JP5725324B2

JP5725324B2 - 不純物含有量を低減した液晶組成物

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Publication number: JP5725324B2
Application number: JP2010081246A
Authority: JP
Inventors: 原　智章; 智章原; 川上　正太郎; 正太郎川上; 根岸　真; 真根岸
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2010-03-31
Filing date: 2010-03-31
Publication date: 2015-05-27
Anticipated expiration: 2030-03-31
Also published as: JP2011213787A

Description

液晶組成物の信頼性の低下を惹き起こすナフタレン化合物の塩素置換体の含有量を減少させた液晶組成物の提供及びこれを構成する高信頼性組成物及び液晶表示素子更にその組成物の精製法に関する。

液晶表示素子は液晶テレビ、携帯電話やパソコンなどをはじめとする民生用途から産業用途まで広く使用されており、その生産高はブラウン管を凌駕するまでになってきた。これに伴い、液晶表示素子に対する要求特性は多様かつ高度なものとなってきている。例えば動画をスムーズに表示させるための高速応答化や優れた表示特性を実現する高コントラスト化等がある。これら表示特性は製品寿命に至るまで保持する必要があり、液晶表示素子が経時的な劣化を惹き起こさないことも求められている。このため液晶表示素子に使用される液晶組成物に対しても、長期にわたり品質の劣化を惹き起こさないことが必要となっている。

液晶組成物の品質を向上させるために、これまでに多くの研究がなされてきた。例えば、液晶組成物を構成する液晶化合物中の水分や金属イオンを除去する方法として、液晶化合物をシリカゲルと接触させる方法（特許文献１参照）、活性アルミナと接触させる方法（特許文献２参照）、イオン交換樹脂で処理する方法（特許文献３参照）、ゼオライトと接触させる方法（特許文献４参照）が開示されている。更に、対向する一対の電極間に液晶化合物を入れ、電界をかけることにより、電界による移動度の比較的大きなＮａ＋、Ｋ＋等の金属イオンや、ＳＯ_４ ^２−、ＮＯ_３ ⁻、Ｃｌ⁻等のイオン性不純物を除去する方法等（特許文献５〜７参照）が開示されている。

しかし、上記精製法により除去される不純物はそれ自体が、液晶組成物の電圧保持率等を低下させる原因物質であり、液晶化合物と大きく構造が異なるものである。これらの成分を除去した液晶組成物は、除去した直後こそ電圧保持率や比抵抗値が向上するものの、経時的な劣化は進行していくことがわかった。このため、長期にわたり、品質の劣化を起こさない液晶組成物の提供が求められるようになった。

高速応答化や高コントラスト化を可能とする液晶組成物として、ナフタレン誘導体を含む液晶組成物が開発されている。例えば、Δεが正の化合物として式（III−１）を含む液晶組成物（特許文献８参照）やΔεが負の化合物として式（IV−１）を含む液晶組成物（特許文献９参照）が開示されている。

しかしこれらの化合物は製造の際に、反応条件や使用する反応剤の純度、更に製造装置の洗浄の状況によって、未知の不純物成分が生成することがあり、これによって電圧保持率や比抵抗値の低下が起こり、表示不良等が生じることがあった。従来は、未知の不純物についての言及が行われていなかったため、有効な精製方法等が確立できず、高度化した液晶組成物に対する高信頼性の要求に応えることが困難となっていた。

特開昭６２−２１０４２０号公報特開昭５８−１７７４号公報特開昭５２−５９０８１号公報特開昭６３−２６１２２４号公報特開昭５０−１０８１８６号公報特開昭５１−１１０６９号公報特開平４−８６８１２号公報特開２００４−５１６４６号公報（実施例１２）特開２００５−２７２５６２号公報（実施例７）

長期に渡り高い電圧保持率及び高い比抵抗値を保つ液晶組成物及び液晶表示素子を提供することであり、これを達成するために不純物であるナフタレン化合物の塩素置換体の含有量を低下させた組成物及びその精製法を提供することである。

液晶組成物の経時劣化の原因を鋭意調査したところ、化学的に不安定であり液晶材料と構造が近似する不純物が液晶組成物に含まれている場合に、バックライトの発する紫外線や熱に曝されることにより経時分解が進行することがわかった。具体的には、式（III−１）や式（IV−１）を合成する際に、式（III−２）や式（IV−２）、（ＩＶ−３）

