JP5782727B2 - Touch panel sensor manufacturing method and etching method - Google Patents
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Description
本発明は、透明導電層および金属層をパターニングしてタッチパネルセンサを製造するタッチパネルセンサ製造方法に関する。また本発明は、透明導電層および金属層を含む積層体のうち金属層を選択的にエッチングするエッチング方法に関する。 The present invention relates to a touch panel sensor manufacturing method for manufacturing a touch panel sensor by patterning a transparent conductive layer and a metal layer. The present invention also relates to an etching method for selectively etching a metal layer in a laminate including a transparent conductive layer and a metal layer.
基板と、基板上に所定のパターンで設けられた透明導電体と、基板上に所定のパターンで設けられ、透明導電体に電気的に接続された取出導電体と、を有する薄型表示装置やタッチパネル装置が知られている。このような薄型表示装置やタッチパネル装置は一般に、ITOなどからなる透明導電層と、Al合金などからなる金属層とを含む積層体をパターニングすることにより製造される。透明導電層は、パターニングされて透明導電体となるであり、金属層は、パターニングされて取出導電体となる層である。 Thin display device and touch panel having a substrate, a transparent conductor provided in a predetermined pattern on the substrate, and a takeout conductor provided in a predetermined pattern on the substrate and electrically connected to the transparent conductor The device is known. Such thin display devices and touch panel devices are generally manufactured by patterning a laminate including a transparent conductive layer made of ITO or the like and a metal layer made of an Al alloy or the like. The transparent conductive layer is patterned to become a transparent conductor, and the metal layer is a layer that is patterned to become an extraction conductor.
積層体の透明導電層および金属層をパターニングする方法としてエッチングが知られている。例えば特許文献1において、シュウ酸系のエッチング液を用いて透明導電層をエッチングし、りん酸酢酸や硝酸セリウム系のエッチング液を用いて金属層をエッチングする方法が開示されている。 Etching is known as a method for patterning the transparent conductive layer and the metal layer of the laminate. For example, Patent Document 1 discloses a method in which a transparent conductive layer is etched using an oxalic acid-based etching solution, and a metal layer is etched using a phosphoric acid acetic acid or cerium nitrate-based etching solution.
一般に、ITOなどからなる透明導電層の耐薬品性は低く、このため、金属層をエッチングする際に同時に透明導電層がエッチングされ、この結果、所望のパターンの透明導電体が得られないことが考えられる。この課題は、透明導電層に非晶質な部分が含まれる場合に特に顕著になると考えられる。なぜなら、非晶質な部分は一般に、高い結晶性を有する部分に比べて耐薬品性が低くなっているからである。 In general, the transparent conductive layer made of ITO or the like has low chemical resistance. Therefore, when the metal layer is etched, the transparent conductive layer is etched at the same time. As a result, a transparent conductor having a desired pattern may not be obtained. Conceivable. This problem is considered to be particularly remarkable when the transparent conductive layer includes an amorphous part. This is because the amorphous portion generally has lower chemical resistance than the portion having high crystallinity.
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサ製造方法およびエッチング方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the manufacturing method and etching method of a touch panel sensor which can solve such a subject effectively.
本発明は、基板と、基板上に所定のパターンで設けられた透明導電体と、基板上に所定のパターンで設けられ、前記透明導電体に電気的に接続された取出導電体と、を有するタッチパネルセンサを製造するタッチパネルセンサ製造方法において、基板と、基板上に設けられた透明導電層および金属層と、を含む積層体を準備する工程と、前記透明導電層および金属層をパターニングして、前記透明導電体および前記取出導電体を形成するパターニング工程と、を備え、前記パターニング工程は、前記積層体の前記金属層を、金属層用エッチング液を用いて所定パターンで選択的にエッチングする工程を含み、前記金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、前記金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも小さくなっていることを特徴とするタッチパネルセンサ製造方法である。 The present invention includes a substrate, a transparent conductor provided in a predetermined pattern on the substrate, and an extraction conductor provided in a predetermined pattern on the substrate and electrically connected to the transparent conductor. In the touch panel sensor manufacturing method for manufacturing a touch panel sensor, a step of preparing a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate, patterning the transparent conductive layer and the metal layer, A patterning step of forming the transparent conductor and the extraction conductor, wherein the patterning step selectively etches the metal layer of the laminate in a predetermined pattern using a metal layer etchant. And the metal layer etching solution contains water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, and the concentration of water in the metal layer etching solution is more than 21% by weight. It is a touch panel sensor manufacturing method according to claim which is fence.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、好ましくは、前記金属層用エッチング液における水の濃度が17重量%以下となっている。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, preferably, the concentration of water in the metal layer etching solution is 17% by weight or less.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記金属層が、Al、Al合金、AgまたはAg合金からなっていてもよい。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the metal layer may be made of Al, Al alloy, Ag, or Ag alloy.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記透明導電層が、インジウム錫酸化物からなっていてもよい。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the transparent conductive layer may be made of indium tin oxide.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記積層体の前記透明導電層は、はじめに、前記基板上に前記透明導電層の材料を成膜し、次に、成膜された前記透明導電層の材料を所定温度で所定時間だけ焼きなますことにより形成されてもよい。この場合、焼きなましにおける前記所定温度および前記所定時間は、前記基板の耐熱特性に応じて設定される。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the transparent conductive layer of the laminate is first formed by forming a material of the transparent conductive layer on the substrate, and then forming the material of the formed transparent conductive layer. It may be formed by annealing at a predetermined temperature for a predetermined time. In this case, the predetermined temperature and the predetermined time in annealing are set according to the heat resistance characteristics of the substrate.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記基板がPETフィルムを含んでいてもよい。この場合、前記積層体の前記透明導電層は、好ましくは、はじめに、前記基板上に前記透明導電層の材料を成膜し、次に、成膜された前記透明導電層の材料を150〜180℃で所定時間だけ焼きなますことにより形成される。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the substrate may include a PET film. In this case, the transparent conductive layer of the laminate is preferably formed by first forming the material of the transparent conductive layer on the substrate, and then forming the formed material of the transparent conductive layer from 150 to 180. It is formed by annealing at a temperature for a predetermined time.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記積層体の前記金属層は、前記透明導電層上に設けられていてもよい。この場合、前記パターニング工程は、前記透明導電層上の前記金属層をパターニングする工程と、前記透明導電層をパターニングする工程と、パターニングされた前記金属層の一部分上に感光層を設ける工程と、前記感光層をマスクとして、前記金属層を、前記金属層用エッチング液を用いて選択的にエッチングする工程と、を含んでいる。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the metal layer of the laminate may be provided on the transparent conductive layer. In this case, the patterning step includes a step of patterning the metal layer on the transparent conductive layer, a step of patterning the transparent conductive layer, a step of providing a photosensitive layer on a part of the patterned metal layer, Selectively etching the metal layer using the metal layer etching solution using the photosensitive layer as a mask.
