JP2012164079A - Manufacturing method for touch panel sensor and etching method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透明導電層および金属層をパターニングしてタッチパネルセンサを製造するタッチパネルセンサ製造方法に関する。また本発明は、透明導電層および金属層を含む積層体のうち金属層を選択的にエッチングするエッチング方法に関する。 The present invention relates to a touch panel sensor manufacturing method for manufacturing a touch panel sensor by patterning a transparent conductive layer and a metal layer. The present invention also relates to an etching method for selectively etching a metal layer in a laminate including a transparent conductive layer and a metal layer.
基板と、基板上に所定のパターンで設けられた透明導電体と、基板上に所定のパターンで設けられ、透明導電体に電気的に接続された取出導電体と、を有する薄型表示装置やタッチパネル装置が知られている。このような薄型表示装置やタッチパネル装置は一般に、ＩＴＯなどからなる透明導電層と、Ａｌ合金などからなる金属層とを含む積層体をパターニングすることにより製造される。透明導電層は、パターニングされて透明導電体となるであり、金属層は、パターニングされて取出導電体となる層である。 Thin display device and touch panel having a substrate, a transparent conductor provided in a predetermined pattern on the substrate, and a takeout conductor provided in a predetermined pattern on the substrate and electrically connected to the transparent conductor The device is known. Such thin display devices and touch panel devices are generally manufactured by patterning a laminate including a transparent conductive layer made of ITO or the like and a metal layer made of an Al alloy or the like. The transparent conductive layer is patterned to become a transparent conductor, and the metal layer is a layer that is patterned to become an extraction conductor.
積層体の透明導電層および金属層をパターニングする方法としてエッチングが知られている。例えば特許文献１において、シュウ酸系のエッチング液を用いて透明導電層をエッチングし、りん酸酢酸や硝酸セリウム系のエッチング液を用いて金属層をエッチングする方法が開示されている。 Etching is known as a method for patterning the transparent conductive layer and the metal layer of the laminate. For example, Patent Document 1 discloses a method in which a transparent conductive layer is etched using an oxalic acid-based etching solution, and a metal layer is etched using a phosphoric acid acetic acid or cerium nitrate-based etching solution.
一般に、ＩＴＯなどからなる透明導電層の耐薬品性は低く、このため、金属層をエッチングする際に同時に透明導電層がエッチングされ、この結果、所望のパターンの透明導電体が得られないことが考えられる。この課題は、透明導電層に非晶質な部分が含まれる場合に特に顕著になると考えられる。なぜなら、非晶質な部分は一般に、高い結晶性を有する部分に比べて耐薬品性が低くなっているからである。 In general, the transparent conductive layer made of ITO or the like has low chemical resistance. Therefore, when the metal layer is etched, the transparent conductive layer is etched at the same time. As a result, a transparent conductor having a desired pattern may not be obtained. Conceivable. This problem is considered to be particularly remarkable when the transparent conductive layer includes an amorphous part. This is because the amorphous portion generally has lower chemical resistance than the portion having high crystallinity.
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサ製造方法およびエッチング方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the manufacturing method and etching method of a touch panel sensor which can solve such a subject effectively.
本発明は、基板と、基板上に所定のパターンで設けられた透明導電体と、基板上に所定のパターンで設けられ、前記透明導電体に電気的に接続された取出導電体と、を有するタッチパネルセンサを製造するタッチパネルセンサ製造方法において、基板と、基板上に設けられた透明導電層および金属層と、を含む積層体を準備する工程と、前記透明導電層および金属層をパターニングして、前記透明導電体および前記取出導電体を形成するパターニング工程と、を備え、前記パターニング工程は、前記積層体の前記金属層を、金属層用エッチング液を用いて所定パターンで選択的にエッチングする工程を含み、前記金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、前記金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも小さくなっていることを特徴とするタッチパネルセンサ製造方法である。 The present invention includes a substrate, a transparent conductor provided in a predetermined pattern on the substrate, and an extraction conductor provided in a predetermined pattern on the substrate and electrically connected to the transparent conductor. In the touch panel sensor manufacturing method for manufacturing a touch panel sensor, a step of preparing a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate, patterning the transparent conductive layer and the metal layer, A patterning step of forming the transparent conductor and the extraction conductor, wherein the patterning step selectively etches the metal layer of the laminate in a predetermined pattern using a metal layer etchant. And the metal layer etching solution contains water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, and the concentration of water in the metal layer etching solution is more than 21% by weight. It is a touch panel sensor manufacturing method according to claim which is fence.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、好ましくは、前記金属層用エッチング液における水の濃度が１７重量％以下となっている。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, preferably, the concentration of water in the metal layer etching solution is 17% by weight or less.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記金属層が、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇまたはＡｇ合金からなっていてもよい。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the metal layer may be made of Al, Al alloy, Ag, or Ag alloy.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記透明導電層が、インジウム錫酸化物からなっていてもよい。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the transparent conductive layer may be made of indium tin oxide.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記積層体の前記透明導電層は、はじめに、前記基板上に前記透明導電層の材料を成膜し、次に、成膜された前記透明導電層の材料を所定温度で所定時間だけ焼きなますことにより形成されてもよい。この場合、焼きなましにおける前記所定温度および前記所定時間は、前記基板の耐熱特性に応じて設定される。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the transparent conductive layer of the laminate is first formed by forming a material of the transparent conductive layer on the substrate, and then forming the material of the formed transparent conductive layer. It may be formed by annealing at a predetermined temperature for a predetermined time. In this case, the predetermined temperature and the predetermined time in annealing are set according to the heat resistance characteristics of the substrate.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記基板がＰＥＴフィルムを含んでいてもよい。この場合、前記積層体の前記透明導電層は、好ましくは、はじめに、前記基板上に前記透明導電層の材料を成膜し、次に、成膜された前記透明導電層の材料を１５０〜１８０℃で所定時間だけ焼きなますことにより形成される。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the substrate may include a PET film. In this case, the transparent conductive layer of the laminate is preferably formed by first forming the material of the transparent conductive layer on the substrate, and then forming the formed material of the transparent conductive layer from 150 to 180. It is formed by annealing at a temperature for a predetermined time.