で表される化合物を不純物として数百ｐｐｍから数％副生することがあることが明らかとなった。ナフタレン上の塩素原子がフッ素原子に比べ脱離能が高く、化学的に不安定であることから、紫外線照射や加熱によりこれらの化合物から塩素原子が脱離してしまう。不純物としてこれらの化合物を含まない純粋な式（III−１）や式（IV−１）のみであればフッ素原子の脱離能は低いため、これらを含む液晶表示素子の経時的な表示不良等は起こらない。しかし式（III−２）や式（IV−２）を含む液晶組成物を使用した液晶表示素子は経時的な式（III−２）や式（IV−２）からの塩素原子の脱離により液晶組成物中のイオン成分が増加し、電圧保持率や比抵抗値の低下が起こり、表示不良等が生じてしまうことが明らかとなった。

これらの知見より、特定の化合物を除去した液晶組成物を提供することにより、液晶組成物の品質を飛躍的に向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。

本願は一般式（Ｉ）

(式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立的にフッ素原子、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基を表し、１個又は２個以上の炭素原子が−Ｏ−、−Ｃ＝Ｃ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子、フッ素化されていても良いアルキル基、フッ素化されていても良いアルコキシル基により置き換えられても良く、分子内に不斉炭素原子を持つ場合にはラセミ体であっても光学活性体であっても良い。Ａ及びＢはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表し、これら基中に含まれる１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子により置き換えられても良く、これら基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−により置き換えられても良く、Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨＣＨ_３ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨＣＨ_３−、−ＣＨＣＨ_３Ｏ−、−ＯＣＨＣＨ_３−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立的に水素原子、フッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、ｍ及びｎはそれぞれ独立的に０、１、２又は３を表すが、ｍ及び／又はｎが２又は３を表す場合において２個あるいは３個存在するＡ、Ｂ、Ｚ^１及び／又はＺ^２は同一であっても異なっていても良い。)で表される化合物を１種又は２種以上含有し、更に一般式（Ｉ）で表される化合物においてＸ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６、ｍが０を表す場合のＲ^１、ｎが０を表す場合のＲ^２が、フッ素原子を表す場合に、そのうち少なくとも１個以上のフッ素原子が塩素原子に置換した一般式（ＩＩ）

（式中、Ａ、Ｂ、ｍ、ｎ、Ｚ^１及びＺ^２は一般式（Ｉ）において選択したＡ、Ｂ、ｍ、ｎ、Ｚ^１及びＺ^２と同一のものを表し、Ｒ^１１はｍが０を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^１と同一のもの又は塩素原子を表し、ｍが１、２又は３を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^１と同一のものを表し、Ｒ^１２はｍが０を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^２と同一のもの又は塩素原子を表し、ｍが１、２又は３を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^１と同一のものを表し、Ｘ^１１は一般式（Ｉ）において選択したＸ^１と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１２は一般式（Ｉ）において選択したＸ^２と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１３は一般式（Ｉ）において選択したＸ^３と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１４は一般式（Ｉ）において選択したＸ^４と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１５は一般式（Ｉ）において選択したＸ^５と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１６は一般式（Ｉ）において選択したＸ^６と同一のもの又は塩素原子を表すが、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうち１個又は２個以上は塩素原子を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、１種含有する場合にはその含有量が一般式（ＩＩ）で表される化合物の検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下である測定手段における検出下限値未満から５ｐｐｍの間であり、一般式（ＩＩ）で表される化合物を２種以上含有する場合にはその各々の含有量の合計が一般式（ＩＩ）で表される化合物の検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下である測定手段における検出下限値未満から５ｐｐｍの間であることを特徴とする液晶組成物を提供する。

本発明の化学的に不安定な不純物の含有量を減少させた組成物を提供することにより、これを含有する液晶組成物の経時的な品質の低下が抑えられ、製品寿命に至るまで初期の表示特性から劣化が生じない液晶表示素子の製造が可能となった点において有用である。

以下に本発明について詳細に説明する。

一般式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）で表される化合物は、公知の化合物であり、当業者が容易に入手することができる。一般式（ＩＩ）で表される化合物は一般式（Ｉ）で表される化合物の製造の際に不可避的に生じる化合物であり、一般式（Ｉ）で表される化合物のナフタレン骨格へフッ素原子を導入する際にフッ素原子ではなく塩素原子が導入された化合物又は、製造工程中でフッ素原子が塩素原子に置換してしまった化合物である。

製造工程において、一般式（Ｉ）で表される化合物は反応終了後には一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種又は２種以上含んだ組成物となっている。一般式（Ｉ）で表される化合物は１度に１種のみを製造することもできるし、２種を同時に製造することもできる。また、１種の一般式（Ｉ）で表される化合物を合成する際に不純物として他の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することもある。

