JP5785859B2 - Ｉｐｓ型液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明はＩＰＳ型液晶表示パネル及びその製造方法に係り、特に、ガラス基板上に化学研磨を施したＩＰＳ型液晶表示パネル及びその製造方法に関する。

近年、スマートフォン（高機能携帯電話）等の携帯端末の市場の拡大により、液晶表示装置のガラス基板の小型化・軽量化のニーズが高まり、化学研磨による薄型化が進んでいる。化学研磨は、機械研磨に対比して複数枚の基板を同時に処理でき、処理速度が速いという利点や、貼合せガラス基板を限界まで薄型化できるという利点がある。
しかし、化学研磨では、元々基板にあった傷が研磨液による処理で顕在化して、ディンプル状の傷となって視認され易くなったり、その他の傷が発生したりすることで、表示品質が低下することが問題となっている。そこで、化学研磨により顕在化される傷を視認し難くする技術が、種々提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。

特許文献１のディスプレイ用ガラス基板の製造方法では、貼合せガラス基板をフッ酸含有水溶液に浸漬して化学研磨した後、検査工程で、所定直径の凹部傷が検出された場合、ガラス基板との密着性を向上させるプライマと紫外線硬化樹脂とを順次凹部溝に塗布した後、紫外線を照射し、スクレーパー等で平坦化する。
また、特許文献２のガラス基板用化学研磨液及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法によれば、化学研磨液の組成を制御することにより、ガラス表面の傷の成長を抑制する。

特開２００７−１９７２３６号公報（段落００２７〜００４０，図１，図４） 特開２０１０−０９００１８号公報（段落００１０〜００１３，図１）

しかし、特許文献１記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法によれば、収率は向上するが、傷を埋めるための工程数が多いため、大幅なコストアップにつながる。また、特許文献２記載のガラス基板用化学研磨液及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法では、ある程度の傷の成長の抑制は可能であるが、化学研磨によって顕在化する傷の大きさは多様であり、すべての傷について成長を抑制できるよう、エッチング条件を最適化することは難しい。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、化学研磨等によって生じた傷がガラス基板上にあっても傷が視認し難く、要求される表示品質を備えたＩＰＳ型液晶表示パネル及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、別途新たな設備導入が不要で、従来のＩＰＳ型液晶表示パネルの工程設備の範囲内で簡便に実施可能な、化学研磨等によって生じた傷が視認し難いＩＰＳ型液晶表示パネルの製造方法を提供することにある。

前記課題は、請求項１のＩＰＳ型液晶表示パネルによれば、互いに貼り合された二枚のガラス基板の間に液晶が封入されたＩＰＳ型液晶表示パネルであって、前記二枚の基板のうち視認側となる一方の基板の前記視認側の面に、第一層膜及び第二層膜が積層された下地層と、透明導電膜と、偏光板と、が順次積層され、前記第一層膜の屈折率ｎ１，前記第二層膜の屈折率ｎ２及び前記透明導電膜の屈折率ｎ３は、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３であること、により解決される。

このように、第一層膜及び第二層膜が積層された下地層と、透明導電膜と、が順次積層されているので、視認側の基板面全体の反射率が低くなってディンプル状の傷の部分と傷の周囲の部分との反射率の差が小さくなり、化学研磨によって視認側の基板上にできたディンプル状の傷が視認されにくくなる。
また、基板が化学研磨を経ていない場合であっても、基板の視認側の面に存在する微細な傷を、視認されにくくすることができる。

また、前記第一層膜，前記第二層膜及び前記透明導電膜はそれぞれ、窒化ケイ素（ＳｉＮ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）及び酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の薄膜であるように構成してもよい。
このように構成すると、第一層膜の屈折率ｎ１，第二層膜の屈折率ｎ２及び透明導電膜の屈折率ｎ３について、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３の関係を満足させることができる。また、窒化ケイ素，二酸化ケイ素はいずれも、屈折率の波長依存性が少ない材料であるため、これらの材料を用いることにより、広い波長域に亘って、平均的に、フラットに反射率を低下させることができる。

また、前記透明導電膜の抵抗値が、２００〜５００Ω／ｓｑであるように構成してもよい。
このように構成すると、液晶表示パネルの表示品質を高めるために適当な抵抗値,透過率にすることができ、液晶表示パネルの表示品質を高めることができる。