本発明は、基板と、基板上に設けられた透明導電層および金属層と、を含む積層体のうち前記金属層を選択的にエッチングするエッチング方法において、前記金属層を選択的にエッチングする金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、前記金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも小さくなっていることを特徴とするエッチング方法である。 The present invention relates to a metal that selectively etches the metal layer in an etching method that selectively etches the metal layer in a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate. The layer etching solution contains water, phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and the concentration of water in the metal layer etching solution is less than 21% by weight.
本発明によるエッチング方法において、好ましくは、前記金属層用エッチング液における水の濃度が17重量%以下となっている。 In the etching method according to the present invention, preferably, the concentration of water in the metal layer etching solution is 17% by weight or less.
本発明によるエッチング方法において、前記金属層が、Al、Al合金、AgまたはAg合金からなっていてもよい。 In the etching method according to the present invention, the metal layer may be made of Al, Al alloy, Ag, or Ag alloy.
本発明によるエッチング方法において、前記透明導電層が、インジウム錫酸化物からなっていてもよい。 In the etching method according to the present invention, the transparent conductive layer may be made of indium tin oxide.
本発明によれば、透明導電層および金属層を含む積層体における金属層をエッチングする工程において、用いられる金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでいる。また、この金属層用エッチング液における水の濃度は、21重量%よりも小さくなっている。このため、積層体の透明導電層に影響を与えることなく、積層体の金属層を選択的にエッチングすることができる。 According to the present invention, in the step of etching the metal layer in the laminate including the transparent conductive layer and the metal layer, the metal layer etching solution used contains water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid. The concentration of water in this metal layer etching solution is smaller than 21% by weight. For this reason, the metal layer of a laminated body can be selectively etched, without affecting the transparent conductive layer of a laminated body.
以下、図1乃至図2Gを参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに、本実施の形態によるエッチング方法を用いて製造されるタッチパネルセンサ10について説明する。図1Aは、タッチパネルセンサ10を一側から見た場合を示す平面図である。図1Bまたは図1Cはそれぞれ、図1Aに示すタッチパネルセンサ10をIB−IB方向またはIC−IC方向から見た縦断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 2G. First,
タッチパネルセンサ
図1A乃至図1Cに示すタッチパネルセンサ10は、タッチパネルセンサ10への外部導体(例えば、人間の指)の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。このタッチパネルセンサ10は、基板11と、基板11上に所定のパターンで設けられた複数の第1透明導電体13および第2透明導電体15と、基板11上に所定のパターンで設けられ、透明導電体13,15にそれぞれ電気的に接続された第1取出導電体14および第2取出導電体16と、を備えている。このうち第1透明導電体13および第1取出導電体14は基板11の一面11a上に設けられており、第2透明導電体15および第2取出導電体16は基板11の他面11b上に設けられている。また、第1透明導電体13および第2透明導電体15からの信号を外部へ取り出すための第1端子部17および第2端子部18が、それぞれ第1取出導電体14および第2取出導電体16に接続されている。なお図1Aにおいては、基板11の他面11b側に設けられている構成要素が点線で表されている。
Touch Panel Sensor The
透明導電体13,15は、外部導体の接触位置または接近位置を検知するものである。このうち第1透明導電体13は、第1方向(図1Aにおける上下方向)における外部導体の接触位置または接近位置を検知するものである。図1Aに示すように、第1透明導電体13は、略正方形の形状を有する複数の第1電極単位13aと、隣接する第1電極単位13a間を第1方向に直交する第2方向(図1Aにおける左右方向)において接続する第1接続部13bと、を有している。また第2透明導電体15は、第2方向における外部導体の接触位置または接近位置を検知するものである。図1Aに示すように、第2透明導電体15は、略正方形の形状を有する複数の第2電極単位15aと、隣接する第2電極単位15a間を第1方向において接続する第2接続部15bと、を有している。
The
また取出導電体14,16および端子部17,18は、外部導体の接触位置または接近位置の検知に基づく透明導電体13,15からの電気信号を外部に送るための経路を構成するものである。
Further, the
タッチパネルセンサ10は、液晶表示装置などの表示装置(図示せず)と組み合わされ、これによって入出力装置が構成される。一般に表示装置は、映像が表示される表示領域と、表示領域の外側に位置する非表示領域とに区画される。また一般に、タッチパネルセンサ10と表示装置とが組み合わされる際、タッチパネルセンサ10の透明導電体13,15が表示装置の表示領域に対応するよう組み合わされる。このため透明導電体13,15は、導電性および透明性を有する材料から構成される。一方、取出導電体14,16および端子部17,18は一般に、表示装置の非表示領域に対応する位置に設けられる。このため、取出導電体14,16および端子部17,18を構成する材料が透明性を有する必要はなく、従って取出導電体14,16および端子部17,18は一般に、透明導電体13,15の材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。
The
透明導電体13,15は、後に詳細に説明するように、図2Aに示す積層体20の透明導電層21,26をエッチングすることにより形成される。一方、取出導電体14,16および端子部17,18は、積層体20の金属層22,27をエッチングすることにより形成される。以下、積層体20の透明導電層21,26および金属層22,27を構成する材料について詳細に説明する。
The
(透明導電層)
透明導電層21,26を構成する材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が2種以上複合されてもよい。
(Transparent conductive layer)
The materials constituting the transparent
(金属層)
金属層22,27を構成する材料としては、アルミニウム(Al)、モリブデン、パラジウム、銀(Ag)、クロム、銅等の金属及びそれらを主成分とする合金、あるいはそれら合金を含む積層体が用いられる。このうち銀を含む合金の例としては、銀、パラジウム、銅を含んでなるAPC合金が挙げられる。
(Metal layer)
As a material constituting the metal layers 22 and 27, a metal such as aluminum (Al), molybdenum, palladium, silver (Ag), chromium, copper, an alloy containing these as a main component, or a laminate including these alloys is used. It is done. Of these, examples of alloys containing silver include APC alloys containing silver, palladium, and copper.
