JP5732061B2 - シャドーマスクアラインメント及び管理システム - Google Patents

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Description

〔関連出願への相互参照〕
本出願は、２００９年１０月２７に出願の米国特許仮出願第６１／２５５，４２６号の恩典を主張し、その出願の全体の内容は、全ての目的のためにその全体を引用によりここに組み込むものとする。
本発明の実施形態は、薄膜バッテリの分野、特に、シャドーマスク固定及びアラインメントシステム及び方法に関する。
益々小さな特徴部を含めるために薄膜バッテリ（ＴＦＢ）の寸法をスケーリングし、同時にこのような薄膜バッテリの大量生産に対する機能を増大させるための最近の努力は、大部分は従来の薄膜バッテリ製造方法及び技術に依存している。このような従来の方法及び技術は、典型的な薄膜バッテリ処理の流れにおける各及び全ての堆積作動においてシャドーマスク又は１組のシャドーマスクの使用を含む場合がある。例えば、従来の処理において、処理ツールにはシャドーマスクが装荷され、単層の堆積は、処理ツールにおいて実施され、第１のシャドーマスクは、次に、別の堆積作動を意図して第２のシャドーマスクとの交換のために取り外される。
シャドーマスクに関連付けられたオーバーヘッドは、かなりのものであり、並びにミスアラインメントが生じた場合に収率損失を引き起こすことがある。シャドーマスクがいくつかの層の構造化堆積に対して使用される場合、層間アラインメントの精度は、非常に重要になる。このような用途において、パターン転写の整合性は、基板とシャドーマスクの間の近接性及び機械的安定性、並びにミクロン範囲のアラインメント公差を必要とする。このようなオーバーヘッド及び収率損失の低減を可能にするシャドーマスクを固定する技術は、従って有利である。
基板の薄膜処理のための磁気取扱アセンブリを説明する。アセンブリの実施形態は、磁気取扱担体と、磁気取扱担体の上に配置されてこれに磁気的に結合され、処理条件に露出する時にシャドーマスクと磁気取扱担体の間に配置されることになる加工物の上部を覆うシャドーマスクとを含む。
処理条件に露出するために加工物の上部を覆うようにシャドーマスクを組み立てかつ分解するためのシステムも説明する。システムの実施形態は、シャドーマスクを保持する第１の支持体と、取扱担体を保持する第２の支持体と、シャドーマスクを担体とシャドーマスクの間に配置される加工物に整列させるアラインメントシステムとを有する第１のチャンバを含む。第１及び第２の支持体は、アラインメントシステムからの出力に応答して互いに対して移動可能であり、加工物をシャドーマスクと接触状態にする。
処理条件に露出するために加工物の上部を覆うようにシャドーマスクを取り扱う方法も説明する。実施形態は、取扱担体を第１の支持体上に配置する段階と、シャドーマスクを第２の支持体上に配置する段階と、コンピュータ制御式多軸ステージを使用して第１の支持体を第２の支持体に対して第１の距離だけ移動することにより、シャドーマスクの第１のパターン化特徴部を加工物の第２のパターン化特徴部に整列させる段階とを含む。整列したシャドーマスクは、次に、第１の支持体を第２の支持体に対して第２の距離だけ移動して整列したシャドーマスクの底面を取扱担体の磁場の中に入れることによって取扱担体と結合することができる。
本発明の実施形態によるシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの等角投影図である。 本発明の実施形態による磁気取扱担体の断面図である。 本発明の実施形態による磁気取扱担体のトップダウン等角投影図である。 本発明の実施形態による磁気取扱担体のボトムアップ平面図である。 本発明の実施形態による磁気取扱担体のトップダウン平面図である。 本発明の実施形態による磁気取扱担体内の磁極方位の概略図である。 本発明の実施形態による自動化シャドーマスク組立／分解システムの平面図を示す概略図である。 本発明の実施形態によるシャドーマスクアラインメントチャンバの断面図を示す概略図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを組み立てる方法における作動を表す流れ図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを分解する方法における作動を表す流れ図である。 本発明の実施形態により第１のシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの分解を第２のシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの組立に統合する方法における作動を表す流れ図である。 図５Ａに示す自動化シャドーマスク組立／分解システムを制御し、図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃの方法のうちの１つ又はそれよりも多くを実施するのに使用することができるコンピュータシステムのブロック図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバに組み付けるための図６Ａに示す方法の作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバから分解するための図６Ｂに示す方法における作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバから分解するための図６Ｂに示す方法における作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバから分解するための図６Ｂに示す方法における作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバから分解するための図６Ｂに示す方法における作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバから分解するための図６Ｂに示す方法における作動の断面図である。 本発明の実施形態によりシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを図５Ｂに示すシャドーマスクアラインメントチャンバから分解するための図６Ｂに示す方法における作動の断面図である。 第１のシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの組立及び分解を第２のシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの組立に統合するための図６Ｃに示す方法における作動の断面図である。
シャドーマスク固定及びシャドーマスクアラインメント方法及び装置を説明する。以下の説明において、本発明の十分な理解を提供するために構成要素材料、構成要素組合せ、機器プラットホーム、及び処理作動のような多数の具体的な詳細を説明する。それらの具体的な詳細のうちの１つ又はそれよりも多くなしに本発明を実施することができることは、当業者には明らかであろう。場合によっては、パターン認識アルゴリズム及び機器制御アルゴリズムなどのような公知の特徴は、不要に本発明を曖昧にしないために詳細には説明していない。更に、図に示す様々な例示的な実施形態は、例示的描写であり、必ずしも正確な縮尺で描かれていないことは理解されるものとする。
本明細書で使用される場合の用語「の上に」、「の下に」、「の間に」、及び「上の」は、他の部材に対する１つの部材の相対位置を意味する。従って、例えば、別の部材の上に又は下に配置された１つの部材は、他方の部材と直接に接触することができ、又は１つ又はそれよりも多くの介在する部材を有することができる。更に、部材の間に配置された１つの部材は、その２つの部材と直接に接触することができ、又は１つ又はそれよりも多くの介在する部材を有することができる。対照的に、第２の部材「上の」第１の部材は、第２の部材と接触している。更に、他の部材に対する１つの部材の相対位置は、基板の絶対方位について考慮することなく基板に対して作動が行われると仮定して提供される。