本発明によるタッチパネルセンサ製造方法において、前記積層体の前記金属層は、前記透明導電層上に設けられていてもよい。この場合、前記パターニング工程は、前記透明導電層上の前記金属層をパターニングする工程と、前記透明導電層をパターニングする工程と、パターニングされた前記金属層の一部分上に感光層を設ける工程と、前記感光層をマスクとして、前記金属層を、前記金属層用エッチング液を用いて選択的にエッチングする工程と、を含んでいる。 In the touch panel sensor manufacturing method according to the present invention, the metal layer of the laminate may be provided on the transparent conductive layer. In this case, the patterning step includes a step of patterning the metal layer on the transparent conductive layer, a step of patterning the transparent conductive layer, a step of providing a photosensitive layer on a part of the patterned metal layer, Selectively etching the metal layer using the metal layer etching solution using the photosensitive layer as a mask.
本発明は、基板と、基板上に設けられた透明導電層および金属層と、を含む積層体のうち前記金属層を選択的にエッチングするエッチング方法において、前記金属層を選択的にエッチングする金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、前記金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも小さくなっていることを特徴とするエッチング方法である。 The present invention relates to a metal that selectively etches the metal layer in an etching method that selectively etches the metal layer in a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate. The layer etching solution contains water, phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and the concentration of water in the metal layer etching solution is less than 21% by weight.
本発明によるエッチング方法において、好ましくは、前記金属層用エッチング液における水の濃度が１７重量％以下となっている。 In the etching method according to the present invention, preferably, the concentration of water in the metal layer etching solution is 17% by weight or less.
本発明によるエッチング方法において、前記金属層が、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇまたはＡｇ合金からなっていてもよい。 In the etching method according to the present invention, the metal layer may be made of Al, Al alloy, Ag, or Ag alloy.
本発明によるエッチング方法において、前記透明導電層が、インジウム錫酸化物からなっていてもよい。 In the etching method according to the present invention, the transparent conductive layer may be made of indium tin oxide.
本発明によれば、透明導電層および金属層を含む積層体における金属層をエッチングする工程において、用いられる金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでいる。また、この金属層用エッチング液における水の濃度は、２１重量％よりも小さくなっている。このため、積層体の透明導電層に影響を与えることなく、積層体の金属層を選択的にエッチングすることができる。 According to the present invention, in the step of etching the metal layer in the laminate including the transparent conductive layer and the metal layer, the metal layer etching solution used contains water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid. The concentration of water in this metal layer etching solution is smaller than 21% by weight. For this reason, the metal layer of a laminated body can be selectively etched, without affecting the transparent conductive layer of a laminated body.
以下、図１乃至図２Ｇを参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに、本実施の形態によるエッチング方法を用いて製造されるタッチパネルセンサ１０について説明する。図１Ａは、タッチパネルセンサ１０を一側から見た場合を示す平面図である。図１Ｂまたは図１Ｃはそれぞれ、図１Ａに示すタッチパネルセンサ１０をＩＢ−ＩＢ方向またはＩＣ−ＩＣ方向から見た縦断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 2G. First,
タッチパネルセンサ
図１Ａ乃至図１Ｃに示すタッチパネルセンサ１０は、タッチパネルセンサ１０への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。このタッチパネルセンサ１０は、基板１１と、基板１１上に所定のパターンで設けられた複数の第１透明導電体１３および第２透明導電体１５と、基板１１上に所定のパターンで設けられ、透明導電体１３，１５にそれぞれ電気的に接続された第１取出導電体１４および第２取出導電体１６と、を備えている。このうち第１透明導電体１３および第１取出導電体１４は基板１１の一面１１ａ上に設けられており、第２透明導電体１５および第２取出導電体１６は基板１１の他面１１ｂ上に設けられている。また、第１透明導電体１３および第２透明導電体１５からの信号を外部へ取り出すための第１端子部１７および第２端子部１８が、それぞれ第１取出導電体１４および第２取出導電体１６に接続されている。なお図１Ａにおいては、基板１１の他面１１ｂ側に設けられている構成要素が点線で表されている。
Touch Panel Sensor The
透明導電体１３，１５は、外部導体の接触位置または接近位置を検知するものである。このうち第１透明導電体１３は、第１方向（図１Ａにおける上下方向）における外部導体の接触位置または接近位置を検知するものである。図１Ａに示すように、第１透明導電体１３は、略正方形の形状を有する複数の第１電極単位１３ａと、隣接する第１電極単位１３ａ間を第１方向に直交する第２方向（図１Ａにおける左右方向）において接続する第１接続部１３ｂと、を有している。また第２透明導電体１５は、第２方向における外部導体の接触位置または接近位置を検知するものである。図１Ａに示すように、第２透明導電体１５は、略正方形の形状を有する複数の第２電極単位１５ａと、隣接する第２電極単位１５ａ間を第１方向において接続する第２接続部１５ｂと、を有している。
The
また取出導電体１４，１６および端子部１７，１８は、外部導体の接触位置または接近位置の検知に基づく透明導電体１３，１５からの電気信号を外部に送るための経路を構成するものである。
Further, the
タッチパネルセンサ１０は、液晶表示装置などの表示装置（図示せず）と組み合わされ、これによって入出力装置が構成される。一般に表示装置は、映像が表示される表示領域と、表示領域の外側に位置する非表示領域とに区画される。また一般に、タッチパネルセンサ１０と表示装置とが組み合わされる際、タッチパネルセンサ１０の透明導電体１３，１５が表示装置の表示領域に対応するよう組み合わされる。このため透明導電体１３，１５は、導電性および透明性を有する材料から構成される。一方、取出導電体１４，１６および端子部１７，１８は一般に、表示装置の非表示領域に対応する位置に設けられる。このため、取出導電体１４，１６および端子部１７，１８を構成する材料が透明性を有する必要はなく、従って取出導電体１４，１６および端子部１７，１８は一般に、透明導電体１３，１５の材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。
The
透明導電体１３，１５は、後に詳細に説明するように、図２Ａに示す積層体２０の透明導電層２１，２６をエッチングすることにより形成される。一方、取出導電体１４，１６および端子部１７，１８は、積層体２０の金属層２２，２７をエッチングすることにより形成される。以下、積層体２０の透明導電層２１，２６および金属層２２，２７を構成する材料について詳細に説明する。
The
（透明導電層）
透明導電層２１，２６を構成する材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。
(Transparent conductive layer)
The materials constituting the transparent
（金属層）
金属層２２，２７を構成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン、パラジウム、銀（Ａｇ）、クロム、銅等の金属及びそれらを主成分とする合金、あるいはそれら合金を含む積層体が用いられる。このうち銀を含む合金の例としては、銀、パラジウム、銅を含んでなるＡＰＣ合金が挙げられる。
(Metal layer)
As a material constituting the metal layers 22 and 27, a metal such as aluminum (Al), molybdenum, palladium, silver (Ag), chromium, copper, an alloy containing these as a main component, or a laminate including these alloys is used. It is done. Of these, examples of alloys containing silver include APC alloys containing silver, palladium, and copper.
