JP5778465B2 - 反射高速電子回析装置 - Google Patents
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Description
11 試料
12 表面
13 真空チャンバー
14a 第1蒸着源
14b 第2蒸着源
14c 第3蒸着源
15 電子銃
16 蒸着防止シャッター
17a 第1マイクロチャンネルプレート
17b 第2マイクロチャンネルプレート
18 蛍光スクリーン
19 放射線遮蔽ガラス
20 内部空間
22 観察窓
27 フィラメント
28 電子銃
30 第1電源
31 第2電源
32 CCDカメラ(撮影機器)
33 ディスプレイ
35 ウェーネルト
36 クロスオーバーポイント
Claims (8)
- 真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された試料に所定の蒸着材料を照射して前記試料に薄膜を形成させる蒸着源と、前記薄膜に向かって電子線を発射する電子銃と、前記薄膜に入射した電子線のうちの該薄膜表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーンとを有し、前記反射電子像回析パターンによって前記試料に形成された前記薄膜の結晶構造を観察可能な反射高速電子回析装置であって、
前記真空チャンバーが、その周壁の外側に突出する観察窓を有し、前記観察窓が、真空チャンバーの周壁から外側に延びる筒状の周壁と、前記周壁の基端部に開口する円形の基端開口部と、前記周壁の先端部に開口する円形の先端開口部とから形成され、
前記反射高速電子回析装置が、前記蛍光スクリーンの直前に設置されて前記反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレートと、前記マイクロチャンネルプレートの直前に位置して該マイクロチャンネルプレートへの蒸着材料の付着を防止する開閉可能な蒸着防止シャッターと、前記蛍光スクリーンの直後に配置されて該蛍光スクリーンから放射される放射線を遮断する放射線遮蔽ガラスとを含み、
前記反射高速電子回析装置では、前記蒸着防止シャッターと前記マイクロチャンネルプレートと前記蛍光スクリーンと前記放射線遮蔽ガラスとがその順で前記観察窓の内部であって該観察窓の基端開口部から先端開口部までの間に収納下に設置され、前記蒸着防止シャッターが前記観察窓の基端開口部の近傍に設置され、前記放射線遮蔽ガラスが前記観察窓の先端開口部に着脱可能に設置され、1〜1000nAの範囲のエミッション電流値の電子線を前記電子銃から前記薄膜に向かって発射することを特徴とする反射高速電子回析装置。 - 前記反射高速電子回析装置では、前記電子銃から発射される電子線を収束させるための該電子銃に印加されるバイアス電圧を所定の範囲において調節可能であり、前記バイアス電圧を調整することによって、前記電子銃から発射される電子線のビーム径を調節可能、かつ、前記蛍光スクリーンに映し出される反射電子像回析パターンの鮮明度を調節可能である請求項1に記載の反射高速電子回析装置。
- 前記反射高速電子回析装置では、前記バイアス電圧を0.1〜500Vの範囲において調節可能である請求項2に記載の反射高速電子回析装置。
- 前記反射高速電子回析装置では、前記電子銃のフィラメント電圧を0.1〜5Vの範囲において調節可能であり、前記フィラメント電圧を調節することによって前記電子銃から発射される電子線のエミッション電流値を前記1〜1000nAの範囲において調節可能である請求項1ないし請求項3いずれかに記載の反射高速電子回析装置。
- 前記反射高速電子回析装置では、前記蒸着材料が有機物であり、前記蒸着材料が無機物である場合と比較して前記電子銃から発射される電子線のエミッション電流値が小さい請求項1ないし請求項4いずれかに記載の反射高速電子回析装置。
- 前記マイクロチャンネルプレートが、前記試料の側に位置する第1マイクロチャンネルプレートと前記第1マイクロチャンネルプレートの直後に位置する第2マイクロチャンネルプレートとから形成され、前記反射高速電子回析装置が、前記第1および第2マイクロチャンネルプレートに所定の電圧を印加し、それらマイクロチャンネルプレートに入射する反射電子を加速する第1電源と、前記蛍光スクリーンに所定の電圧を印加し、前記第1電源によって加速されて該蛍光スクリーンに入射する反射電子をさらに加速する第2電源とを含む請求項1ないし請求項5いずれかに記載の反射高速電子回析装置。
- 前記第1電源が、前記第1および第2マイクロチャンネルプレートに印加する電圧を500V〜2kVの範囲において調節可能であり、前記第2電源が、前記蛍光スクリーンに印加する電圧を500V〜4kVの範囲において調節可能である請求項6に記載の反射高速電子回析装置。
- 前記反射高速電子回析装置が、前記蛍光スクリーンに映し出された反射電子像回析パターンを撮影する撮影機器を含み、前記撮影機器が、前記観察窓の先端部に着脱可能に設置されている請求項1ないし請求項7いずれかに記載の反射高速電子回析装置。
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