また、前記第一層膜，前記第二層膜及び前記透明導電膜の厚みはそれぞれ、１８〜２２ｎｍ，４０〜６０ｎｍ及び１５〜１９ｎｍであるように構成してもよい。
このように構成すると、広い波長域に亘って、平均的に、フラットに反射率を低下させることができる。

前記課題は、請求項５のＩＰＳ型液晶表示パネルの製造方法によれば、視認側となる第一の前記基板とバックライト側の第二の前記基板とを貼り合せて、前記貼合せ基板を作成する工程と、前記第一の基板の視認側の面に、前記第一層膜及び前記第二層膜が積層された前記下地層と、前記透明導電膜とを、前記第一層膜の屈折率ｎ１，前記第二層膜の屈折率ｎ２及び前記透明導電膜の屈折率ｎ３が、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３になるように、順次積層して成膜する工程と、前記透明導電膜の上に、前記偏光板を積層する工程と、を行うこと、により解決される。

このように、第一層膜及び第二層膜が積層された下地層と、透明導電膜と、を順次積層するので、視認側の基板面全体の反射率が低くなってディンプル状の傷の部分と傷の周囲の部分との反射率の差が小さくなり、化学研磨によって視認側の基板上にできたディンプル状の傷が視認されにくくなる。
また、基板が化学研磨を経ていない場合であっても、基板の視認側の面に存在する微細な傷を、視認されにくくすることができる。

このとき、前記貼合せ基板を作成する工程と、前記成膜する工程との間に、前記貼合せ基板を、化学研磨液により化学研磨する工程を行うようにしてもよい。
このように構成しているため、化学研磨により視認側の基板上にできたディンプル状の傷を視認されにくくすることができる。

本発明によれば、第一層膜及び第二層膜が積層された下地層と、透明導電膜と、が順次積層されているので、視認側の基板面全体の反射率が低くなってディンプル状の傷の部分と傷の周囲の部分との反射率の差が小さくなり、化学研磨によって視認側の基板上にできたディンプル状の傷が視認されにくくなる。
また、基板が化学研磨を経ていない場合であっても、基板の視認側の面に存在する微細な傷を、視認されにくくすることができる。

本発明の実施形態に係るＩＰＳ型液晶表示パネルの断面構造を示す模式図である。 本発明の実施形態に係るガラス基板，光学多層膜，粘着層，偏光板の積層体におけるディンプル状の傷の箇所の模式断面図である。 本発明の実施形態に係るＩＰＳ型液晶表示パネルの製造方法を示すフロー図である。 カルーセル型のバッチ式スパッタ装置の説明図である。 インライン式のスパッタ装置を示す説明図である。 光学多層膜を構成する膜の屈折率と反射率との関係を示すグラフである。 光学多層膜を構成する膜の厚みと反射率との関係を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。なお、以下に説明する構成は、本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。
本実施形態のＩＰＳ型液晶表示パネルＰは、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）モードに係る液晶表示パネルである。ＩＰＳモードとは、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、一方の基板に設けた櫛形電極対間に印加された横方向の電界により、液晶を基板面内で回転させて表示を行う方式である。
図１は、本発明の実施形態に係るＩＰＳ型液晶表示パネルの断面構造を示す模式図である。図２は、本発明の実施形態に係るガラス基板，光学多層膜，粘着層，偏光板の積層体におけるディンプル状の傷の箇所の模式断面図である。図３は、本発明の実施形態に係るＩＰＳ型液晶表示パネルの製造方法を示すフロー図である。図４は、カルーセル型のバッチ式スパッタ装置の説明図である。図５は、インライン式のスパッタ装置を示す説明図である。

（ＩＰＳ型液晶表示パネルＰ）
本実施形態のＩＰＳ型液晶表示パネルＰは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルであって、図１に示すように、カラーフィルタ基板１０とＴＦＴ基板２０とが、液晶１を封入した状態で貼合されて形成されている。
カラーフィルタ基板１０は、ガラス基板１１の非視認側である液晶１側の面に、ブラックマトリクス１２に区分されて配置されたカラーフィルタ１３が積層されている。
ガラス基板１１の視認側である液晶１逆側の面には、カラーフィルタ基板１０とＴＦＴ基板２０とを貼合せた後に実施される化学研磨工程により顕在化した最大直径数〜数百μｍ程度のディンプル状の傷Ｄが、多数発生している。
カラーフィルタ基板１０の液晶１側の面には、更に配向膜１５が形成されている。

