JP5792063B2 - アンダーフィル材料のフィレットの寸法を制御する方法 - Google Patents

アンダーフィル材料のフィレットの寸法を制御する方法 Download PDF

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Description

本発明は、一般に、パッケージ形マイクロ電子デバイスに隣接して支持サブストレート上に小出しされたアンダーフィル材料のフィレットの寸法を制御する方法に関する。
半導体業界では、支持サブストレート、例えばプリント回路板(PCB)に公知の小出しプロセスにより取り付けられたパッケージ形マイクロ電子デバイス、例えば、ボール・グリッド・アレイ(ball grid array:BGA)、チップスケールパッケージ(chip scale package:CSP)又はフリップチップのかどを含む1つ又は2つ以上の縁に沿ってフィレットが見受けられる場合がある。フィレットは、強度を機械的連結部に追加すると共に環境からの損傷に対して保護を行うためにパッケージ形マイクロ電子デバイスと支持サブストレートの組立体中に装入されるアンダーフィル材料の属性である。
一例では、規定された量の硬化可能なアンダーフィル材料、例えばエポキシが小出し装置から、あらかじめソルダバンプ相互接続部又は別の形式の取り付け部によりPCBにはんだ付けされている長方形のパッケージ形マイクロ電子デバイスの1つ又は2つ以上の縁に沿って小出しされる。毛管作用により、アンダーフィル材料は、パッケージ形マイクロ電子デバイスの下に存在する隙間の中に引き込まれ、そして、これがパッケージ形マイクロ電子デバイスの他方の縁に向かって外方に流れながらパッケージ形マイクロ電子デバイスをアンダーフィルし、即ち、パッケージ形マイクロ電子デバイスとPCBとの間の隙間を満たす。フィレットは、パッケージ形マイクロ電子デバイスの周りに形成され、このフィレットは、パッケージ形マイクロ電子デバイスの側部からPCBまで延びる。換言すると、フィレットは、パッケージ形マイクロ電子デバイスの下に位置せず、パッケージ形マイクロ電子デバイスの縁に沿って生じる。アンダーフィル材料は、フィレット形成後、最終的に硬化され、典型的には加熱により熱的に硬化される。フィレットは、一様であり又はそうでない場合があり、フィレットは、「シールパス(seal pass)」と当該技術分野において呼ばれている補助小出しプロセスによりその性状が一段と高められる場合がある。
別の例では、小出しプロセスは、硬化可能なアンダーフィル材料のエッジ又はコーナーボンド小出しを利用して当該技術分野においてそれぞれ「エッジボンド又はコーナーボンド」と呼ばれているフィレットを形成する。このプロセスにおいて、フィレットは、パッケージ形マイクロ電子デバイスと支持サブストレートとの間の空間をアンダーフィルすることなく、パッケージ形マイクロ電子デバイスの1つ又は2つ以上の縁(かどを含む)又はその一部分に沿って直接形成される。コーナーボンド小出し法では、小出しされた材料は、ボンディングをもたらす上でパッケージ形マイクロ電子デバイスの下に部分的にしか流れることができない。この場合も又、アンダーフィル材料は、最終的にはフィレット形成後に硬化される。
フラクシング又は「フローなし」アンダーフィルプロセスがフィレットを形成するための更に別の技術である。このプロセスでは、先ず最初に、アンダーフィル材料が支持サブストレートのソルダパッド上に小出しされ、次にパッケージ形マイクロ電子デバイスがアンダーフィル材料の頂部上に載せられる。パッケージ形マイクロ電子デバイスが対応のソルダパッド上に押し下げられると、パッケージ形マイクロ電子デバイスは、アンダーフィル材料を押し退ける。過剰の材料は、パッケージ形マイクロ電子デバイスの縁に沿ってフィレットを形成する。この組立体は、次に、オーブンに通され、オーブンは、ソルダを再び流動させてパッケージ形マイクロ電子デバイスを支持サブストレートに取り付けると同時にアンダーフィル材料を硬化させる。
結果的に得られた組立体は、その意図した使用中の衝撃、振動、熱サイクル又は他の環境応力を受ける場合がある。コーナーボンド材料を含むアンダーフィル材料は、上述のプロセスの各々において、結果的に得られる組立体の信頼性及び動作寿命を向上させるのに役立つ。
フィレット形成に影響を及ぼすことができる多くの変数が存在する。変数としては、例えば、アンダーフィル材料の粘度、表面張力、容積及び/又は温度並びにパッケージ形マイクロ電子デバイス及び支持サブストレートの表面特性及び温度が挙げられる。これら変数は、例えば温度が粘度に影響を及ぼす等相互依存性で有ると共に/或いは動的であり、即ち経時的に変化する場合がある。変数の正確な制御を行うことは困難な場合があるので、アンダーフィル小出しプロセスの質及び一貫性も同様に達成するのが困難な場合があると共にいったんそのように達成されると持続する。
フィレット形成具合をモニタする従来方法では、結果的に得られるフィレットの人間による検査が行われている。例えば、一例では、検査主体としての人間は、支持サブストレートに取り付けられたパッケージ形マイクロ電子デバイスの縁に沿って形成されているフィレットの寸法及び形状を単に観察し、フィレットの寸法形状が正しいかどうかを判定する。フィレットの寸法形状が正しくない場合、アンダーフィル小出しプロセスの動作パラメータ、例えば支持サブストレートの温度又はアンダーフィル材料の量をそれに応じて調節してフィレットの寸法及び/又は形状を変更することができる。
残念ながら、マニュアル検査は、多くの欠点を示している。例えば、フィレットの寸法形状が正しいかどうかを評価する主観性は、オペレータにより様々である。加うるに、トレーサビリティがマニュアル検査プロセスについては欠けている場合がある。
かくして、上述の欠点を解決するフィレット形成具合を検査したり制御したりする改良型システム及び方法を提供することが有益である。
一実施形態では、支持サブストレート上に小出しされた材料を分析する際に用いられる自動化システムが提供される。このシステムは、小出しシステム及び自動化光学検査システムを有する。小出しシステムは、材料を支持サブストレート上に小出しするよう構成された小出し装置を含む。自動化光学検査システムは、材料の画像を捕捉し、画像を分析して小出しされた材料の測定可能な性質の値を求めるよう構成されている。フィードバックループが自動化光学検査システムを小出しシステムに結合する。自動化光学検査システムは、材料の測定可能な性質の値をフィードバックループにより小出しシステムに伝達するよう構成されている。
