JP5778816B1 - Solar power system - Google Patents
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Abstract
【課題】太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるようにする。【解決手段】太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル101と、入射側と反対側の第1太陽電池セル101の上に積層された第2太陽電池セル102とを備える。第1太陽電池セル101は、第1半導体から構成され、第2太陽電池セル102は、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成されている。例えば、第1半導体はシリコンであり、第2半導体は窒化物半導体である。また、第2太陽電池セル102は、第1太陽電池セル101より小さい面積とされている。加えて、第2太陽電池セル102の周囲の第1太陽電池セル101を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。【選択図】 図1An object of the present invention is to enable power generation without wasting solar energy. SOLUTION: A first solar cell 101 disposed on an incident side on which sunlight 111 from the sun 110 is incident, and a second solar cell stacked on the first solar cell 101 opposite to the incident side. Cell 102. The first solar cell 101 is composed of a first semiconductor, and the second solar cell 102 is composed of a second semiconductor having a larger band gap energy than the first semiconductor. For example, the first semiconductor is silicon and the second semiconductor is a nitride semiconductor. The second solar battery cell 102 has a smaller area than the first solar battery cell 101. In addition, a solar thermal power generation unit 103 that generates power by the heat of sunlight 112 that has passed through the first solar cells 101 around the second solar cells 102 is provided. [Selection] Figure 1
Description
本発明は、複数の太陽電池セルを接合したタンデム型の太陽電池を含めた太陽光発電システムに関する。 The present invention relates to a photovoltaic power generation system including a tandem solar cell in which a plurality of solar cells are joined.
GaNをはじめとした窒化物半導体は、III族元素の混合比を変えることで0.7〜6.2eVという広範な範囲のエネルギーギャップを有する材料を得ることができる。このバンドギャップ範囲は、可視光の領域を完全に含んでいる。こうした特徴を生かし、窒化物半導体は、LED(Light Emitting Diode)などに応用され、信号機や様々なディスプレイとして広く一般に使われている。 For nitride semiconductors such as GaN, materials having an energy gap in a wide range of 0.7 to 6.2 eV can be obtained by changing the mixing ratio of group III elements. This band gap range completely includes the visible light region. Taking advantage of these features, nitride semiconductors are applied to LEDs (Light Emitting Diodes) and the like, and are widely used as traffic lights and various displays.
また、窒化物半導体のエネルギーギャップ範囲は、太陽光のスペクトルをほぼ網羅しているため、発電効率の高い太陽電池を実現しうる材料として注目されている。例えば、単結晶シリコン系の太陽電池セルとInGaNで構成した太陽電池セルとのタンデム化により、31%の発電効率が見込めるとの予測がされている(非特許文献1参照)。また、この予測では、単結晶シリコン系太陽電池セルに2つのInGaN太陽電池セルを組み合わせた3接合セルにおいて、InGaNのエネルギーギャップを適切に選ぶことで、35%の発電効率が見込めるとされている。 In addition, since the energy gap range of nitride semiconductors almost covers the spectrum of sunlight, it attracts attention as a material that can realize a solar cell with high power generation efficiency. For example, it is predicted that power generation efficiency of 31% can be expected by tandemization of a single crystal silicon solar cell and a solar cell composed of InGaN (see Non-Patent Document 1). In addition, in this prediction, it is said that a power generation efficiency of 35% can be expected by appropriately selecting the energy gap of InGaN in a three-junction cell in which two InGaN solar cells are combined with a single crystal silicon solar cell. .
また、実際に、シリコンセルと窒化物半導体セルの多接合太陽電池を作製する試みも報告されている(非特許文献2参照)。 In addition, an attempt to actually manufacture a multi-junction solar cell composed of a silicon cell and a nitride semiconductor cell has also been reported (see Non-Patent Document 2).
このように、窒化物半導体は、超高効率太陽電池の実現に対する高いポテンシャルを有しており、窒化物半導体を用いた太陽電池の開発が、国内外で進められている。 Thus, nitride semiconductors have a high potential for realizing ultra-high efficiency solar cells, and development of solar cells using nitride semiconductors is underway in Japan and overseas.
