JP5798351B2 - 電鋳型 - Google Patents
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Description
本発明に係る電鋳型は、基板と、前記基板の表面に形成されたフォトレジスト層とを備える電鋳型であって、前記基板は、少なくとも前記表面が紫外線を吸収する紫外線吸収層で形成され、前記フォトレジスト層は、開口部を有し、前記基板の表面と前記フォトレジスト層の前記基板の表面側の面との間において、前記基板の端から前記フォトレジスト層の前記開口部内まで形成されるとともに、紫外線に対して透過性を有し、導電性を有する透明な導電膜が形成されていることを特徴とする。
この電鋳型を用いることにより、優れた形状、微細性および寸法精度を有する電鋳体を提供することが出来る。
これにより、紫外線の吸収をより効率的に行うことができる。
これにより、導電膜をパターニングする必要がないため、製造工程の簡略化が図れる。
図1は、本発明の実施形態の電鋳型の縦断面を示す図である。
図2は、基板形成工程及び導電膜形成工程を示す図である。
図2(a)は、基板のうち支持層7を示す図である。支持層7の表面8は後述する紫外線吸収層を形成する面である。
図3(a)の工程は、ネガ型のフォトレジスト層11を導電膜10の表面上に形成する工程である。図3(a)は、電鋳型の外形を形成するためのネガ型フォトレジスト層11を透明移動電膜10上に形成した状態を示したものである。このとき、液状ネガ型フォトレジストをスピンコートにより所望の厚みまでコートし、加熱することにより溶剤を蒸発することにより、形成する。
図5は、紫外光が基板に対して斜めに入射した場合の露光工程および未露光部除去工程を示す。
図6は、従来の電鋳型形成工程における露光工程および未露光部除去工程を示す図である。
図6(a)では、基板7と、基板7上に形成された導電性を有する金属層25と、金属層25上に形成されたフォトレジスト層26が示されている。
2、7 支持層
3、9 紫外線吸収層
4、10 導電膜
5 フォトレジスト層
6、24、30 開口部
11、26 フォトレジスト層
12 遮光パターン
13 フォトマスク
14、19 紫外光
15、20、27 露光部
16、21、28 未露光部
17、22、29 壁面
25 金属層
40 基板
Claims (4)
- 基板と、前記基板の表面に形成されたフォトレジスト層とを備える電鋳型であって、
前記基板は、少なくとも前記表面が酸化チタン膜からなる紫外線吸収層で形成され、
前記フォトレジスト層は、開口部を有し、
前記基板の表面と前記フォトレジスト層の前記基板の表面側の面との間において、前記基板の端から前記フォトレジスト層の前記開口部内まで形成されるとともに、紫外線に対して透過性を有し、導電性を有する透明な導電膜が形成されていることを特徴とする電鋳型。 - 前記基板は紫外線吸収物質で形成され、前記基板全体が紫外線吸収層であることを特徴とする請求項1に記載の電鋳型。
- 前記導電膜は、前記基板の表面と前記フォトレジスト層の前記基板側の面との間において、前記基板の表面の全面に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電鋳型。
- 基板と、前記基板の表面に形成されたフォトレジスト層とを備える電鋳型であって、
前記基板は、紫外線に対して透過性を有し、
前記フォトレジスト層は、開口部を有し、
前記基板の表面と反対の面上には、酸化チタン膜からなる紫外線吸収層が形成され、
前記基板の表面と前記フォトレジスト層の前記基板側の面との間において、前記基板の端から前記フォトレジスト層の前記開口部内まで形成されるとともに、紫外線に対して透過性を有し、導電性を有する透明な導電膜が形成されていることを特徴とする電鋳型。
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