一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶材料（概ね１より大きい）であっても、誘電率異方性が負のいわゆるｎ型液晶材料（概ね−１より小さい）であっても、誘電率異方性がほぼ０である液晶材料（概ね−１から１）であってもよい。

ｎ型液晶材料としてはＸ^１、Ｘ^２及びＸ^３は少なくとも２個以上がフッ素原子が好ましく、３個ともフッ素原子がより好ましい。Ｒ^１及びＲ^２は炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基が好ましい。Ａ及びＢは１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子により置き換えられても良いトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表す化合物が好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子により置き換えられても良い１，４−フェニレン基が更に好ましい。Ｚ^１及びＺ^２は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が更に好ましい。ｍ＋ｎは１、２又は３が好ましく、１又は２が更に好ましい。ｍ及び／又はｎが２又は３を表す場合において２個あるいは３個存在するＡ、Ｂ、Ｚ^１及び／又はＺ^２は同一であっても異なっていても良い。

ｐ型液晶材料としてはＲ^１及びＲ^２はフッ素原子、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基が好ましく、Ｒ^１は炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基が更に好ましく、
炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基が更に好ましく、Ｒ^２はフッ素原子、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基が更に好ましい。Ａ及びＢは１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子により置き換えられても良いトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表す化合物が好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子により置き換えられても良い１，４−フェニレン基が更に好ましい。Ｚ^１及びＺ^２は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−Ｃ≡Ｃ−が更に好ましい。Ｘ^１、Ｘ^２又はＸ^６はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基が好ましく、Ｘ^１、Ｘ^２又はＸ^６はフッ素原子が更に好ましく、Ｘ^３、Ｘ^４又はＸ^５は水素原子が好ましい。ｍ＋ｎは１、２又は３が好ましく、１又は２が更に好ましい。ｍ及び／又はｎが２及び３を表す場合において２個あるいは３個存在するＡ、Ｂ、Ｚ^１及び／又はＺ^２は同一であっても異なっていても良い。

誘電率異方性がほぼ０である液晶材料としては、Ｒ^１及びＲ^２は炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基が更に好ましい。Ａ及びＢはトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置き換えられても良い１，４−フェニレン基が好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が更に好ましい。Ｚ^１及びＺ^２は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−が更に好ましい。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６は水素原子又はフッ素原子が好ましく、そのうち４個以上が水素原子であることが更に好ましく、そのうち５個以上が水素原子であることが更に好ましく、すべてが水素原子であることが更に好ましい。ｍ＋ｎは１、２又は３が好ましく、１又は２が更に好ましい。ｍ及び／又はｎが２又は３を表す場合において２個あるいは３個存在するＡ、Ｂ、Ｚ^１及び／又はＺ^２は同一であっても異なっていても良い。

一般式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、R^３及びＲ^４は１個又は２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して酸素原子が相互に直接結合しないものとして−Ｏ−により置き換えられても良い炭素数１〜１５のアルキル基又は炭素数２〜１５のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基が更に好ましく、炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基が更に好ましい。Ｃは１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置き換えられても良いトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基が好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基が更に好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基が更に好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基及び１，４−フェニレン基が更に好ましい。Ｚ^３は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−が更に好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−が更に好ましい。ｐは２、３又は４が好ましく、ｐが２、３又は４を表す場合において２、３又は４個存在するＣ及び／又はＺ^３は同一であっても異なっていても良い。

一般式（ＩＩ）で表される化合物は組成物又は液晶組成物中に含有すると経時的に分解し、その電圧保持率や比抵抗値を低下させる。このような品質劣化を抑制するためには組成物又は液晶組成物中に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を制御する必要がある。一般式（Ｉ）で表される化合物を製造すると、一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する組成物として得られる。このため、液晶組成物への一般式（Ｉ）で表される化合物の添加量を多くすれば一般式（ＩＩ）で表される化合物の混入量も多くなる。液晶組成物中の一般式（ＩＩ）で表される化合物は１種である場合もあるし、２種以上である場合もある。

１種である場合はその含有量は５ｐｐｍ以下であることが好ましい。この値が２ｐｐｍ以下であると更に好ましい。液晶組成物中に一般式（ＩＩ）の化合物を全く含有しないことが最も好ましいが、用いる測定手段の検出下限値を下回る含有量は確認できないため、充分に低い検出下限値を持った分析手段における検出下限値未満であることが最も好ましい。このため液晶組成物中に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を測定する手段の検出下限値は１ｐｐｍ以下であることが好ましく、３００ｐｐｂ以下であると更に好ましく、１００ｐｐｂ以下であると更に好ましい。

２種以上である場合はその含有量の合計が５ｐｐｍ以下であることが好ましい。２ｐｐｍ以下であると更に好ましい。液晶組成物中に一般式（ＩＩ）の化合物を全く含有しないことが最も好ましいが、用いる測定手段の検出下限値を下回る含有量は確認できないため、充分に低い検出下限値を持った分析手段における検出下限値未満であることが最も好ましい。このため液晶組成物中に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を測定する手段の検出下限値は１ｐｐｍ以下であることが好ましく、３００ｐｐｂ以下であると更に好ましく、１００ｐｐｂ以下であると更に好ましい。

液晶組成物中に存在する一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量に関しては上記のとおりであるが、これらは一般式（Ｉ）とともに液晶組成物中に持ち込まれる。よって一般式（Ｉ）に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の量が少ない方が好ましい。液晶組成物を構成する成分として一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量がａ質量％であれば、液晶組成物中に持ち込まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の量は一般式（Ｉ）で表される化合物中に含まれる量にａ／１００を掛けた値となる。よって、一般式（Ｉ）で表される化合物中に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の量の好ましい値は、液晶組成物中に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の量の好ましい値をａ／１００で割った値となる。つまり、５÷（ａ／１００）ｐｐｍ以下であることが好ましい。２÷（ａ／１００）ｐｐｍ以下であると更に好ましい。組成物又は液晶組成物中に一般式（ＩＩ）の化合物を全く含有しないことが最も好ましいが、用いる測定手段の検出下限値を下回る含有量は確認できないため、充分に低い検出下限値を持った分析手段における検出下限値未満であることが最も好ましい。このため液晶組成物中に含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を測定する手段の検出下限値は１ｐｐｍ以下であることが好ましく、３００ｐｐｂ以下であると更に好ましく、１００ｐｐｂ以下であると更に好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物を製造する際に一般式（ＩＩ）で表される化合物は不可避的に生成してしまう。合成反応終了時で数百ｐｐｍから数%ほど含有している。一般式（ＩＩ）で表される化合物は一般式（Ｉ）で表される化合物と構造が極めて似ているため、この含有量を確認しながら以下に示すような精製を行わなければ一般式（Ｉ）で表される化合物に少量含まれる一般式（ＩＩ）で表される化合物を除去することは困難である。

ここで、液晶材料の信頼性を向上させるため、液晶材料は精製を繰り返し行っている。精製した液晶材料の信頼性を比抵抗等の値がある基準値に到達しているかで確認している。この基準値を満たしたものを合格品として使用する。しかし、この判定を物理的な基準値のみで判定を行っていると、不合格品は再度すべての精製工程を繰り返し行わざるを得ない。精製工程を繰り返すと、液晶材料は目減りしてしまうため、結果重量単位あたりの価格が上昇することとなってしまう。これに対し、信頼性を低下させる化合物がわかっていれば、その化合物を重点的に減少させる精製処理が可能となり、効率的な製造が可能となる。また。信頼性の測定にはサンプルを抜き出し、特殊な器具を使用しなければならず、測定中は製造工程を中断させる必要がある。これに対し、問題となる化合物が特定されているとガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィー等による測定で液晶材料の簡易的な判定が可能となり、製造工程の時間短縮が可能となる。

一般式（ＩＩ）で表される化合物の除去は液晶組成物を調製前であっても調製後であってもよい。また、一般式（ＩＩ）で表される化合物として除去してもよいし、化学的に塩素原子を他の原子に置換した後に除去してもよい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物の製造方法を検討し、製造時に生じる一般式（ＩＩ）で表される化合物の生成量を減少させてもよいし、製造の中間体を精製し対応する化合物を中間体の段階であらかじめ除去しておいてもよい。またこれらの方法を単独で行ってもよいし、適宜組み合わせてもよい。液晶組成物若しくは一般式（Ｉ）で表される化合物から一般式（ＩＩ）で表される化合物を除去する方法、一般式（ＩＩ）で表される化合物を化学的に変換した後の除去方法又は中間体段階での精製方法としては、カラムクロマトグラフィーによる精製、蒸留、再結晶、吸着剤による吸着除去、昇華、分離膜による精製、透析又は電気透析が好ましく、カラムクロマトグラフィーによる精製、蒸留又は再結晶が更に好ましい。それぞれの精製において、一般式（Ｉ）で表される化合物及び一般式（ＩＩ）で表される化合物及びその他の成分はそのまま精製してもよいし、溶媒に溶解して精製してもよい。溶媒としては炭化水素系の溶媒、エーテル系の溶媒、エステル系の溶媒等を単独又は混合物として使用することができる。また、吸着剤としては活性炭、活性炭素繊維、分子ふるい炭素、シリカゲル、アルミナ又はゼオライト等を使用することができる。塩素原子の化学的な置換方法としては、塩素原子を水素原子に誘導する方法、水酸基に誘導する方法、ニトロ基に誘導する方法、シアノ基に誘導する方法又はアミノ基に誘導する方法が好ましく、水素原子に誘導する方法が更に好ましい。水素原子にする方法としては、水素化リチウムアルミニウム等に代表される水素化金属還元剤やパラジウム等の金属触媒を使用した水素添加により可能である。

