JP5752539B2 - サンプリング回路 - Google Patents
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Description
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のサンプリング回路において、前記演算増幅器の前記出力側と前記第2のトランジスタのゲートの間にローパスフィルタを挿入したことを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載のサンプリング回路において、前記入力端子の前段にボルテージフォロアを接続したことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1又は2に記載のサンプリング回路において、前記入力端子の前段にアンチエイリアスフィルタを接続したことを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項1乃至4のいずれか1つに記載のサンプリング回路において、前記トランジスタをバイポーラトランジスタに置き換え、ゲートをベースに、ドレインをコレクタに、ソースをエミッタに置き換えたことを特徴とする。
図1に本発明の第1の実施例のサンプリング回路を示す。本実施例のサンプリング回路は、ソースが入力端子1に接続され且つダイオード接続されたNMOSトランジスタM3、そのトランジスタM3のドレインとVddの電源端子との間に接続された電流値がI1の電流源3、トランジスタM3とゲートが共通接続されドレインがVddの電源端子に接続されソースが出力端子2に接続されたNMOSトランジスタM1、ソースが出力端子2に接続され、ドレインがVssの電源端子に接続されたPMOSトランジスタM2、非反転入力側が入力端子1に接続され、反転入力側が出力端子2に接続され出力側がトランジスタM2のゲートに接続された演算増幅器4、一端が出力端子2に接続されたサンプリングスイッチSW1、そのサンプリングスイッチSW1の他端と中間電位Vcmの電源端子との間に接続されたサンプリングキャパシタC1、で構成されている。
前述したように図1における演算増幅器4の動作周波数帯域は、入力信号周波数より高くサンプリングスイッチSW1を駆動するクロック周波数より低いことが望ましい。この条件を演算増幅器4のみで満たすことが困難なときは、図2に示すように、演算増幅器4の出力側とトランジスタM2のゲートとの間に、ローパスフィルタ5を挿入すればよい。
また、本サンプリング回路の前段回路には、トランジスタM3に流れる電流(=I1)を吸収できるだけの駆動能力が要求される。これを保障するため、図3に示すように、入力端子1の前段に演算増幅器61で構成されるボルテージフォロア6を接続してもよい。トランジスタM3を流れる電流は小さい(=I1)ので、使用される演算増幅器61には大きな駆動能力は必要ない。また、この演算増幅器61は、少なくとも信号周波数で動作すればよいので、低速動作の演算増幅器で十分である。
また、図4に示すように、ボルテージフォロア6に代えて、A/D変換器には必ず必要となるアンチエイリアスフィルタ7を入力端子1の前段に接続してもよい。このアンチエイリアスフィルタ7は、演算増幅器71、抵抗R1,R2、キャパシタC2で構成されるローパスフィルタであり、サンプリングスイッチSW1のON/OFFの周波数(サンプリング周波数)の半分を超える周波数成分(折り返し雑音成分)を予め除去する動作を行う。
以上の説明では、入力端子1とトランジスタM1のゲートの電位差をトランジスタM3の閾値電圧Vth1にほぼ等しい電圧に保つよう制御する機構をトランジスタM3が担い、入力端子1と出力端子2の電位が等しくなるよう制御し、トランジスタM1,M2のドレイン電流が等しくなるよう制御する機構を演算増幅器4が担うようにしたが、図5に示すように、NMOSトランジスタとPMOSトランジスタを逆にしてもよい。このときは、入力端子1とPMOSトランジスタM11のゲートの電位差をPMOSトランジスタM13の閾値電圧Vth13にほぼ等しい電圧に保つよう制御する機構をそのトランジスタM13が担い、入力端子1と出力端子2の電位が等しくなるよう制御し、トランジスタM11,M12のドレイン電流が等しくなるよう制御する機構を演算増幅器14が担う。13は電流I1の電流源である。
以上の実施例は、MOSトランジスタを使用した例で説明したが、バイポーラトランジスタを使用することもできる。この場合は、NMOSトランジスタはnpnトランジスタに、PMOSトランジスタはpnpトランジスタに、それぞれ置き換えればよい。
Claims (5)
- 信号が入力する入力端子と、
サンプリングスイッチの一端が接続される出力端子と、
前記サンプリングスイッチの他端と所定電位の電圧端子との間に接続されたサンプリングキャパシタと、
ソースが前記出力端子に接続され、ドレインが第1の電源端子に接続されたMOSの第1の導電型の第1のトランジスタと、
ソースが前記出力端子に接続され、ドレインが第2の電源端子に接続されたMOSの第2の導電型の第2のトランジスタと、
ソースが前記入力端子に接続され、ゲートとドレインが前記第1のトランジスタのゲートと電流源に接続されたMOSの前記第1の導電型の第3のトランジスタと、
非反転入力側が前記入力端子に接続され、反転入力側が前記出力端子に接続され、出力側が前記第2のトランジスタのゲートに接続された演算増幅器とを有する、
ことを特徴とするサンプリング回路。 - 請求項1に記載のサンプリング回路において、
前記演算増幅器の前記出力側と前記第2のトランジスタのゲートの間にローパスフィルタを挿入したことを特徴とするサンプリング回路。 - 請求項1又は2に記載のサンプリング回路において、
前記入力端子の前段にボルテージフォロアを接続したことを特徴とするサンプリング回路。 - 請求項1又は2に記載のサンプリング回路において、
前記入力端子の前段にアンチエイリアスフィルタを接続したことを特徴とするサンプリング回路。 - 請求項1乃至4のいずれか1つに記載のサンプリング回路において、
前記トランジスタをバイポーラトランジスタに置き換え、ゲートをベースに、ドレインをコレクタに、ソースをエミッタに置き換えたことを特徴とするサンプリング回路。
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