図１は、本発明の実施形態によるシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック１００の等角投影図である。シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック１００は、少なくともシャドーマスク１６０及びその間に加工物１５０を有する磁気取扱担体１０１を含む。一般的に、シャドーマスク１６０は、シャドーマスク１６０のパターン化特徴部１６１に基づいて処理条件（堆積、エッチング、その他）に選択的に露出される加工物１５０の膜面の上に配置することになる。特定的な実施形態では、シャドーマスク１６０は、処理条件に選択的に露出される加工物１５０の表面膜と直接接触状態で加工物１５０上に配置される。シャドーマスク１６０と加工物１５０の表面膜の間の直接接触は、シャドーマスク１６０と加工物１５０の間のいずれの間隙もシャドーマスク１６０の下に（例えば、パターン化特徴部１６１の開口部を超えて）堆積を引き起こし、デバイス（例えば、ＴＦＢ）の様々な堆積層の間に許容できない重なりをもたらす場合があるので、パターン化特徴部１６１に対する高忠実度の処理を可能にする。好ましい実施形態では、シャドーマスク１６０の厚みを最小にし、シャドーマスクの側壁が加工物１５０のパターン化区域内の層の厚み均一性に影響を及ぼす陰影効果を低減する。一般的に、シャドーマスク１６０の厚みは、少なくとも選択された材料、及び原子単位として自動化機器（例えば、本明細書の他の箇所で説明するようにストレージモジュールから装荷され、加工物上に組み立てられたもの）によって取り扱うことができる最小厚み限界を有するマスクの区域の関数である。一例は、約１８５から２００ｍｍの外径を有し（２００ｍｍ直径の「加工物」のための）、かつ１５０から２５０μｍの厚みを有するＩｎｖａｒシャドーマスク１６０である。
加工物１５０は、ＴＦＢなどのような薄膜デバイスの製造において従来型のあらゆる基板とすることができる。シャドーマスク１６０は、以下に限定されるものではないが、強磁性及びフェリ磁性材料のようなあらゆる磁気感受材料のものとすることができる。マスクは、本明細書の他の箇所でより詳細に説明する加工物１５０と同じ材料のものとすることができる。これは、マスクと加工物の間の熱膨張係数誘起歪みを最小にすることになる。特定の実施形態では、シャドーマスク１６０は、以下に限定されるものではないが、鉄のニッケル又はコバルト合金のような磁性金属を含む。１つの特定的な実施形態では、シャドーマスク１６０は、低熱膨張係数を有することが公知であるＩｎｖａｒ（登録商標）として公知の６４ＦｅＮｉ（ＦｅＮｉ３６）である。代替的な実施形態では、シャドーマスク１６０は、非磁性の材料を含み、磁性材料は、マスクの中に組み込まれ、複合マスク（例えば、非磁性バルクの中に埋め込まれた別々の磁気部分、その他）を形成する。
一般的に、磁気取扱担体１０１は、磁気的にシャドーマスク１６０と結合され、磁気的にシャドーマスク１６０を加工物に取り付ける。磁気固定は、結合力を制御し、マスクを基板に対してより良く平行に保ち、曲げ（堆積中の熱膨張から）を低減することができる。同様に、本明細書の他の箇所で更に説明するように、粒子発生問題は、一般的に機械的固定技術に対しては不可能な方式で磁気固定技術に対しては軽減することができる。好ましい実施形態では、磁気取扱担体１０１の寸法は、磁気取扱担体１０１が、加工物と少なくとも同じぐらいの大きさの主要表面積を有し、均一な加熱及び支持を保証するようなものである。一実施形態では、磁気取扱担体１０１の外径は、約１９０ｍｍである。担体の厚みは、磁石を収容するのに十分であり、その厚みは、加工物１５０及びシャドーマスク１６０とは別に確実に取り扱うことができるほど十分に剛性である。従って、磁気取扱担体１０１は、取り扱い中に更に脆弱なセラミック磁石へのシャドーマスク１６０の取り付けを可能にする機械的安定性を提供する。一般的に、担体全体の厚みは、担体において利用する磁性材料の厚みに依存する。３ｍｍから５ｍｍの磁性材料厚みは、一般的であると考えられるが、この範囲外の厚みも利用することができる。３ｍｍ〜５ｍｍの範囲の磁性材料にし、担体１０１は、４ｍｍ〜７ｍｍの厚みを有することができる。１つの例示的な実施形態では、厚みは、約４．５ｍｍである。
図２Ａは、磁気取扱担体の１つの例示的な実施形態の断面図である。図示のように、断面は、線Ａ−Ａ’に沿っており、これは図２Ｂに更に示されている。高温適合磁石２１０は、保護ケーシング２０３に封入される。磁石２１０の封入により、処理機器における作動／取り扱い中の機械的不安定性及び粒子発生の問題を軽減する。特に有利な実施形態では、磁石２１０は、保護ケーシング２０３内に真空封入される。このような真空封入は、加工物１５０の処理からもたらされる熱負荷によって生じる気体膨脹の危険を低減することができる。図２Ｃに示す代替的な実施形態では、保護ケーシング２０３は、周囲外気に開放しており、これは、堆積チャンバと通常の外気との間の一定の圧力循環の観点から有利であるとすることができる。このような実施形態に対して、熱応力は、様々な熱環境の間の膨張及び収縮に適合する機能がある「切り欠き」２０９を担体１０１の側面（例えば、描かれている底部側面）に設置することによって更に対応することができる。
実施形態に応じて、保護ケーシング２０３は、以下に限定されるものではないが、金属、誘電体、及び半導体のようないくつかの異なる材料のものとすることができる。ケーシング材料はまた、「硬表面コーティング」で陽極酸化又は被覆し、機械的摩耗誘起粒子発生を低減することができる。１つの有利な実施形態では、保護ケーシング２０３は、アルミニウムのような容易に機械加工され、弾力性があり、かつ軽量の材料のものである。実施形態に対して、プレート２０５は、磁石を収容する凹部２０４を含むように機械加工することができる。次に、カバー２０２は、磁石装荷プレート２０５に溶接され、接合され、ねじ込まれ、又はその他の方法で固定される（真空封入実施形態に対して真空下で）。１つの例示的な実施形態では、プレート２０５は、約２００ｍｍ（２００ｍｍの直径の基板に対して）の外径を有する厚みが約４ｍｍのアルミニウムプレートであり、約０．５ｍｍの厚みを有するカバー２０２に接合された約３ｍｍの凹部深さを含む。他の寸法は、選択された材料及び加工物１５０の寸法に応じて勿論可能である。
実施形態に応じて、磁気取扱担体１０１は、永久又は半永久磁石又は電気磁石を含む。好ましい永久磁石の実施形態に対して、磁石２１０は、単一分極（単一Ｎ−Ｓ）か又は拡大挿入図２１１によって示すように交互するＮ及びＳを有する多重双極複合磁石とすることができる。第２の場合には、交互する極は、直線的又は放射状とすることができる。第３の実施形態は、ケース内に分散した磁気取扱担体１０１よりもかなり小さい磁石を有し、磁場を限定し、かつ流入イオン（堆積物から）と磁気取扱担体１０１から生じる磁場との間の潜在的相互作用を最小にする。磁石は、熱抵抗又は機械的安定性（粒子課題を引き起こす）考慮事項が保護ケーシング２０３によって軽減されるので、あらゆる従来の磁性金属又はセラミックのものとすることができる。
図２Ｂは、本発明の例示的な実施形態による磁気取扱担体１０１のトップダウン等角投影図である。図示のように、カバー２０２は、パターン化溝２１２を含むように機械加工され、磁気取扱担体１０１上に配置された時に加工物１５０を冷却する裏面気体が加工物１５０と磁気取扱担体１０１の間を流れることを可能にする。パターン化溝２１２は、カバー２０２の底部側面２０８から上部側面に貫通する貫通孔２０６に結合される。貫通孔２０６は、シャドーマスク−加工物−磁気取扱担体スタック１００として組み立てられる時に、加工物１５０の処理中に底部側面２０８が上に配置される処理装置（例えば、ＰＶＤチャンバ）のチャック又はペデスタルによって供給される裏面のヘリウム、アルゴン、又は窒素のような下に重なる冷却媒体源にパターン化溝２１２を流体的に接続する。パターン化溝２１２は、あらゆる設計を有することができるが、例示的な実施形態では、溝は、深さが約０．１ｍｍ〜０．２ｍｍであり、約２ｍｍの幅を有し、約３０ｍｍ〜４０ｍｍ、５０ｍｍ〜６０ｍｍ、及び８０ｍｍ〜９０ｍｍの半径方向距離において２００ｍｍＯ．Ｄ．の磁気取扱担体１０１を取り囲む。このようなパターン化溝の寸法に対して、貫通孔２０６の直径は、約３ｍｍから１０ｍｍの間で異なる場合があり、好ましくは、約４ｍｍから６ｍｍである。図２Ｂに更に示すように、磁気取扱担体１０１は、アライナー作動及び／又は構成要素取り扱いに適合するようにノッチ２５０を含む。例えば、外側リフトピンは、本明細書の他の箇所で説明するように、ノッチ２５０を通過し、加工物１５０又はシャドーマスク１６０のいずれかと接触する。図示の例示的な実施形態では、複数のノッチ２５０は、０°、９０°及び１３５°で備えられるが、多くの他の構成も可能である。構成要素の各々の間の特定の及び相対的な向きを可能にするために、構成要素（マスク、加工物、及び担体）のいずれかの前又は後側に付加的なノッチ（例えば、図２Ｃにおける特徴部２１２）及び「アライナーステージ」上の対応する「ガイドピン」がある場合がある。