一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を測定する手段としては、ガスクロマトグラフィーにより試料を分離した後、水素炎イオン化検出器、又は電子捕獲型検出器、又は原子発光検出器、又は質量分析計により検出する手段、あるいは液体クロマトグラフィーにより試料を分離した後、屈折率検出器、又は紫外・可視吸光度検出器、又は蛍光検出器、又は蒸発光散乱検出器、又は電気化学検出器、又は荷電化粒子検出器、又は質量分析計により検出する手段、あるいは試料を分離せずに誘導結合プラズマ−発光分光、又は誘導結合プラズマ−質量分析計、又は蛍光Ｘ線にて塩素として検出する手段、さらには液体クロマトグラフィーと誘導結合プラズマ−発光分光、又は液体クロマトグラフィーと誘導結合プラズマ−質量分析計を組み合わせて検出する手段が好ましい。これらのうちガスクロマトグラフィー、又は液体クロマトグラフィーにより試料を分離した後、種々の検出器で検出する手段が、共存物の影響を排除して一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を正しく測定できるため更に好ましい。このうちガスクロマトグラフィーにより試料を分離した後、水素炎イオン化検出器、又は電子捕獲型検出器、又は原子発光検出器、又は質量分析計により検出する手段、あるいは液体クロマトグラフィーにより試料を分離した後、紫外・可視吸光度検出器、又は蛍光検出器、又は電気化学検出器、又は荷電化粒子検出器、又は質量分析計、又は誘導結合プラズマ−質量分析計で検出する手段は一般式（ＩＩ）で表される化合物を高感度で検出できるため更に好ましい。中でもガスクロマトグラフィーにより試料を分離した後質量分析計で分析する手段、あるいは液体クロマトグラフィーにより試料を分離した後質量分析計で分析する手段は高感度である上に、一般式（ＩＩ）で表される化合物の構造を確認できるため最も好ましい。

本発明の液晶組成物では、不純物である一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量が少ないほど好ましいため、この含有量を検出下限値未満とするのが最も好ましいが、用いる測定手段の検出下限値が充分に低くなければその意味がない。本発明で言う検出下限値とはシグナル／ノイズ比が３倍となる含有量のことである。そこで本発明において液晶組成物中の一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を求めるにあたっては、検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下となる測定手段を用いることが好ましく、検出下限値が液晶組成物中１００ｐｐｂ以下となる測定手段を用いることが更に好ましく、検出下限値が液晶組成物中１０ｐｐｂ以下となる測定手段を用いることが更に好ましく、検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｂ以下となる測定手段を用いることが更に好ましい。このような検出下限値は例えばガスクロマトグラフィー質量分析計でスプリットレス注入を行い、選択イオン検出法を用いることで達成できるし、液体クロマトグラフィー質量分析計で大気圧化学イオン化法又は大気圧光イオン化法を用いることでも達成できる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル(NMR)、質量スペクトル(MS)等により確認した。なお含有量を表す「％」は「質量％」を意味する。不純物の含有量はガスクロマトグラフィーにより確認した。ガスクロマトグラフィーは、ｐ−キシレンに１０％の濃度となるよう試料を溶解させてガスクロマトグラフに注入し、気化させた後ポリジメチルシロキサンを液相とするキャピラリーカラムで分離して水素炎イオン化検出器、あるいは質量分析計で検出することで分析した。

液晶組成物の評価は以下の項目について行った。
Ｔ_N-I：ネマチック相−等方相液体相転移温度（℃）を液晶相上限温度として評価。
Ｔ_→N：固体相またはスメクチック相−ネマチック相転移温度（℃）を液晶相下限温度として評価。
Δｎ：２５℃における屈折率異方性。
η：２０℃における粘性（ｍＰａ・ｓ）。
ＶＨＲ：７０℃における電圧保持率（％）。
（セル厚３．５μｍのセルに液晶組成物を注入し、５Ｖ印加、フレームタイム２００ｍｓ、パルス幅６４μｓの条件で測定した時の測定電圧と初期印加電圧との比を％で表した値）
耐ＵＶ性試験：上記ＶＨＲ測定用セルに液晶組成物を注入し、ウシオ電機製スポットキュアＳＰ７にて３６５ｎｍにおける照射量が３Ｊ／ｃｍ^２のＵＶ光を照射し、照射前後のＶＨＲを測定。