（基板）
また、透明導電層２１，２６および金属層２２，２７を支持する基板１１を構成する材料としては、光透過性、安定性や耐久性等に優れた材料が用いられ、例えばＰＥＴが用いられる。
(substrate)
Moreover, as a material which comprises the board |
本実施の形態によるタッチパネルセンサ１０においては、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、同一の基板１１上に透明導電体１３，１５、取出導電体１４，１６および端子部１７，１８が所定パターンで設けられている。このようなタッチパネルセンサ１０は、同一の基板１１上に設けられた透明導電層２１，２６および金属層２２，２７を、エッチング液を用いてパターニングすることによって製造される。この場合、金属層２２，２７をエッチングするために用いられるエッチング液（金属層用エッチング液）は、金属層２２，２７だけでなく透明導電層２１，２６にも接触することになる。以下、このような場合に適しているタッチパネルセンサ１０の製造方法について、図２Ａ乃至図２Ｇを参照して説明する。
In
タッチパネルセンサの製造方法
図２Ａ（ａ）（ｂ）〜図２Ｇ（ａ）（ｂ）の各図において、（ａ）に示されている図は、製造中のタッチパネルセンサを示す平面図であり、（ｂ）に示されている図は、製造中のタッチパネルセンサを各々（ａ）のIIＡ−IIＡ〜IIＧ−IIＧ方向から見た縦断面図である。
In each drawing of the manufacturing method Figure 2A of the touch panel sensor (a) (b) ~ Figure 2G (a) (b), the view shown in (a) is a plan view showing a touch panel sensor during manufacturing, The figure shown by (b) is the longitudinal cross-sectional view which looked at the touchscreen sensor under manufacture from the IIA-IIA-IIG-IIG directions of (a), respectively.
（積層体の準備）
図２Ａに示すように、はじめに、基板１１と、基板１１の一面１１ａ上に設けられた第１透明導電層２１と、第１透明導電層２１上に設けられた第１金属層２２と、基板１１の他面１１ｂ上に設けられた第２透明導電層２６と、第２透明導電層２６上に設けられた第２金属層２７と、を有する積層体２０を準備する。このような積層体２０は、はじめに、例えばスパッタリング法などを用いて基板１１上に第１透明導電層２１および第２透明導電層２６を成膜し、次に、第１透明導電層２１および第２透明導電層２６上に第１金属層２２および第２金属層２７を成膜することにより得られる。
(Preparation of laminate)
As shown in FIG. 2A, first, a
積層体２０の第１透明導電層２１および第２透明導電層２６は、好ましくは、はじめに基板１１上に透明導電層２１，２６の材料を成膜し、次に成膜された透明導電層２１，２６の材料を所定温度で所定時間だけ焼きなますことにより形成される。ところで上述のように、基板１１の材料として例えばＰＥＴが用いられている。この場合、成膜された透明導電層２１，２６の材料を焼きなますときの上記所定温度および所定時間は、基板１１を構成するＰＥＴの耐熱特性に応じて設定される。すなわち、基板１１を構成するＰＥＴが熱により劣化しない程度の温度および時間が設定される。例えば、成膜された透明導電層２１，２６の材料を焼きなますときの温度が１５０〜１６０℃の範囲内に設定され、時間が十数分に設定される。
The first transparent
このように本実施の形態においては、成膜された透明導電層２１，２６の材料を焼きなますときの上記所定温度および所定時間は、透明導電層２１，２６の材料となるＩＴＯなどの特性ではなく、基板１１を構成するＰＥＴに応じて主に設定される。このため、設定される焼きなましの温度および時間が、透明導電層２１，２６の材料となるＩＴＯにとって不十分であるということが生じうる。
As described above, in the present embodiment, the predetermined temperature and the predetermined time when the material of the formed transparent
焼きなましの温度および時間が不十分である場合、焼きなましにより透明導電層２１，２６の材料の結晶を十分に成長させることができず、このため、得られる透明導電層２１，２６に非晶質な部分が含まれていることが考えられる。一般に非晶質な部分は、結晶性の高い部分に比べて、エッチング液などの薬液に対する耐性が低くなっている。このため、透明導電層２１，２６に非晶質な部分が含まれている場合、金属層２２，２７をエッチングする際に意図に反して同時に透明導電層２１，２６がエッチングされてしまうことが考えられる。
When the annealing temperature and time are insufficient, the crystal of the material of the transparent
このような意図しない透明導電層２１，２６のエッチングを防ぐことが可能な方法について、以下、図２Ｂ乃至図２Ｇを参照して説明する。なお第２透明導電層２６および第２金属層２７のエッチング方法は、エッチングにより形成される具体的なパターン形状が異なるのみであり、その他の点は第１透明導電層２１および第１金属層２２のエッチング方法と略同一である。従って、以下の説明においては、第１透明導電層２１および第１金属層２２のエッチング方法についてのみ説明し、第２透明導電層２６および第２金属層２７のエッチング方法については省略する。また、図２Ｂ乃至図２Ｇにおいても第２透明導電層２６および第２金属層２７が省略されている。
Hereinafter, a method capable of preventing such unintended etching of the transparent
（感光層の形成およびパターニング）
まず図２Ｂに示すように、積層体２０の第１金属層２２上に第１感光層２３を形成する。第１感光層２３は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。この第１感光層２３は、例えばコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって設けられる。次に図２Ｃに示すように、所定のマスクを用いて第１感光層２３を露光し、次に第１感光層２３を現像する。これによって第１感光層２３がパターニングされる。この際、第１感光層２３は、図２Ｃに示すように、後に形成される第１透明導電体１３、第１取出導電体１４および第１端子部１７に対応するパターンを有している。
(Formation and patterning of photosensitive layer)
First, as shown in FIG. 2B, the first
（第１透明導電層および第１金属層のエッチング）
次に図２Ｄに示すように、第１感光層２３をマスクとして第１透明導電層２１および第１金属層２２をエッチングする。これによって、第１透明導電層２１および第１金属層２２が、後に形成される第１透明導電体１３、第１取出導電体１４および第１端子部１７に対応するパターンにパターニングされる。
(Etching of first transparent conductive layer and first metal layer)