別の実施形態では、支持サブストレート上に小出しされた材料を分析する際に用いられる方法が提供される。この方法では、材料を小出しシステムにより支持サブストレート上に小出し、次に支持サブストレート及び小出しされた材料を小出しシステムから自動化光学検査システムに移送する。自動化光学検査システムを用いて小出しされた材料の測定可能な性質の値を求め、小出しされた材料の測定可能な性質の値を自動化光学検査システムから小出しシステムに伝達する。
本明細書に組み込まれてその一部をなす添付の図面は、本発明の実施形態を示しており、上述の本発明概要説明及び以下に行われる実施形態の詳細な説明と一緒になって、本発明の原理を説明にするのに役立つ。
本発明の実施形態に従ってフィレット形成具合を検査したり制御したりする自動化システムの略図である。 本発明の別の実施形態に従ってフィレット形成具合を検査したり制御したりする自動化システムの図1とほぼ同じ略図である。 本発明の更に別の実施形態に従ってフィレット形成具合を検査したり制御したりする自動化システムの図1及び図1Aとほぼ同じ略図である。 パッケージ形マイクロ電子デバイス及び支持サブストレートの側面図であり、支持サブストレートに取り付けられたパッケージ形マイクロ電子デバイスを示す図である。 材料をアンダーフィル小出しプロセスにより図2のパッケージ形マイクロ電子デバイスの縁に沿って小出ししてフィレットを形成する小出し装置の一部分の斜視図である。 フローなし小出しプロセスにおけるフィレット形成を示す側面図である。 半導体と支持サブストレートの組立体の拡大図であり、コーナーボンド小出し法によりフィレットが形成されていない状態のコーナーボンドを示す図である。 本発明の実施形態に従って図3に示されているように形成されたフィレットを検査するために用いられると共に小出しシステムとインターフェイスされた図1の自動化光学検査システムの略図である。
図1〜図4を参照すると、本発明の実施形態に従って、自動化システム10がフィレット12の形成具合を検査したり制御したりするよう構成されている。パッケージ形マイクロ電子デバイス14が支持サブストレート16に直接取り付けられている。フィレット12は、以下に説明するように小出しプロセス、例えばアンダーフィル小出しプロセスによりパッケージ形マイクロ電子デバイス14の1つ又は2つ以上の周縁13a,13bに沿って形成されている。一例では、パッケージ形マイクロ電子デバイス14は、表面実装パッケージ、例えばボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップスケールパッケージ(CSP)又はフリップチップであるのが良く、支持サブストレート16は、プリント回路板(PCB)であるのが良い。パッケージ形マイクロ電子デバイス14は、1つ又は2つ以上の半導体チップ又はダイ、ダイに取り付けられたインターポーザサブストレート又はリードフレーム、ダイを封入する成形外側ケーシング及びダイを支持サブストレート16に結合する外部接続部を有するのが良い。パッケージ形マイクロ電子デバイス14のパッケージングにより、ダイは、環境及び取り扱い上の危険性から保護されると共にパッケージ形マイクロ電子デバイス14の内側のダイを支持サブストレート16に電気的に且つ機械的に取り付けることができる。
例示の実施形態では、自動化システム10は、アンダーフィル小出しプロセスを実施する小出しシステム18を有している。小出しシステム18は、制御装置36及び制御装置36によって送られた制御信号の制御下で動作する小出し装置21を有している。小出し装置21は、アンダーフィル材料22を小出しするために用いられる小出しノズル20(一部が示されている)を有し、アンダーフィル材料は、毛管作用によりパッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16との間の隙間24に入り込んでこれを満たすことができる。
一実施形態では、小出しシステム18に用いられる小出し装置は、エレクトロニクス業界において通常用いられている「ジェッティング(jetting)」ディスペンサであるのが良く、これは、少量分の又は小滴状態の流動性の非常に高い材料を支持サブストレート16のような基板上に非接触方式で選択的に小出しするようになっている。ジェッティングディスペンサの一形式は、放出通路を包囲した弁座及び弁座に対して動くよう構成された先端部を備えたニードルを有する。ニードルの先端部が弁座と接触状態にあるとき、放出通路は、加圧流動材料が供給されるチャンバから隔離される。小出しシステム18のジェッティングディスペンサから流動材料の小滴を小出しするため、ニードル先端部を弁座から持ち上げて少量の流動材料がチャンバから弁座を通って放出通路に流れるようにする。次に、ニードルの先端部を弁座に向かって迅速に動かして流路を閉じ、運動量を放出通路中の流動材料に伝えて材料の小滴を放出通路の出口から噴出させ又は「ジェット噴射」させる。別個の少量の流動材料を含む小滴は、弾道をなして移動し、最終的にプリント回路板上の指定された場所に着地する。
小出しシステム18のジェッティングディスペンサは、支持サブストレート16上を一定の高さを保って「飛行」し、材料を非接触方式で意図した適用領域上にジェット噴射するよう構成されている。この目的のため、小出しシステムのジェッティングディスペンサは、代表的には、支持サブストレート16の表面全体にわたってパターンをなしてロボット(図示せず)により動かされる。材料を制御装置36の制御下で迅速に「オンザフライ(on-the-fly)」で(即ち、ジェッティングディスペンサが運動している状態で)ジェット噴射することにより、小出しされた小滴を結合して連続線を形成することができる。その結果、かかるジェッティングディスペンサは、流動材料、例えばアンダーフィルの所望のパターンを小出しするよう小出しシステム18で用いられるように容易にプログラム可能である。