カラーフィルタ基板１０の液晶１逆側の面には、基板に元々存在する微細な傷Ｄや、化学研磨によって顕在化した傷Ｄを視認し難くするための光学多層膜３が積層されている。光学多層膜３は、下地層となる第一層４及び第二層５と、帯電防止を目的とする透明導電膜６との三層から構成されている。
第一層４は、ガラス基板１１よりも屈折率の高い物質からなり、屈折率が１．６５〜１．９０である窒化ケイ素（ＳｉＮ），酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３），Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）等が用いられる。
第二層５は、ガラス基板２１よりも屈折率の低い物質からなり、屈折率が１．３５〜１．５である酸化ケイ素（ＳｉＯ_２），ＭｇＦ_２（フッ化マグネシウム）等が用いられる。ガラス基板２１の屈折率ｎｓ，第一層４の屈折率ｎ１，第二層５の屈折率ｎ２，透明導電膜６の屈折率ｎ３は、ｎ２＜ｎｓ＜ｎ１＜ｎ３となるように構成される。

本実施形態では、第一層４は、厚み１８〜２２ｎｍのＳｉＮ、第二層５は、厚み４０〜６０ｎｍのＳｉＯ_２、透明導電膜６は、厚み１５〜１９ｎｍ，抵抗値２００〜５００Ω／ｓｑのＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる。透明導電膜６は、厚み１５〜１９ｎｍに設定することにより、適正な抵抗値２００〜５００Ω／ｓｑに調整可能となる。
光学多層膜３の上には、偏光板１７と透明導電膜６とを接着するための粘着層7を介して公知の偏光板１７が、順次積層されている。粘着層７は厚み約１μｍ、偏光板１７は、厚み３０〜５０μｍである。

図２に基づき、ガラス基板１１上のディンプル状の傷Ｄが視認されにくくなるメカニズムを説明する。
光学多層膜３を備えない液晶表示パネルでは、傷Ｄは、ガラス基板１１面に対して、入射光と見る角度が特定の関係を満たす場合、白く光って見える。傷Ｄは、凹面状であることにより、入射した光の反射光が収束する方向があり、それが視認方向と一致した場合に光る点として認識される。
本実施形態では、ガラス基板１１上には、光学多層膜３，粘着層７，偏光板１７が順次積層されており、ディンプル状の傷Ｄは、順次積層された第一層４，第二層５，透明導電膜６，粘着層７の上の層に向かうに従い、各層によって傷Ｄによる窪みが埋められて浅くなり、偏光板１７の表面は、略平らになっている。

本実施形態のＩＰＳ型液晶表示パネルＰでは、光学多層膜３がガラス基板１１上に積層されたことにより、ＩＰＳ型液晶表示パネルＰの視認側の面全体の反射率が下がり、傷Ｄの見える度合いが小さくなっている。光学多層膜３は、反射光の収束方向に影響するわけではないが、全体の反射率が低下することにより傷Ｄと周囲との反射率の差が小さくなり、見えにくくなるものと思われる。

ＴＦＴ基板２０は、ガラス基板２１の液晶１側の面に、画素電極としての櫛形の透明電極２４が形成されてなる。ＴＦＴ基板２０及び透明電極２４の液晶１側の面には、更に配向膜２５が形成され、ＴＦＴ基板２０のバックライト側である液晶１逆側の面には、カラーフィルタ基板１０と同様に、粘着層３７を介して偏光板２７が積層されている。