実施形態では、磁気取扱担体１０１は、有意に異なる磁場強度を有する複数の定められた磁性領域を含む。複数の定められた磁性領域は、制御及び局在様式で磁場強度変動をもたらす。このような意図的局所場の変化は、磁場の制御不良の不均一性（例えば、担体１０１を横切って磁石から磁石まで、全面磁石の不均一材料組成から、その他）が、加工物１５０の処理中（例えば、堆積中）に不規則な方向に沿って制御不良膨張を引き起こすことになる可能性を低下させる。膨張の制御は、累積ミスアラインメントに寄与するランダム歪みを低減するので有利である。より強力な磁場の定められた領域を提供することにより、定められた領域は、制御可能にシャドーマスク１６０が膨張するアタッチメントの「固定」点になり、マスクにおいて一貫したかつ低減した歪みを引き起こす。所定の局所的でより強力な磁場領域の具備は、熱膨張不整合誘起の歪みを低減することができるので、様々な連続的処理作動の処理温度が一定である場合には（これは、特にＴＦＢ生産に対して行われる場合がある）、「全体的ミスアラインメント」に対する熱膨張の寄与は、一貫性があるようにされる。これは、次に、層の間のミスアラインメントを低減する。
図３は、実施形態による例示的な磁気取扱担体１０１の平面図である。図示のように、磁石２１０は、第１の磁性領域２１０−Ａと第２の磁性領域２１０−Ｂに分けられる。一実施形態では、第１の磁性領域２１０−Ａは、第２の磁性領域２１０−Ｂよりも強力な磁場を有する。例示的な実施形態に対して、第１の磁性領域２１０−Ａは、軸中心（例えば、貫通孔２０６）に近い第１の半径方向距離から貫通孔２０６から遠位の第２の半径方向距離まで延びる第１の半径方向長さＲＬ１に沿って延びる。第２の磁性領域２１０−Ｂは、軸中心（例えば、貫通孔２０６）からのＲＬ１に等しいか又はこれよりも大きい第１の半径方向距離から磁気取扱担体１０１の外側半径に近い第２の半径方向距離（例えば、外径Ｄ１のほぼ半分）まで延びる第２の半径方向長さＲＬ２に沿って延びる。第１の磁性領域２１０−Ａのこの例示的な配置は、磁気取扱担体１０１の中心を確実にシャドーマスク１６０に磁気的に取り付けられたままにし、外径Ｄ１にわたる熱膨張不整合誘起歪みの総量は、担体中心（例えば、貫通孔２０６）からの距離ＲＬ１＋ＲＬ２で最大である対称的な歪みのほぼ半分に分けられる。描かれた例示的な実施形態は、２つの環状磁性領域２１０−Ａ及び２１０−Ｂを含むが、より多数の磁性領域を有する他の配置が勿論可能であり本発明の範囲である。
図４は、実施形態による磁気取扱担体１０１のような取扱担体の磁性領域内の磁極方位の概略図である。図示のように、磁性領域（例えば、図３の第１の磁性領域２１０−Ａ又は第２の磁性領域２１０−Ｂ）内の磁石２１０は、カバー２０２を超えて延びる垂直磁場を最大にするように磁気取扱担体（２１０−１、２１０−２、その他）の半径方向距離に沿って交互する双極配置を有する。処理環境中に存在する荷電粒子４００は、優先的に結合加工物の一部の領域に向けて加速するこのような力線に従うことができる。従って、特定的な実施形態では、単一の均一に磁化した磁石は、カバー２０２に近い一方の極及び保護ケーシング２０３の底部に近い第２の極を有する磁気取扱担体１０１に対して使用することができる（すなわち、「全面」磁石）。他の実施形態では、磁場の軸は、シャドーマスク１６０のダイパターンマップに整列し、製造しているデバイス間に磁気異常を位置決めする。例えば、図４に示す磁性領域２１０−１及び２１０−２は、図３に示す磁気取扱担体１０１の平面図上に投影される。磁区界面のいずれかでの又は極中心での異常磁場は、ダイ特性に最小限の影響を及ぼすようにシャドーマスク１６０に対して位置決めすることができる。ダイマップと特定の磁性領域の間の相対方位は、ノッチ及びアライナープラットホーム上の対応する「ガイドピン」に基づく粗いアラインメント（すなわち、「プレアラインメント」）で達成することができる。プレアラインメント作動で達成した粗いアラインメントから、その後の最終「パターン認識ベースの」マスクアラインメントを実施することができる。
図３及び図４に示す例示的な実施形態では、磁性領域２１０−１及び２１０−２の各々は、複数のシャドーマスク開口部１６１を収容するほど十分大きく、従って、複数のダイは、各領域２１０−１及び２１０−２内に形成される。図示のように、シャドーマスク開口部１６１−Ａ及び１６１−Ｂは、領域２１０−１の上に配置されるが、マスク開口部１６１−Ａ及び１６１−Ｂの間の非デバイス領域は、極中心の上に配置される。代替的に、マスク開口部は、磁性領域２１０−２の縁部から離間したマスク開口部１６１−Ｅに関して示すように、磁区界面から離れて離間して配置された磁性領域の上に、又はマスク開口部１６１−Ｃに関して示すように、磁区界面の上に配置することができる。
第１の磁性領域２１０−Ａ及び第２の磁性領域２１０−Ｂを含む図３に示すような実施形態に対して、第１及び第２の領域の各々は、単一の均一に磁化した磁石を含むことができる。他の実施形態では、全面磁石ではなく複数のかなり小さい磁石は、１つ又はそれよりも多くの磁性領域（例えば、２１０−Ａ及び／又は２１０−Ｂ）で使用される。一部のこのような実施形態では、磁気強度は、第１の複数の磁石に対して低下し（例えば、領域２１０−Ｂにおいて）、大部分の加工物のための処理環境に対する力線の影響を最小にすることができるが、第２の複数の磁石を使用し（例えば、領域２１０−Ａにおいて）、シャドーマスク１６０の中心の近くへの十分に強力な固定を保証することができる。
図５Ａは、実施形態による自動化シャドーマスク組立／分解システム５０１の平面図を示す概略図である。システム５０１は、一般的に、複数のモジュールを整備することができるロボットプラットホームである。一部の実施形態では、システム５０１は、米国カリフォルニア州サンタ・クララ所在の「Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」から市販のＣｅｎｔｕｒａ（登録商標）又はＥｎｄｕｒａ（登録商標）プラットホームとすることができる。代替的な実施形態では、半導体製作において利用される他の市販のプラットホームも、本明細書で説明するような自動化方式でシャドーマスク組立／分解作動を行うように適応させることができる。例示的なシステム５０１は、ポート５０２／５０３を装填／取り外すように結合された中心ロボット取扱モジュール５０５を含み、そのポートへ／そのポートから本明細書で説明する分解及び組み立てたシャドーマスク−加工物−担体スタックがアクセス可能である。
実施形態では、システム５０１は、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック１００のようなシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの少なくとも一部分を組み立て及び／又は分解するアラインメントチャンバ５３０を更に含む。アラインメントチャンバ５３０は、シャドーマスクを加工物に整列させることができるアラインメントシステムを含む。図５Ｂに示す例示的な実施形態では、アラインメントチャンバ５３０は、ＣＣＤベースの光学パターン認識システム５３３を含む。しかし、光学干渉ベースシステム（例えば、散乱測定技術を使用する）のような他のアラインメントシステムも使用することができる。図５Ｂに示すように、ヘッド５３１又はペデスタル５３６のうちの少なくとも一方は、ＣＣＤベースの光学パターン認識システム５３３からの出力に応答して制御するために、ヘッド５３１とペデスタル５３６の間のアラインメントを達成するように多軸走行することができる。例示的なアラインメントチャンバ５３０に対して、ヘッド５３１は、ペデスタル５３６に対する多次元（例えば、６−Ｄ）移動に対して構成される。ヘッド５３１は、本明細書の他の箇所で説明するシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの組立及び／又は分解中にシャドーマスク又は加工物のうちの１つ又はそれよりも多くを保持するように構成された真空又は電磁システムを有するホルダ５３５を更に含む。