自動化システム10による処理のための受け取りに先立って、パッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16をあらかじめ組み立て、例えば互いにはんだ付けし、それにより図2に最も良く示されているようにこれらの間に隙間24を形成する。一実施形態では、パッケージ形マイクロ電子デバイス14をソルダバンプ相互接続部にバンプ接続することによりパッケージ形マイクロ電子デバイス14を支持サブストレート16に取り付ける。チップをバンプ接続するため、パッケージ形マイクロ電子デバイス14の底面をアンダーバンプ金属(underbump metal:UBM)の領域で被覆し、それにより電気接続を促進すると共にパッケージ形マイクロ電子デバイス14をバンプ材料から保護し、更にバンプサイズ及び配設場所を定めるのが良い。パッケージ形マイクロ電子デバイス14を支持サブストレート16に機械的に取り付けるソルダバンプ相互接続部は又、電力及び信号のための導電路及びパッケージ形マイクロ電子デバイス14が動作しているときに生じる熱を放散させる伝熱路を提供する。パッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16の組立体をオーブン27、例えばリフロー装置で加熱することにより、はんだが溶融し、このはんだは、凝固時にパッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16を連結するよう働く。
パッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16とから成る組立体を適当な上流側機器26から小出しシステム18内に送り込む。上流側機器26は、当該技術分野において知られているローダ、例えばパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16をパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16を収容したカセットにより小出しシステム18内に移送し又は送り込むインライン式コンベヤシステム又は自動化ローダを含むのが良い。変形例として、上流側機器26は、ローダだけでなくオーブン27も含んでも良い。
小出しシステム18内にいったん位置すると、あらかじめ組み立て状態のパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び/又は支持サブストレート16を当業者には知られているように加熱装置29によりあらかじめ加熱する(予熱)のが良い。予熱後、アンダーフィル材料22を小出しする前に小出しシステム18内における組立体の位置を評価するのが良い。変形例として、パッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16の組立体をオーブン27内で予熱しても良い。
図3に示されているように、アンダーフィル材料22を小出し装置21からパッケージ形マイクロ電子デバイス14の周縁13aのうちの少なくとも1つに沿って小出しして毛管流れにより隙間24(図2)を満たし、かくして、フィレット12(図4)を形成する。小出しが制御装置36の制御下で行われる場所としての周縁13aは、小出し用周縁と呼ばれる場合がある。上述したように、毛管作用により、小出しされた材料22は、パッケージ形マイクロ電子デバイス14の下に引き込まれ、そしてこれがパッケージ形マイクロ電子デバイス14の非小出し用周縁13b又は流れ出し縁に向かって外方に流れながら隙間24を満たす。単一のパス又は多数のパスが小出し用周縁13aに沿って送るのが良く、かかるパスは、Iの形を定めることができる。小出しも又、多数の周縁13a,13bに沿って行われて例えばL字形パス形状を定めるのが良い。加うるに、隙間24を満たした後、オプションとしてのシールパス(図示せず)を小出し用周縁13bのところで材料22の周りに施してフィレット12(図4)を仕上げるのが良い。隙間を満たし、そしてフィレット12を形成するのに適した材料であるならばどのような材料を利用しても良い。一例では、アンダーフィル材料22は、硬化可能な非導電性高分子(ポリマー)材料、例えばエポキシである。アンダーフィル材料22は、1種類又は2種類以上の重合性モノマー、ポリウレタンプレポリマー、ブロックコポリマー及びラジカルコポリマー並びに反応開始剤、触媒、架橋剤、安定剤等を含むのが良い。硬化されて硬くなると、かかる高分子材料22は、結合度の強い塊を形成するよう連鎖又は架橋を生じる分子を含む。
変形例として、小出しシステム18は又、コーナー又はエッジボンド小出しを提供することができ、この場合、材料22は、パッケージ形マイクロ電子デバイス14の下の隙間24をアンダーフィルすることなく、周縁13a又は1つ若しくは2つ以上のかどとして(コーナー部)31のところにフィレット12を形成するに過ぎない。コーナー又はエッジボンド小出し法の場合、材料22の小出しは、縁13a,13b若しくはかど31のうちの1つ若しくは2つ以上又はその一部分に沿って行われてフィレット12を形成することができる。そして、コーナーボンド小出し法では、パッケージ形マイクロ電子デバイス14は、図3Bに示されているように、1つ又は2つ以上のコーナーボンド28を有することができ、フィレット形成は行われない。
材料22を小出しした後、フィレット12を形成している材料22を備えたパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16を加熱装置により加熱するのが良く、その結果、材料22は、ゼリー状になることができる。ゼリー状化は、材料22を安定化するのを助け、その結果、パッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16をAOIシステム19のところでの評価前に取り扱うことができるようになる。幾つかの場合、材料22の安定性は、材料22を先ず最初にゼリー状にする必要がないように検査にとって十分である場合がある。
