカシッドＭＨ−７００（ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、新日本理化社製）
３）ＤＩＣＹ７（ジシアンジアミド、三菱化学社製） (Curing agent (B))
1) Ricacid HH (hexahydrophthalic anhydride, manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.)
2) Ricacid MH-700 (mixture of hexahydrophthalic anhydride and methylhexahydrophthalic anhydride, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.)
3) DICY7 (dicyandiamide, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

（酸化チタン（Ｃ））
１）ＣＲ−９０（ルチル型酸化チタン、Ａｌ，Ｓｉにより表面処理されている、石原産業社製）
２）ＣＲ−５８（ルチル型酸化チタン、Ａｌにより表面処理されている、石原産業社製） (Titanium oxide (C))
1) CR-90 (rutile titanium oxide, surface-treated with Al, Si, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
2) CR-58 (rutile titanium oxide, surface treated with Al, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)

（充填材（Ｄ））
１）ＳＥ−４０（球状シリカ、平均粒径３７μｍ、トクヤマ社製）
２）３Ｋ−Ｓ（破砕シリカ、平均粒径３５μｍ、龍森社製）
３）ＭＳＳ−７（球状シリカ、平均粒径７μｍ、龍森社製）
４）ＸＪ−７（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
５）ＢＭＨ−Ｄ（硫酸バリウム、平均粒径３．５μｍ、堺化学社製） (Filler (D))
1) SE-40 (spherical silica, average particle size 37 μm, manufactured by Tokuyama Corporation)
2) 3K-S (crushed silica, average particle size 35 μm, manufactured by Tatsumori)
3) MSS-7 (spherical silica, average particle size 7 μm, manufactured by Tatsumori)
4) XJ-7 (crushed silica, average particle size 6 μm, manufactured by Tatsumori)
5) BMH-D (barium sulfate, average particle size 3.5 μm, manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.)

（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業社製） (Curing accelerator (E))
1) SA102 (DBU-octylate, manufactured by San Apro)
2) PX-4ET (tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethyl phosphorodithionate, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.)

（酸化防止剤（Ｆ１））
１）Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（フェノール系酸化防止剤、分子量１１７８、構成原子が炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである、ＢＡＳＦ社製） (Antioxidant (F1))
1) Irganox 1010 (phenolic antioxidant, molecular weight 1178, constituent atoms are only carbon atom, oxygen atom and hydrogen atom, manufactured by BASF)

（酸化防止剤（Ｆ１）以外の酸化防止剤）
１）Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４（フェノール系酸化防止剤、分子量７８４、構成原子が窒素原子を含む、ＢＡＳＦ社製）
２）ＨＣＡ（リン系酸化防止剤、分子量２１６、構成原子がリン原子を含む、三光社製）
３）Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５（フェノール系酸化防止剤、分子量６４３、構成原子が硫黄原子を含む、ＢＡＳＦ社製） (Antioxidants other than the antioxidant (F1))
1) Irganox 3114 (phenolic antioxidant, molecular weight 784, component atom contains nitrogen atom, manufactured by BASF)
2) HCA (phosphorus antioxidant, molecular weight 216, component atom contains phosphorus atom, manufactured by Sanko)
3) Irganox 1035 (phenolic antioxidant, molecular weight 643, constituent atoms contain sulfur atoms, manufactured by BASF)

（実施例１〜１０，１２及び比較例１〜４）実施例１１は欠番とする
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量で配合し、混合機（ラボプラストミルＲ−６０、東洋精機製作所社製）にて１５分間混合し、溶融混練物を得た。溶融混練物を常温で粉砕した後、タブレット化して、白色硬化性組成物を得た。 (Examples 1 to 10, 12 and Comparative Examples 1 to 4) Example 11 is a missing number. The components shown in Tables 1 and 2 below are blended in the amounts shown in Tables 1 and 2 below, and a blender (laboplast) (Mill R-60, manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.) for 15 minutes to obtain a melt-kneaded product. The melt-kneaded product was pulverized at room temperature and then tableted to obtain a white curable composition.

（評価）
（１）マイグレーション試験
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７５℃、成形時間３分）により上記リードフレーム上に、底面と側面と持つ凹部を有する成形体を得た。得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。 (Evaluation)
(1) Migration test After a circuit was formed on a copper material (TAMAC 194) by etching, silver plating was applied to obtain a lead frame having a thickness of 0.2 mm. A molded body having a recess having a bottom surface and side surfaces on the lead frame was obtained by transfer molding (molding temperature: 175 ° C., molding time: 3 minutes). The obtained molded body was after-cured at 170 ° C. for 2 hours.