実施形態では、ペデスタル５３６は、磁気取扱担体又は加工物のうちの１つ又はそれよりも多くを保持するための真空又は電磁システムを設けるように構成される。図５Ｂに示す例示的な実施形態に対して、内側リフト５３７及び外側リフト５３８は、ペデスタル５３６に結合され、各リフトは、独立作動が可能である。好ましい実施形態では、内側リフト５３７は、磁気取扱担体１０１のような磁気取扱担体をペデスタル５３６の上に／これから離れて（ヘッド５３１から離れて／これに向けて）持ち上げる／下げるようになっているが、外側リフト５３８は、本明細書の他の箇所で説明するように、組立／分解作動中に加工物１５０のような加工物をペデスタル５３６の上に／これから離れて（ヘッド５３１から離れて／これに向けて）持ち上げる／下げるようになっている。
図５Ａに戻ると、例示的なシステム５０１は、半導体処理クラスターツールに対して従来式のあらゆる加工物アラインメント手段を使用することができるプレアライナー５５０を更に含む。例えば、プレアライナー５５０は、±０．５度まで正確にポート５０２／５０３から装荷された加工物の回転アラインメントを提供するように構成することができる。更に図示のように、システム５０１はまた、シャドーマスクストレージモジュール５１０及び取扱担体ストレージモジュール５２０を含む。ストレージモジュール５１０は、所定のシャドーマスクへの加工物の組み付けを容易にするためにシャドーマスク管理機能を提供するように構成することができる。例えば、シャドーマスクのマガジンは、シャドーマスクストレージモジュール５１０内に保存することができ、インデクサーが、システム５０１によって実行されるレシピのレシピパラメータフィールドによって定められた特定のシャドーマスクを提供することができる。同様に、磁気取扱担体１０１のような複数の取扱担体は、本明細書の他の箇所で説明するように、組立／分解シーケンスの実行中にロボット取扱モジュール５０５に保存され、インデックス付けするか又はそうでなければアクセス可能にすることができる。
図６Ａは、本発明の実施形態によるシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを組み立てるための例示的な方法６００における作動を表す流れ図である。図８Ａ〜図８Ｋは、方法６００の特定の作動が実施される時のアラインメントチャンバ５３０（図５Ｂ）の状態を示している。
方法６００は、作動６０１においてプラットホームに加工物の提供を始める。一実施形態では、作動６０１において、加工物１５０は、システム５０１の入力ポート５０２においてインデックス付けされる。次に、作動６０５において、担体は、プラットホームのアラインメントチャンバにおいて第１の支持体上に装荷される。一実施形態では、作動６０５において、磁気取扱担体１０１は、ペデスタル５３６（図８Ａ）上に装荷される。例えば、磁気取扱担体１０１は、担体ストレージモジュール５２０（図５Ａ）から選択され、ロボットハンドラー８９０（図５Ａ）を有するロボット取扱モジュール５０５を通過して内側リフト５３７（図８Ｂ及び図８Ｃ）上に設置することができる。次に、内側リフト５３７を下げ、磁気取扱担体１０１をペデスタル５３６（図８Ｄ）上に配置する。半自動化実施形態では、人間オペレータは、内側リフト５３７上に磁気取扱担体１０１を供給することができ、その時に内側リフト５３７は、自動的に又は手動で下げられ、磁気取扱担体１０１をペデスタル５３６上に配置することができる。磁気取扱担体１０１がペデスタル５３６上に配置されると、ペデスタル５３６上の所定位置に磁気取扱担体１０１を保持するように電磁又は真空クランプ力などを印加することができる。
図６Ａに戻ると、方法６００は、シャドーマスクがアラインメントチャンバにおいて第２の支持体上に装荷される作動６１０に進む。例示的な完全自動化実施形態では、作動６１０において、シャドーマスク１６０は、ヘッド５３１（図８Ｄ）上に装荷される。例えば、シャドーマスク１６０は、ロボットハンドラー８９０によってシャドーマスクストレージモジュール５１０から選択され、ロボット取扱モジュール５０５（図５Ａ）を通過してホルダ５３５（図８Ｅ）上に設置することができる。半自動化実施形態では、人間オペレータは、ホルダ５３５上にシャドーマスク１６０を供給することができる。ヘッド５３１上に配置されたシャドーマスク１６０により、電磁又は真空クランプ力などは、ヘッド５３１上の所定位置にシャドーマスク１６０を保持するように印加することができる。
図６Ａに戻って参照すると、方法６００は、加工物がアラインメントチャンバ５３０の中に装荷される作動６１５に進む。例示的な完全自動化実施形態では、作動６１５において、加工物１５０は、入力ポート５０２（図５Ａ）からロボットハンドラー８９０（図８Ｆ）によってアラインメントチャンバ５３０の中に装荷される。加工物１５０は、外側リフト５３８（図８Ｇ）上に置かれる。アラインメントチャンバ５３０に存在するシャドーマスク−加工物−磁気取扱担体スタックの各構成要素により、加工物１５０は、最初にシャドーマスク１６０に結合されるか又は取扱担体１０１に結合されるかのいずれかである。担体１０１が埋め込まれた永久磁石を含む一実施形態では、加工物１５０は、シャドーマスク１６０と担体１０１の間に何ら電磁結合なしにこのようなアラインメントを実施することができるように、最初にシャドーマスク１６０に整列してこれに結合される。しかし、代替的な実施形態（例えば、担体１０１が電磁を使用する場合）において、加工物１５０は、最初に担体１０１に整列してこれに結合される。
図６Ａに更に示すように、加工物は、作動６２０においてシャドーマスクの近くに位置決めされ、その後の２つのアラインメントを容易にする。図８Ｈに示す例示的な実施形態では、ヘッド５３１及び外側リフト５３８のうちの少なくとも一方は、それらが加工物１５０の装荷中の時よりも近づくように他方に対して移動する。ＣＣＤベースの光学パターン認識システム５３３を使用する特定の実施形態では、ヘッド５３１及び／又は外側リフト５３８は、ＣＣＤベースの光学パターン認識システム５３３の被写界深度の範囲でシャドーマスク１６０（ヘッド５３１上に配置された）及び加工物１５０（外側リフト５３８上に配置された）の各々を位置決めするように移動するが、シャドーマスク１６０とシャドーマスク１６０が磁気取扱担体１０１に磁気的に結合していない磁気取扱担体１０１（ペデスタル５３６上に配置された）との間は、十分に大きく分離したままである。特定的な実施形態では、中和磁場が、ペデスタル５３６又はヘッド５３１によって印加され、シャドーマスク１６０と担体１０１の間の有効磁場力を低減することができる。
所定位置でのヘッド５１及び外側リフト５３８により、方法６００は、加工物をヘッド５３１及びペデスタル５３６のうちの１つ又はそれよりも多くの制御移動によりシャドーマスクに整列させる作動６２５に進む。例示的な実施形態では、シャドーマスク１６０のパターン化特徴部１６１は、ＣＣＤ（例えば、ヘッド５３１に装着された）からの入力に基づくコントローラによって実行する自動化光学アラインメントアルゴリズムを使用して加工物１５０において予めパターン化された特徴部（図示せず）に整列する。