図1A及び図3A(図中、同一の参照符号は図1〜図3の同一の特徴を示している)を参照すると、変形実施形態に従って、自動化システム10の小出しシステム18は、フローなし(no-flow)アンダーフィル小出しプロセスを利用するよう構成されている。小出しシステム18は、材料22を支持サブストレート16のソルダパッド(図示せず)上に小出しする小出し装置21とほぼ同じ小出し装置を有している。フローなしプロセス用の材料22は、一般に、フラクシング及びエポキシ特性を備えている。小出し後、材料22付きの支持サブストレート16を例えばコンベヤ組立体により小出しシステム18からピックアンドプレース機30に搬送する。ピックアンドプレース機30のところでは、パッケージ形マイクロ電子デバイス14をアンダーフィル材料22の頂部上に載せる。当業者に知られている任意適当なピックアンドプレース機30をこの作業の実施のために利用することができる。パッケージ形マイクロ電子デバイス14は、このパッケージ形マイクロ電子デバイス14がピックアンドプレース機30によって支持サブストレート16上に押し下げられると、材料22を押し退ける。過剰の押し退けられた材料は、パッケージ形マイクロ電子デバイス14の縁13bに沿ってフィレット12を形成する。次に、以下に更に説明するように、フィレット12付きのパッケージ形マイクロ電子デバイス14と支持サブストレート16の組立体をピックアンドプレース機30からAOIシステム19に搬送する。
図1B(図中、同一の参照符号は、図1〜図3の同一の特徴を示している)を参照すると、変形実施形態に従って、自動化システム10の小出しシステム18とAOIシステム19を単一のシャーシ内に組み合わせることができる。この機械の組み合わせフォーマットでは、制御装置36,50を以下に更に説明するようにフィードバックループ66によって互いにリンクさせる。或る特定の実施形態では、制御装置36,50は、互いに合体されて単一の制御装置にするのが良く、かかる単一の制御装置は、個々の制御装置の機能を持つ。この場合、パッケージ形マイクロ電子デバイス14、支持サブストレート16及び材料22の組立体の材料22を小出しするに適した場所から小出しされた材料22を検査するのに適した別の場所までシャーシの内部で搬送しても良く、或いは、小出し及び検査場所を共有して組立体がこれらの作業中、静止状態にあるようにしても良く、或いは、単に僅かな距離移動させて正確な小出し及び画像化に対応するようにしても良い。
適当な小出しシステム18の一例として、カリフォルニア州カールスバッド所在のアシムテック(Asymtek)社から入手できるAxiom series(アキシォムシリーズ)、例えばAxiom X-1020小出しシステムを本発明の実施形態に利用することができる。
上述したように、小出しプロセスにより形成されたフィレット12(図4)に影響を及ぼす場合のある多くの変数としては、例えば、材料22の粘度、表面張力、容積及び/又は温度並びにパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16の表面特性及び温度が挙げられる。小出しシステム18は、一般に、種々の変数のうちの或る特定のもの、例えば、小出し容積又は量、支持サブストレートの温度及びその結果としてのアンダーフィル材料22を小出しした後のアンダーフィル材料22の温度を制御することができる1つ又は2つ以上のソフトウェア特徴を有する。正しく寸法決めされたフィレット12を生じさせるようにするため、フィレット12に影響を及ぼす場合のある異なる変数並びにフィレット12の所望の寸法形状、例えば長さ、幅及び高さを考慮に入れたアンダーフィル小出しシステム18の動作パラメータを定める。動作パラメータを定めた状態で、以下に更に説明するAOIシステム19は、フィレット12の自動化分析を行ってこれら動作パラメータをモニタすると共にフィレット12の正しい寸法形状を維持することができるようにする。その結果、アンダーフィル小出しプロセスの質及び一貫性をリアルタイムで維持することができる。特に、AOIシステム19は、情報を小出しシステム18に直接戻し又は送ることができ、小出しソフトウェアは、小出しパラメータ、例えば材料22の量を調節してフィレット12の寸法を是正することができる。
さらに図1、図1A、図3、図3A及び図4を参照すると、パッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16はフィレット12と共に、次に、アンダーフィル小出しシステム18から直接又はフローなし小出しの場合ピックアンドプレース機30から直接AOIシステム19に動き、このAOIシステムは、フィレット12の寸法形状が正しいがどうかを判定するよう構成されている。図1及び図1Aのシステム10は、当該技術分野において知られているように「オートメーションのアイランド」又はインライン式システムを構成することができる。一般に、オートメーションのアイランドは、任意他の機械又はプロセスとは独立して機能する単一のロボットシステム又は他の自動的に動作する機械を表している。インラインシステムは、組み立て中の製品が完成するまで作業相互間で連続的に移る機器の構成である。したがって、AOIシステム19及び小出しシステム18は、オートメーションのアイランド中に収納されるのが良く、或いは、変形例として、AOIシステム19及び小出しシステム18は、互いに対してインラインに配列されたものと考えても良い。インライン構成とオートメーションのアイランド構成のいずれにおいても、図1及び図1AのAOIシステム19は、フィレット12付きのパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16の組立体をそれぞれサブストレートコンベヤアセンブリ34により小出しシステム18又はピックアンドプレース機30から搬送するよう構成されているのが良い。変形例として、小出しシステム18又はピックアンドプレース機30は、フィレット12付きのパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16を収容したカセットをAOIシステム19に渡すローダ(図示せず)及びアンローダ(図示せず)を利用しても良い。