上述した、高効率な多接合太陽電池を作製するのに重要となるのは、「電流整合」という概念である。通常の多接合太陽電池においては、接合される各々の太陽電池セルは、直列に接続されている。従って、多接合太陽電池として取り出せる電流は、各太陽電池セルで発生する電流のうちの、最も低い電流値で律速されてしまう。従って、各太陽電池セルにおいて発生する電流を等しくするように構造が設計される。このように、各太陽電池で発生する電流を等しくすることを電流整合といい、高効率な多接合太陽電池を実現する上で必要となる条件である。 What is important for producing the above-described highly efficient multi-junction solar cell is the concept of “current matching”. In an ordinary multi-junction solar cell, each solar cell to be joined is connected in series. Therefore, the current that can be taken out as a multi-junction solar cell is limited by the lowest current value among the currents generated in each solar battery cell. Therefore, the structure is designed to equalize the current generated in each solar battery cell. Thus, equalizing the current generated in each solar cell is called current matching, and is a condition necessary for realizing a highly efficient multijunction solar cell.
ところが、窒化物半導体太陽電池セルとシリコン太陽電池セルからなる多接合太陽電池を作製しようとした場合、電流整合を取りにくいという現状がある。シリコン太陽電池では、一般に市販されている発電効率15%前後のもので30mA/cm2程度の短絡電流である。これに対し、現状で実現されている窒化物半導体太陽電池のうち最大の発電効率が得られているものであっても、短絡電流はたかだか3mA/cm2弱と、シリコン太陽電池の1/10以下でしかない。 However, when a multi-junction solar cell composed of nitride semiconductor solar cells and silicon solar cells is to be manufactured, there is a current situation that it is difficult to achieve current matching. The silicon solar cell has a power generation efficiency of about 15% that is generally marketed and has a short-circuit current of about 30 mA / cm 2 . On the other hand, even if the maximum power generation efficiency is obtained among the nitride semiconductor solar cells realized at present, the short-circuit current is at most 3 mA / cm 2 , which is 1/10 that of silicon solar cells. Only below.
このように短絡電流が小さくなってしまう要因は、次に示すことがある。 The factors that cause the short circuit current to be reduced in this way are as follows.
第1に、ある程度良質な窒化物半導体InGaN結晶を得るためには、比較的In組成の少ない範囲(典型的には20%以下)のInGaNとすることになる。この組成では、InGaNの禁制帯エネルギーは、2.5eVを越える大きい値となる。従って、上記組成のInGaNを用いた太陽電池では、太陽光エネルギーのうち発電に寄与できるのは、フォトンエネルギーとして2.5eV以上のエネルギー範囲の光となる。これは、全太陽光エネルギーのうちの、たかだか18%に過ぎず、その分だけ電流が少なくなる。これに対し、シリコンの場合、太陽光エネルギーのうち64%弱が発電に寄与する。 First, in order to obtain a nitride semiconductor InGaN crystal having a certain level of quality, it is necessary to use InGaN with a relatively low In composition (typically 20% or less). In this composition, the forbidden band energy of InGaN becomes a large value exceeding 2.5 eV. Therefore, in the solar cell using InGaN having the above composition, light in the energy range of 2.5 eV or more as photon energy can contribute to power generation among the solar energy. This is only 18% of the total solar energy, and the current decreases accordingly. On the other hand, in the case of silicon, a little less than 64% of solar energy contributes to power generation.
第2に、ある程度良質なInGaNであるとはいえ、シリコンに比べると結晶品質は格段に劣っている。InGaNの結晶内には、高密度に転位や点欠陥などの結晶欠陥が存在している。このため、光吸収により生成したキャリア(電子および正孔)は、結晶欠陥を介して再結合してしまう。この結果、上述した窒化物半導体による太陽電池では、理論上取り出せるはずの値よりも大幅に少ない電流値しか取り出せない。 Second, although it is a somewhat good quality InGaN, the crystal quality is much inferior to silicon. In InGaN crystals, crystal defects such as dislocations and point defects exist at high density. For this reason, carriers (electrons and holes) generated by light absorption are recombined through crystal defects. As a result, the above-described solar cell made of a nitride semiconductor can extract only a current value significantly smaller than a value that should theoretically be extracted.
