JP5778816B1 - 太陽光発電システム - Google Patents
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Abstract
【課題】太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるようにする。【解決手段】太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル101と、入射側と反対側の第1太陽電池セル101の上に積層された第2太陽電池セル102とを備える。第1太陽電池セル101は、第1半導体から構成され、第2太陽電池セル102は、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成されている。例えば、第1半導体はシリコンであり、第2半導体は窒化物半導体である。また、第2太陽電池セル102は、第1太陽電池セル101より小さい面積とされている。加えて、第2太陽電池セル102の周囲の第1太陽電池セル101を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。【選択図】 図1
Description
本発明は、複数の太陽電池セルを接合したタンデム型の太陽電池を含めた太陽光発電システムに関する。
GaNをはじめとした窒化物半導体は、III族元素の混合比を変えることで0.7〜6.2eVという広範な範囲のエネルギーギャップを有する材料を得ることができる。このバンドギャップ範囲は、可視光の領域を完全に含んでいる。こうした特徴を生かし、窒化物半導体は、LED(Light Emitting Diode)などに応用され、信号機や様々なディスプレイとして広く一般に使われている。
また、窒化物半導体のエネルギーギャップ範囲は、太陽光のスペクトルをほぼ網羅しているため、発電効率の高い太陽電池を実現しうる材料として注目されている。例えば、単結晶シリコン系の太陽電池セルとInGaNで構成した太陽電池セルとのタンデム化により、31%の発電効率が見込めるとの予測がされている(非特許文献1参照)。また、この予測では、単結晶シリコン系太陽電池セルに2つのInGaN太陽電池セルを組み合わせた3接合セルにおいて、InGaNのエネルギーギャップを適切に選ぶことで、35%の発電効率が見込めるとされている。
また、実際に、シリコンセルと窒化物半導体セルの多接合太陽電池を作製する試みも報告されている(非特許文献2参照)。
このように、窒化物半導体は、超高効率太陽電池の実現に対する高いポテンシャルを有しており、窒化物半導体を用いた太陽電池の開発が、国内外で進められている。
上述した、高効率な多接合太陽電池を作製するのに重要となるのは、「電流整合」という概念である。通常の多接合太陽電池においては、接合される各々の太陽電池セルは、直列に接続されている。従って、多接合太陽電池として取り出せる電流は、各太陽電池セルで発生する電流のうちの、最も低い電流値で律速されてしまう。従って、各太陽電池セルにおいて発生する電流を等しくするように構造が設計される。このように、各太陽電池で発生する電流を等しくすることを電流整合といい、高効率な多接合太陽電池を実現する上で必要となる条件である。
ところが、窒化物半導体太陽電池セルとシリコン太陽電池セルからなる多接合太陽電池を作製しようとした場合、電流整合を取りにくいという現状がある。シリコン太陽電池では、一般に市販されている発電効率15%前後のもので30mA/cm2程度の短絡電流である。これに対し、現状で実現されている窒化物半導体太陽電池のうち最大の発電効率が得られているものであっても、短絡電流はたかだか3mA/cm2弱と、シリコン太陽電池の1/10以下でしかない。
このように短絡電流が小さくなってしまう要因は、次に示すことがある。
第1に、ある程度良質な窒化物半導体InGaN結晶を得るためには、比較的In組成の少ない範囲(典型的には20%以下)のInGaNとすることになる。この組成では、InGaNの禁制帯エネルギーは、2.5eVを越える大きい値となる。従って、上記組成のInGaNを用いた太陽電池では、太陽光エネルギーのうち発電に寄与できるのは、フォトンエネルギーとして2.5eV以上のエネルギー範囲の光となる。これは、全太陽光エネルギーのうちの、たかだか18%に過ぎず、その分だけ電流が少なくなる。これに対し、シリコンの場合、太陽光エネルギーのうち64%弱が発電に寄与する。
第2に、ある程度良質なInGaNであるとはいえ、シリコンに比べると結晶品質は格段に劣っている。InGaNの結晶内には、高密度に転位や点欠陥などの結晶欠陥が存在している。このため、光吸収により生成したキャリア(電子および正孔)は、結晶欠陥を介して再結合してしまう。この結果、上述した窒化物半導体による太陽電池では、理論上取り出せるはずの値よりも大幅に少ない電流値しか取り出せない。
L. Hsu et al. , "Modeling of InGaN/Si tandem solar cells", Journal of Applied Physics, vol.104, 024507, 2008.
L. A. Reichertz et al. , "Demonstration of a III.Nitride/Silicon Tandem Solar Cell",Applied Physics Express, vol.2, 122202, 2009.