次に特に図4を参照すると、AOIシステム19は、主要構成要素として、少なくとも1つの光源を備えた照明サブシステム40を有し、かかる光源は、可視光、例えば白色及び/又は多色光をフィレット12に当ててその自然な画像を生じさせる。照明サブシステム40は、コンピュータ制御下においてフィレット12を照明することができる。光源を装置のフィデューシャルアライメント(fiducial alignment)、バーコード読み取り又は光学文字認識(OCR)に使用可能である。バーコード又はOCRは、プロセスのトレーサビリティを提供する上で望ましい場合がある。
AOIシステム19は、カメラサブシステム46を更に有し、このカメラサブシステムは、光が照明サブシステム40からフィレット12に当てられたときにフィレット12の1つ又は2つ以上の画像を捕捉するよう位置決めされた光学部品、例えばレンズ付きの少なくとも1つのカメラを有する。カメラ46は、例示の実施形態ではフィレット12の1つ又は2つ以上の画像を捕捉するようパッケージ形マイクロ電子デバイス14の真上に位置した状態で示されている。しかしながら、理解されるべきこととして、2つ以上のカメラ46を種々の位置に設けてフィレット12の種々の縁13a,13bを含むかかるフィレット12の画像を捕捉しても良い。捕捉された画像を、フィレット12の寸法形状を求め、即ち、フィレット12の寸法形状が正しいかどうかを判定する制御装置50に運び、この制御装置は、画像処理コンピュータの代表的な形態を有するのが良い。フィレット12の寸法形状を標準としての寸法及び形状に関する標的又は所定の値と比較してアンダーフィル小出しシステム18が効率的に動作しているかどうか及びその動作パラメータのうちの任意のものを調節する必要があるかどうかを判定する。
AOIシステム19は、支持サブストレート16を小出しシステム18(又はピックアンドプレース機30)から運搬したりフィレット12の検査中、支持サブストレート16を保持したりするサブストレートコンベヤサブシステム52を更に有する。サブストレートコンベヤサブシステムに代えて、フィレット12付きのパッケージ形マイクロ電子デバイス14及び支持サブストレート16をサブストレートホルダサブシステム(図示せず)上に載せるのにローダ(図示せず)を利用することができる。サブストレートホルダサブシステムは、例えば支持サブストレート16を確実に位置させるよう構成された支持ピンを用いることにより支持サブストレート16を下から支持することができる。
これ又AOIシステム19の一部として設けられるのが良い搬送機構体56がXY軸モータを有し、このXY軸モータは、カメラに連結されてこのカメラを動かしてフィレット12の検査を助ける。所望に応じて他のオプションが想定され、かかるオプションとしては、Z軸運動の導入が挙げられるが、これには限定されない。
AOIシステム19の制御装置50は、カメラサブシステム46に結合されると共に運動指令を搬送システム56のXY軸モータに提供するための運動制御装置又はコントローラ60に結合されている。結合は、例えば画像の表示をカメラサブシステム46のカメラから制御装置50に伝えるために光学信号又は電気信号を利用するのが良い。制御装置50は、捕捉された画像中に示されているようなフィレット12の寸法形状を評価するマシンビジョンアルゴリズムを実行することができる1つ又は2つ以上のソフトウェアプログラムを含む。AOIシステム19とのユーザインターフェイスとしては、コンピュータモニタ、キーボード、及び/又はマウスが挙げられ、これらは全体が参照符号62で示されていて、コントローラ50に作動的に結合される。
フィレット12の自動化検査を実行するために利用できるかかるAOIシステム19の1つは、カリフォルニア州サンクレメンテ所在のイエステック・インコーポレイテッド(YESTech Inc.)から入手できるYTVシリーズAOI、例えばF又はMシリーズである。
AOIシステム19用の検査プログラムは、一般に、比較標準としての正しく寸法決めされたフィレットで始まる。フィレット寸法を手動でAOIシステム19にエンターしても良く、或いは、フィレット12をAOIシステム19によって自動的に検査して画像処理ソフトウェアが自らを訓練することができるようにするのが良い。フィレット寸法をいったん入力すると共に/或いは学習プロセスを完了すると、フィレット12の自動化検査がAOIシステム19内で実行可能である。フィデューシャルアライメントは、代表的には、検査プロセスの一部として実行される。加うるに、検査プロセスは、小出しプロセスよりも何倍も早いのが良い。例えば、検査速度は、毎秒約1平方インチであるのが良く、フィレットについては20〜30秒であり、これに対し、フィレット12に関するフィレット材料22の小出しは、5分間を要する場合がある。かくして、例示の一実施形態では、フィレット全体、例えばフィレット12の4つ全ての縁13a,13bを完全に検査することができる。別の例示の実施形態では、フローアウト縁13bのうちの1つ又は2つ以上のところでのフィレット12の寸法形状のみが検査される。
自動化システム10は、自動化光学検査(AOI)システム19によって行われる測定によって小出しシステム18の閉ループ制御が可能フィードバック66を有する。フィードバックループ66は、小出しシステム18のところでのフィレット形成の管理又は制御を促進し、即ち、フィレット12の所望の寸法形状を維持する。フィードバックループ66は、小出しシステム18のところの制御装置36とAOIシステム19のところの制御装置50を連係させ又は結合して情報をAOIシステム19と小出しシステム18との間で双方向に交換することができ又はAOIシステム19から小出しシステム18に一方向に伝えることができるようにする。交換され又は伝達された情報は、例えば、AOIシステム19のところで測定されるフィレット材料22の測定可能な性質の値、例えば形状、寸法又は別の属性であるのが良い。測定可能な性質の値は、代表的には数値であるが、変形実施形態では、定性的であっても良い。
フィードバックループ66を提供するのに適したインターフェイス取りは、公知の技術を用いた2つのシステム18,19をネットワーク化することにより達成できる。小出しシステム18のところの制御装置36をAOIシステム19のところの制御装置50に結合するフィードバックループ66は、通信リンク、例えばケーブル及び動作パラメータの調節を容易にするよう小出しシステム18で実行されるアルゴリズムを有するのが良い。別の実施形態では、フィードバックループ66は、小出しシステム18のところに存在するオペレータとしての人間(図示せず)がAOIシステム19から得られたフィレット情報に基づいてアンダーフィル小出しシステム18の動作パラメータを手動で調節してみることにより構成可能である。