ペデスタル５３６に対するヘッド５３１の位置間のアラインメント誤差の閾値公差に達した時に、整列したシャドーマスクは、作動６３０において加工物上に配置される。自動化又は半自動化実施形態のいずれかに対して、加工物１５０がシャドーマスク１６０に整列すると、周囲保持力が、外側リフト５３８によって印加され、シャドーマスク−加工物−磁気取扱担体スタックが組み立てられるまで、シャドーマスク１６０に対して所定位置に加工物１５０を保持することができる（ホルダ５３５によって保持されるように）。例示的な実施形態では、ヘッド５３１、ペデスタル５３６、又は内側リフト５３７のうちの１つ又はそれよりも多くを他方に向けて移動し、加工物１５０の底面を担体１０１（ペデスタル５３６上に配置された）の上面と接触させ、この時点で、磁気取扱担体１０１とシャドーマスク１６０の間の電磁結合により、整列方式でシャドーマスク１６０を加工物１５０に取り付け、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック１００を形成する。例えば、一実施形態では、加工物１５０に整列したシャドーマスク１６０を使用して、加工物は、外側リフト５３８によって支持されるが、内側リフト５３７は、作動６３５において上げられ、整列した加工物１５０を担体１０１（図８Ｊ）上に配置し、次に、外側リフト５３８は、下げられ、組み立てた磁気取扱担体スタックをロボットハンドラー８９０上に設置する。半自動化実施形態では、人間オペレータは、加工物１５０を磁気取扱担体１０１上に供給することができる。
次に、方法６００は、組み立てたシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック１００がアラインメントチャンバ５３０（例えば、内側リフト５３７によって位置決めされたような）からポート５０２／５０３に通される作動６９９で完了し、同じか又は個別のシステム／プラットホームが、組み立てたスタック上でその続の処理（例えば、堆積）を実施することを可能にする。
別の実施形態では、システム５０１は、その後の処理（例えば、膜堆積）を組み立てたスタック上で実施した後に、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの分解を更に実施することができる。一実施形態では、アラインメントチャンバ５３０は、分解作動に対して使用されるが、別の実施形態では、アラインメントチャンバ５３０とは別のチャンバを利用し、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを分解する。１つのこのような実施形態では、ＣＣＤベースの光学パターン認識システム５３３のようなアラインメントシステムを欠き、かつ簡易（例えば、６−Ｄ未満）移動を有するが、そうでなければ図５Ｂに示す全ての構成要素を含む分解モジュールを利用し、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックを分解する。
図６Ｂは、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックをシステム５０１のようなプラットホームに供給することから始めて、例示的な分解方法６５０を示している。図９Ａ〜図９Ｇは、方法６５０の作動を実施する時のアラインメントチャンバ５３０（図５Ｂ）の状態を示している。例えば、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック１００は、ポート５０２／５０３（図５Ａ）に供給することができる。作動６５５において、組み立てたスタック１００は、ロボットハンドラー８９０によって分解チャンバ又はモジュール（例えば、図９Ａ〜図９Ｃに示すようなアラインメントチャンバ５３０）の中に装荷される。加工物１５０は、最初にシャドーマスク１６０又は取扱担体１０１のいずれかから切り離される。
一実施形態では、作動６６０において、加工物１５０は、最初に担体から持ち上げられる（例えば、外側リフト５３８により）。例えば、担体１０１が埋め込まれた永久磁石を含む一実施形態では、加工物１５０は、最初に加工物１５０を持ち上げるように外側リフト５３８を上げることによって担体１０１から切り離され、揚力によって磁気クランプ力及び担体１０１をペデスタル５３６に締結するペデスタル３３６によって印加された力に打ち勝つ。
別の実施形態では、加工物１５０は、作動６７５において、シャドーマスク１６０から離して加工物１５０を下げる外側リフト５３８によって印加された周囲保持力によりシャドーマスク１５０から最初に切り離されるが、シャドーマスク１６０は、ホルダ５３５によってヘッド５３１にクランプ締めされる。代替的に、図９Ｄに示すように、中和磁場が、ペデスタル５３６により印加され、シャドーマスク１６０がホルダ３５３によってクランプ締めされている間に磁気取扱担体１０１からシャドーマスク１６０の電磁結合を外すことができ、又は担体１０１内の電磁石の磁力を落とすことができる。
シャドーマスク１６０及び担体１０１が電磁的に切り離されると、シャドーマスクは、加工物１５０から取り上げられる。例えば、図９Ｄ〜図９Ｅを参照すると、ヘッド５３１、外側リフト５３８、又はペデスタル５３６は、他方に向けて移動され、ホルダ５３５がシャドーマスク１６０に結合することを可能にする。シャドーマスクが取り外されると、ロボットハンドラー８９０又は人間オペレータは、作動６８０（図９Ｆ）において、加工物１５０を分解チャンバから取り外すことができる。例示的な完全自動化実施形態では、ロボット取扱モジュール５０５は、加工物１５０をアラインメントチャンバ５３０からそれをその後のマスクなし処理のために作動６９９においてシステム５０１から取り外すことができるポート５０２／５０３まで移送する。
作動６９０において、ロボットハンドラー又はオペレータは、図９Ｇに示して本明細書の他の箇所で更に説明するように、シャドーマスク１６０を分解チャンバから更に取り外すことができ、又はシャドーマスク１６０をヘッド５３１に取り付けたままにし、その後に新しい加工物１５０Ｂに整列させることを可能にすることができる。同様に、作動６９５において、ロボットハンドラー又はオペレータはまた、本明細書の他の箇所で更に説明するように、磁気取扱担体１０１を分解チャンバから取り外すことができ、又は磁気取扱担体１０１をペデスタル５３６に取り付けたままにし、新しい加工物を受け入れることを可能にすることができる。
アラインメントチャンバ５３０をシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの組立及び分解の両方に利用する特定的な実施形態では、第１のスタックの分解を第２のスタックの組立と同時に実施し、担体及びシャドーマスクの移送を最小にする。このような実施形態は、作業フローが連続作動でステージに置かれた加工物を有する時に有利な場合があり、完成した加工物からのシャドーマスクは、まだ処理されていない加工物まで直接に移動することができる。
図６Ｃは、実施形態による第１のシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの分解を第２のシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックの組立に統合するための例示的な方法６５１における作動を表す流れ図である。一般的に、図６Ａ及び図６Ｂに示す選択された作動は、同時組立及び分解を達成するように順序付けられる。より具体的には、作動６５１及び６０１は、第１の加工物を含むシャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック、並びに第２の（装着されていない）加工物の両方をシステム５０１のようなプラットホームに供給するように実施される。次に、方法６５１は、実質的に本明細書の他の箇所で説明するように、作動６５５、６６０、６７５、６９０、及び６９９を実施するように進む。その後、作動６１５は、組立チャンバ（例えば、図９Ｇに示すような）において第２の加工物１５０Ｂを装荷するように実施される。次に、作動６２０、６２５、６３０、及び６４０は、方法６５１を終了するために、実質的に本明細書の他の箇所で説明するように実施される。
図７は、図５Ａに示す自動化シャドーマスク組立／分解システム５０１及び／又は図５Ｂに示すアラインメントチャンバ５３０を制御し、図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃの方法のうちの１つ又はそれよりも多くを実施するのに使用することができるコンピュータシステム７００のブロック図である。