アフターキュア後の成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームより切り出しを行い、試験サンプルを得た。   The sealing agent was dripped at the recessed part of the molded object after an after cure, respectively. The sealant contains 100 parts by weight of silicone resin and 30 parts by weight of YAG phosphor. After the dropping, the sealant was cured at 150 ° C. for 3 hours. Finally, a test sample was obtained by cutting out from the lead frame.

得られた試験サンプルを温度８５℃及び湿度８５％の条件で、５０Ｖの電圧を１０００時間印加した。１０００時間の電圧の印加後に、絶縁抵抗を室温（２３℃）で測定した。測定値からマイグレーション試験を下記の基準で判定した。   A voltage of 50 V was applied to the obtained test sample under conditions of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% for 1000 hours. After applying the voltage for 1000 hours, the insulation resistance was measured at room temperature (23 ° C.). The migration test was determined from the measured values according to the following criteria.

［マイグレーション試験の判定基準］
○：絶縁抵抗が１×１０６Ω以上である
×：絶縁抵抗が１×１０６Ω未満である [Migration criteria for migration tests]
○: Insulation resistance is 1 × 106Ω or more ×: Insulation resistance is less than 1 × 106Ω

（２）耐熱性
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７５℃、成形時間３分）により上記リードフレーム上に、底面と側面と持つ凹部を有する成形体を得た。得られた成形体を１７０℃で２時間アフターキュアした。 (2) Heat resistance After a circuit was formed on a copper material (TAMAC 194) by etching, silver plating was applied to obtain a lead frame having a thickness of 0.2 mm. A molded body having a recess having a bottom surface and side surfaces on the lead frame was obtained by transfer molding (molding temperature: 175 ° C., molding time: 3 minutes). The obtained molded body was after-cured at 170 ° C. for 2 hours.

アフターキュア後の成形体に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームより切り出しを行い、白色発光の光半導体装置を得た。   A blue light-emitting element of a sapphire substrate having InGaN as a light-emitting layer was placed on the molded body after the after-curing using a silicone resin adhesive. The light-emitting element and the lead frame were electrically connected using a gold wire having a diameter of 30 μm. A sealing agent was dropped into each of the concave portions of the molded body on which the light emitting element was placed on the bottom surface. The sealant contains 100 parts by weight of silicone resin and 30 parts by weight of YAG phosphor. After the dropping, the sealant was cured at 150 ° C. for 3 hours. Finally, it was cut out from the lead frame to obtain an optical semiconductor device emitting white light.

得られた光半導体装置の光度（耐熱試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、リフロー炉（最高温度２６０℃）に３回通し、光半導体装置の光度（耐熱試験後の光度）を測定した。耐熱試験前後の光度から光度保持率を求めた。   The light intensity (light intensity before the heat resistance test) of the obtained optical semiconductor device was measured using OL770 (manufactured by Optronic Laboratories). Then, it passed through the reflow furnace (maximum temperature 260 degreeC) 3 times, and the light intensity (light intensity after a heat test) of an optical semiconductor device was measured. The luminous intensity retention was determined from the luminous intensity before and after the heat resistance test.

光度保持率は、下記式で表される。
光度保持率（％）＝（耐熱試験前の光度）／（耐熱試験後の光度）×１００ The luminous intensity retention is represented by the following formula.
Light intensity retention (%) = (light intensity before heat test) / (light intensity after heat test) × 100

（３）リードフレームと成形体との密着性
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）に、銀メッキを施し、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ及び厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成形（成形温度１７０℃、成形時間３分）で上記リードフレーム上に、幅８ｍｍ、長さ３０ｍｍ及び厚み１ｍｍの成形体を形成し、１７０℃で２時間アフターキュアを行った。 (3) Adhesion between Lead Frame and Molded Body A copper material (TAMAC 194) was subjected to silver plating to obtain a lead frame having a width of 10 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 0.2 mm. A molded body having a width of 8 mm, a length of 30 mm and a thickness of 1 mm was formed on the lead frame by transfer molding (molding temperature: 170 ° C., molding time: 3 minutes), and after-curing was performed at 170 ° C. for 2 hours.

上記リードフレーム上に形成された成形体を、成形体側を凸側となるようにリードフレームごと折り曲げた。リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度を評価し、リードフレームと成形体との密着性を下記の基準で判定した。   The molded body formed on the lead frame was bent together with the lead frame so that the molded body side became the convex side. The bending angle at which the lead frame and the molded body were peeled or the molded body was broken was evaluated, and the adhesion between the lead frame and the molded body was determined according to the following criteria.