（精製例１）１−フルオロ−２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレン（化合物１）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０１７％の１−クロロ−２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンを含有する１−フルオロ−２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレン（特開２００４−５１６４６号公報（実施例１２）記載）を１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して１−クロロ−２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンを１６ｐｐｍに減少させた（１回目の再結晶後：１０８ｐｐｍ、２回目の再結晶後：５４ｐｐｍ）。得られた混合物は８５ｇであった。

（精製例２）１−フルオロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレン（化合物２）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０２４％の１−クロロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンを含有する１−フルオロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して１−クロロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンを１９ｐｐｍに減少させた。得られた混合物は８６ｇであった。

（精製例３）１−フルオロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）ナフタレン（化合物３）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０３３％の１−クロロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）ナフタレンを含有する１−フルオロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）ナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから２回再結晶して１−クロロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）ナフタレンを３９ｐｐｍに減少させた（１回目の再結晶後：１１２ｐｐｍ）。得られた混合物は８９ｇであった。

（精製例４）１−フルオロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ナフタレン（化合物４）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０３４％の１−クロロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ナフタレンを含有する１−フルオロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して１−クロロ−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ナフタレンを１４ｐｐｍに減少させた。得られた混合物は８８ｇであった。

（精製例５）１，２，３−トリフルオロ−６−［２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン（化合物２２）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０１８％の１−クロロ−２，３−ジフルオロ−６−［２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン及び０．００２％の２−クロロ−１，３−ジフルオロ−６−［２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレンを含有する１，２，３−トリフルオロ−６−［２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して１−クロロ−２，３−ジフルオロ−６−［２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレンを１７ｐｐｍ（１回目の再結晶後：１２２ｐｐｍ、２回目の再結晶後：５７ｐｐｍ）及び２−クロロ−１，３−ジフルオロ−６−［２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレンを１ｐｐｍ（１回目の再結晶後：２ｐｐｍ、２回目の再結晶後：１ｐｐｍ）に減少させた。得られた混合物は８８ｇであった。

（精製例６）３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−ブトキシナフタレン（化合物３０）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０１６％の８−クロロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−ブトキシナフタレン及び３ｐｐｍの１−クロロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメトキシ）−２，８−ジフルオロ−７−ブトキシナフタレンを含有する３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−ブトキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して８−クロロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−ブトキシナフタレンを７ｐｐｍ（１回目の再結晶後：８８ｐｐｍ、２回目の再結晶後：５４ｐｐｍ）及び１−クロロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルメトキシ）−２，８−ジフルオロ−７−ブトキシナフタレンを０．０６ｐｐｍ（１回目の再結晶後：０．６２ｐｐｍ、２回目の再結晶後：０．３１ｐｐｍ）に減少させた。得られた混合物は８１ｇであった。

（精製例７）３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−エトキシナフタレン（化合物３１）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０１２％の８−クロロ−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを含有する３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−エトキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して８−クロロ−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを９ｐｐｍに減少させた（１回目の再結晶後：７６ｐｐｍ、２回目の再結晶後：３１ｐｐｍ）。得られた混合物は７８ｇであった。

（精製例８）３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−プロポキシナフタレン（化合物３２）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０１７％の８−クロロ−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−プロポキシナフタレンを含有する３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−プロポキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して８−クロロ−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−プロポキシナフタレンを１６ｐｐｍに減少させた。得られた混合物は８０ｇであった。

（精製例９）３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２，８−トリフルオロ−７−エトキシナフタレン（化合物３３）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０２５％の８−クロロ−３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを含有する３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２，８−トリフルオロ−７−エトキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して８−クロロ−３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを２９ｐｐｍに減少させた（１回目の再結晶後：１９３ｐｐｍ、２回目の再結晶後：７３ｐｐｍ）。得られた混合物は８９ｇであった。

（精製例１０）３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２，８−トリフルオロ−７−プロポキシナフタレン（化合物３４）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０３６％の８−クロロ−３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２−ジフルオロ−７−プロポキシナフタレンを含有する３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２，８−トリフルオロ−７−プロポキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して８−クロロ−３−［トランス−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキシルメトキシ］−１，２−ジフルオロ−７−プロポキシナフタレンを３４ｐｐｍに減少させた。得られた混合物は８８ｇであった。