（ＩＰＳ型液晶表示パネルＰの製造方法）
次に、本実施形態のＩＰＳ型液晶表示パネルＰの製造方法について図３に基づき説明する。
まず、公知の方法でガラス基板２１のマザーガラス基板上に櫛形の透明電極２４を形成し、ＴＦＴ基板２０のマザーガラス基板を準備する（ステップＳ１）。一方、公知の方法でガラス基板１１のマザーガラス基板上にブラックマトリクス１２，カラーフィルタ１３を形成し、カラーフィルタ基板１０のマザーガラス基板を準備する（ステップＳ２）。本実施形態では、マザーガラス基板は数百ミリ角以上の大きさであり、ＩＰＳ型液晶表示パネルＰの製品個数としては数十個取りである。

次に、カラーフィルタ基板１０及びＴＦＴ基板２０のマザーガラス基板に、公知の方法で配向膜１５，２５を印刷し、赤外線で焼成して硬化する。硬化された配向膜１５，２５にラビング等により配向処理を施す。次いで、公知の方法で、ＴＦＴ基板２０のマザーガラス基板の周縁部に不図示のシール剤を印刷し、カラーフィルタ基板１０のマザーガラス基板の表面全面にスペーサ２を散布して付着させる。

カラーフィルタ基板１０とＴＦＴ基板２０のマザーガラス基板を位置決めして、シール剤を介して熱圧着により相互に貼合せ（ステップＳ３）、シール剤を硬化して、マザーガラス基板の貼合せ基板３０を得る。
次いで、貼合せ基板３０を、公知のフッ酸を含有する化学研磨水溶液に浸漬し、公知の方法でガラス基板１１，２１の外表面を化学研磨する（ステップＳ４）。この化学研磨は、ＩＰＳ型液晶表示パネルＰの厚みが、製品として要求される０．４ｍｍ程度等の厚みになるよう、ガラス基板１１，２１を薄板化するものである。
このとき、化学研磨により、ガラス基板１１，２１上に存在していた微小な傷が拡大され、ガラス基板１１，２１上にディンプル状の傷Ｄが発生する。

次いで、ガラス基板１１上に光学多層膜３を成膜する（ステップＳ５）。このステップは、ステップＳ４で発生したディンプル状の傷Ｄを視認されにくくするために行うものである。
このステップでは、まず、貼合せ基板３０を、公知の方法でアルカリ洗浄する。
その後、図４に示す竪型円筒状カルーセル型のバッチ式スパッタ装置４０を用いて、光学多層膜３の成膜を行う。

スパッタ装置４０に、Ｓｉターゲット４１を２枚と、ＩＴＯターゲット４２を１枚セットする。ターゲット寸法は、ガラス基板２１に対応するものであれば良い。
次いで、貼合せ基板３０を、スパッタ装置４０の基板ホルダ４３にセットし、スパッタ装置４０内を排気する。スパッタ装置４０内が所定の真空度になったら、基板ホルダ４３の回転を開始して、Ｓｉターゲット４１を用い、Ｎ_２ガスを導入して、リアクティブスパッタにより、ＳｉＮからなる第一層４を成膜する。次いで、Ｓｉターゲット４１を用い、ＣＯ_２又はＯ_２を導入して、リアクティブスパッタにより、ＳｉＯ_２からなる第二層５を成膜する。
その後、ＩＴＯターゲット４２を用いて、ＩＴＯからなる透明導電膜６をスパッタにより成膜する。
第一層４，第二層５については、パルスＤＣ電源、透明導電膜６については、ＤＣ電源を用い、成膜温度は、７０℃以下とする。
光学多層膜３成膜後は、検査工程で外観検査を行い、ステップＳ５の成膜工程を完了する。

なお、本実施形態では、カルーセル型のバッチ式スパッタ装置４０を用いるが、３種類の物質の膜を積層成膜可能であれば、バッチ式，インライン式のいずれの成膜装置も用いることができる。例えば、図５に示すインライン式のスパッタ装置４０´を用いてもよい。
図５のスパッタ装置４０´は、両面成膜が可能な装置の典型的なターゲット配置を示している。本発明の場合は、光学調整膜成膜室ＣＨ−３にＳｉターゲット４１´（２箇所）、ＩＴＯ成膜室ＣＨ−５にＩＴＯターゲット４２´が設置され、貼合せ基板３０を基板ホルダ４３´で搬送することにより、光学調整膜成膜室ＣＨ−３で第一層４，第二層５が、ＩＴＯ成膜室ＣＨ−５で透明導電膜６が成膜される。