上述したように、窒化物半導体太陽電池セルとシリコン太陽電池セルからなる多接合太陽電池は、電流整合を取りにくい状況にあり、無理に整合させようとした場合、電流値の小さい窒化物太陽電池に合わせる必要があることから、非常に小さい電流値に設定せざるを得ず、多接合太陽電池におけるシリコン太陽電池の特性を活かせず、太陽光エネルギーを無駄にしているという問題があった。また、電流整合に関する上述した第1の問題については、窒化物半導体とシリコンとによる組み合わせに限らず、異なるバンドギャップエネルギーの半導体による多接合太陽電池に関して同様に発生する。 As described above, multi-junction solar cells composed of nitride semiconductor solar cells and silicon solar cells are in a situation where it is difficult to achieve current matching, and nitride solar cells having a small current value when forced to match. Therefore, there is a problem that the energy value of the silicon solar cell in the multi-junction solar cell cannot be utilized and the solar energy is wasted. The first problem related to current matching is not limited to the combination of a nitride semiconductor and silicon, but similarly occurs for multijunction solar cells using semiconductors with different band gap energies.
上述した電流整合に関する問題に対し、窒化物半導体太陽電池セルの面積をシリコン太陽電池セルの面積より大きくすれば、より大きな電流値が得られる状態で電流整合を取ることが可能となる。しかしながら、この構成においては、シリコン太陽電池セルより外側の窒化物半導体太陽電池セルを透過した光は、シリコン太陽電池セルにおける発電に寄与しないため、やはり、太陽光のエネルギーを無駄にしている状態となる。 If the area of the nitride semiconductor solar battery cell is made larger than the area of the silicon solar battery cell with respect to the problem related to the current matching described above, current matching can be achieved in a state where a larger current value can be obtained. However, in this configuration, the light transmitted through the nitride semiconductor solar cells outside the silicon solar cells does not contribute to power generation in the silicon solar cells, so that the energy of sunlight is still wasted. Become.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to enable power generation without wasting solar energy much.
本発明に係る太陽光発電システムは、第1半導体から構成されて太陽光が入射する入射側に配置された第1太陽電池セルと、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成され、入射側と反対側の第1太陽電池セルの上に積層されて第1太陽電池セルより小さい面積とされた第2太陽電池セルと、第2太陽電池セルの周囲の第1太陽電池セルを透過した太陽光の熱により発電する太陽熱発電部とを備える。 Solar power generation system according to the present invention includes a first solar cell is composed of a first semiconductor and sunlight is arranged on the incident side of the incident, composed of second semiconductor not the size of the first semiconductor than the band gap energy A second solar cell stacked on the first solar cell opposite to the incident side and having a smaller area than the first solar cell, and a first solar cell around the second solar cell And a solar thermal power generation unit that generates power by the heat of sunlight that has passed through the solar power.
上記太陽光発電システムにおいて、第2太陽電池セルの周囲の第1太陽電池セルを透過した太陽光を集光する集光手段を備え、集光手段により集光された太陽光の熱により太陽熱発電部の発電が行われるようにすればよい。なお、集光手段は、凸レンズであればよい。また、集光手段は、凹面鏡であってもよい。 The solar power generation system includes a condensing unit that condenses sunlight transmitted through the first solar cells around the second solar cell, and solar thermal power generation by the heat of the sunlight collected by the condensing unit The power generation of the part may be performed. The condensing means may be a convex lens. Further, the condensing means may be a concave mirror.
上記太陽光発電システムにおいて、 第1太陽電池セルに入射する太陽光を集光する集光手段を備え、集光手段により集光された太陽光が、第1太陽電池セルに入射するようにしてもよい。なお、集光手段は、フレネルレンズであればよい。 In the solar power generation system, the solar power generation system includes a condensing unit that condenses sunlight incident on the first solar cell, and the sunlight condensed by the condensing unit is incident on the first solar cell. Also good. Note that the light collecting means may be a Fresnel lens.
以上説明したことにより、本発明によれば、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, an excellent effect that power can be generated without wasting solar energy much is obtained.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
[Embodiment 1]
First, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a configuration diagram showing the configuration of the photovoltaic power generation system according to Embodiment 1 of the present invention.