(基板)
また、透明導電層21,26および金属層22,27を支持する基板11を構成する材料としては、光透過性、安定性や耐久性等に優れた材料が用いられ、例えばPETが用いられる。
(substrate)
Moreover, as a material which comprises the board |
本実施の形態によるタッチパネルセンサ10においては、図1Bおよび図1Cに示すように、同一の基板11上に透明導電体13,15、取出導電体14,16および端子部17,18が所定パターンで設けられている。このようなタッチパネルセンサ10は、同一の基板11上に設けられた透明導電層21,26および金属層22,27を、エッチング液を用いてパターニングすることによって製造される。この場合、金属層22,27をエッチングするために用いられるエッチング液(金属層用エッチング液)は、金属層22,27だけでなく透明導電層21,26にも接触することになる。以下、このような場合に適しているタッチパネルセンサ10の製造方法について、図2A乃至図2Gを参照して説明する。
In
タッチパネルセンサの製造方法
図2A(a)(b)〜図2G(a)(b)の各図において、(a)に示されている図は、製造中のタッチパネルセンサを示す平面図であり、(b)に示されている図は、製造中のタッチパネルセンサを各々(a)のIIA−IIA〜IIG−IIG方向から見た縦断面図である。
In each drawing of the manufacturing method Figure 2A of the touch panel sensor (a) (b) ~ Figure 2G (a) (b), the view shown in (a) is a plan view showing a touch panel sensor during manufacturing, The figure shown by (b) is the longitudinal cross-sectional view which looked at the touchscreen sensor under manufacture from the IIA-IIA-IIG-IIG directions of (a), respectively.
(積層体の準備)
図2Aに示すように、はじめに、基板11と、基板11の一面11a上に設けられた第1透明導電層21と、第1透明導電層21上に設けられた第1金属層22と、基板11の他面11b上に設けられた第2透明導電層26と、第2透明導電層26上に設けられた第2金属層27と、を有する積層体20を準備する。このような積層体20は、はじめに、例えばスパッタリング法などを用いて基板11上に第1透明導電層21および第2透明導電層26を成膜し、次に、第1透明導電層21および第2透明導電層26上に第1金属層22および第2金属層27を成膜することにより得られる。
(Preparation of laminate)
As shown in FIG. 2A, first, a
積層体20の第1透明導電層21および第2透明導電層26は、好ましくは、はじめに基板11上に透明導電層21,26の材料を成膜し、次に成膜された透明導電層21,26の材料を所定温度で所定時間だけ焼きなますことにより形成される。ところで上述のように、基板11の材料として例えばPETが用いられている。この場合、成膜された透明導電層21,26の材料を焼きなますときの上記所定温度および所定時間は、基板11を構成するPETの耐熱特性に応じて設定される。すなわち、基板11を構成するPETが熱により劣化しない程度の温度および時間が設定される。例えば、成膜された透明導電層21,26の材料を焼きなますときの温度が150〜160℃の範囲内に設定され、時間が十数分に設定される。
The first transparent
このように本実施の形態においては、成膜された透明導電層21,26の材料を焼きなますときの上記所定温度および所定時間は、透明導電層21,26の材料となるITOなどの特性ではなく、基板11を構成するPETに応じて主に設定される。このため、設定される焼きなましの温度および時間が、透明導電層21,26の材料となるITOにとって不十分であるということが生じうる。
As described above, in the present embodiment, the predetermined temperature and the predetermined time when the material of the formed transparent
焼きなましの温度および時間が不十分である場合、焼きなましにより透明導電層21,26の材料の結晶を十分に成長させることができず、このため、得られる透明導電層21,26に非晶質な部分が含まれていることが考えられる。一般に非晶質な部分は、結晶性の高い部分に比べて、エッチング液などの薬液に対する耐性が低くなっている。このため、透明導電層21,26に非晶質な部分が含まれている場合、金属層22,27をエッチングする際に意図に反して同時に透明導電層21,26がエッチングされてしまうことが考えられる。
When the annealing temperature and time are insufficient, the crystal of the material of the transparent
このような意図しない透明導電層21,26のエッチングを防ぐことが可能な方法について、以下、図2B乃至図2Gを参照して説明する。なお第2透明導電層26および第2金属層27のエッチング方法は、エッチングにより形成される具体的なパターン形状が異なるのみであり、その他の点は第1透明導電層21および第1金属層22のエッチング方法と略同一である。従って、以下の説明においては、第1透明導電層21および第1金属層22のエッチング方法についてのみ説明し、第2透明導電層26および第2金属層27のエッチング方法については省略する。また、図2B乃至図2Gにおいても第2透明導電層26および第2金属層27が省略されている。
Hereinafter, a method capable of preventing such unintended etching of the transparent
(感光層の形成およびパターニング)
まず図2Bに示すように、積層体20の第1金属層22上に第1感光層23を形成する。第1感光層23は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。この第1感光層23は、例えばコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって設けられる。次に図2Cに示すように、所定のマスクを用いて第1感光層23を露光し、次に第1感光層23を現像する。これによって第1感光層23がパターニングされる。この際、第1感光層23は、図2Cに示すように、後に形成される第1透明導電体13、第1取出導電体14および第1端子部17に対応するパターンを有している。
(Formation and patterning of photosensitive layer)
First, as shown in FIG. 2B, the first
(第1透明導電層および第1金属層のエッチング)
次に図2Dに示すように、第1感光層23をマスクとして第1透明導電層21および第1金属層22をエッチングする。これによって、第1透明導電層21および第1金属層22が、後に形成される第1透明導電体13、第1取出導電体14および第1端子部17に対応するパターンにパターニングされる。
(Etching of first transparent conductive layer and first metal layer)
Next, as shown in FIG. 2D, the first transparent
図2Dに示すエッチング工程においては、第1透明導電層21および第1金属層22が同一のパターンにパターニングされる。このため、エッチング液として、第1透明導電層21および第1金属層22の両方に対して浸食性を有するエッチング液が用いられ得る。
In the etching process shown in FIG. 2D, the first transparent
(感光層のパターニング)
次に図2Eに示すように、第1感光層23をさらにパターニングする。この際、第1感光層23は、図2Eに示すように、後に形成される第1取出導電体14および第1端子部17に対応するパターンを有している。第1感光層23がポジ型感光性樹脂である場合、図2Eに示されるようなパターニングは、表示装置の表示領域に対応する部位が透明であり、表示装置の非表示領域に対応する部分が遮光されたフォトマスクを用いて、第1感光層23側から露光し、現像することによって実現される。
(Patterning of photosensitive layer)
Next, as shown in FIG. 2E, the first
(第1金属層のエッチング)
次に図2Fに示すように、第1感光層23をマスクとして第1金属層22を選択的にエッチングする。これによって、第1透明導電層21のうち後に形成される第1透明導電体13に対応する位置にある第1透明導電層21上に設けられた第1金属層22が除去される。この際、エッチング処理が施されるエッチング時間は、設計通りの厚みを有する第1金属層22をちょうどエッチングするのに必要な時間(ジャストエッチングタイム、以下JET)+αの時間に設定されている。時間αは、エッチングにより除去される第1金属層22の厚みが部分的に設計値からずれている場合、例えば第1金属層22の厚みにばらつきがある場合であっても、第1金属層22を十分に除去するために設けられている。このような時間αは、想定される第1金属層22の厚みのばらつきの程度や、第1金属層22の材料、金属層用エッチング液の種類に応じて適宜設定されるが、例えば1分に設定されている。
(Etching of the first metal layer)
Next, as shown in FIG. 2F, the
以下、図2Fに示す工程において用いられる、第1金属層22をエッチングするためのエッチング液(金属層用エッチング液)について詳細に説明する。金属層用エッチング液としては、第1金属層22に対して浸食性を有するとともに、第1透明導電層21に対して浸食性を有さないエッチング液が用いられる。このような金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでいる。
Hereinafter, the etching solution (etching solution for metal layer) for etching the
本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、一例として後述する実施例での実験結果で支持されているように、金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも小さくなっている場合に、第1透明導電層21をほとんどエッチングすることなく、第1金属層22のみを選択的にエッチングすることができた。また本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、金属層用エッチング液における水の濃度が17重量%以下となっている場合に、第1金属層22に対する選択性がより高められることが見いだされた。これらのことから、第1金属層22に対する選択性を高める上で、金属層用エッチング液における水の濃度を調整することが重要であると言える。
As a result of repeated diligent experiments by the present inventors, the water concentration in the metal layer etching solution is smaller than 21% by weight, as supported by the experimental results in the examples described later as an example. In addition, only the
金属層用エッチング液の第1金属層22に対する選択性が水の濃度に依存する原因については、様々な事項が考えられる。例えば、金属層用エッチング液における水の濃度を所定値以下とすることにより、金属層用エッチング液の流動性を所定値以下にすることができ、これによって、第1金属層22の下にある第1透明導電層21がエッチングされるのを防ぐことができる、という点が考えられる。
Various factors can be considered as the cause of the selectivity of the metal layer etchant for the
次に図2Gに示すように、残っている第1感光層23を除去する。これによって2Gに示すように、第1電極単位13aおよび第1接続部13bからなる第1透明導電体13と、第1取出導電体14および第1端子部17とを備えたタッチパネルセンサ10が得られる。なお図2G(b)に示すように、第1取出導電体14と基板11との間に第1透明導電層21が介在されていてもよい。これによって、第1透明導電体13からの電気信号が第1取出導電体14のみによって第1端子部17まで伝達される場合に比べて、第1透明導電体13と第1端子部17との間の抵抗値を小さくすることができる。
Next, as shown in FIG. 2G, the remaining first
このように本実施の形態によれば、積層体20の第1金属層22をエッチングする工程において、用いられる金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでいる。また、この金属層用エッチング液における水の濃度は、21重量%よりも小さくなっている。このため、積層体20の第1金属層22のみを選択的にエッチングすることができる。このことにより、全域にわたって所望の厚みを有する第1透明導電体13を備えたタッチパネルセンサ10を得ることができる。
Thus, according to the present embodiment, in the step of etching the
なお本実施の形態において、第1感光層23をマスクとして第1透明導電層21および第1金属層22をエッチングする際(図2Dに示す工程)、エッチング液として、第1透明導電層21および第1金属層22の両方に対して浸食性を有するエッチング液が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図2Dに示す工程においても、第1金属層22を選択的にエッチングする上述の金属層用エッチング液と、第1透明導電層21を選択的にエッチングする透明導電層用エッチング液とが順次用いられてもよい。第1透明導電層21を選択的にエッチングする透明導電層用エッチング液としては、例えば塩化第二鉄を含むエッチング液が用いられる。
In the present embodiment, when the first transparent
また本実施の形態において、積層体20のうち第1透明導電層21上に設けられた第1金属層22が部分的に金属層用エッチング液により選択的にエッチングされる例を示した。この際、エッチングの態様が図2Fに示される例に限られることはなく、様々な態様で金属層用エッチング液により第1金属層22が選択的にエッチングされ得る。
例えば図3(a)に示すように、積層体20の第1金属層22上に第1感光層23が設けられており、第1感光層23に部分的に開口部23aが形成されている場合について考える。この場合、図3(a)の右側に示すように、積層体20の第1金属層22のうち開口部23aに対応する部分のみが金属層用エッチング液により選択的にエッチングされてもよい。
または図3(b)に示すように、第1透明導電層21上に設けられた第1金属層22が全域にわたって金属層用エッチング液により選択的にエッチングされてもよい。
Moreover, in this Embodiment, the example in which the
For example, as shown in FIG. 3A, the first
Or as shown in FIG.3 (b), the
また本実施の形態において、金属層用エッチング液によりエッチングされる積層体20が、基板11と、基板11上に設けられた第1透明導電層21と、第1透明導電層21上に設けられた第1金属層22とを含む例を示した。しかしながら、積層体20が第1透明導電層21および第1金属層22を含む限りにおいて、積層体20の具体的な層構成(積層順など)が特に限られることはない。
例えば図3(c)に示すように、積層体20が、基板11と、基板11上に設けられた第1金属層22と、第1金属層22上に設けられた第1透明導電層21とを含んでいてもよい。または図3(d)に示すように、積層体20が、基板11と、基板11の一面11a上に設けられた第1透明導電層21と、基板11の他面11b上に設けられた第1金属層22とを含んでいてもよい。いずれの場合においても本実施の形態による金属層用エッチング液を用いることにより、第1透明導電層21をエッチングすることなく第1金属層22のみを選択的にエッチングすることができる。
