JP5767313B2 - 位相量子ビット - Google Patents
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Description
本明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
位相量子ビットであって、
ジョセフソン接合と、
前記ジョセフソン接合に結合された分散要素であって、前記分散要素は、前記位相量子ビットの容量成分および誘導成分を提供する、分散要素と
を備えている、位相量子ビット。
(項目2)
前記分散要素は、伝送ラインである、項目1に記載の位相量子ビット。
(項目3)
前記伝送ラインは、共平面導波路、スロットライン導波路、ストリップライン導波路、およびマイクロストリップ導波路のうちの1つである、項目2に記載の位相量子ビット。
(項目4)
前記分散要素の第2の端部に結合された分路インピーダンスをさらに備え、前記分散要素の第1の端部は、前記ジョセフソン接合に結合されている、項目1に記載の位相量子ビット。
(項目5)
前記分路インピーダンスは、短絡である、項目4に記載の位相量子ビット。
(項目6)
前記分路インピーダンスは、開路である、項目4に記載の位相量子ビット。
(項目7)
前記分路インピーダンスは、キャパシタ、インダクタ、伝送ライン、および第2のジョセフソン接合のうちの少なくとも1つである、項目4に記載の位相量子ビット。
(項目8)
前記位相量子ビットをバイアスするために前記分散要素に結合された制御回路と、前記位相量子ビットを読み出すために前記分散要素に結合された読み出し回路とをさらに備えている、項目1に記載の位相量子ビット。
(項目9)
前記制御回路および/または前記読み出し回路は、無線周波数(RF)電流の大きさが約ゼロである場所において、前記分散要素に結合されている、項目8に記載の位相量子ビット。
(項目10)
量子回路であって、
位相量子ビットであって、
ジョセフソン接合と、
前記ジョセフソン接合に結合された伝送ラインであって、前記伝送ラインは、前記位相量子ビットの容量成分および誘導成分を提供する、伝送ラインと、
前記伝送ラインの第2の端部に結合された分路インピーダンスであって、前記伝送ラインの第1の端部は、前記ジョセフソン接合に結合されている、分路インピーダンスと
を備えている、位相量子ビットと、
前記位相量子ビットをバイアスするために前記伝送ラインに結合された制御回路と、
前記位相量子ビットを読み出すために前記伝送ラインに結合された読み出し回路と
を備えている、量子回路。
(項目11)
前記伝送ラインは、共平面導波路、スロットライン導波路、ストリップライン導波路、およびマイクロストリップ導波路のうちの1つである、項目10に記載の量子回路。
(項目12)
前記分路インピーダンスは、前記伝送ラインの第2の端部における短絡である、項目10に記載の量子回路。
(項目13)
前記分路インピーダンスは、前記伝送ラインの第1の端部における開路である、項目10に記載の量子回路。
(項目14)
前記分路インピーダンスは、キャパシタ、インダクタ、伝送ライン、および第2のジョセフソン接合のうちの少なくとも1つである、項目10に記載の量子回路。
(項目15)
前記制御回路および前記読み出し回路は、無線周波数(RF)電流の大きさが約ゼロである場所において、前記伝送ラインに結合されている、項目10に記載の量子回路。
(項目16)
位相量子ビットを形成する方法であって、
ジョセフソン接合を形成することと、
前記位相量子ビットの容量成分および誘導成分を提供する分散要素を形成することと、
前記分散要素の第1の端部を前記ジョセフソン接合に結合することと
を含む、方法。
(項目17)
前記分散要素を形成することは、短絡される前記分散要素の第2の端部を形成することを含む、項目16に記載の方法。
(項目18)
前記分散要素の第2の端部に結合された分路インピーダンスを形成することをさらに含み、前記分路インピーダンスは、開回路、キャパシタ、インダクタ、伝送ライン、および第2のジョセフソン接合のうちの少なくとも1つである、項目16に記載の方法。
(項目19)
前記ジョセフソン接合と前記分散要素との間に中間層を形成することと、前記ジョセフソン接合を前記分散要素に結合するために前記中間層を通して接点を形成することとをさらに含む、項目16に記載の方法。
(項目20)
前記位相量子ビットをバイアスするために、第1の場所に隣接して、前記分散要素に結合された制御回路を形成することと、
前記位相量子ビットを読み出すために、前記第1の場所に隣接して、前記分散要素に結合された読み出し回路を形成することと、