（精製例１１）３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−エトキシナフタレン（化合物３５）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０１４％の８−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−エトキシナフタレン、０．２ｐｐｍの２−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，８−ジフルオロ−７−エトキシナフタレン及び４．３ｐｐｍの１−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−２，８−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを含有する３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−エトキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから２回再結晶して８−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを１３ｐｐｍ（１回目の再結晶後：７３ｐｐｍ）、２−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，８−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを２ｐｐｂ（１回目の再結晶後：８０ｐｐｂ、２回目の再結晶後：２４ｐｐｂ）及び１−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−エチルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−２，８−ジフルオロ−７−エトキシナフタレンを４ｐｐｂ（１回目の再結晶後１５２ｐｐｂ）に減少させた。得られた混合物は８９ｇであった。

（精製例１２）３−（トランス，トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−ブトキシナフタレン（化合物３６）の精製

ヘキサン４００ｍＬに、０．０２８％の８−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２−トリフルオロ−７−ブトキシナフタレンを含有する３−（トランス，トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２，８−トリフルオロ−７−ブトキシナフタレンを１００ｇ溶解し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル３００ｇ使用）により精製した後、アセトン３００ｍＬから３回再結晶して８−クロロ−３−（トランス，トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−イルメトキシ）−１，２−トリフルオロ−７−ブトキシナフタレンを２６ｐｐｍに減少させた。得られた混合物は８５ｇであった。
（実施例１、３、参考例２、４）
上記精製例１〜５で精製したナフタレン化合物（化合物１〜４及び２２）の混合物を用いて、ｐ型液晶組成物を作製した。組成を表１に示す。

（実施例７、参考例５，６，８）
上記精製例６〜１２で精製したナフタレン化合物（化合物３０〜３６）の混合物を用いて、ｎ型液晶組成物を作製した。組成を表２に示す。

表１〜２に記載した化合物１〜５４の化学構造を以下に示す。

（比較例１）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例１と同様な組成物を作製した。
（比較例２）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例２と同様な組成物を作製した。
（比較例３）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例３と同様な組成物を作製した。
（比較例４）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例４と同様な組成物を作製した。
（比較例５）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例５と同様な組成物を作製した。
（比較例６）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例６と同様な組成物を作製した。
（比較例７）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例７と同様な組成物を作製した。
（比較例８）
上記精製例による精製を行っていない、ナフタレン上のフッ素原子が塩素原子に置換した化合物を含有するナフタレン化合物（精製例として示した精製法において原料として使用したナフタレン化合物の混合物）を使用して実施例８と同様な組成物を作製した。
（評価）
実施例１，３，７、参考例２，４〜６、８の液晶組成物について、Ｔ_Ｎ−Ｉ、Ｔ_→Ｎ、Δｎ、ηを測定した結果を表３に示す。これらの評価項目においては比較例１〜８の液晶組成物についても対応する実施例と同様の結果が得られた。

次に、実施例１，３，７、参考例２，４〜６、８の液晶組成物について、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量及び耐ＵＶ性試験を行った結果を表４に示す。

続いて、比較例１〜８の液晶組成物について、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量の合計及び耐ＵＶ性試験を行った結果を表５に示す。

一般式（ＩＩ)で表される化合物の含有量が５ｐｐｍ以下である本願発明の液晶組成物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量が５ｐｐｍを超えることを除いては本願発明の液晶組成物と同一組成である比較例の液晶組成物と同様に、ＵＶを照射する前のＶＨＲの値はほぼ等しく高い値を示すことが確認できた。その後ＵＶを照射し耐ＵＶ性試験を行ったところ比較例の液晶組成物はＶＨＲの値が９％程度低下したのに対し、本願発明の液晶組成物は４％程度以下の低下に抑えられ高い信頼性を持つことが明らかとなった。

Claims

一般式（Ｉ）

(式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立的にフッ素原子、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から７の直鎖状アルコキシル基、炭素原子数２から７の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から７の直鎖状アルケニルオキシ基を表し、１個又は２個以上の炭素原子が−Ｏ−、−Ｃ＝Ｃ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられても良く、１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子、フッ素化されていても良いアルキル基、フッ素化されていても良いアルコキシル基により置き換えられても良く、分子内に不斉炭素原子を持つ場合にはラセミ体であっても光学活性体であっても良い。Ａ及びＢはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表し、これら基中に含まれる１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子により置き換えられても良く、これら基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−により置き換えられても良く、Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨＣＨ_３ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨＣＨ_３−、−ＣＨＣＨ_３Ｏ−、−ＯＣＨＣＨ_３−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立的に水素原子、フッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、ｍ及びｎはそれぞれ独立的に０、１、２又は３を表すが、ｍ及び／又はｎが２又は３を表す場合において２個あるいは３個存在するＡ、Ｂ、Ｚ^１及び／又はＺ^２は同一であっても異なっていても良い。)で表される化合物を１種又は２種以上含有し、更に一般式（Ｉ）で表される化合物においてＸ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６、ｍが０を表す場合のＲ^１、ｎが０を表す場合のＲ^２が、フッ素原子を表す場合に、そのうち少なくとも１個以上のフッ素原子が塩素原子に置換した一般式（ＩＩ）