フィードバックループ66により伝達された測定可能な性質の値に応答して、小出しシステム18は、フィレット12の正しい寸法決めを維持することができるよう1つ又は2つ以上の動作パラメータを調節するよう構成されている。この通信及び調節は、AOIシステム19と小出しシステム18との間に閉ループ制御システムの閉ループフィードバックを提供する。かかる閉ループ制御システムでは、フィレット12の測定可能な性質の値がAOIシステム19の制御装置50から基準として小出しシステム18の制御装置36に送られ、小出しシステム18は、制御エラーを最小限に抑え又は調節するために必要に応じて小出しシステム18のところでの材料小出し作業への制御入力を連続的に又は間欠的に調節する。変形例として、AOIシステム19は、測定可能な属性から基づく調節を決定し、この調節内容を小出しシステム18に送っても良い。AOIシステム19からの小出しシステム18の実際の性能のフィードバックに基づき、小出しシステム18は、フィレット12の変更、例えば形状又は寸法の変更を生じさせ又は結果としてフィレットの望ましくない形成を生じさせる制御システムに対する外乱を動的に補償することができる。制御システムの一目的は、フィレット12を小出しする制御されたプロセスを許容可能な動作範囲内に維持することにある。
例えば、フィレット12がAOIシステム19によって不適当に寸法決めされていると判定された場合、小出しシステム18の動作パラメータをそれに応じて、フィードバックループ66により小出しシステム18に伝達された情報によって調節することができる。特定の一例では、異常に小さなフィレット寸法の検出に応答して、その情報をコンピュータ50により小出しシステム18に自動的に伝達して小出しシステム(図示せず)がフィレット材料22の小出し量を増加させ、それによりフィレット寸法を増大させるのが良い。別の例では、制御対象外測定がプロセスアラームをトリガすることができ、このプロセスアラームは、アンダーフィル小出しプロセスが制御不能であり、したがってアンダーフィル小出しシステム18の動作を手動で調節して制御対象外測定をもたらしている条件を正すのが良いという警告をオペレータとしての人間に提供する。
別の例として、コーナーボンド小出しでは、材料22がパッケージ形マイクロ電子デバイス14の下に部分的に流れて図3Bに示されているようにコーナーボンド28を形成するがフィレット12を形成することがないようにすることが望ましい場合がある。したがって、この場合におけるフィレット12の形成は、有害である場合がある。かくして、AOIシステム19がフィレット12の存在を検出した場合、これは、例え小出しされる材料の量を減少させ若しくは支持サブストレート16を加熱し、或いはこれら両方を行ってフィレット12が生じないようにするよう小出しシステム18にフィードバックされるエラーである。
フィレット12の検査後、結果的に得られたマイクロ電子組立体68を適当な下流側機器70、例えば自動化アンローダ又は手で、即ち手動でAOIシステム19から取り出すのが良い。適当な自動化ローダ及びアンローダは、カリフォルニア州カールスバッド所在のアシムテック社から入手できる。次に、マイクロ電子組立体68を手動で又は自動的に硬化又はキュア装置72、例えば静止オーブンに搬送するのが良く、アンダーフィル材料22付きのマイクロ電子組立体68をこの硬化装置内に配置して硬化させ、即ち最終的に加硫させて最終的に永続的な形態の状態に加硫させる。硬化装置は、下流側機器70に組み込まれるのが良い。硬化後、マイクロ電子組立体68に更に、追加の公知のプロセス及び技術を施すのが良く、かかるプロセス及び技術としては、成形プロセス、ボール配置プロセス、コンポーネントシンギュレーション等が挙げられる。
したがって、従来型フィレット検査システム及びプロセスの欠点を解決するフィレット形成具合を検査したり制御したりする改良型システム10及び方法が提供されている。この目的のため、本発明の実施形態としての自動化システム10及び方法は、迅速で信頼性があり且つ一貫性があると共に再現可能な検査結果を提供する。また、人間の介在なしに小出しシステム18の動作パラメータをリアルタイムで連続的に調節することができるようにすることによってアンダーフィル一貫性を高めることができる。かくして、仕様対象外組立体を減少させることにより製品の歩留まりを向上させることができる。さらに、制御対象外状況を迅速に検出することができると共に小出しプロセスを停止させると共に/或いは調節することができ、しかも人間の介在か自動調節かのいずれかを利用して問題を是正することができる。加うるに、検査プロセスは、検査プロセスのトレーサビリティが向上する。例えば、プリント回路板のシリアル番号、その検査結果及び検査を行うオペレータのログイン情報を追跡することができる。最後に、AOIシステム19は、小出しシステム18によって処理されたあらゆるマイクロ電子組立体68に施された全てのフィレット12の寸法及び形状を記録することができる。
本発明の種々の実施形態を用いて説明すると共にこれら実施形態をかなり詳細に説明したが、本出願人は、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の範囲をかかる細部に制限し又は何ら限定するものではない。追加の利点及び改造は、当業者には容易に明らかになろう。かくして、本発明をその広い観点において、具体的な細部、例示の装置及び方法並びに図示すると共に説明した例には限定されない。したがって、本出願人の一般的な技術的思想の精神又は範囲から逸脱することなく、かかる細部の変形例を想到できる。

Claims (4)

  1. パッケージ形マイクロ電子デバイスに隣接して支持サブストレート上に小出しされたアンダーフィル材料のフィレットの寸法を制御する方法であって、
    小出しシステムのジェッティングディスペンサを使用して、支持サブストレートに取り付けられたパッケージ形マイクロ電子デバイスに隣接して連続線でアンダーフィル材料の小滴を前記支持サブストレート上にジェット噴射させ、前記パッケージ形マイクロ電子デバイスの下で前記アンダーフィル材料を流して、前記パッケージ形マイクロ電子デバイスの縁に沿ってフィレットを形成するステップと、