Moreover, in this Embodiment, the
For example, as illustrated in FIG. 3C, the
また本実施の形態において、タッチパネルセンサ10が、基板11の一面11a側に設けられた第1透明導電体13、第1取出導電体14および第1端子部17と、基板11の他面11b側に設けられた第2透明導電体15、第2取出導電体16および第2端子部18と、を備えた例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図4A乃至図4Cに示すように、第1透明導電体13、第1取出導電体14、第2透明導電体15、第2取出導電体16、第1端子部17および第2端子部18がいずれも基板11の一面11a側に設けられていてもよい。この場合、図4Bおよび図4Cに示すように、第1接続部13bと第2接続部15bとの間には絶縁層19が介在されている。これによって、第1接続部13bと第2接続部15bとが電気的に接続されることが防がれている。
In the present embodiment, the
図4A乃至図4Cに示すタッチパネルセンサ10においても、透明導電層(透明導電体13,15)上に設けられた金属層をエッチングすることにより取出導電体14,16および端子部17,18が形成される。このエッチングの際、上述の金属層用エッチング液を用いることにより、透明導電層をエッチングすることなく金属層のみを選択的にエッチングすることができる。このことにより、全域にわたって所望の厚みを有する第1透明導電体13および第2透明導電体15を備えたタッチパネルセンサ10を得ることができる。
Also in the
また本実施の形態において、基板11を構成する材料としてPETが用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、光透過性、安定性や耐久性等に優れた様々な材料から基板11を構成することができる。例えば、基板11を構成する材料としてガラスを用いることができる。
In the present embodiment, an example in which PET is used as a material constituting the
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to this Example.
(実施例1)
はじめにPETからなる基板を準備した。次にこの基板上にITOからなる透明導電層を成膜し、その後、透明導電層上にAPC合金からなる金属層を成膜した。ITOからなる透明導電層の厚みは200Åであり、APC合金からなる金属層の厚みは1000Åであった。基板上に透明導電層を成膜した際の焼きなましの条件は、温度が約150℃であり、時間が約25分であった。
Example 1
First, a substrate made of PET was prepared. Next, a transparent conductive layer made of ITO was formed on this substrate, and then a metal layer made of an APC alloy was formed on the transparent conductive layer. The thickness of the transparent conductive layer made of ITO was 200 mm, and the thickness of the metal layer made of APC alloy was 1000 mm. The annealing conditions when forming the transparent conductive layer on the substrate were a temperature of about 150 ° C. and a time of about 25 minutes.
基板、透明導電層および金属層からなる積層体の一部分を試験片として切り出した。試験片の透明導電層の寸法は幅1mm×長さ70mmとなっていた。次に、この試験片の透明導電層上の金属層をエッチングにより除去した。この際、金属層用エッチング液として、りん酸、硝酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いた。用いた金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度はそれぞれ47重量%、5重量%、37重量%および11重量%であった。 A part of the laminate composed of the substrate, the transparent conductive layer and the metal layer was cut out as a test piece. The dimension of the transparent conductive layer of the test piece was 1 mm wide × 70 mm long. Next, the metal layer on the transparent conductive layer of the test piece was removed by etching. At this time, an etching solution containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water was used as the metal layer etching solution. The concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution used were 47 wt%, 5 wt%, 37 wt% and 11 wt%, respectively.
(評価1)
上記の金属層用エッチング液を用いて、温度23℃で135秒間、試験片の金属層をエッチングした。この「135秒間」は、本実施例による金属層用エッチング液を用いた試験片の金属層のエッチングを開始してから、エッチングにより金属層が完全に除去されるまでの時間(秒)、いわゆるジャストエッチングタイム(JET)となるよう設定されている。エッチングにより金属層が除去された後、試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率を測定した。結果、面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
なお所定のエッチング液のJETが測定される際、エッチングにより金属層が完全に除去されたかどうかは、一般に目視により確認される。また以下に記載する評価においても、エッチングの温度は23℃に設定されていた。
(Evaluation 1)
Using the metal layer etching solution, the metal layer of the test piece was etched at a temperature of 23 ° C. for 135 seconds. This "135 seconds" is the time (seconds) from the start of etching of the metal layer of the test piece using the metal layer etching solution according to the present embodiment until the metal layer is completely removed by etching. It is set to be just etching time (JET). After the metal layer was removed by etching, the sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was measured. As a result, the sheet resistivity was 7.2 × 10 3 Ω / □.