（式中、Ａ、Ｂ、ｍ、ｎ、Ｚ^１及びＺ^２は一般式（Ｉ）において選択したＡ、Ｂ、ｍ、ｎ、Ｚ^１及びＺ^２と同一のものを表し、Ｒ^１１はｍが０を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^１と同一のもの又は塩素原子を表し、ｍが１、２又は３を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^１と同一のものを表し、Ｒ^１２はｍが０を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^２と同一のもの又は塩素原子を表し、ｍが１、２又は３を表す場合一般式（Ｉ）において選択したＲ^１と同一のものを表し、Ｘ^１１は一般式（Ｉ）において選択したＸ^１と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１２は一般式（Ｉ）において選択したＸ^２と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１３は一般式（Ｉ）において選択したＸ^３と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１４は一般式（Ｉ）において選択したＸ^４と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１５は一般式（Ｉ）において選択したＸ^５と同一のもの又は塩素原子を表し、Ｘ^１６は一般式（Ｉ）において選択したＸ^６と同一のもの又は塩素原子を表すが、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３、Ｘ^１４、Ｘ^１５及びＸ^１６のうち１個又は２個以上は塩素原子を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、１種含有する場合にはその含有量が一般式（ＩＩ）で表される化合物の検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下である測定手段における検出下限値未満から２ｐｐｍの間であり、一般式（ＩＩ）で表される化合物を２種以上含有する場合にはその各々の含有量の合計が一般式（ＩＩ）で表される化合物の検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下である測定手段における検出下限値未満から２ｐｐｍの間であることを特徴とする液晶組成物。
一般式（Ｉ）において、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３がフッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６が水素原子を表す請求項１記載の液晶組成物。
一般式（Ｉ）において、Ｘ^１及びＸ^６がフッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４及びＸ^５が水素原子を表す請求項１記載の液晶組成物。
一般式（Ｉ）において、Ｘ^１がフッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６が水素原子を表す請求項１記載の液晶組成物。
一般式（Ｉ）において、ｎが０を表し、Ｒ^２がフッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す請求項１、３、４のいずれかに記載の液晶組成物。
一般式（ＩＩＩ）

(式中、R^３及びＲ^４はそれぞれ独立的に炭素数１〜１５のアルキル基又は炭素数２〜１５のアルケニル基を表し、この基は非置換であるか、あるいは置換基として少なくとも１個のハロゲン基を有しており、そしてこれらの基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して酸素原子が相互に直接結合しないものとして−Ｏ−により置き換えられても良く、Ｃはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表し、これら基中に含まれる水素原子はフッ素原子により置き換えられても良く、これら基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−により置き換えられても良い。Ｚ^３は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨＣＨ_３ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨＣＨ_３−、−ＣＨＣＨ_３Ｏ−、−ＯＣＨＣＨ_３−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｐは１、２、３又は４を表すが、ｐが２、３又は４を表す場合において２、３又は４個存在するＣ及び／又はＺ^３は同一であっても異なっていても良い。)で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１から５のいずれかに記載の液晶組成物。
請求項１から６のいずれかに記載の液晶組成物を構成する、一般式（Ｉ）で表される化合物を１種含有し、更に一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する組成物であって、請求項１から６記載の液晶組成物中の一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量がａ質量％である場合に、その組成物中に一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種含有する場合にはその含有量が、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量に対して、一般式（ＩＩ）で表される化合物の検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下である測定手段における検出下限値未満から２÷（ａ／１００）ｐｐｍの間であり、一般式（ＩＩ）で表される化合物を２種以上含有する場合にはその各々の含有量の合計が、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量に対して、一般式（ＩＩ）で表される化合物の検出下限値が液晶組成物中１ｐｐｍ以下である測定手段における検出下限値未満から２÷（ａ／１００）ｐｐｍの間であることを特徴とする組成物。
請求項１から６のいずれかに記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
請求項７記載の組成物の精製方法であって、組成物中に含有する一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有量を確認しながら行うことを特徴とする精製方法。