Next, as shown in FIG. 2D, the first transparent
図２Ｄに示すエッチング工程においては、第１透明導電層２１および第１金属層２２が同一のパターンにパターニングされる。このため、エッチング液として、第１透明導電層２１および第１金属層２２の両方に対して浸食性を有するエッチング液が用いられ得る。
In the etching process shown in FIG. 2D, the first transparent
（感光層のパターニング）
次に図２Ｅに示すように、第１感光層２３をさらにパターニングする。この際、第１感光層２３は、図２Ｅに示すように、後に形成される第１取出導電体１４および第１端子部１７に対応するパターンを有している。第１感光層２３がポジ型感光性樹脂である場合、図２Ｅに示されるようなパターニングは、表示装置の表示領域に対応する部位が透明であり、表示装置の非表示領域に対応する部分が遮光されたフォトマスクを用いて、第１感光層２３側から露光し、現像することによって実現される。
(Patterning of photosensitive layer)
Next, as shown in FIG. 2E, the first
（第１金属層のエッチング）
次に図２Ｆに示すように、第１感光層２３をマスクとして第１金属層２２を選択的にエッチングする。これによって、第１透明導電層２１のうち後に形成される第１透明導電体１３に対応する位置にある第１透明導電層２１上に設けられた第１金属層２２が除去される。この際、エッチング処理が施されるエッチング時間は、設計通りの厚みを有する第１金属層２２をちょうどエッチングするのに必要な時間（ジャストエッチングタイム、以下ＪＥＴ）＋αの時間に設定されている。時間αは、エッチングにより除去される第１金属層２２の厚みが部分的に設計値からずれている場合、例えば第１金属層２２の厚みにばらつきがある場合であっても、第１金属層２２を十分に除去するために設けられている。このような時間αは、想定される第１金属層２２の厚みのばらつきの程度や、第１金属層２２の材料、金属層用エッチング液の種類に応じて適宜設定されるが、例えば１分に設定されている。
(Etching of the first metal layer)
Next, as shown in FIG. 2F, the
以下、図２Ｆに示す工程において用いられる、第１金属層２２をエッチングするためのエッチング液（金属層用エッチング液）について詳細に説明する。金属層用エッチング液としては、第１金属層２２に対して浸食性を有するとともに、第１透明導電層２１に対して浸食性を有さないエッチング液が用いられる。このような金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでいる。
Hereinafter, the etching solution (etching solution for metal layer) for etching the
本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、一例として後述する実施例での実験結果で支持されているように、金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも小さくなっている場合に、第１透明導電層２１をほとんどエッチングすることなく、第１金属層２２のみを選択的にエッチングすることができた。また本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、金属層用エッチング液における水の濃度が１７重量％以下となっている場合に、第１金属層２２に対する選択性がより高められることが見いだされた。これらのことから、第１金属層２２に対する選択性を高める上で、金属層用エッチング液における水の濃度を調整することが重要であると言える。
As a result of repeated diligent experiments by the present inventors, the water concentration in the metal layer etching solution is smaller than 21% by weight, as supported by the experimental results in the examples described later as an example. In addition, only the
金属層用エッチング液の第１金属層２２に対する選択性が水の濃度に依存する原因については、様々な事項が考えられる。例えば、金属層用エッチング液における水の濃度を所定値以下とすることにより、金属層用エッチング液の流動性を所定値以下にすることができ、これによって、第１金属層２２の下にある第１透明導電層２１がエッチングされるのを防ぐことができる、という点が考えられる。
Various factors can be considered as the cause of the selectivity of the metal layer etchant for the
次に図２Ｇに示すように、残っている第１感光層２３を除去する。これによって２Ｇに示すように、第１電極単位１３ａおよび第１接続部１３ｂからなる第１透明導電体１３と、第１取出導電体１４および第１端子部１７とを備えたタッチパネルセンサ１０が得られる。なお図２Ｇ（ｂ）に示すように、第１取出導電体１４と基板１１との間に第１透明導電層２１が介在されていてもよい。これによって、第１透明導電体１３からの電気信号が第１取出導電体１４のみによって第１端子部１７まで伝達される場合に比べて、第１透明導電体１３と第１端子部１７との間の抵抗値を小さくすることができる。
Next, as shown in FIG. 2G, the remaining first
このように本実施の形態によれば、積層体２０の第１金属層２２をエッチングする工程において、用いられる金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでいる。また、この金属層用エッチング液における水の濃度は、２１重量％よりも小さくなっている。このため、積層体２０の第１金属層２２のみを選択的にエッチングすることができる。このことにより、全域にわたって所望の厚みを有する第１透明導電体１３を備えたタッチパネルセンサ１０を得ることができる。
Thus, according to the present embodiment, in the step of etching the
なお本実施の形態において、第１感光層２３をマスクとして第１透明導電層２１および第１金属層２２をエッチングする際（図２Ｄに示す工程）、エッチング液として、第１透明導電層２１および第１金属層２２の両方に対して浸食性を有するエッチング液が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２Ｄに示す工程においても、第１金属層２２を選択的にエッチングする上述の金属層用エッチング液と、第１透明導電層２１を選択的にエッチングする透明導電層用エッチング液とが順次用いられてもよい。第１透明導電層２１を選択的にエッチングする透明導電層用エッチング液としては、例えば塩化第二鉄を含むエッチング液が用いられる。
In the present embodiment, when the first transparent
また本実施の形態において、積層体２０のうち第１透明導電層２１上に設けられた第１金属層２２が部分的に金属層用エッチング液により選択的にエッチングされる例を示した。この際、エッチングの態様が図２Ｆに示される例に限られることはなく、様々な態様で金属層用エッチング液により第１金属層２２が選択的にエッチングされ得る。