When the JET of a predetermined etching solution is measured, it is generally confirmed visually whether or not the metal layer has been completely removed by etching. In the evaluation described below, the etching temperature was set to 23 ° C.
(評価2)
またJETでのエッチングとは別に、上記の金属層用エッチング液を用いて、エッチング時間をJET+1分間に設定して試験片の金属層をエッチングした。
現実のエッチング工程においては、一般に、金属層の厚みにばらつきがある場合であっても金属層を十分に除去するよう、エッチング時間がJETよりも長い時間に設定される。本評価は、金属層のエッチング時間がJETよりも長い時間に設定された場合に、金属層の下にある透明導電層がどの程度のダメージを受けるかを評価するためのものである。
エッチングにより金属層が除去された後、試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率を測定した。結果、面積抵抗率は9.9×103Ω/□となっていた。
(Evaluation 2)
Separately from the etching with JET, the metal layer of the test piece was etched using the above-described etching solution for metal layer with the etching time set to JET + 1 minutes.
In an actual etching process, in general, an etching time is set longer than JET so that the metal layer is sufficiently removed even when the thickness of the metal layer varies. This evaluation is for evaluating how much the transparent conductive layer under the metal layer is damaged when the etching time of the metal layer is set to be longer than JET.
After the metal layer was removed by etching, the sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was measured. As a result, the sheet resistivity was 9.9 × 10 3 Ω / □.
なお上記の評価1、2においては、試験片に残っている透明導電層(幅1mm×長さ70mm)の面積抵抗率を、四探針法を用いて測定した。測定器としては三菱化学(株)製のロレスタ−GP MCP−T600を用いた。測定プローブとしては、ロレスタ−GP MCP−T600用のASPプローブ MCP−TP03Pを用いた。MCP−TP03Pは、間隔5mmで並べられた4本の測定ピン(ピン先0.37R)を有する測定プローブである。なお、面積抵抗率を算出する際に用いられる抵抗率補正係数(RCF)は、4.450に設定されていた。
In the
ところで一般に、面積抵抗率の絶対値を正確に算出するためには、試験片の寸法(幅×長さ)に応じて抵抗率補正係数を調整することが好ましい。しかしながら、上記の4.450という抵抗率補正係数は、幅1mm×長さ70mmという寸法の試験片に対して最適に調整されたものではない。従って、上記の評価1、2において算出された面積抵抗率は、最適に調整された抵抗率補正係数を用いた場合に算出されるであろう面積抵抗率とは異なっていると考えられる。
しかしながら、上記の評価1、2は、同一の寸法(幅1mm×長さ70mm)を有する様々な試験片(本実施例および後述する各実施例または各比較例における試験片)の面積抵抗率を相対的に比較するために実施された評価である。すなわち、重要なのは、エッチング液やエッチング時間などのエッチング条件に応じて試験片の透明導電層の面積抵抗率がどのように変化するかを相対的に比較することであり、面積抵抗率の絶対値を精度良く算出することではない。従って、上記の評価1、2において、試験片の寸法に応じた抵抗率補正係数の調整を行わなかった。
In general, in order to accurately calculate the absolute value of the sheet resistivity, it is preferable to adjust the resistivity correction coefficient in accordance with the size (width × length) of the test piece. However, the above-described resistivity correction coefficient of 4.450 is not optimally adjusted for a test piece having a dimension of 1 mm width × 70 mm length. Therefore, it is considered that the sheet resistivity calculated in the
However, the
なお、十分に大きな寸法を有する透明導電層、例えば200Åの厚みおよび幅100mm×長さ100mmの寸法を有する透明導電層の面積抵抗率を、上記の4.450という抵抗率補正係数を用いて算出した場合、面積抵抗率が270Ω/□となっていた。この値は、上記の評価1にて算出された透明導電層(幅1mm×長さ70mm)の面積抵抗率の約1/27となっている。このように本実施例および後述する各実施例および各比較例における面積抵抗率の値は、試験片の寸法が小さいこと、および、試験片の寸法に応じた抵抗率補正係数の調整がされていないことの影響を大きく受けた値となっている。 The area resistivity of a transparent conductive layer having a sufficiently large dimension, for example, a transparent conductive layer having a thickness of 200 mm and a width of 100 mm × a length of 100 mm, is calculated using the above-described resistivity correction coefficient of 4.450. In this case, the sheet resistivity was 270Ω / □. This value is about 1/27 of the sheet resistivity of the transparent conductive layer (width 1 mm × length 70 mm) calculated in the above evaluation 1. As described above, the value of the area resistivity in this example and each of the examples and comparative examples to be described later is such that the size of the test piece is small and the resistivity correction coefficient is adjusted according to the size of the test piece. It is a value greatly influenced by the absence.
(実施例2)
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ45重量%、5重量%、33重量%および17重量%とし、JETを90秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例1において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。
(Example 2)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 45 wt%, 5 wt%, 33 wt% and 17 wt%, respectively, and JET was 90 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1.
エッチング時間をJETに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
また、エッチング時間をJET+1分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は9.2×103Ω/□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 9.2 × 10 3 Ω / □.
(実施例3)
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ72重量%、2重量%、9重量%および17重量%とし、JETを111秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例1において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。
(Example 3)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 72 wt%, 2 wt%, 9 wt% and 17 wt%, respectively, and JET was 111 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1.