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M.A.Stan et al. , "27.5% EFFICIENCY InGaP/InGaAs/Ge ADVANCED TRIPLE JUNCTION(ATJ) SPACE SOLAR FOR HIGH VOLUME MANUFACTURING",Proc. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, USA, pp.816-819, 2002.1060-8371
上述したように、窒化物半導体太陽電池セルとシリコン太陽電池セルからなる多接合太陽電池は、電流整合を取りにくい状況にあり、無理に整合させようとした場合、電流値の小さい窒化物太陽電池に合わせる必要があることから、非常に小さい電流値に設定せざるを得ず、多接合太陽電池におけるシリコン太陽電池の特性を活かせず、太陽光エネルギーを無駄にしているという問題があった。また、電流整合に関する上述した第1の問題については、窒化物半導体とシリコンとによる組み合わせに限らず、異なるバンドギャップエネルギーの半導体による多接合太陽電池に関して同様に発生する。
上述した電流整合に関する問題に対し、窒化物半導体太陽電池セルの面積をシリコン太陽電池セルの面積より大きくすれば、より大きな電流値が得られる状態で電流整合を取ることが可能となる。しかしながら、この構成においては、シリコン太陽電池セルより外側の窒化物半導体太陽電池セルを透過した光は、シリコン太陽電池セルにおける発電に寄与しないため、やはり、太陽光のエネルギーを無駄にしている状態となる。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるようにすることを目的とする。
本発明に係る太陽光発電システムは、第1半導体から構成されて太陽光が入射する入射側に配置された第1太陽電池セルと、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成され、入射側と反対側の第1太陽電池セルの上に積層されて第1太陽電池セルより小さい面積とされた第2太陽電池セルと、第2太陽電池セルの周囲の第1太陽電池セルを透過した太陽光の熱により発電する太陽熱発電部とを備える。
上記太陽光発電システムにおいて、第2太陽電池セルの周囲の第1太陽電池セルを透過した太陽光を集光する集光手段を備え、集光手段により集光された太陽光の熱により太陽熱発電部の発電が行われるようにすればよい。なお、集光手段は、凸レンズであればよい。また、集光手段は、凹面鏡であってもよい。
上記太陽光発電システムにおいて、 第1太陽電池セルに入射する太陽光を集光する集光手段を備え、集光手段により集光された太陽光が、第1太陽電池セルに入射するようにしてもよい。なお、集光手段は、フレネルレンズであればよい。
以上説明したことにより、本発明によれば、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
この太陽光発電システムは、太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル101と、入射側と反対側の第1太陽電池セル101の上に積層された第2太陽電池セル102とを備える。第1太陽電池セル101は、第1半導体から構成され、第2太陽電池セル102は、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成されている。例えば、第1半導体はシリコンであり、第2半導体は窒化物半導体である。また、第2太陽電池セル102は、第1太陽電池セル101より小さい面積とされている。
第1太陽電池セル101は、例えば、p型シリコン層およびこのp型シリコン層上に形成されたn型シリコン受光層を備える。p型シリコン層側の表面が、太陽光111が入射する入射側となる。また、第2太陽電池セル102は、n型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるn型窒化物受光層、およびp型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるp型窒化物受光層を備える。これらは、例えば、窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成できる。n型窒化物受光層の側が、第1太陽電池セル101の側となる。
加えて、実施の形態1における太陽光発電システムは、第2太陽電池セル102の周囲の第1太陽電池セル101を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。また、実施の形態1では、第1太陽電池セル101を透過した太陽光112を集光する凸レンズ(集光手段)104を備え、集光された太陽光の熱により太陽熱発電部103の発電が行われる。太陽光発電部103は、太陽熱発電用水層131,タービン132,発電機133を備える。
実施の形態1における太陽光発電システムによれば、第1太陽電池セル101の中心付近に入射した太陽光111は、第1太陽電池セル101で短波長側の光を吸収し、第2太陽電池セル102で長波長側の光を吸収することで電力を取り出す。ここで、上述したように、第1太陽電池セル101を第2太陽電池セル102に対して適宜に大きな面積とすることにより、各々のセルで発生する電流量が等しい状態とすることができ、電流整合条件を満たすことができる。
次に、第2太陽電池セル102より周囲の領域に入射した太陽光は、第1太陽電池セル101で短波長側の光のみ吸収されて透過する。第2太陽電池セル102より周囲の第1太陽電池セル101を通過した長波長側の太陽光112は、凸レンズ104により集光され、太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱する。加熱された水は、高温・高圧の水蒸気となり、タービン132を回転させる。このように動作するタービン132を動力源として発電機133が動作し、発電される。このように、第2太陽電池セル102より周囲の第1太陽電池セル101を通過した太陽光112は、太陽熱発電用のエネルギーとして利用される。