    前記フィレット付きの前記パッケージ形マイクロ電子デバイス及び前記支持サブストレートを前記アンダーフィル小出しシステムから自動化光学検査システムへ移動させるステップと、
    前記フィレット付きの前記パッケージ形マイクロ電子デバイスが前記アンダーフィル小出しシステムから取り外された後に、前記自動化光学検査システムを使用して前記フィレットの画像を捕捉するステップと、
    前記自動化光学検査システムによって捕捉された画像を使用して、前記フィレットの1以上の寸法を寸法決めされた標準と比較するステップと、
    前記小出しシステムの閉ループ制御が可能なフィードバックループにより、前記フィレットの1以上の寸法と寸法決めされた標準との比較から情報を伝達するステップと、
    前記フィードバックループにより前記小出しシステムに伝達された情報に応答して、前記小出しシステムの1以上の動作パラメータを調節するステップと、
    前記調節された1以上の動作パラメータを使用して、他の支持サブストレートに取り付けられた他のパッケージ形マイクロ電子デバイスに隣接して連続線でアンダーフィル材料の小滴をジェット噴射させ、前記パッケージ形マイクロ電子デバイスの下で前記アンダーフィル材料を流して、前記パッケージ形マイクロ電子デバイスの縁に沿ってフィレットを形成するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記小出しシステムの1以上の動作パラメータを調節するステップは、前記材料小出しシステムへの制御入力を調節して、エラーを最小限に抑え又は調節するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 前記自動化光学検査システムが小さなフィレット寸法を検知したことに応答して、前記自動化光学検査システムによってその情報を前記小出しシステムに伝達して、フィレット材料の小出し量を増加させ、それによりフィレット寸法を増大させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  4. 請求項1に記載の方法において、さらに、前記自動化光学検査システムを使用して、前記小出しシステムによって小出しされ、前記支持サブストレートに取り付けられた複数のパッケージ形マイクロ電子デバイスのフィレットの寸法及び形状を記録するステップを含むことを特徴とする方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9146196B2 (en) * 2008-07-10 2015-09-29 Nordson Corporation Automated fillet inspection system with closed loop feedback and methods of use
US8753713B2 (en) 2010-06-05 2014-06-17 Nordson Corporation Jetting dispenser and method of jetting highly cohesive adhesives
US9627346B2 (en) * 2013-12-11 2017-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Underfill pattern with gap
KR102153562B1 (ko) * 2014-03-20 2020-09-09 삼성전자주식회사 반도체 검사 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 검사 방법
KR102362654B1 (ko) 2015-07-03 2022-02-15 삼성전자주식회사 오븐
EP3185086B1 (fr) * 2015-12-21 2019-06-12 The Swatch Group Research and Development Ltd. Applique de cadran d'une pièce d'horlogerie
US9825008B1 (en) * 2016-04-29 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same
EP3452289B1 (en) 2016-05-03 2021-03-17 Precision Valve & Automation, Inc. Determining an automatic bonding sequence for optical bonding
CN106370831B (zh) * 2016-08-29 2019-06-14 苏州奥普特克自动化科技有限公司 用于生物分子相互作用动态检测的检测芯片及制备方法
DE102017202150A1 (de) * 2017-02-10 2018-06-28 Siemens Healthcare Gmbh Füllfortschrittsbestimmung eines Zwischenschichtmaterials bei der Herstellung eines Röntgendetektors
EP3706920A1 (en) * 2017-11-10 2020-09-16 Nordson Corporation Systems and methods for enhanced coating dispensing controls
CN108198766A (zh) * 2017-12-29 2018-06-22 英特尔产品(成都)有限公司 芯片封装缺陷自动识别和处理方法、系统及存储设备
DE102018006760A1 (de) * 2018-08-27 2020-02-27 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Inspektion beim Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten zu einem zweiten Träger