例えば図３（ａ）に示すように、積層体２０の第１金属層２２上に第１感光層２３が設けられており、第１感光層２３に部分的に開口部２３ａが形成されている場合について考える。この場合、図３（ａ）の右側に示すように、積層体２０の第１金属層２２のうち開口部２３ａに対応する部分のみが金属層用エッチング液により選択的にエッチングされてもよい。
または図３（ｂ）に示すように、第１透明導電層２１上に設けられた第１金属層２２が全域にわたって金属層用エッチング液により選択的にエッチングされてもよい。
Moreover, in this Embodiment, the example in which the
For example, as shown in FIG. 3A, the first
Or as shown in FIG.3 (b), the
また本実施の形態において、金属層用エッチング液によりエッチングされる積層体２０が、基板１１と、基板１１上に設けられた第１透明導電層２１と、第１透明導電層２１上に設けられた第１金属層２２とを含む例を示した。しかしながら、積層体２０が第１透明導電層２１および第１金属層２２を含む限りにおいて、積層体２０の具体的な層構成（積層順など）が特に限られることはない。
例えば図３（ｃ）に示すように、積層体２０が、基板１１と、基板１１上に設けられた第１金属層２２と、第１金属層２２上に設けられた第１透明導電層２１とを含んでいてもよい。または図３（ｄ）に示すように、積層体２０が、基板１１と、基板１１の一面１１ａ上に設けられた第１透明導電層２１と、基板１１の他面１１ｂ上に設けられた第１金属層２２とを含んでいてもよい。いずれの場合においても本実施の形態による金属層用エッチング液を用いることにより、第１透明導電層２１をエッチングすることなく第１金属層２２のみを選択的にエッチングすることができる。
Moreover, in this Embodiment, the
For example, as illustrated in FIG. 3C, the
また本実施の形態において、タッチパネルセンサ１０が、基板１１の一面１１ａ側に設けられた第１透明導電体１３、第１取出導電体１４および第１端子部１７と、基板１１の他面１１ｂ側に設けられた第２透明導電体１５、第２取出導電体１６および第２端子部１８と、を備えた例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図４Ａ乃至図４Ｃに示すように、第１透明導電体１３、第１取出導電体１４、第２透明導電体１５、第２取出導電体１６、第１端子部１７および第２端子部１８がいずれも基板１１の一面１１ａ側に設けられていてもよい。この場合、図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、第１接続部１３ｂと第２接続部１５ｂとの間には絶縁層１９が介在されている。これによって、第１接続部１３ｂと第２接続部１５ｂとが電気的に接続されることが防がれている。
In the present embodiment, the
図４Ａ乃至図４Ｃに示すタッチパネルセンサ１０においても、透明導電層（透明導電体１３，１５）上に設けられた金属層をエッチングすることにより取出導電体１４，１６および端子部１７，１８が形成される。このエッチングの際、上述の金属層用エッチング液を用いることにより、透明導電層をエッチングすることなく金属層のみを選択的にエッチングすることができる。このことにより、全域にわたって所望の厚みを有する第１透明導電体１３および第２透明導電体１５を備えたタッチパネルセンサ１０を得ることができる。
Also in the
また本実施の形態において、基板１１を構成する材料としてＰＥＴが用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、光透過性、安定性や耐久性等に優れた様々な材料から基板１１を構成することができる。例えば、基板１１を構成する材料としてガラスを用いることができる。
In the present embodiment, an example in which PET is used as a material constituting the
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to this Example.
（実施例１）
はじめにＰＥＴからなる基板を準備した。次にこの基板上にＩＴＯからなる透明導電層を成膜し、その後、透明導電層上にＡＰＣ合金からなる金属層を成膜した。ＩＴＯからなる透明導電層の厚みは２００Åであり、ＡＰＣ合金からなる金属層の厚みは１０００Åであった。基板上に透明導電層を成膜した際の焼きなましの条件は、温度が約１５０℃であり、時間が約２５分であった。
Example 1
First, a substrate made of PET was prepared. Next, a transparent conductive layer made of ITO was formed on this substrate, and then a metal layer made of an APC alloy was formed on the transparent conductive layer. The thickness of the transparent conductive layer made of ITO was 200 mm, and the thickness of the metal layer made of APC alloy was 1000 mm. The annealing conditions when forming the transparent conductive layer on the substrate were a temperature of about 150 ° C. and a time of about 25 minutes.
基板、透明導電層および金属層からなる積層体の一部分を試験片として切り出した。試験片の透明導電層の寸法は幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍとなっていた。次に、この試験片の透明導電層上の金属層をエッチングにより除去した。この際、金属層用エッチング液として、りん酸、硝酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いた。用いた金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度はそれぞれ４７重量％、５重量％、３７重量％および１１重量％であった。 A part of the laminate composed of the substrate, the transparent conductive layer and the metal layer was cut out as a test piece. The dimension of the transparent conductive layer of the test piece was 1 mm wide × 70 mm long. Next, the metal layer on the transparent conductive layer of the test piece was removed by etching. At this time, an etching solution containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water was used as the metal layer etching solution. The concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution used were 47 wt%, 5 wt%, 37 wt% and 11 wt%, respectively.