次いで、マザーガラス基板の貼合せ基板３０に、注入口から液晶１を注入する（ステップＳ６）。なお、本実施形態では、貼合せ基板を切断した後に液晶１を注入しているが、ＯＤＦ（液晶滴下方式，One Drop Fill）の場合は、液晶１は、ステップＳ６でなく、ステップＳ３の基板貼合せ時に注入する。
液晶１を注入したら紫外線硬化型の接着剤を用いて注入口を封止し、紫外線を照射して封止剤を硬化する。この後、カラーフィルタ基板１０の上面とＴＦＴ基板２０の下面のそれぞれに、粘着層７，３７を積層した後、カラーフィルタ基板１０の上面とＴＦＴ基板２０の下面のそれぞれに、偏光板１７，２７を貼着し（ステップＳ７）、所定の大きさに切断して（ステップＳ８）ＩＰＳ型液晶表示パネルＰを完成する。

光学多層膜３の膜を構成する組成，膜厚及び屈折率を種々変更して、ＩＰＳ型液晶表示パネルＰを作成し、ディンプル状の傷Ｄの見えにくさについて対比した試験例１，シミュレーションにより確認，検証した検討例１，２について、以下に説明する。
（試験例１）
上記したＩＰＳ型液晶表示パネルＰの製造方法に従い、光学多層膜３の組成及び膜厚が表１の通りになるよう、実施例１，対比例１〜４に係るＩＰＳ型液晶表示パネルＰを作成した。

作成した実施例１，対比例１〜４のＩＰＳ型液晶表示パネルＰについて、ディンプル状の傷Ｄの見栄えについて○，△，×の３段階評価を行った。
白色蛍光灯の下でＩＰＳ型液晶表示パネルＰの角度を適宜変化させたときに、傷Ｄが白く光り、傷Ｄの輪郭が鮮明に認識できるものを×，傷Ｄが白く光るが、傷Ｄの輪郭がぼやけて見えにくいものを△，傷Ｄが認識できないか、認識できたとしても殆ど気にならないものを○として評価した。

その結果、表１に示すように、実施例１では、傷Ｄが認識できないか、認識できたとしても殆ど気にならず、○の評価であったのに対し、対比例１〜４では、傷Ｄが白く光っており、△又は×の評価であった。

（検討例１）
表１の目視による結果をシミュレーションにより確認する目的で、表１中の、実施例１，対比例１，対比例４の積層体の反射率を可視光の波長域について算出した。このときの各物質の屈折率の代表値は、波長５５０ｎｍにおける値として、ＩＴＯ；１．９２４，ＳｉＯ_２；１．４７９，ＳｉＮ；１．８４６，Ｎｂ_２Ｏ_５；２．２８を採用した。

結果を、図６の光学多層膜を構成する膜の屈折率と反射率との関係を示すグラフに示す。
図６の結果より、実施例１のように、光学多層膜３を構成する膜の屈折率の組み合わせが、基板側から中屈折率，低屈折率，高屈折率となる場合、即ち、第一層４の屈折率ｎ１，第二層５の屈折率ｎ２，透明導電膜６の屈折率ｎ３が、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３となる場合、第一層４，第二層５を備えない対比例４と対比して、反射率がほぼ全波長域で低下することを確認した。

それに対し、対比例１のように、光学多層膜３を構成する膜の屈折率の組み合わせが、基板側から高屈折率，低屈折率，中屈折率となる場合、即ち、第一層４の屈折率ｎ１，第二層５の屈折率ｎ２，透明導電膜６の屈折率ｎ３が、ｎ２＜ｎ３＜ｎ１となる場合、第一層４，第二層５を備えない対比例４と対比して、全波長域における平均反射率は下がるものの、長波長域での反射率は、実施例２の場合よりもかなり高くなっていた。
表示パネルという用途より、反射率は、全波長域で平均的に低い値であることが要求されることから、対比例１は、製品のニーズに対応していないことが分かった。