以上に説明したように、実施の形態1によれば、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく電力が取り出せるようになる。
ところで、上述では、2つの太陽電池セルによる2接合太陽電池を用いるようにしたが、これに限るものではない。例えば、第1太陽電池セルをInGaPから構成し、第2太陽電池セルをGeから構成し、これに加え、第1太陽電池セルと第2太陽電池セルとの間にInGaAsから構成した第3太陽電池セルを配置した3接合太陽電池を用いるようにしてもよい(非特許文献4参照)。
この構成では、第1太陽電池セル,第3太陽電池セルが、ほぼ同じ量の電流を発生し、これらより第2太陽電池セルの発生電流量が多くなる。従って、第1太陽電池セル,第3太陽電池セルを同一の面積とし、これらより第2太陽電池セルを小さい面積とし、両者の間の電流量が等しくなる状態とすればよい。この場合においても、第2太陽電池セルより周囲の第1太陽電池セルおよび第3太陽電池セルを通過した長波長側の太陽光を用い、上述同様に太陽熱発電を実施すれば、さらに太陽光エネルギー利用効率を高めることが可能となる。
[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態2における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
次に、本発明の実施の形態2について図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態2における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
この太陽光発電システムは、太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル101と、入射側と反対の第1太陽電池セル101の上に積層された第2太陽電池セル102とを備える。これらの構成は、前述した実施の形態1と同様である。
また、実施の形態2における太陽光発電システムにおいても、第2太陽電池セル102の周囲の第1太陽電池セル101を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。太陽熱発電部103も、前述した実施の形態1と同様であり、太陽熱発電用水層131,タービン132,発電機133を備える。
実施の形態2では、第1太陽電池セル101を透過した太陽光112を集光する凹面鏡(集光手段)204を備える。実施の形態2では、凹面鏡204により太陽光112を集光し、太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱する。他の構成は、前述した実施の形態1と同様である。
以上に説明した実施の形態2においても、前述した実施の形態1と同様に、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく電力が取り出せるようになる。
[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態3における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
次に、本発明の実施の形態3について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態3における太陽光発電システムの構成を示す構成図である。
この太陽光発電システムは、太陽110からの太陽光111が入射する入射側に配置された第1太陽電池セル301と、入射側と反対側の第1太陽電池セル301の上に積層された第2太陽電池セル302とを備える。第1太陽電池セル301は、第1半導体から構成され、第2太陽電池セル302は、第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成されている。例えば、第1半導体はシリコンであり、第2半導体は窒化物半導体である。また、第2太陽電池セル302は、第1太陽電池セル301より小さい面積とされている。
第1太陽電池セル301は、例えば、p型シリコン層およびこのp型シリコン層上に形成されたn型シリコン受光層を備える。p型シリコン層側の表面が、太陽光111が入射する入射側となる。また、第2太陽電池セル302は、n型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるn型窒化物受光層、およびp型の窒化物半導体(例えばInGaN)からなるp型窒化物受光層を備える。これらは、例えば、窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成できる。n型窒化物受光層の側が、第1太陽電池セル301の側となる。
また、実施の形態3における太陽光発電システムは、第2太陽電池セル302の周囲の第1太陽電池セル301を透過した太陽光112の熱により発電する太陽熱発電部103を備える。また、実施の形態3では、太陽光111を集光するフレネルレンズ(集光手段)304と、フレネルレンズ304で集光した集光光312を均一光とするホモジナイザー305とを備える。フレネルレンズ304は、光の終車側に凸の形状とされている。また、集光光312は、ホモジナイザー305により光パワーの分布が均一化され、第1太陽電池セル301に入射する。