（評価１）
上記の金属層用エッチング液を用いて、温度２３℃で１３５秒間、試験片の金属層をエッチングした。この「１３５秒間」は、本実施例による金属層用エッチング液を用いた試験片の金属層のエッチングを開始してから、エッチングにより金属層が完全に除去されるまでの時間（秒）、いわゆるジャストエッチングタイム（ＪＥＴ）となるよう設定されている。エッチングにより金属層が除去された後、試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率を測定した。結果、面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
なお所定のエッチング液のＪＥＴが測定される際、エッチングにより金属層が完全に除去されたかどうかは、一般に目視により確認される。また以下に記載する評価においても、エッチングの温度は２３℃に設定されていた。
(Evaluation 1)
Using the metal layer etching solution, the metal layer of the test piece was etched at a temperature of 23 ° C. for 135 seconds. This "135 seconds" is the time (seconds) from the start of etching of the metal layer of the test piece using the metal layer etching solution according to the present embodiment until the metal layer is completely removed by etching. It is set to be just etching time (JET). After the metal layer was removed by etching, the sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was measured. As a result, the sheet resistivity was 7.2 × 10 3 Ω / □.
When the JET of a predetermined etching solution is measured, it is generally confirmed visually whether or not the metal layer has been completely removed by etching. In the evaluation described below, the etching temperature was set to 23 ° C.
（評価２）
またＪＥＴでのエッチングとは別に、上記の金属層用エッチング液を用いて、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して試験片の金属層をエッチングした。
現実のエッチング工程においては、一般に、金属層の厚みにばらつきがある場合であっても金属層を十分に除去するよう、エッチング時間がＪＥＴよりも長い時間に設定される。本評価は、金属層のエッチング時間がＪＥＴよりも長い時間に設定された場合に、金属層の下にある透明導電層がどの程度のダメージを受けるかを評価するためのものである。
エッチングにより金属層が除去された後、試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率を測定した。結果、面積抵抗率は９．９×１０３Ω／□となっていた。
(Evaluation 2)
Separately from the etching with JET, the metal layer of the test piece was etched using the above-described etching solution for metal layer with the etching time set to JET + 1 minutes.
In an actual etching process, in general, an etching time is set longer than JET so that the metal layer is sufficiently removed even when the thickness of the metal layer varies. This evaluation is for evaluating how much the transparent conductive layer under the metal layer is damaged when the etching time of the metal layer is set to be longer than JET.
After the metal layer was removed by etching, the sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was measured. As a result, the sheet resistivity was 9.9 × 10 3 Ω / □.
なお上記の評価１、２においては、試験片に残っている透明導電層（幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ）の面積抵抗率を、四探針法を用いて測定した。測定器としては三菱化学（株）製のロレスタ−ＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００を用いた。測定プローブとしては、ロレスタ−ＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００用のＡＳＰプローブ ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐを用いた。ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐは、間隔５ｍｍで並べられた４本の測定ピン（ピン先０．３７Ｒ）を有する測定プローブである。なお、面積抵抗率を算出する際に用いられる抵抗率補正係数（ＲＣＦ）は、４．４５０に設定されていた。 In the above evaluations 1 and 2, the sheet resistivity of the transparent conductive layer (width 1 mm × length 70 mm) remaining on the test piece was measured using a four-probe method. As a measuring instrument, Loresta-GP MCP-T600 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used. As a measurement probe, ASP probe MCP-TP03P for Loresta-GP MCP-T600 was used. MCP-TP03P is a measurement probe having four measurement pins (pin tip 0.37R) arranged at intervals of 5 mm. The resistivity correction coefficient (RCF) used when calculating the sheet resistivity was set to 4.450.
ところで一般に、面積抵抗率の絶対値を正確に算出するためには、試験片の寸法（幅×長さ）に応じて抵抗率補正係数を調整することが好ましい。しかしながら、上記の４．４５０という抵抗率補正係数は、幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍという寸法の試験片に対して最適に調整されたものではない。従って、上記の評価１、２において算出された面積抵抗率は、最適に調整された抵抗率補正係数を用いた場合に算出されるであろう面積抵抗率とは異なっていると考えられる。
しかしながら、上記の評価１、２は、同一の寸法（幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ）を有する様々な試験片（本実施例および後述する各実施例または各比較例における試験片）の面積抵抗率を相対的に比較するために実施された評価である。すなわち、重要なのは、エッチング液やエッチング時間などのエッチング条件に応じて試験片の透明導電層の面積抵抗率がどのように変化するかを相対的に比較することであり、面積抵抗率の絶対値を精度良く算出することではない。従って、上記の評価１、２において、試験片の寸法に応じた抵抗率補正係数の調整を行わなかった。
In general, in order to accurately calculate the absolute value of the sheet resistivity, it is preferable to adjust the resistivity correction coefficient in accordance with the size (width × length) of the test piece. However, the above-described resistivity correction coefficient of 4.450 is not optimally adjusted for a test piece having a dimension of 1 mm width × 70 mm length. Therefore, it is considered that the sheet resistivity calculated in the above evaluations 1 and 2 is different from the sheet resistivity that would be calculated when using the optimally adjusted resistivity correction coefficient.
However, the above evaluations 1 and 2 indicate the area resistivity of various test pieces (test pieces in this example and each example or comparative example described later) having the same dimensions (width 1 mm × length 70 mm). It is an evaluation conducted for relative comparison. That is, what is important is to relatively compare how the sheet resistivity of the transparent conductive layer of the test piece changes according to the etching conditions such as the etchant and etching time, and the absolute value of the sheet resistivity. Is not calculated accurately. Therefore, in the above evaluations 1 and 2, the resistivity correction coefficient was not adjusted according to the dimensions of the test piece.
なお、十分に大きな寸法を有する透明導電層、例えば２００Åの厚みおよび幅１００ｍｍ×長さ１００ｍｍの寸法を有する透明導電層の面積抵抗率を、上記の４．４５０という抵抗率補正係数を用いて算出した場合、面積抵抗率が２７０Ω／□となっていた。この値は、上記の評価１にて算出された透明導電層（幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ）の面積抵抗率の約１／２７となっている。このように本実施例および後述する各実施例および各比較例における面積抵抗率の値は、試験片の寸法が小さいこと、および、試験片の寸法に応じた抵抗率補正係数の調整がされていないことの影響を大きく受けた値となっている。 The area resistivity of a transparent conductive layer having a sufficiently large dimension, for example, a transparent conductive layer having a thickness of 200 mm and a width of 100 mm × a length of 100 mm, is calculated using the above-described resistivity correction coefficient of 4.450. In this case, the sheet resistivity was 270Ω / □. This value is about 1/27 of the sheet resistivity of the transparent conductive layer (width 1 mm × length 70 mm) calculated in the above evaluation 1. As described above, the value of the area resistivity in this example and each of the examples and comparative examples to be described later is such that the size of the test piece is small and the resistivity correction coefficient is adjusted according to the size of the test piece. It is a value greatly influenced by the absence.