［リードフレームと成形体との密着性の判定基準］
○○：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が１０度を超える
○：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が５度を超え、１０度以下
×：リードフレームと成形体の剥離又は成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が５度以下 [Judgment criteria for adhesion between lead frame and molded body]
◯: The bending angle at which peeling of the lead frame and the molded body or destruction of the molded body exceeds 10 degrees. ○: The bending angle at which peeling of the lead frame and the molded body or destruction of the molded body exceeds 5 degrees. X: The bending angle at which peeling of the lead frame and the molded body or destruction of the molded body occurs is 5 degrees or less.

結果を下記の表１，２に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 0006259846
Figure 0006259846

Figure 0006259846
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１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Lead frame 2A ... Lead frame before division 3 ... Optical semiconductor element 4 ... 1st molded object 4A ... 1st molded object 4a before division | segmentation 5 ... 2nd molded object 5A ... Before division | segmentation 2nd molded object 6 ... Die bond material 7 ... Bonding wire 8 ... Sealant 11 ... Parts for optical semiconductor devices before division 12 ... Optical semiconductor devices before division

Claims (6)

エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含み、
前記酸化防止剤の分子量が６００以上、２０００未満であり、かつ前記酸化防止剤を構成する原子が、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみであり、
銅素材に銀メッキを施し、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ及び厚み０．２ｍｍのリードフレームを得て、該リードフレーム上に成形温度１７０℃及び成形時間３分でトランスファー成形して幅８ｍｍ、長さ３０ｍｍ及び厚み１ｍｍの成形体を形成し、１７０℃で２時間アフターキュアを行った後、前記リードフレーム上に形成された成形体を、該成形体側を凸側となるように前記リードフレームごと折り曲げたときに、前記リードフレームと前記成形体との剥離又は前記成形体の破壊が起こる折り曲げ角度が５度を超える、光半導体装置用白色硬化性組成物。 An epoxy compound, a curing agent, titanium oxide, a filler different from titanium oxide, a curing accelerator, and an antioxidant,
The molecular weight of the antioxidant is 600 or more and less than 2000, and atoms constituting the antioxidant state, and are only three carbon atoms, oxygen atoms and hydrogen atoms,
Silver plating is applied to the copper material to obtain a lead frame having a width of 10 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 0.2 mm, and transfer molding is performed on the lead frame at a molding temperature of 170 ° C. and a molding time of 3 minutes. After forming a molded body having a thickness of 30 mm and a thickness of 1 mm and after-curing at 170 ° C. for 2 hours, the molded body formed on the lead frame is bent together with the lead frame so that the molded body side is a convex side. Occasionally, the bending angle fracture occurs of peeling or the molding of the lead frame and the molded body exceeds 5 degrees, the optical semiconductor device for white curable composition. 前記硬化剤が、酸無水物硬化剤である、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to claim 1, wherein the curing agent is an acid anhydride curing agent. 前記エポキシ化合物が、芳香族骨格を有するエポキシ化合物及び脂環式骨格を有するエポキシ化合物の内の少なくとも１種を含む、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curable composition for optical semiconductor devices according to claim 1 or 2, wherein the epoxy compound contains at least one of an epoxy compound having an aromatic skeleton and an epoxy compound having an alicyclic skeleton. 前記酸化チタンがルチル型酸化チタンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-3 whose said titanium oxide is a rutile type titanium oxide. カップリング剤を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。   The white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-4 containing a coupling agent. 前記酸化防止剤として、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ステアリル、オクチル−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロ肉桂酸、トリエチレングリコールビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート、１，６−ヘキサンジオールビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−［（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルベンジル）−４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６，−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニルアクリレート、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ヒドロキノン、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール）、又はビス［３，３−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）酪酸］エチレンを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。As the antioxidant, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propion Stearyl acid, octyl-3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy-hydrosilicic acid, triethylene glycol bis (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionate, 1,6-hexane Diol bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl) butane, 4 , 4′-Butylidenebis (6-tert-butyl-3-methylphenol), 3,9-bis 1,1-dimethyl-2-[(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] ethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, , 3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 2,2'-methylenebis (6-tert-butyl-4-methylphenol) 2- (2-hydroxy-3-tert-butyl-5-methylbenzyl) -4-methyl-6-tert-butylphenyl acrylate, 2- [1- (2-hydroxy-3,5-di-tert- Pentylphenyl) ethyl] -4,6, -di-tert-pentylphenyl acrylate, 2,5-di-tert-butyl-hydroquinone, 4,4′-butylide Bis (6-tert-butyl-m-cresol), 2,2′-methylenebis (6-tert-butyl-p-cresol), 2,2′-methylenebis (6-tert-butyl-4-ethylphenol), Or the white curable composition for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-5 containing bis [3,3-bis (3-tert- butyl- 4-hydroxyphenyl) butyric acid] ethylene.
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