KR102530763B1 (ko) 2018-09-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조방법
WO2020142229A1 (en) * 2019-01-04 2020-07-09 Jabil Inc. Apparatus, system, and method of providing underfill on a circuit board

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809308A (en) * 1986-02-20 1989-02-28 Irt Corporation Method and apparatus for performing automated circuit board solder quality inspections
US6412328B1 (en) * 1996-10-25 2002-07-02 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring the size of drops of a viscous material dispensed from a dispensing system
US6321591B1 (en) * 1999-02-22 2001-11-27 Electronic Controls Design, Inc. Method and apparatus for measuring spray from a liquid dispensing system
US6621566B1 (en) * 2000-10-02 2003-09-16 Teradyne, Inc. Optical inspection system having integrated component learning
US6870611B2 (en) * 2001-07-26 2005-03-22 Orbotech Ltd. Electrical circuit conductor inspection
JP2002139452A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Fuji Mach Mfg Co Ltd 塗布状態検査方法および塗布状態検査装置
US6567161B1 (en) * 2000-11-28 2003-05-20 Asti Holdings Limited Three dimensional lead inspection system
US20040148876A1 (en) * 2002-06-13 2004-08-05 Mcmanus Kerry John Sound barrier
US20040148763A1 (en) * 2002-12-11 2004-08-05 Peacock David S. Dispensing system and method
US7204960B2 (en) * 2003-03-03 2007-04-17 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus and method for calibration of a dispensing system
US7171897B2 (en) * 2003-06-05 2007-02-06 Georgia Tech Research Corporation System and methods for data-driven control of manufacturing processes
US20050095366A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Liang Fang Method of conformal coating using noncontact dispensing
US7622311B1 (en) * 2005-11-30 2009-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Inspection of underfill in integrated circuit package
JP2007194403A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Sony Corp 電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法、並びに、アンダーフィル材充填状態の検査装置及びアンダーフィル材充填状態の検査方法
US7750482B2 (en) * 2006-02-09 2010-07-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including zero fillet resin
JP4103921B2 (ja) * 2006-08-11 2008-06-18 オムロン株式会社 フィレット検査のための検査基準データの設定方法、およびこの方法を用いた基板外観検査装置
US8110438B2 (en) * 2006-08-11 2012-02-07 Texas Instruments Incorporated Thermal method to control underfill flow in semiconductor devices
US7980197B2 (en) * 2006-11-03 2011-07-19 Illinois Tool Works, Inc. Method and apparatus for dispensing a viscous material on a substrate
US9146196B2 (en) * 2008-07-10 2015-09-29 Nordson Corporation Automated fillet inspection system with closed loop feedback and methods of use

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