この太陽光発電システムは、太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル101と、入射側と反対側の第1太陽電池セル101の上に積層された第2太陽電池セル102とを備える。第1太陽電池セル101は、第1半導体から構成され、第2太陽電池セル102は、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成されている。例えば、第1半導体はシリコンであり、第2半導体は窒化物半導体である。また、第2太陽電池セル102は、第1太陽電池セル101より小さい面積とされている。
This solar power generation system includes a first
第1太陽電池セル101は、例えば、p型シリコン層およびこのp型シリコン層上に形成されたn型シリコン受光層を備える。p型シリコン層側の表面が、太陽光111が入射する入射側となる。また、第2太陽電池セル102は、n型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるn型窒化物受光層、およびp型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるp型窒化物受光層を備える。これらは、例えば、窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成できる。n型窒化物受光層の側が、第1太陽電池セル101の側となる。
The first
加えて、実施の形態1における太陽光発電システムは、第2太陽電池セル102の周囲の第1太陽電池セル101を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。また、実施の形態1では、第1太陽電池セル101を透過した太陽光112を集光する凸レンズ(集光手段)104を備え、集光された太陽光の熱により太陽熱発電部103の発電が行われる。太陽光発電部103は、太陽熱発電用水層131,タービン132,発電機133を備える。
In addition, the solar power generation system according to Embodiment 1 includes a solar thermal
実施の形態1における太陽光発電システムによれば、第1太陽電池セル101の中心付近に入射した太陽光111は、第1太陽電池セル101で短波長側の光を吸収し、第2太陽電池セル102で長波長側の光を吸収することで電力を取り出す。ここで、上述したように、第1太陽電池セル101を第2太陽電池セル102に対して適宜に大きな面積とすることにより、各々のセルで発生する電流量が等しい状態とすることができ、電流整合条件を満たすことができる。
According to the solar power generation system in the first embodiment, the
次に、第2太陽電池セル102より周囲の領域に入射した太陽光は、第1太陽電池セル101で短波長側の光のみ吸収されて透過する。第2太陽電池セル102より周囲の第1太陽電池セル101を通過した長波長側の太陽光112は、凸レンズ104により集光され、太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱する。加熱された水は、高温・高圧の水蒸気となり、タービン132を回転させる。このように動作するタービン132を動力源として発電機133が動作し、発電される。このように、第2太陽電池セル102より周囲の第1太陽電池セル101を通過した太陽光112は、太陽熱発電用のエネルギーとして利用される。
Next, sunlight that has entered the surrounding area from the second
以上に説明したように、実施の形態1によれば、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく電力が取り出せるようになる。 As described above, according to Embodiment 1, electric power can be taken out without wasting solar energy much.
ところで、上述では、2つの太陽電池セルによる2接合太陽電池を用いるようにしたが、これに限るものではない。例えば、第1太陽電池セルをInGaPから構成し、第2太陽電池セルをGeから構成し、これに加え、第1太陽電池セルと第2太陽電池セルとの間にInGaAsから構成した第3太陽電池セルを配置した3接合太陽電池を用いるようにしてもよい(非特許文献4参照)。 By the way, in the above description, a two-junction solar cell including two solar cells is used. However, the present invention is not limited to this. For example, the first solar cell is made of InGaP, the second solar cell is made of Ge, and in addition, the third solar cell made of InGaAs between the first solar cell and the second solar cell. You may make it use the 3 junction solar cell which has arrange | positioned the battery cell (refer nonpatent literature 4).
この構成では、第1太陽電池セル,第3太陽電池セルが、ほぼ同じ量の電流を発生し、これらより第2太陽電池セルの発生電流量が多くなる。従って、第1太陽電池セル,第3太陽電池セルを同一の面積とし、これらより第2太陽電池セルを小さい面積とし、両者の間の電流量が等しくなる状態とすればよい。この場合においても、第2太陽電池セルより周囲の第1太陽電池セルおよび第3太陽電池セルを通過した長波長側の太陽光を用い、上述同様に太陽熱発電を実施すれば、さらに太陽光エネルギー利用効率を高めることが可能となる。 In this configuration, the first solar cell and the third solar cell generate substantially the same amount of current, and the generated current amount of the second solar cell is larger than these. Therefore, the first solar cell and the third solar cell may have the same area, the second solar cell may have a smaller area, and the amount of current between them may be equal. Even in this case, if solar power generation is performed in the same manner as described above using sunlight on the long wavelength side that has passed through the first and third solar cells surrounding the second solar cell, further solar energy is obtained. It is possible to increase the use efficiency.