エッチング時間をJETに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
また、エッチング時間をJET+1分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は11.5×103Ω/□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The area resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 11.5 × 10 3 Ω / □.
(比較例1)
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ42重量%、4重量%、33重量%および21重量%とし、JETを90秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例1において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、実施例1における金属層用エッチング液を水で希釈することにより得られたものである。
(Comparative Example 1)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 42 wt%, 4 wt%, 33 wt% and 21 wt%, respectively, and JET was 90 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. In addition, the etching solution for metal layers in this comparative example is obtained by diluting the etching solution for metal layers in Example 1 with water.
エッチング時間をJETに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
また、エッチング時間をJET+1分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は20×103Ω/□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The area resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 20 × 10 3 Ω / □.
(比較例2)
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ36重量%、4重量%、26重量%および34重量%とし、JETを110秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例1において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、実施例2における金属層用エッチング液を水で希釈することにより得られたものである。
(Comparative Example 2)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 36 wt%, 4 wt%, 26 wt% and 34 wt%, respectively, and JET was 110 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. The metal layer etchant in this comparative example was obtained by diluting the metal layer etchant in Example 2 with water.
エッチング時間をJETに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
また、エッチング時間をJET+1分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は22.4×103Ω/□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 22.4 × 10 3 Ω / □.
(比較例3)
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ37重量%、2重量%、27重量%および34重量%とし、JETを300秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例1において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、比較例2における金属層用エッチング液の硝酸の濃度を半分にすることにより得られたものである。本比較例における金属層用エッチング液の水の濃度と比較例2における金属層用エッチング液の水の濃度とは略同一になっている。
(Comparative Example 3)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 37 wt%, 2 wt%, 27 wt% and 34 wt%, respectively, and JET was 300 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. The metal layer etching solution in this comparative example was obtained by halving the nitric acid concentration of the metal layer etching solution in comparative example 2. The concentration of water in the etching solution for metal layer in this comparative example and the concentration of water in the etching solution for metal layer in Comparative example 2 are substantially the same.
エッチング時間をJETに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
また、エッチング時間をJET+1分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は22.6×103Ω/□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 22.6 × 10 3 Ω / □.
(比較例4)
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ37重量%、2重量%、27重量%および34重量%とし、JETを60秒間としたこと以外は、実施例1と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例1において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、比較例2における金属層用エッチング液の酢酸の濃度を半分にすることにより得られたものである。本比較例における金属層用エッチング液のりん酸、硝酸および水の濃度は、比較例2における金属層用エッチング液のりん酸、硝酸および水の濃度よりも高くなっている。
(Comparative Example 4)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 37 wt%, 2 wt%, 27 wt% and 34 wt%, respectively, and JET was 60 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. The metal layer etching solution in this comparative example was obtained by halving the concentration of acetic acid in the metal layer etching solution in comparative example 2. The concentrations of phosphoric acid, nitric acid and water in the etching solution for metal layer in this comparative example are higher than the concentrations of phosphoric acid, nitric acid and water in the etching solution for metal layer in comparative example 2.
エッチング時間をJETに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は7.2×103Ω/□となっていた。
また、エッチング時間をJET+1分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は22.6×103Ω/□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 22.6 × 10 3 Ω / □.
表1は、実施例1〜3および比較例1〜4における金属層用エッチング液の組成、JET、エッチング時間がJETの場合の透明導電層の面積抵抗率およびエッチング時間がJET+1分間の場合の透明導電層の面積抵抗率を示している。また表1には、エッチング時間がJETの場合の透明導電層の面積抵抗率に対する、エッチング時間がJET+1分間の場合の透明導電層の面積抵抗率の比率(抵抗値変化率)が併せて示されている。また、実施例1〜3および比較例1〜4における金属層用エッチング液の水の濃度に対して透明導電層の抵抗値変化率をプロットした結果を図5に示す。
表1および図5に示されているように、金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも大きくなっている場合、透明導電層の抵抗値変化率が約300%となっていた。すなわち、金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも大きくなっている場合、JET+1分間にわたって金属層をエッチングした場合の透明導電層の抵抗値は、JETでのエッチングの場合に比べて約3倍となっていた。このことから、金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも大きくなっている場合、金属層だけでなく透明導電層も著しくエッチングされていることが分かる。 As shown in Table 1 and FIG. 5, when the concentration of water in the etching solution for metal layers is greater than 21% by weight, the resistance value change rate of the transparent conductive layer was about 300%. . That is, when the concentration of water in the etching solution for the metal layer is greater than 21% by weight, the resistance value of the transparent conductive layer when the metal layer is etched for JET + 1 minutes is compared with the case of etching with JET. It was about 3 times. From this, it can be seen that not only the metal layer but also the transparent conductive layer is etched significantly when the concentration of water in the metal layer etching solution is greater than 21% by weight.
一方、金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも小さくなっている場合、より具体的には17重量%以下になっている場合、透明導電層の抵抗値変化率が200%以下となっていた。すなわち、金属層用エッチング液における水の濃度が17重量%以下になっている場合、JET+1分間にわたって金属層をエッチングした場合の透明導電層の抵抗値は、JETでのエッチングの場合に比べて2倍以下となっていた。このことから、金属層用エッチング液における水の濃度を21重量%よりも小さくすることにより、より好ましくは17重量%以下にすることにより、金属層と同時に透明導電層がエッチングされるのを抑制することができると言える。 On the other hand, when the concentration of water in the etching solution for the metal layer is smaller than 21% by weight, more specifically, when the concentration is 17% by weight or less, the resistance value change rate of the transparent conductive layer is 200% or less. It was. That is, when the concentration of water in the metal layer etching solution is 17% by weight or less, the resistance value of the transparent conductive layer when the metal layer is etched for JET + 1 minutes is 2 as compared with the case of etching with JET. It was less than twice. From this, it is possible to suppress etching of the transparent conductive layer simultaneously with the metal layer by reducing the concentration of water in the etching solution for the metal layer to less than 21% by weight, more preferably to 17% by weight or less. I can say that.