（実施例２）
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ４５重量％、５重量％、３３重量％および１７重量％とし、ＪＥＴを９０秒間としたこと以外は、実施例１と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例１において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。
(Example 2)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 45 wt%, 5 wt%, 33 wt% and 17 wt%, respectively, and JET was 90 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1.
エッチング時間をＪＥＴに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
また、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は９．２×１０３Ω／□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 9.2 × 10 3 Ω / □.
（実施例３）
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ７２重量％、２重量％、９重量％および１７重量％とし、ＪＥＴを１１１秒間としたこと以外は、実施例１と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例１において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。
(Example 3)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 72 wt%, 2 wt%, 9 wt% and 17 wt%, respectively, and JET was 111 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1.
エッチング時間をＪＥＴに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
また、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は１１．５×１０３Ω／□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The area resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 11.5 × 10 3 Ω / □.
（比較例１）
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ４２重量％、４重量％、３３重量％および２１重量％とし、ＪＥＴを９０秒間としたこと以外は、実施例１と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例１において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、実施例１における金属層用エッチング液を水で希釈することにより得られたものである。
(Comparative Example 1)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 42 wt%, 4 wt%, 33 wt% and 21 wt%, respectively, and JET was 90 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. In addition, the etching solution for metal layers in this comparative example is obtained by diluting the etching solution for metal layers in Example 1 with water.
エッチング時間をＪＥＴに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
また、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は２０×１０３Ω／□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The area resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 20 × 10 3 Ω / □.
（比較例２）
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ３６重量％、４重量％、２６重量％および３４重量％とし、ＪＥＴを１１０秒間としたこと以外は、実施例１と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例１において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、実施例２における金属層用エッチング液を水で希釈することにより得られたものである。
(Comparative Example 2)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 36 wt%, 4 wt%, 26 wt% and 34 wt%, respectively, and JET was 110 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. The metal layer etchant in this comparative example was obtained by diluting the metal layer etchant in Example 2 with water.
エッチング時間をＪＥＴに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
また、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は２２．４×１０３Ω／□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 22.4 × 10 3 Ω / □.
（比較例３）
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ３７重量％、２重量％、２７重量％および３４重量％とし、ＪＥＴを３００秒間としたこと以外は、実施例１と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例１において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、比較例２における金属層用エッチング液の硝酸の濃度を半分にすることにより得られたものである。本比較例における金属層用エッチング液の水の濃度と比較例２における金属層用エッチング液の水の濃度とは略同一になっている。
(Comparative Example 3)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 37 wt%, 2 wt%, 27 wt% and 34 wt%, respectively, and JET was 300 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. The metal layer etching solution in this comparative example was obtained by halving the nitric acid concentration of the metal layer etching solution in comparative example 2. The concentration of water in the etching solution for metal layer in this comparative example is substantially the same as the concentration of water in the etching solution for metal layer in Comparative Example 2.
エッチング時間をＪＥＴに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
また、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は２２．６×１０３Ω／□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 22.6 × 10 3 Ω / □.
（比較例４）
金属層用エッチング液に含まれるりん酸、硝酸、酢酸および水の濃度をそれぞれ３７重量％、２重量％、２７重量％および３４重量％とし、ＪＥＴを６０秒間としたこと以外は、実施例１と同様にして、試験片の金属層をエッチングにより除去した。用いられた試験片は、実施例１において用いられた試験片と同一の積層体から切り出されたものである。なお本比較例における金属層用エッチング液は、比較例２における金属層用エッチング液の酢酸の濃度を半分にすることにより得られたものである。本比較例における金属層用エッチング液のりん酸、硝酸および水の濃度は、比較例２における金属層用エッチング液のりん酸、硝酸および水の濃度よりも高くなっている。
(Comparative Example 4)
Example 1 except that the concentrations of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water contained in the metal layer etching solution were 37 wt%, 2 wt%, 27 wt% and 34 wt%, respectively, and JET was 60 seconds. In the same manner as described above, the metal layer of the test piece was removed by etching. The test piece used was cut out from the same laminate as the test piece used in Example 1. The metal layer etching solution in this comparative example was obtained by halving the concentration of acetic acid in the metal layer etching solution in comparative example 2. The concentrations of phosphoric acid, nitric acid and water in the etching solution for metal layer in this comparative example are higher than the concentrations of phosphoric acid, nitric acid and water in the etching solution for metal layer in comparative example 2.
エッチング時間をＪＥＴに設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は７．２×１０３Ω／□となっていた。
また、エッチング時間をＪＥＴ＋１分間に設定して、試験片の金属層をエッチングした。試験片に残っている透明導電層の面積抵抗率は２２．６×１０３Ω／□となっていた。
The metal layer of the test piece was etched by setting the etching time to JET. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 7.2 × 10 3 Ω / □.
Moreover, the etching time was set to JET + 1 minute, and the metal layer of the test piece was etched. The sheet resistivity of the transparent conductive layer remaining on the test piece was 22.6 × 10 3 Ω / □.
表１は、実施例１〜３および比較例１〜４における金属層用エッチング液の組成、ＪＥＴ、エッチング時間がＪＥＴの場合の透明導電層の面積抵抗率およびエッチング時間がＪＥＴ＋１分間の場合の透明導電層の面積抵抗率を示している。また表１には、エッチング時間がＪＥＴの場合の透明導電層の面積抵抗率に対する、エッチング時間がＪＥＴ＋１分間の場合の透明導電層の面積抵抗率の比率（抵抗値変化率）が併せて示されている。また、実施例１〜３および比較例１〜４における金属層用エッチング液の水の濃度に対して透明導電層の抵抗値変化率をプロットした結果を図５に示す。
表１および図５に示されているように、金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも大きくなっている場合、透明導電層の抵抗値変化率が約３００％となっていた。すなわち、金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも大きくなっている場合、ＪＥＴ＋１分間にわたって金属層をエッチングした場合の透明導電層の抵抗値は、ＪＥＴでのエッチングの場合に比べて約３倍となっていた。このことから、金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも大きくなっている場合、金属層だけでなく透明導電層も著しくエッチングされていることが分かる。 As shown in Table 1 and FIG. 5, when the concentration of water in the etching solution for metal layers is greater than 21% by weight, the resistance value change rate of the transparent conductive layer was about 300%. . That is, when the concentration of water in the etching solution for the metal layer is greater than 21% by weight, the resistance value of the transparent conductive layer when the metal layer is etched for JET + 1 minutes is compared with the case of etching with JET. It was about 3 times. From this, it can be seen that not only the metal layer but also the transparent conductive layer is etched significantly when the concentration of water in the metal layer etching solution is greater than 21% by weight.