[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態2における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
[Embodiment 2]
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of the photovoltaic power generation system according to Embodiment 2 of the present invention.
この太陽光発電システムは、太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル101と、入射側と反対の第1太陽電池セル101の上に積層された第2太陽電池セル102とを備える。これらの構成は、前述した実施の形態1と同様である。
This solar power generation system includes a first
また、実施の形態2における太陽光発電システムにおいても、第2太陽電池セル102の周囲の第1太陽電池セル101を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。太陽熱発電部103も、前述した実施の形態1と同様であり、太陽熱発電用水層131,タービン132,発電機133を備える。
The solar power generation system according to the second embodiment also includes a solar thermal
実施の形態2では、第1太陽電池セル101を透過した太陽光112を集光する凹面鏡(集光手段)204を備える。実施の形態2では、凹面鏡204により太陽光112を集光し、太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱する。他の構成は、前述した実施の形態1と同様である。
In Embodiment 2, the concave mirror (condensing means) 204 which condenses the
以上に説明した実施の形態2においても、前述した実施の形態1と同様に、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく電力が取り出せるようになる。 In the second embodiment described above, similarly to the first embodiment described above, electric power can be taken out without wasting solar energy much.
[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態3における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
[Embodiment 3]
Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a configuration diagram showing the configuration of the photovoltaic power generation system according to Embodiment 3 of the present invention.
この太陽光発電システムは、太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル301と、入射側と反対側の第1太陽電池セル301の上に積層された第2太陽電池セル302とを備える。第1太陽電池セル301は、第1半導体から構成され、第2太陽電池セル302は、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成されている。例えば、第1半導体はシリコンであり、第2半導体は窒化物半導体である。また、第2太陽電池セル302は、第1太陽電池セル301より小さい面積とされている。
This solar power generation system includes a first
第1太陽電池セル301は、例えば、p型シリコン層およびこのp型シリコン層上に形成されたn型シリコン受光層を備える。p型シリコン層側の表面が、太陽光111が入射する入射側となる。また、第2太陽電池セル302は、n型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるn型窒化物受光層、およびp型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるp型窒化物受光層を備える。これらは、例えば、窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成できる。n型窒化物受光層の側が、第1太陽電池セル301の側となる。
The first
また、実施の形態3における太陽光発電システムは、第2太陽電池セル302の周囲の第1太陽電池セル301を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。また、実施の形態3では、太陽光111を集光するフレネルレンズ(集光手段)304と、フレネルレンズ304で集光した集光光312を均一光とするホモジナイザー305とを備える。フレネルレンズ304は、光の終車側に凸の形状とされている。また、集光光312は、ホモジナイザー305により光パワーの分布が均一化され、第1太陽電池セル301に入射する。
The solar power generation system according to Embodiment 3 includes a solar thermal
実施の形態3では、上述したように、集光光312が第1太陽電池セル301に入射し、第2太陽電池セル302の周囲の第1太陽電池セル301を透過した太陽光314の熱により太陽熱発電部103の発電が行われる。太陽光発電部103は、前述した実施の形態1,2と同様であり、太陽熱発電用水層131,タービン132,発電機133を備える。
In the third embodiment, as described above, the
実施の形態3における太陽光発電システムによれば、フレネルレンズ304で集光され、ホモジナイザー305により均一光とされ、第1太陽電池セル301の中心付近に入射した太陽光313は、第1太陽電池セル301で短波長側の光を吸収し、第2太陽電池セル302で長波長側の光を吸収することで電力を取り出す。ここで、実施の形態1と同様に、第1太陽電池セル301を第2太陽電池セル302に対して適宜に大きな面積とすることにより、各々のセルで発生する電流量が等しい状態とすることができ、電流整合条件を満たすことができる。
According to the solar power generation system in the third embodiment, the
次に、第2太陽電池セル302より周囲の領域に入射した太陽光313は、第1太陽電池セル301で短波長側の光のみ吸収されて透過する。第2太陽電池セル302より周囲の第1太陽電池セル301を通過した長波長側の太陽光314は、太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱する。加熱された水は、高温・高圧の水蒸気となり、タービン132を回転させる。このように動作するタービン132を動力源として発電機133が動作し、発電される。このように、第2太陽電池セル302より周囲の第1太陽電池セル301を通過した太陽光314は、太陽熱発電用のエネルギーとして利用される。
Next, the
以上に説明したように、実施の形態3によれば、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく電力が取り出せるようになる。 As described above, according to Embodiment 3, electric power can be taken out without wasting solar energy much.