例示的なコンピュータシステム７００を使用し、本明細書で説明する作動、処理チャンバ、又は処理プラットホームのうちの１つ又はそれよりも多くを制御することができる。代替的な実施形態では、機械は、「ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）」、イントラネット、エクストラネット、又は「インターネット」において他の機械に接続する（ネットワークで結ぶ）ことができる。機械は、クライアントサーバネットワーク環境におけるサーバ又はクライアント機械の機能において、又はピアツーピア（又は分散型）ネットワーク環境におけるピア機械として作動させることができる。機械は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ又はブリッジ、又はその機械によって取るべき行動を指定する１組の命令（順次又はその他）を実行することができるあらゆる機械とすることができる。更に、単一機械のみを示すが、用語「機械」はまた、本明細書で説明する手法のいずれか１つ又はそれよりも多くを実施するように１組（又は複数組）の命令を個々に又は共に実行する機械（例えば、コンピュータ）のあらゆる集合を含むように解釈すべきである。
例示的なコンピュータシステム７００は、バス７３０を通じて互いに連通するプロセッサ７０２、メインメモリ７０４（例えば、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、又はラムバスＤＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）などのような動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、静的メモリ７１８（例えば、フラッシュメモリ、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、その他）、及び２次メモリ７１８（例えば、データ記憶デバイス）を含む。
プロセッサ７０２は、マイクロプロセッサ又は中央演算処理ユニットなどのような１つ又はそれよりも多くの汎用処理デバイスを代表するものである。特に、プロセッサ７０２は、複合命令組コンピュータ（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令組コンピュータ（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、他の命令組を実施するプロセッサ、又は命令組の組合せを実施するプロセッサとすることができる。プロセッサ７０２はまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、又はネットワークプロセッサなどのような１つ又はそれよりも多くの専用処理デバイスとすることができる。プロセッサ７０２は、本明細書の他の箇所で説明する処理作動を実施するための処理論理７２６を実行するように構成される。
コンピュータシステム７００は、ネットワークインタフェースデバイス７０８を更に含むことができる。コンピュータシステム７００はまた、映像表示ユニット７１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はブラウン管（ＣＲＴ））、英数字入力デバイス７１２（例えば、キーボード）、カーソル制御デバイス７１４（例えば、マウス）、及び信号発生デバイス７１６（例えば、スピーカ）を含むことができる。
２次メモリ７１８は、本明細書で説明する方法又は機能のいずれか１つ又はそれよりも多くを具現化する命令（例えば、ソフトウエア７２２）のうちの１つ又はそれよりも多くの組を記憶する機械アクセス可能記憶媒体（又はより具体的には、コンピュータ可読記憶媒体）７３１を含むことができる。ソフトウエア７２２はまた、コンピュータシステム７００によるその実行中に完全に又は少なくとも部分的に主メモリ７０４内及び／又はプロセッサ７０２内に常駐することができ、主メモリ７０４及びプロセッサ７０２も、コンピュータ可読記憶媒体を構成する。ソフトウエア７２２は、ネットワークインタフェースデバイス７０８を通じてネットワーク７２０にわたって更に送信又は受信することができる。
コンピュータ可読記憶媒体７３１は、処理システムによって実行するための１組の命令を記憶するのに更に使用することができ、これは、システムが本発明の実施形態のいずれか１つ又はそれよりも多くを実施することを可能にする。本発明の実施形態は、更に、コンピュータプログラム製品又はソフトウエアとして提供することができ、これは、コンピュータシステム（又は他の電子デバイス）をプログラムし、本発明による処理を実施するのに使用することができる命令を記憶したコンピュータ可読記憶媒体を含むことができる。コンピュータ可読記憶媒体は、機械（例えば、コンピュータ）によって可読な形式の情報を記憶するためのあらゆる機械を含む。例えば、機械可読（例えば、コンピュータ可読）媒体は、機械（例えば、コンピュータ）可読記憶媒体（例えば、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学式記憶媒体、及びフラッシュメモリデバイス、その他）を含む。
すなわち、磁気取扱担体と、シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタックのような製造アセンブリを組立及び分解する方法とを開示した。本発明の実施形態は、構造的特徴又は特定の方法論的行為に固有の言語で説明したが、本明細書に伝える本発明は、必ずしも上述の例示的な特徴及び実施形態に限定されるものではないことは理解されるものとする。
１００ シャドーマスク／加工物／磁気取扱担体スタック
１０１ 磁気取扱担体
１５０ 加工物
１６０ シャドーマスク
１６１ パターン化特徴部

Claims (15)

  1. 基板の薄膜処理のためのアセンブリであって、
    複数の定められた磁性領域を備えた磁気取扱担体であって、該磁気取扱担体の軸中心に近接する第１の磁性領域が、前記磁気取扱担体の軸中心から離れている第２の磁性領域の磁場強度より大きい磁場強度を有する、前記磁気取扱担体と、
    前記磁気取扱担体の上に配置されてこれに磁気的に結合されたシャドーマスクであって、処理条件に露出される時に該シャドーマスクと該磁気取扱担体の間に配置されることになる加工物の上部を覆う前記シャドーマスクと、
    を含むことを特徴とするアセンブリ。
  2. 前記磁気取扱担体は、保護ケーシングに封入された高温適合永久磁石又は電磁石を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
  3. 前記保護ケーシングは、
    前記磁石を収容する凹部を含むプレートと、
    前記プレートに固定されたカバーと、
    を含む、
    ことを特徴とする請求項２に記載のアセンブリ。
  4. 前記磁気取扱担体は、気体を該担体の裏面から該担体の上面まで誘導する貫通孔を含み、
    前記担体の前記上面は、前記貫通孔からの前記気体を該上面のある一定の区域にわたって配分するための凹部を含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
  5. 磁気取扱担体は、該担体のある一定の区域にわたって配置された複数の磁石を含み、該複数の磁石は、
    前記担体の軸線方向中心の近くに配置された第１の環状磁石、及び
    前記担体の前記軸線方向中心から外向きにある一定の半径方向距離に配置された第２の環状磁石、
    を含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
  6. 前記複数の磁石は、前記シャドーマスクの隣接する開口部の間のある一定の領域に配置された磁極中心又は磁区界面のいずれかを有するように前記担体内に位置決めされた第１及び第２の磁石を含むことを特徴とする請求項５に記載のアセンブリ。
  7. 処理条件に露出するために加工物の上部を覆うようにシャドーマスクを組み立てるためのシステムであって、
    前記シャドーマスクを保持する第１の支持体と、