一方、金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも小さくなっている場合、より具体的には１７重量％以下になっている場合、透明導電層の抵抗値変化率が２００％以下となっていた。すなわち、金属層用エッチング液における水の濃度が１７重量％以下になっている場合、ＪＥＴ＋１分間にわたって金属層をエッチングした場合の透明導電層の抵抗値は、ＪＥＴでのエッチングの場合に比べて２倍以下となっていた。このことから、金属層用エッチング液における水の濃度を２１重量％よりも小さくすることにより、より好ましくは１７重量％以下にすることにより、金属層と同時に透明導電層がエッチングされるのを抑制することができると言える。 On the other hand, when the concentration of water in the etching solution for metal layer is smaller than 21% by weight, more specifically, when the concentration is 17% by weight or less, the resistance value change rate of the transparent conductive layer is 200% or less. It was. That is, when the concentration of water in the metal layer etching solution is 17% by weight or less, the resistance value of the transparent conductive layer when the metal layer is etched for JET + 1 minutes is 2 as compared with the case of etching with JET. It was less than twice. From this, it is possible to suppress etching of the transparent conductive layer simultaneously with the metal layer by reducing the concentration of water in the etching solution for the metal layer to less than 21% by weight, more preferably to 17% by weight or less. I can say that.
１０ タッチパネルセンサ
１１ 基板
１１ａ 基板の一面
１１ｂ 基板の他面
１３ 第１透明導電体
１３ａ 第１電極単位
１３ｂ 第１接続部
１４ 第１取出導電体
１５ 第２透明導電体
１５ａ 第２電極単位
１５ｂ 第２接続部
１６ 第２取出導電体
１７ 第１端子部
１８ 第２端子部
１９ 絶縁層
２０ 積層体
２１ 第１透明導電層
２２ 第１金属層
２３ 第１感光層
２３ａ 開口部
２６ 第２透明導電層
２７ 第２金属層
DESCRIPTION OF
Claims (11)
基板と、基板上に設けられた透明導電層および金属層と、を含む積層体を準備する工程と、
前記透明導電層および金属層をパターニングして、前記透明導電体および前記取出導電体を形成するパターニング工程と、を備え、
前記パターニング工程は、前記積層体の前記金属層を、金属層用エッチング液を用いて所定パターンで選択的にエッチングする工程を含み、
前記金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、
前記金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも小さくなっていることを特徴とするタッチパネルセンサ製造方法。 A touch panel sensor having a substrate, a transparent conductor provided in a predetermined pattern on the substrate, and a takeout conductor provided in a predetermined pattern on the substrate and electrically connected to the transparent conductor is manufactured. In the touch panel sensor manufacturing method,
Preparing a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate;
Patterning the transparent conductive layer and the metal layer to form the transparent conductor and the extraction conductor, and
The patterning step includes a step of selectively etching the metal layer of the stacked body in a predetermined pattern using a metal layer etchant,
The metal layer etching solution includes water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid,
The method for producing a touch panel sensor, wherein the concentration of water in the metal layer etching solution is less than 21% by weight.
焼きなましにおける前記所定温度および前記所定時間は、前記基板の耐熱特性に応じて設定されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のタッチパネルセンサ製造方法。 The transparent conductive layer of the laminate is formed by first depositing the material of the transparent conductive layer on the substrate, and then annealing the formed material of the transparent conductive layer at a predetermined temperature for a predetermined time. Formed by
The touch panel sensor manufacturing method according to claim 1, wherein the predetermined temperature and the predetermined time in annealing are set according to heat resistance characteristics of the substrate.
前記積層体の前記透明導電層は、はじめに、前記基板上に前記透明導電層の材料を成膜し、次に、成膜された前記透明導電層の材料を１５０〜１８０℃で所定時間だけ焼きなますことにより形成されることを特徴とする請求項５に記載のタッチパネルセンサ製造方法。 The substrate comprises a PET film;
The transparent conductive layer of the laminate is first formed by forming a material of the transparent conductive layer on the substrate, and then baking the formed material of the transparent conductive layer at 150 to 180 ° C. for a predetermined time. The touch panel sensor manufacturing method according to claim 5, wherein the touch panel sensor is formed by soldering.
前記パターニング工程は、
前記透明導電層上の前記金属層をパターニングする工程と、
前記透明導電層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記金属層の一部分上に感光層を設ける工程と、
前記感光層をマスクとして、前記金属層を、前記金属層用エッチング液を用いて選択的にエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のタッチパネルセンサ製造方法。 The metal layer of the laminate is provided on the transparent conductive layer,
The patterning step includes
Patterning the metal layer on the transparent conductive layer;
Patterning the transparent conductive layer;
Providing a photosensitive layer on a portion of the patterned metal layer;
The touch panel sensor manufacturing according to claim 1, further comprising a step of selectively etching the metal layer using the metal layer etching solution using the photosensitive layer as a mask. Method.
前記金属層を選択的にエッチングする金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含み、
前記金属層用エッチング液における水の濃度が２１重量％よりも小さくなっていることを特徴とするエッチング方法。 In an etching method for selectively etching the metal layer in a laminate including a substrate and a transparent conductive layer and a metal layer provided on the substrate,
The metal layer etching solution for selectively etching the metal layer includes water, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid,
An etching method, wherein a concentration of water in the metal layer etching solution is less than 21% by weight.
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