ところで、第1太陽電池セル301および第2太陽電池セル302による多接合太陽電池を、複数個用いるようにしてもよい。図4に示すように、フレネルレンズ304,ホモジナイザー305,第1太陽電池セル301,第2太陽電池セル302からなる組を複数設け、複数の組の太陽光314を凹面鏡204で集光し、集光した集光光315により太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱することで、太陽熱発電部103の発電を実施するようにしてもよい。
Incidentally, a plurality of multi-junction solar cells including the first
以上に説明したように、本発明によれば、より小さい面積の第2太陽電池セルの周囲の第1太陽電池セルを透過した太陽光の熱により太陽熱発電部で発電するようにしたので、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるようになる。 As described above, according to the present invention, the solar thermal power generation unit generates power with the heat of sunlight transmitted through the first solar cells around the second solar cells having a smaller area. It will be possible to generate electricity without wasting light energy too much.
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and many modifications and combinations can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.
101…第1太陽電池セル、102…第2太陽電池セル、103…太陽熱発電部、104…凸レンズ(集光手段)、110…太陽、111,112…太陽光、131…太陽熱発電用水層、132…タービン、133…発電機。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成され、入射側と反対側の前記第1太陽電池セルの上に積層されて前記第1太陽電池セルより小さい面積とされた第2太陽電池セルと、
前記第2太陽電池セルの周囲の前記第1太陽電池セルを透過した太陽光の熱により発電する太陽熱発電部と
を備えることを特徴とする太陽光発電システム。 A first solar cell that is composed of a first semiconductor and disposed on an incident side on which sunlight is incident;
The configured from the second semiconductor has a size of the first semiconductor than the band gap energy, a second which is a smaller area than the first solar cell is laminated on the first solar cell opposite to the incident side Solar cells,
A solar thermal power generation system comprising: a solar thermal power generation unit that generates power by the heat of sunlight transmitted through the first solar battery cell around the second solar battery cell.
前記第2太陽電池セルの周囲の前記第1太陽電池セルを透過した太陽光を集光する集光手段を備え、
前記集光手段により集光された太陽光の熱により前記太陽熱発電部の発電が行われる
ことを特徴とする太陽光発電システム。 The solar power generation system according to claim 1,
Condensing means for condensing sunlight transmitted through the first solar cells around the second solar cells,
The solar power generation system is characterized in that the solar thermal power generation unit generates electric power by the heat of sunlight condensed by the light collecting means.
前記集光手段は、凸レンズであることを特徴とする太陽光発電システム。 The solar power generation system according to claim 2,
The condensing means is a convex lens.
前記集光手段は、凹面鏡であることを特徴とする太陽光発電システム。 The solar power generation system according to claim 2,
The condensing means is a concave mirror.
前記第1太陽電池セルに入射する太陽光を集光する集光手段を備え、
前記集光手段により集光された太陽光が、前記第1太陽電池セルに入射する
ことを特徴とする太陽光発電システム。 The solar power generation system according to claim 1,
Condensing means for concentrating sunlight incident on the first solar cell,
Sunlight condensed by the condensing means is incident on the first solar cell.
前記集光手段は、フレネルレンズであることを特徴とする太陽光発電システム。 The solar power generation system according to claim 5,
The condensing means is a Fresnel lens.
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