    取扱担体を保持する第２の支持体であって、前記取扱担体は複数の定められた磁性領域を備え、前記取扱担体の軸中心に近接する第１の磁性領域が、前記取扱担体の軸中心から離れている第２の磁性領域の磁場強度より大きい磁場強度を有する、第２の支持体と、
    前記シャドーマスクを前記担体及びシャドーマスクの間に配置されることになる前記加工物に整列させるアラインメントシステムであって、前記第１及び第２の支持体が、該アラインメントシステムからの出力に応答して該加工物を該シャドーマスクと接触させるために互いに対して移動可能である前記アラインメントシステムと、
    を含む第１のチャンバ、
    を含むことと特徴とするシステム。
  8. 前記第１及び第２の支持体は、前記シャドーマスクを前記取扱担体の磁場の中にもたらすように互いに対して移動可能であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  9. 前記第１及び第２の支持体の少なくとも一方が、前記シャドーマスク又は取扱担体の一方を保持するための真空式、機械式、又は静電気クランプを含み、かつ
    前記第１及び第２の支持体の少なくとも一方が、多軸移動可能ステージを含む、
    ことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  10. 前記アラインメントシステムは、コンピュータ式パターン認識システムを含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  11. 前記第２の支持体は、裏面冷却システム、前記加工物を前記担体に置き換える第１のリフトピン、及び前記担体を該第２の支持体に対して変位させる第２のリフトピンを含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  12. シャドーマスクのマガジンを置き換えるためのインデクサーを含むシャドーマスクストレージモジュールと、
    前記シャドーマスクに組み付けられることになる担体のマガジンを置き換えるためのインデクサーを含む担体ストレージモジュールと、
    前記ストレージモジュールと前記第１のチャンバの間でシャドーマスク及び担体の両方を移送するためのロボットハンドラーと、
    を更に含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  13. 処理条件に露出するために加工物の上部を覆うシャドーマスクを取り扱う方法であって、
    取扱担体を第１の支持体上に配置する段階であって、前記取扱担体は複数の定められた磁性領域を備え、前記取扱担体の軸中心に近接する第１の磁性領域が、前記取扱担体の軸中心から離れている第２の磁性領域の磁場強度より大きい磁場強度を有する、前記取扱担体を配置する段階と、
    シャドーマスクを第２の支持体上に配置する段階と、
    コンピュータ制御式多軸ステージを用いて、コンピュータ式パターン認識システムに基づいて前記第１の支持体を前記第２の支持体に対して第１の距離だけ移動することにより、前記シャドーマスクの第１のパターン化特徴部を加工物の第２のパターン化特徴部に整列させる段階と、
    前記第１の支持体を前記第２の支持体に対して第２の距離だけ移動して前記整列したシャドーマスクの底面を前記取扱担体の磁場の中にもたらすことにより、該整列したシャドーマスクを該取扱担体と結合する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  14. 前記第１及び第２のパターン化特徴部を整列させる前に前記加工物を前記取扱担体上に配置する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 前記第１及び第２のパターン化特徴部を整列させる最中に前記加工物の上で前記第１の支持体上に配置される間は前記シャドーマスクを懸架する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9325007B2 (en) 2009-10-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Shadow mask alignment and management system
EP2742524A4 (en) 2011-08-08 2015-07-15 Applied Materials Inc THIN-LAYER STRUCTURES AND DEVICES WITH INTEGRATED LIGHT AND HEAT LOCKING LAYERS FOR LASER PATTERN REALIZATION
US8673791B2 (en) 2012-05-25 2014-03-18 International Business Machines Corporation Method and apparatus for substrate-mask alignment
US9000455B2 (en) * 2013-03-10 2015-04-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Shadow mask assembly
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5516816B1 (ja) 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5641462B1 (ja) 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
TW201622229A (zh) * 2014-08-28 2016-06-16 應用材料股份有限公司 用於增加ＬｉＰＯＮ離子導電性以及薄膜電池製造產率的特殊ＬｉＰＯＮ遮罩
KR102227479B1 (ko) 2014-09-17 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 마그넷 플레이트 조립체, 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법
CN105695937B (zh) * 2014-11-28 2019-06-11 上海和辉光电有限公司 磁性装置、磁力调节装置及其磁力调节方法
CN104561895B (zh) * 2014-12-25 2017-03-22 昆山国显光电有限公司 一种复合掩膜板及其制作方法
TWI656229B (zh) 2015-02-10 2019-04-11 日商大日本印刷股份有限公司 有機el顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機el顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
CN105679799B (zh) * 2016-01-25 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法
US10637101B2 (en) 2017-05-03 2020-04-28 International Business Machines Corporation Miniaturized electronics package with patterned thin film solid state battery
US10503077B2 (en) 2017-11-07 2019-12-10 International Business Machines Corporation Shadow mask area correction for tunnel junctions
US10886452B2 (en) * 2018-01-25 2021-01-05 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Selective and direct deposition technique for streamlined CMOS processing
CN111276749B (zh) * 2018-12-04 2021-01-26 有研工程技术研究院有限公司 一种射频磁控溅射法制备高性能全固态薄膜锂电池的方法
WO2020140034A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Didi Research America, Llc System and methods for microfabrication
WO2020242611A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate
US11189516B2 (en) 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
US10916464B1 (en) 2019-07-26 2021-02-09 Applied Materials, Inc. Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
US11756816B2 (en) 2019-07-26 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Carrier FOUP and a method of placing a carrier
US11196360B2 (en) 2019-07-26 2021-12-07 Applied Materials, Inc. System and method for electrostatically chucking a substrate to a carrier
US10957512B1 (en) * 2019-09-25 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Method and device for a carrier proximity mask
US10991547B2 (en) 2019-09-25 2021-04-27 Applied Materials, Inc. Method and device for a carrier proximity mask
US11335531B2 (en) 2020-02-13 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Shadow mask apparatus and methods for variable etch depths
US11715662B2 (en) 2020-12-11 2023-08-01 Applied Materials, Inc. Actively clamped carrier assembly for processing tools

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2006A (en) * 1841-03-16 Clamp for crimping leather
JPS6342155U (ja) 1986-09-04 1988-03-19
JP2735077B2 (ja) 1988-12-26 1998-04-02 富士通株式会社 蒸着治具
JP3516346B2 (ja) 1992-09-08 2004-04-05 大日本印刷株式会社 スパッタ用治具
US5352294A (en) * 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
JP4058149B2 (ja) 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP2004079349A (ja) 2002-08-19 2004-03-11 Sony Corp 薄膜形成装置
JP4184771B2 (ja) 2002-11-27 2008-11-19 株式会社アルバック アライメント装置、成膜装置
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP4549697B2 (ja) 2004-03-04 2010-09-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
JP4494832B2 (ja) 2004-03-11 2010-06-30 株式会社アルバック アライメント装置及び成膜装置
JP4534011B2 (ja) * 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 マスクアライメント法を用いたディスプレイの製造方法
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
US7196775B2 (en) 2004-08-23 2007-03-27 Asml Holding N.V. Patterned mask holding device and method using two holding systems
JP2006069625A (ja) 2004-09-02 2006-03-16 Nsk Ltd キャップ装着用治具及び該治具に用いられる転がり軸受
JP4576200B2 (ja) 2004-10-21 2010-11-04 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び基板処理装置におけるアーキング発生監視方法
US20060086321A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Advantech Global, Ltd Substrate-to-mask alignment and securing system with temperature control for use in an automated shadow mask vacuum deposition process
JP4331707B2 (ja) 2004-12-16 2009-09-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 整列システム、垂直型トレイ移送装置及びこれを具備した蒸着装置
EP1717339A2 (de) * 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films GmbH & Co. KG Kontinuierliche Beschichtungsanlage
DE502005003731D1 (de) * 2005-04-20 2008-05-29 Applied Materials Gmbh & Co Kg Magnetische Maskenhalterung
KR20060134363A (ko) * 2005-06-22 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 경사형 캐리어 이송 장치
WO2007133252A2 (en) * 2006-05-10 2007-11-22 Advantech Global, Ltd. Tensioned aperture mask and method of mounting
KR100712953B1 (ko) 2006-06-16 2007-05-02 두산디앤디 주식회사 기판 얼라인장치 및 이를 이용한 기판얼라인방법
US20080006523A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-10 Akihiro Hosokawa Cooled pvd shield
KR20090127288A (ko) 2007-11-30 2009-12-10 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US9325007B2 (en) 2009-10-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Shadow mask alignment and management system

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