10 タッチパネルセンサ
11 基板
11a 基板の一面
11b 基板の他面
13 第1透明導電体
13a 第1電極単位
13b 第1接続部
14 第1取出導電体
15 第2透明導電体
15a 第2電極単位
15b 第2接続部
16 第2取出導電体
17 第1端子部
18 第2端子部
19 絶縁層
20 積層体
21 第1透明導電層
22 第1金属層
23 第1感光層
23a 開口部
26 第2透明導電層
27 第2金属層
DESCRIPTION OF
Claims (12)
基板と、基板上に設けられた透明導電層および金属層と、を含む積層体を準備する工程と、
前記透明導電層および金属層をパターニングして、前記透明導電体および前記取出導電体を形成するパターニング工程と、を備え、
前記透明導電層が、インジウム錫酸化物からなり、
前記積層体の前記透明導電層は、はじめに、前記基板上にインジウム錫酸化物を成膜し、次に、成膜されたインジウム錫酸化物を、前記基板の耐熱特性に応じて設定された所定温度で所定時間だけ焼きなますことにより形成され、
前記パターニング工程は、前記積層体の前記金属層を、金属層用エッチング液を用いて所定パターンで選択的にエッチングする工程を含み、
前記金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、
前記金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも小さくなっており、
前記積層体の前記金属層を、前記金属層用エッチング液を用いてエッチングする場合、前記透明導電層の抵抗値変化率が200%以下であり、
前記抵抗値変化率は、エッチング時間がジャストエッチングタイムの場合の前記透明導電層の面積抵抗率に対する、エッチング時間がジャストエッチングタイム+1分間の場合の前記透明導電層の面積抵抗率の比率であり、
前記ジャストエッチングタイムは、前記積層体の前記金属層のエッチングを開始してから、エッチングにより金属層が厚み方向において完全に除去されるまでの時間であることを特徴とするタッチパネルセンサ製造方法。 A touch panel sensor having a substrate, a transparent conductor provided in a predetermined pattern on the substrate, and a takeout conductor provided in a predetermined pattern on the substrate and electrically connected to the transparent conductor is manufactured. In the touch panel sensor manufacturing method,
Preparing a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate;
Patterning the transparent conductive layer and the metal layer to form the transparent conductor and the extraction conductor, and
The transparent conductive layer is made of indium tin oxide,
The transparent conductive layer of the laminate is formed by first forming indium tin oxide on the substrate, and then forming the formed indium tin oxide according to a predetermined heat resistance characteristic of the substrate. Formed by annealing for a certain time at temperature,
The patterning step includes a step of selectively etching the metal layer of the stacked body in a predetermined pattern using a metal layer etchant,
The metal layer etching solution includes water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid,
The concentration of water in the metal layer etching solution is less than 21% by weight ;
When etching the metal layer of the laminate using the metal layer etchant, the resistance change rate of the transparent conductive layer is 200% or less,
The resistance value change rate is the ratio of the area resistivity of the transparent conductive layer when the etching time is just etching time + 1 minutes to the area resistivity of the transparent conductive layer when the etching time is just etching time,
The just etching time is a time from when etching of the metal layer of the laminate is started until the metal layer is completely removed in the thickness direction by etching .
前記パターニング工程は、
前記透明導電層上の前記金属層をパターニングする工程と、
前記透明導電層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記金属層の一部分上に感光層を設ける工程と、
前記感光層をマスクとして、前記金属層を、前記金属層用エッチング液を用いて選択的にエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のタッチパネルセンサ製造方法。 The metal layer of the laminate is provided on the transparent conductive layer,
The patterning step includes
Patterning the metal layer on the transparent conductive layer;
Patterning the transparent conductive layer;
Providing a photosensitive layer on a portion of the patterned metal layer;
The touch panel sensor manufacturing according to claim 1, further comprising a step of selectively etching the metal layer using the metal layer etching solution using the photosensitive layer as a mask. Method.
前記透明導電層が、インジウム錫酸化物からなり、
前記積層体の前記透明導電層は、はじめに、前記基板上にインジウム錫酸化物を成膜し、次に、成膜されたインジウム錫酸化物を、前記基板の耐熱特性に応じて設定された所定温度で所定時間だけ焼きなますことにより形成され、
前記金属層を選択的にエッチングする金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、
前記金属層用エッチング液における水の濃度が21重量%よりも小さくなっており、
前記積層体の前記金属層を、前記金属層用エッチング液を用いてエッチングする場合、前記透明導電層の抵抗値変化率が200%以下であり、
前記抵抗値変化率は、エッチング時間がジャストエッチングタイムの場合の前記透明導電層の面積抵抗率に対する、エッチング時間がジャストエッチングタイム+1分間の場合の前記透明導電層の面積抵抗率の比率であり、
前記ジャストエッチングタイムは、前記積層体の前記金属層のエッチングを開始してから、エッチングにより金属層が厚み方向において完全に除去されるまでの時間であることを特徴とするエッチング方法。 In an etching method for selectively etching the metal layer in a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate,
The transparent conductive layer is made of indium tin oxide,
The transparent conductive layer of the laminate is formed by first forming indium tin oxide on the substrate, and then forming the formed indium tin oxide according to a predetermined heat resistance characteristic of the substrate. Formed by annealing for a certain time at temperature,
The metal layer etching solution for selectively etching the metal layer includes water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid,
The concentration of water in the metal layer etching solution is less than 21% by weight;
When etching the metal layer of the laminate using the metal layer etchant, the resistance change rate of the transparent conductive layer is 200% or less,
The resistance value change rate is the ratio of the area resistivity of the transparent conductive layer when the etching time is just etching time + 1 minutes to the area resistivity of the transparent conductive layer when the etching time is just etching time,
The just etching time is a time from when etching of the metal layer of the laminate is started until the metal layer is completely removed in the thickness direction by etching.
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