実施の形態3では、上述したように、集光光312が第1太陽電池セル301に入射し、第2太陽電池セル302の周囲の第1太陽電池セル301を透過した太陽光314の熱により太陽熱発電部103の発電が行われる。太陽光発電部103は、前述した実施の形態1,2と同様であり、太陽熱発電用水層131,タービン132,発電機133を備える。
実施の形態3における太陽光発電システムによれば、フレネルレンズ304で集光され、ホモジナイザー305により均一光とされ、第1太陽電池セル301の中心付近に入射した太陽光313は、第1太陽電池セル301で短波長側の光を吸収し、第2太陽電池セル302で長波長側の光を吸収することで電力を取り出す。ここで、実施の形態1と同様に、第1太陽電池セル301を第2太陽電池セル302に対して適宜に大きな面積とすることにより、各々のセルで発生する電流量が等しい状態とすることができ、電流整合条件を満たすことができる。
次に、第2太陽電池セル302より周囲の領域に入射した太陽光313は、第1太陽電池セル301で短波長側の光のみ吸収されて透過する。第2太陽電池セル302より周囲の第1太陽電池セル301を通過した長波長側の太陽光314は、太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱する。加熱された水は、高温・高圧の水蒸気となり、タービン132を回転させる。このように動作するタービン132を動力源として発電機133が動作し、発電される。このように、第2太陽電池セル302より周囲の第1太陽電池セル301を通過した太陽光314は、太陽熱発電用のエネルギーとして利用される。
以上に説明したように、実施の形態3によれば、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく電力が取り出せるようになる。
ところで、第1太陽電池セル301および第2太陽電池セル302による多接合太陽電池を、複数個用いるようにしてもよい。図4に示すように、フレネルレンズ304,ホモジナイザー305,第1太陽電池セル301,第2太陽電池セル302からなる組を複数設け、複数の組の太陽光314を凹面鏡204で集光し、集光した集光光315により太陽熱発電用水層131に収容されている水を加熱することで、太陽熱発電部103の発電を実施するようにしてもよい。
以上に説明したように、本発明によれば、より小さい面積の第2太陽電池セルの周囲の第1太陽電池セルを透過した太陽光の熱により太陽熱発電部で発電するようにしたので、太陽光エネルギーをあまり無駄にすることなく発電ができるようになる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
101…第1太陽電池セル、102…第2太陽電池セル、103…太陽熱発電部、104…凸レンズ(集光手段)、110…太陽、111,112…太陽光、131…太陽熱発電用水層、132…タービン、133…発電機。
Claims (6)
- 第1半導体から構成されて太陽光が入射する入射側に配置された第1太陽電池セルと、
前記第1半導体よりバンドギャップエネルギーの大きい第2半導体より構成され、入射側と反対側の前記第1太陽電池セルの上に積層されて前記第1太陽電池セルより小さい面積とされた第2太陽電池セルと、
前記第2太陽電池セルの周囲の前記第1太陽電池セルを透過した太陽光の熱により発電する太陽熱発電部と
を備えることを特徴とする太陽光発電システム。 - 請求項1記載の太陽光発電システムにおいて、
前記第2太陽電池セルの周囲の前記第1太陽電池セルを透過した太陽光を集光する集光手段を備え、
前記集光手段により集光された太陽光の熱により前記太陽熱発電部の発電が行われる
ことを特徴とする太陽光発電システム。 - 請求項2記載の太陽光発電システムにおいて、
前記集光手段は、凸レンズであることを特徴とする太陽光発電システム。 - 請求項2記載の太陽光発電システムにおいて、
前記集光手段は、凹面鏡であることを特徴とする太陽光発電システム。 - 請求項1記載の太陽光発電システムにおいて、
前記第1太陽電池セルに入射する太陽光を集光する集光手段を備え、
前記集光手段により集光された太陽光が、前記第1太陽電池セルに入射する
ことを特徴とする太陽光発電システム。 - 請求項5記載の太陽光発電システムにおいて、
前記集光手段は、フレネルレンズであることを特徴とする太陽光発電システム。
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Publication Number | Publication Date |
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CN106123363A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-16 | 上海第二工业大学 | 一种基于纳米流体提高太阳能热电发电效率的系统 |
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---|---|---|---|---|
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CN106123363A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-16 | 上海第二工业大学 | 一种基于纳米流体提高太阳能热电发电效率的系统 |
CN107070381A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-08-18 | 南通欧贝黎新能源电力股份有限公司 | 一种光伏发电装置 |
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---|---|
JP2015186412A (ja) | 2015-10-22 |
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