JP5761919B2 - 光デバイス用部品および光デバイスの製造方法 - Google Patents
光デバイス用部品および光デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5761919B2 JP5761919B2 JP2010037488A JP2010037488A JP5761919B2 JP 5761919 B2 JP5761919 B2 JP 5761919B2 JP 2010037488 A JP2010037488 A JP 2010037488A JP 2010037488 A JP2010037488 A JP 2010037488A JP 5761919 B2 JP5761919 B2 JP 5761919B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder
- lens
- metal
- lens barrel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Lens Barrels (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Description
共晶はんだ)が用いられていた。
鉛を使用しないようにすること(いわゆる鉛フリー化)が求められるようになってきている。そのため、従来の鉛系の高温はんだに代わるはんだを1次はんだとして用いた光デバイス用部品および光デバイスを提供する必要が生じている。
い。そのため、1次はんだについても、従来よりも融点の高いものが必要になってきている。
だ層よりも融点が低い第2はんだ層とからなり、前記レンズの金属層と、前記第2はんだ層とを接触させ、前記第2はんだ層を溶融させて、前記レンズ鏡筒側から順に配置された、錫と前記金属材料の金属成分との合金相を主成分とする前記第1はんだ層による第1接合層と、ビスマス相を主成分とする、前記第1接合層よりも融点が低く、前記第2はんだ層よりも融点が高い第2接合層と、錫と前記金属層の金属成分との合金相を主成分とする、前記第2接合層よりも融点が高い第3接合層とからなる接合層を形成させることを特徴とするものである。
際にはレンズの外側面に被着されたはんだ付け用の金属層)を接合するための第2はんだ
層がビスマス相を主成分として錫−ビスマス合金相を含んでなり、第1はんだ層よりも融点が低い。そのため、従来の鉛はんだに代わり、有害な鉛を含有しないはんだによるレンズ(金属層)の接合が可能になる。
はんだ層を、従来の鉛系高温はんだと同様に1次はんだの層として機能させることができる。また、第2はんだ層は、ビスマス相に比べて融点が低い錫−ビスマス相を含有しているため、レンズ接合時の加熱温度を低く抑えることができる。このレンズとレンズ鏡筒との接合時、第1はんだ層の融点が上記のように第2はんだ層の融点よりも高くなっているため、第2はんだ層による接合時に第1はんだ層が溶融せず、レンズ鏡筒に対するはんだ層の接合を維持することができる。さらに、この第2はんだ層による接合時に、第2はんだ層の錫成分がレンズの金属層の金属成分と合金化して、ビスマスよりも融点が高い合金相を形成することもできる。そのため、例えばレンズとレンズ鏡筒とを接合して光デバイスを作製した後に、錫−銀系等の鉛フリーはんだを用いて光デバイスの配線基板に対する接合を行なうような場合でも、はんだ層が溶融することはなく、受発光の信頼性が高い。したがって、レンズ鏡筒に接合されたはんだ層が鉛を含有せず、さらにこのはんだ層を介してレンズ鏡筒にレンズが接合されたときの受発光の信頼性が高い光デバイス用部品を提供することができる。
ラジウムの少なくとも1種である場合には、上記本発明の光デバイス用部品の場合と同様に、受発光の信頼性をより確実に高くすることが可能であり、光デバイスとしての実用性も良好な光デバイスを提供することができる。
等のセラミック粉末等の原料粉末を有機溶剤およびバインダとともに所定のレンズ鏡筒1の形状に成形した後、約900〜1000℃程度の温度で焼成する方法で製作することができる
。
る。このような金属層4は、上記レンズ鏡筒1の金属材料と同様の金属成分(鉄,ニッケル,コバルト,銅,金,パラジウムおよび白金、または鉄−ニッケル−コバルト合金等のこれらの金属材料の合金の少なくとも1種)を用いればよい。
レンズ鏡筒1にレンズ3(実際にはレンズ3に形成されるはんだ付け用の金属層4)を接合するための第2はんだ層2bがビスマス相を主成分として錫−ビスマス合金相を含んでなり、第1はんだ層2aよりも融点が低い。そのため、従来の鉛系高温はんだ等に代わり、有害な鉛を含有しないはんだによるレンズ3の接合が可能になる。
はんだ層2bを、従来の鉛系高温はんだと同様にレンズ3を接合するためのはんだ層として機能させることができる。また、第2はんだ層2bは、錫−ビスマス相を含有している分、ビスマス相のみの場合に比べて融点が低いため、レンズ3の接合時の加熱温度を低く抑えることができる。この接合時、第1はんだ層2aの融点が、金属材料の金属成分の作用により第2はんだ層2bの融点よりも高くなっているため、第2はんだ層2bによる接合時に溶融せず、レンズ鏡筒1に対するはんだ層2の接合を維持することができる。さらに、この接合時に、第2はんだ層2bの錫成分が、レンズ3側の金属層4の金属材料とビスマスよりも融点が高い合金相を形成することもできる。そのため、例えば光デバイス用部品のレンズ鏡筒1にレンズ3を接合して光デバイスとした後に、錫−銀系等の鉛フリーはんだを用いて光デバイスを配線基板6に接合するような場合でも、はんだ層2(第1および第2はんだ層2a,2bのいずれも)が溶融することはなく、受発光の信頼性が高い。したがって、レンズ鏡筒1に接合されたはんだ層2が鉛を含有せず、さらにこのはんだ層2を介してレンズ鏡筒1がレンズ3に接合されたときの受発光の信頼性が高い光デバイス用部品を提供することができる。
が接合されて、上記のように受発光の信頼性が高い光デバイスが形成されている。
んだ層の第1はんだ層は、錫−ニッケルの合金相が主成分であり、ニッケルを含んでいた。また、第2はんだ層は、WDS解析によれば、ビスマス相に微量の錫−ビスマス合金相を含むものであった。