をさらに含み、前記第1の場所は、前記位相量子ビットの無線周波数(RF)電流の大きさが約ゼロである場所である、項目16に記載の方法。
Claims (20)
- 位相量子ビットであって、
ジョセフソン接合と、
前記ジョセフソン接合に結合された分散要素であって、前記分散要素は、前記位相量子ビットの容量成分および誘導成分を提供する、分散要素と
を備えている、位相量子ビット。 - 前記分散要素は、伝送ラインである、請求項1に記載の位相量子ビット。
- 前記伝送ラインは、共平面導波路、スロットライン導波路、ストリップライン導波路、およびマイクロストリップ導波路のうちの1つである、請求項2に記載の位相量子ビット。
- 前記分散要素の第2の端部に結合された分路インピーダンスをさらに備え、前記分散要素の第1の端部は、前記ジョセフソン接合に結合されている、請求項1に記載の位相量子ビット。
- 前記分路インピーダンスは、短絡である、請求項4に記載の位相量子ビット。
- 前記分路インピーダンスは、開路である、請求項4に記載の位相量子ビット。
- 前記分路インピーダンスは、キャパシタ、インダクタ、伝送ライン、および第2のジョセフソン接合のうちの少なくとも1つである、請求項4に記載の位相量子ビット。
- 前記位相量子ビットをバイアスするために前記分散要素に結合された制御回路と、前記位相量子ビットを読み出すために前記分散要素に結合された読み出し回路とをさらに備えている、請求項1に記載の位相量子ビット。
- 前記制御回路および/または前記読み出し回路は、無線周波数(RF)電流の大きさがゼロである場所において、前記分散要素に結合されている、請求項8に記載の位相量子ビット。
- 量子回路であって、
位相量子ビットであって、
ジョセフソン接合と、
前記ジョセフソン接合に結合された伝送ラインであって、前記伝送ラインは、前記位相量子ビットの容量成分および誘導成分を提供する、伝送ラインと、
前記伝送ラインの第2の端部に結合された分路インピーダンスであって、前記伝送ラインの第1の端部は、前記ジョセフソン接合に結合されている、分路インピーダンスと
を備えている、位相量子ビットと、
前記位相量子ビットをバイアスするために前記伝送ラインに結合された制御回路と、
前記位相量子ビットを読み出すために前記伝送ラインに結合された読み出し回路と
を備えている、量子回路。 - 前記伝送ラインは、共平面導波路、スロットライン導波路、ストリップライン導波路、およびマイクロストリップ導波路のうちの1つである、請求項10に記載の量子回路。
- 前記分路インピーダンスは、前記伝送ラインの第2の端部における短絡である、請求項10に記載の量子回路。
- 前記分路インピーダンスは、前記伝送ラインの第1の端部における開路である、請求項10に記載の量子回路。
- 前記分路インピーダンスは、キャパシタ、インダクタ、伝送ライン、および第2のジョセフソン接合のうちの少なくとも1つである、請求項10に記載の量子回路。
- 前記制御回路および前記読み出し回路は、無線周波数(RF)電流の大きさがゼロである場所において、前記伝送ラインに結合されている、請求項10に記載の量子回路。
- 位相量子ビットを形成する方法であって、
ジョセフソン接合を形成することと、
前記位相量子ビットの容量成分および誘導成分を提供する分散要素を形成することと、
前記分散要素の第1の端部を前記ジョセフソン接合に結合することと
を含む、方法。 - 前記分散要素を形成することは、短絡される前記分散要素の第2の端部を形成することを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記分散要素の第2の端部に結合された分路インピーダンスを形成することをさらに含み、前記分路インピーダンスは、開回路、キャパシタ、インダクタ、伝送ライン、および第2のジョセフソン接合のうちの少なくとも1つである、請求項16に記載の方法。
- 前記ジョセフソン接合と前記分散要素との間に中間層を形成することと、前記ジョセフソン接合を前記分散要素に結合するために前記中間層を通して接点を形成することとをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記位相量子ビットをバイアスするために、第1の場所に隣接して、前記分散要素に結合された制御回路を形成することと、
前記位相量子ビットを読み出すために、前記第1の場所に隣接して、前記分散要素に結合された読み出し回路を形成することと、
をさらに含み、前記第1の場所は、前記位相量子ビットの無線周波数(RF)電流の大きさがゼロである場所である、請求項16に記載の方法。
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