（検討例２）
反射率が充分に低下する膜厚の範囲を設定するために、実施例１の各層の膜厚を中心値として、第一層４，第二層５，透明導電膜６の膜厚を変更して、反射率をシミュレーションにより算出した。それぞれのケースを、本発明の範囲に含まれるものの、最大の効果が得られた実施例１から若干ずれるという位置づけで、近似例１〜６とした。対照は、第一層４，第二層５を含まない透明導電膜６単層の対比例４とした。
具体的な膜厚は、表２の通りである。

結果を、図７の光学多層膜を構成する膜の厚みと反射率との関係に関するグラフに示す。また、波長４５０〜７００ｎｍにおける実施例１，近似例１〜６，対比例４の反射率の平均値，最大値，最小値，最大値−最小値を、表３に示す。

図７及び表３の結果より、第一層４，第二層５を含まない対比例４と対比し、すべての実施例，近似例において、反射率の低下がみられ、第一層４及び第二層５を備えることにより、反射率が低下することが分かった。
また、実施例１，近似例１〜４では、全波長域で反射率が充分低下していた。また、近似施例５，６では、波長４００〜４１０ｎｍ付近の波長域で反射率が１３％を超えていたが、４５０〜７００ｎｍの波長域で反射率が充分低下していた。
以上より、第一層４が１５〜２２ｎｍ、第二層５が４５〜６０ｎｍの範囲内にある場合において、充分な反射率の低下が得られることが分かった。

Ｄ 傷
Ｐ ＩＰＳ型液晶表示パネル
ＣＨ−３ 光学調整膜成膜室
ＣＨ−５ ＩＴＯ成膜室
１ 液晶
２ スペーサ
３ 光学多層膜
４ 第一層
５ 第二層
６ 透明導電膜
７，３７ 粘着層
１０ カラーフィルタ基板
１１，２１ ガラス基板
１２ ブラックマトリクス
１３ カラーフィルタ
２４ 透明電極
１５，２５ 配向膜
１７，２７ 偏光板
２０ ＴＦＴ基板
３０ 貼合せ基板
４０，４０´ スパッタ装置
４１，４１´ Ｓｉターゲット
４２，４２´ ＩＴＯターゲット
４３，４３´ 基板ホルダ

Claims (6)

1. 互いに貼り合された二枚のガラス基板の間に液晶が封入されたＩＰＳ型液晶表示パネルであって、
   前記二枚の基板のうち視認側となる一方の基板の前記視認側の面に、第一層膜及び第二層膜が積層された下地層と、透明導電膜と、偏光板と、が順次積層され、
   前記第一層膜の屈折率ｎ１，前記第二層膜の屈折率ｎ２及び前記透明導電膜の屈折率ｎ３は、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３であることを特徴とするＩＰＳ型液晶表示パネル。
2. 前記第一層膜，前記第二層膜及び前記透明導電膜はそれぞれ、窒化ケイ素（ＳｉＮ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）及び酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の薄膜であることを特徴とする請求項１記載のＩＰＳ型液晶表示パネル。
3. 前記透明導電膜の抵抗値が、２００〜５００Ω／ｓｑであることを特徴とする請求項１又は２記載のＩＰＳ型液晶表示パネル。
4. 前記第一層膜，前記第二層膜及び前記透明導電膜の厚みはそれぞれ、１８〜２２ｎｍ，４０〜６０ｎｍ及び１５〜１９ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３いずれか記載のＩＰＳ型液晶表示パネル。
5. 請求項１乃至４のいずれか記載のＩＰＳ型液晶表示パネルを製造する方法であって、
   視認側となる第一の前記基板とバックライト側の第二の前記基板とを貼り合せて、前記貼合せ基板を作成する工程と、
   前記第一の基板の視認側の面に、前記第一層膜及び前記第二層膜が積層された前記下地層と、前記透明導電膜とを、前記第一層膜の屈折率ｎ１，前記第二層膜の屈折率ｎ２及び前記透明導電膜の屈折率ｎ３が、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３になるように、順次積層して成膜する工程と、
   前記透明導電膜の上に、前記偏光板を積層する工程と、を行うことを特徴とするＩＰＳ型液晶表示パネルの製造方法。
6. 前記貼合せ基板を作成する工程と、前記成膜する工程との間に、前記貼合せ基板を、化学研磨液により化学研磨する工程を行うことを特徴とする請求項５記載のＩＰＳ型液晶表示パネルの製造方法。
   

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