合し、外部から入射される光が正確に光電変換素子に伝わるか否かを、光電変換素子で光に応じて生じる電気信号で確認した。また、試験個数は100個とした。
正確に電気信号が発信され、受光の信頼性が高いことが確認された。なお、比較例の光デバイス用部品は、はんだ層および接合層中に鉛を数十質量%程度含有しているため、環境に対して悪影響を与えるものであり、また、受光不良が2個発生した。
2・・・はんだ層
2a・・第1はんだ層
2b・・第2はんだ層
3・・・レンズ
4・・・金属層
5・・・はんだ接合層
5a・・第1接合層
5b・・第2接合層
5c・・第3接合層
6・・・配線基板
7・・・光電変換素子
Claims (2)
- 外側面の全周に金属層が被着されたレンズと、少なくとも内側面の高さ方向の一部が該内側面の全周にわたって金属材料で形成されているとともに、該金属材料の表面にはんだ層が被着されたレンズ鏡筒とを含み、前記レンズの前記金属層と前記レンズ鏡筒の前記内側面の前記金属材料とがはんだ接合層を介して接合された光デバイスの製造方法であって、前記はんだ層は、前記レンズ鏡筒側から順に配置された、錫と前記金属材料の金属成分との合金相を主成分とする第1はんだ層と、ビスマス相を主成分として、錫を2乃至5質量%含む錫−ビスマス合金相を含む、前記第1はんだ層よりも融点が低い第2はんだ層とからなり、
前記レンズの金属層と、前記第2はんだ層とを接触させ、前記第2はんだ層を溶融させて、前記レンズ鏡筒側から順に配置された、錫と前記金属材料の金属成分との合金相を主成分とする前記第1はんだ層による第1接合層と、ビスマス相を主成分とする、前記第1接合層よりも融点が低く、前記第2はんだ層よりも融点が高い第2接合層と、錫と前記金属層の金属成分との合金相を主成分とする、前記第2接合層よりも融点が高い第3接合層とからなる接合層を形成させることを特徴とする光デバイスの製造方法。 - 前記金属材料の金属成分および前記金属層の金属成分が、ニッケル,コバルト,鉄,金,銀,銅,白金およびパラジウムの少なくとも1種であることを特徴とする請求項1記載の光デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010037488A JP5761919B2 (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 光デバイス用部品および光デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010037488A JP5761919B2 (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 光デバイス用部品および光デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011175008A JP2011175008A (ja) | 2011-09-08 |
JP5761919B2 true JP5761919B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=44687939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010037488A Expired - Fee Related JP5761919B2 (ja) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 光デバイス用部品および光デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5761919B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7432351B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-02-16 | メトラー-トレド ゲーエムベーハー | 重量測定装置の較正ウエイトアセンブリ |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101701060B1 (ko) * | 2015-11-03 | 2017-01-31 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 |
JP6913532B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2021-08-04 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 |
US11435652B2 (en) * | 2019-03-18 | 2022-09-06 | Sensors Unlimited, Inc. | Metallized camera windows |
JP7412182B2 (ja) * | 2020-01-10 | 2024-01-12 | 三菱電機株式会社 | はんだ板材、および光素子用パッケージの製造方法 |
WO2021234852A1 (ja) * | 2020-05-20 | 2021-11-25 | ナルックス株式会社 | 光学素子、及び基板上に電子部品と光学素子とを備えた複合部品の製造方法 |
US20220209496A1 (en) | 2020-12-31 | 2022-06-30 | Broadcom International Pte. Ltd. | Methods to apply microlens on small aperture photodetectors and vcsel for high data rate applications |
CN115220175A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-10-21 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 高面形精度的光学组件及其封接方法 |
CN118308693A (zh) * | 2024-04-07 | 2024-07-09 | 江苏集萃激光智能装备有限公司 | 一种光学器件金属化的方法及一种利于焊接的光学器件 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2594627Y2 (ja) * | 1993-06-24 | 1999-05-10 | 帝国通信工業株式会社 | 電子部品の端子パターン部 |
JP2005167969A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 |
JP4956997B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2012-06-20 | 住友電気工業株式会社 | フラットケーブル |
JP2007195658A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Olympus Corp | 内視鏡及びその製造方法 |
JP2007329224A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コイル部品 |
JP5327431B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-10-30 | 株式会社リコー | 圧電型アクチュエータ、液体吐出ヘッド及び画像形成装置 |
-
2010
- 2010-02-23 JP JP2010037488A patent/JP5761919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7432351B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-02-16 | メトラー-トレド ゲーエムベーハー | 重量測定装置の較正ウエイトアセンブリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011175008A (ja) | 2011-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5761919B2 (ja) | 光デバイス用部品および光デバイスの製造方法 | |
US4591711A (en) | Transmitting and receiving device for optoelectronic communication systems, and method of making the device | |
JP5363789B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP2005167969A (ja) | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 | |
TWI523175B (zh) | 半導體裝置,製造半導體裝置的方法,以及電子裝置 | |
KR101142347B1 (ko) | 포토센서 패키지 모듈 및 제작 방법 | |
JPH11214430A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2005101481A (ja) | 半導体装置用キャップ | |
US6420205B1 (en) | Method for producing package for housing photosemiconductor element | |
US10099318B2 (en) | Method for connecting a component to a support via soldering and component connectable with a support | |
JP2003101042A (ja) | 光半導体素子収納用容器 | |
JP2011096756A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JPH04137663A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2009224651A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
US6203929B1 (en) | Gold plated solder material and method of fluxless soldering using solder | |
CN106409691A (zh) | 一种封装外壳内腔不同位置的不同厚度金层的制备方法 | |
JP4797621B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US9190377B2 (en) | Metal coating for indium bump bonding | |
JP2001015635A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
JP5419780B2 (ja) | 光ファイバ固定用フェルール及びそれを用いた光ファイバ固定具 | |
JP2012009172A (ja) | 同軸コネクタ、および素子収納用パッケージ、ならびに半導体装置 | |
JP2008079167A (ja) | 水晶振動子用パッケージ | |
JP2005311109A (ja) | 光デバイスの実装方法及び光モジュール | |
KR102465723B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP2004079965A (ja) | 光半導体モジュールとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5761919 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |