KR20040027328A

KR20040027328A - 액정 재료를 재이용하기 위한 처리 방법

Info

Publication number: KR20040027328A
Application number: KR1020030063144A
Authority: KR
Inventors: 다카쓰하루요시
Original assignee: 다이니혼 잉키 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2002-09-26
Filing date: 2003-09-09
Publication date: 2004-04-01
Also published as: TWI327592B; CN100400620C; KR100960580B1; CN1497036A; TW200404884A

Abstract

사용이 끝난 액정 패널로부터, 액정 패널에 재사용하는 것이 가능한 순도 및 물성값을 가지는 액정 재료를 회수하여 재이용하기 위한 처리 방법이 제공된다. 이 방법은 (1) 액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정; (2) 인출한 상기 액정 재료를 정제하는 공정; (3) 정제한 상기 액정 재료의 물성값을 측정하는 공정; 및(4) 상기 액정 재료의 물성값을 조정하는 공정을 포함한다.

Description

액정 재료를 재이용하기 위한 처리 방법 {TREATMENT METHOD FOR REUSING LIQUID CRYSTAL MATERIAL}

본 발명은 액정 패널의 제조 공정에서 배출되는 불량 패널이나, 시장에서 폐기된 액정 표시 소자에 사용되는 액정 패널 중에 사용되고 있는 액정 재료를 재이용하기 위한 처리 방법에 관한 것이다.

액정 표시 소자는 인간과 컴퓨터 등의 인터페이스로서 여러 가지 용도로 사용되고 있고, 그 생산량 및 시장에서의 사용량은 급격히 증가하고 있다.

최근의 환경 의식이 높아져, 환경에 부하를 가하지 않는 폐기 방법이나, 재이용 방법이 검토되고 있다.

그러나, 액정 패널 중에 함유되는 액정 재료는 컴퓨터용 액정 표시 소자와 같은 대형 디스플레이더라도 1g 정도의 소량이다. 또한, 액정 재료는 배향막 등의 유기막을 내면에 도포한 유리 사이에 삽입되어 있고, 에폭시 수지 등의 밀봉재로 밀봉되어 있기 때문에, 효율적이고, 재이용하기 쉽도록 불순물이 딸려 나오지 않도록 꺼내어 다시 사용할 수 있는 경제적 처리 방법의 개발은 곤란하였다.

폐액정 패널의 처리 방법 중에서, 액정 재료의 회수·재이용의 방법이 제안되고, 아세톤이나 이소프로필알코올 등의 유기 용제로 패널로부터 액정을 선별하거나, 또는 액정을 긁어냄으로써 액정 재료를 회수하고, 상기 회수에 의해 성분 변화된 상기 액정에 회수 공정에서 제거된 저분자 화합물을 첨가하여 혼합함으로써, 회수한 액정 성분을 조정하는 것을 포함하는 액정 재료의 재이용을 위한 처리 방법이 개시되어 있다(특허문헌 1, 2 및 3 참조)

그러나, 전술한 문헌에 개시된 방법에 의해 얻어진 액정 재료는 순도가 대단히 낮고, 회수에 의해 물성값에 혼란이 발생하기 때문에, 액정 재료로서 그대로 재이용하는 것은 곤란하였다.

또한, 액정 재료를 초임계 유체를 이용해 회수하는 방법(특허문헌 4 참조), 열수(熱水)를 이용해 회수하는 방법(특허문헌 5 참조) 등도 개시되어 있지만, 재이용하기 위해서는 많은 물성값의 재조정이 필요하고, 이러한 처리 기술은 아직 확립되어 있지 않았다.

(특허문헌 1)

특개 2001-305501호 공보(3쪽, 단락번호 0017 및 0018)

(특허문헌 2)

특개 2001-305502호 공보(3쪽, 단락번호 0014 및 0015)

(특허문헌 3)

특개 2001-337305호 공보(3쪽, 단락번호 0020 및 0021)

(특허문헌 4)

특개 2002-126688호 공보(2쪽, 단락번호 0010)

(특허문헌 5)

특개 2002-166259호 공보(2쪽)

본 발명의 과제는 사용이 종료된 액정 패널로부터, 액정 패널에 재사용 가능한 순도 및 물성값을 가지는 액정 재료를 회수하여 재이용하기 위한 처리 방법을 제공하는 것이다.

본원 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여 액정 패널로부터 액정 재료를 꺼내어 재이용하기 위한 처리 공정을 상세하게 검토한 결과, 하기의 발명에 도달하였다.

즉, 본 발명은 1) 액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정; 2) 인출한 상기 액정 재료를 정제하는 공정; 3) 정제한 상기 액정 재료의 물성값을 측정하는 공정; 및 4) 상기 액정 재료의 물성값을 조정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 재료를 재이용하기 위한 처리 방법이다.

액정 패널로부터 액정 재료를 인출하는 것만으로는 액정 패널의 구성 부재로부터의 불순물이나 이온성 불순물이 혼입되기 때문에, 다음 공정으로서 가능한 한 이들을 제거하는 정제 공정이 제2 공정으로서 필요하다. 이어지는 공정에서는 정제된 정도, 및 실시한 처리나 정제에 의해 어떠한 성분이 제거되었는지를 정제 전후와 비교해야 한다. 이때, 최종적으로 액정 패널용으로서 재사용하기 위해서는 최소한 필요한 액정 재료의 물성값을 측정해야 한다. 이 공정에서 얻어진 액정 물성값과 재사용 시에 필요한 최소한의 물성값을 조정해 조합함으로써 회수한 액정 재료를 재사용할 수 있다.

발명의 실시형태

이하 본 발명의 각 공정에 관하여 상술한다.

(1) 액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정

(a) 패널을 절단한다.

액정 재료를 봉입하고 있는 2매의 유리 기판은 밀봉재에 의해 접착되어 있다. 패널 절단에 대해서는 밀봉재의 내측에서 절단을 행하고, 절단에 의해 얻어지는 2매의 유리와 그들 사이에 삽입된 액정 재료를 포함하는 개방계에는 밀봉재가 포함되지 않도록 한다. 밀봉재는 통상 에폭시 수지나 아크릴레이트 수지로 구성되어 있지만, 밀봉재를 절단함으로써 발생하는 수지 잔해가 액정 재료에 포함되지 않도록 하는 것이 중요하다. 수지 재료의 액정 재료 중으로의 혼입은 액정 재료를 여과함으로써 제거할 수 있다. 그러나, 액정 재료가 수지 잔해와 접촉함으로써 수지에 포함되는 경화제, 첨가재 등이 액정 중으로 추출되어 액정의 순도를 저하시킨다. 특히, 이온성 불순물은 액정 재료의 재사용 시에 표시 불량을 초래하기 때문에 밀봉재와 액정의 접촉은 피해야 한다.

(b) 액정 재료를 2매의 유리 사이에서 인출한다

(b-1) 유기 용제를 사용하는 방법

유기 용제에 의해 액정 재료를 용해시킴으로써, 액정 재료를 2매의 유리 기판의 사이에서 세정해 낼 수 있다. 이렇게 하여 얻어진 액정 재료의 유기 용제 용액으로부터 증류 등의 방법을 이용해 유기 용제를 제거하여 액정 재료를 얻는다.

통상 2매의 유리 기판의 내면에는 폴리이미드 등의 유기막 또는 SiO₂등의 무기막이 형성되어 있다. 전술한 바와 같이 유기 용제로 유출될 때에는, 이들 유기막 및 무기막으로부터의 불순물의 혼입을 최소한으로 하면서, 가능한 한 소량의 유기 용제로 액정을 용해시켜 세정해 내는 것이 요구된다.

(유기 용제)

이 관점에서, 유기 용제로는 헥산, 톨루엔 등의 극성이 낮은 탄화수소계 용제가 바람직하다. 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올계 용제나, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 용제는 극성이 높고, 특히 이온성 불순물에 대한 용해도가 높다는 결점을 갖는다. 이로 인해, 극성이 높은 용매에 의해 회수 조작을 행하면 유기막이나 무기막으로부터 불순물이 용출되어, 회수하는 액정 재료의 용액 중의 불순물 함유량이 높아지기 때문에 바람직하지 않다.

또한, 알코올계 용제는 그 자체의 비저항이 낮고, 용매 중에 수분이나 이온성 불순물을 많이 함유하며, 결과적으로 액정 패널로부터 인출된 액정 재료의 저항을 저하시키기 때문에 추출 용제로서 바람직하지 않다. 또한, 알코올계 용제는 액정 재료에 대해 용해성이 높지 않기 때문에, 알코올계 용제를 사용한 경우에는 액정 재료로의 석출을 발생시키는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.

헥산, 톨루엔 등의 탄화수소계 용제는 유기막 및 무기막이나 밀봉재로부터의 극성 고분자 성분이나 올리고머 성분을 추출하기 어렵다. 또한, 용제 자체의 비저항도 10¹⁴Ω·cm 정도로 대단히 높기 때문에 바람직하다.

(b-2) 블로우에 의한 방법

액정 재료를 2매의 유리 중에서 인출하는 방법으로서, 용제를 사용하지 않고 기체를 블로우하는(분사하는) 것에 의해 액정 재료를 2매의 유리 중에서 인출하는 방법이 유용하다.

블로우하는 기체로는 공기를 사용할 수 있지만, 액정 재료의 산화 열화를 억제하기 위하여 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다.

블로우 방법으로는 다음 같은 방법을 사용할 수 있다.

A. 2매의 유리 기판을 미리 분리하고, 각각의 유리 기판 상에 부착한 액정 재료에 기체를 블로우함으로써 액정 재료를 회수하는 방법

B. 2매의 유리 기판 사이에 기체를 블로우하는 방법

C. 2매의 기판을 박리하면서, 액정이 표면 장력에 의해 양쪽 기판이 박리되는 방향으로 모아지는 작용을 이용하여 기체를 블로우함으로써 효율적으로 액정 재료를 인출하는 방법

A의 방법은 기판을 미리 분리하기 때문에 블로우의 효율이 좋은 특징을 가진다. 그러나, 공기와의 접촉으로 인한 산화 열화가 발생하기 쉽기 때문에 불활성 가스를 블로우하는 것이 바람직하다.

B의 방법은 공기와 접촉하는 시간이 짧아 산화 열화가 발생하기 어렵지만, 2매의 기판 사이의 수 ㎛의 간극 사이에 삽입된 액정 재료를 표면 장력을 극복하는 강도로 블로우해야 하기 때문에 효율이 양호하지 않다.

C의 방법은 산화 열화가 발생하기 어렵고 회수 효율을 양립할 수 있다는 점에서 더욱 바람직하고, 불활성 가스의 사용을 병용하는 것이 특히 바람직하다.

(블로우 방법)

액정 재료가 접촉하고 있는 유기막 및 무기막으로부터의 불순물의 혼입을 가능한 한 최소한으로 하여 효율적으로 액정 재료를 회수하기 위해서는, 패널을 경사지게 하여 블로우에 의해 한 방향으로 액정 재료를 집중시킨다. 블로우의 노즐 선단으로부터 선형으로 기체를 분사함으로써, 에어브러시와 같이 하여 액정 재료를 한 방향으로 집중시키는 방법이 적절하다.

주걱 등을 이용해 물리적으로 긁어내는 방법에서는 유기막 및 무기막이 물리적으로 마찰되는 것을 피할 수 없기 때문에, 이들 막으로부터의 불순물의 혼입을 피하기 어렵다.

(b-3) 원심력을 이용하는 방법

또한, 용제를 사용하지 않는 방법으로서 원심력을 이용하는 방법을 들 수 있다. 전술한 바와 같이 2매의 유리 기판을 분리하고, 유리 기판 상에 액정 재료가 부착된 상태로 만든 후, 이것을 원심분리기에 배치하고, 원심력에 의해 기판으로부터 액정 재료를 분리한다. 액정 재료의 유리 기판으로부터의 분리에 대하여 원심력이 효율적으로 작용하도록 유리 기판을 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 분리된 액정 재료가 효율적으로 회수되도록 액정 재료 수령부를 설치하는 것이 바람직하다.

본원 발명의 회수 방법에 의해 적용 가능한 패널은 액정 패널이면 특별히 제한은 없지만, 너무 작은 패널의 경우에는 회수량이 적기 때문에, 대각선 길이로 140 mm 이상의 패널에 적용하는 것이 바람직하고, 대각선 길이 200 mm 이상의 패널에 적용하는 것이 보다 바람직하다.

(2) 인출한 액정 재료를 정제하는 공정

(a) 증류에 의한 정제

전술한 바와 같이, 액정 재료가 봉입되어 있었던 액정 패널의 구성 부재인 밀봉재나 유리 기판 상에 형성된 유기막 및 무기막으로부터 불순물로서 함유하는 저분자 화합물 및 고분자 화합물이 액정 재료로 혼입되므로, 이들을 액정 재료로부터 제거해야 한다. 액정 재료의 비점과 불순물의 비점에 차이가 있는 경우, 불순물의 제거에는 증류가 유용하고, 대기압보다 낮은 기압에서 행하는 증류가 더욱 바람직하다.

(분자 증류)

분자 증류란 고도 진공(10^-1Pa 이하) 하에서 가열면에서 증발한 분자의 평균 자유 행정(行程)보다 짧은 거리 내에 응축기를 배치시켜 행하는 증류 방법이다. 이 방법에서는 액정 재료에 높은 온도를 가하지 않고 증류를 행할 수 있어, 비교적 고비점의 액정 재료도 정제가 가능하다. 이 경우 10^-1∼lO^-2Pa의 압력 하에서 행하여지는 것이, 액정 재료로의 온도 부하를 경감시켜 저분자 액정 재료의 회수율을높이기 때문에 바람직하다.

또한, 분자 증류보다 약간 높은 압력 하(10^-1Pa 초과)에서 분자의 평균 자유 공정보다 약간 긴 거리 내에 응축기를 배치하는 단공정 증류도 유용하다. 이 방법은 분자 증류와 비교하여 온도 부하 면에서는 떨어지지만, 증류 효율이 높고, 처리량이 많은 경우에 바람직하다.

(b) 흡착재에 의한 정제

액정 패널로부터 인출한 액정 재료는 이온성 불순물을 포함하고 있다. 이들 이온성 불순물은 액정 재료 자체의 열화에 의해 생성된 것 이외에, 전술한 바와 같이 액정 패널 구성 부재인 밀봉재나 유리 기판 상의 유기막 및 무기막으로부터 추출된 것이 포함된다. 일반적으로, 이들 이온성 불순물은, 이온성 화합물은 흡착하고 액정 재료는 그다지 흡착하지 않은 흡착재로 처리함으로써, 액정 재료로부터 이온성 화합물을 분리 제거할 수 있다. 이 목적을 위해서는, 알루미나, 실리카겔, 실리카알루미나류, 제올라이트, 및 이온 교환 수지에서 선택되는 흡착 재료가 바람직하고, 알루미나, 실리카겔, 실리카알루미나류가 보다 바람직하다. 이들 흡착재는 다른 종류의 흡착제와 함께 혼합해 사용할 수 있다. 이온성 불순물의 분리를 판정하는 방법으로는 이온 크로마토그래피 등에 의한 분석적 방법이나, 정제 후의 액정 재료를 후술하는 비저항, 전류값, 및 이온 밀도 측정 등에 의해 평가하는 방법이 있을 수 있다.

흡착제를 이용해 회수된 액정 재료를 처리하는 방법으로는 흡착제를 칼럼 크로마토그래피로서 사용하는 방법, 액정 재료에 직접 첨가하는 방법, 용제에 용해시킨 뒤 흡착재를 첨가하는 방법을 들 수 있다. 흡착 효율을 높이기 위해서는, 액정 재료를 용제에 용해시켜 용액 상태로 만든 상태에서 흡착재를 첨가하고, 교반 등의 수단에 의해 이온성 불순물과 흡착재의 접촉 효율을 높이는 방법이 적절하다. 액정 재료를 정제한 후 흡착재를 완전히 제거하기 위하여, 막 필터 등을 이용해 여과에 의해 흡착재를 분리 제거하는 것이 바람직하다.

(3) 정제한 액정 재료의 물성값을 측정하는 공정

전술한 방법으로 액정 패널로부터 인출하고, 정제 공정을 거친 뒤 얻어진 액정 재료는 액정 패널에 주입되었을 때의 조성과는 다르다. 또한, 회수된 액정 재료를 인출한 용도와 동일 용도로 재사용하는 경우, 및 별도의 용도로 사용하는 경우 모두, 회수된 액정 재료의 특성은 파악해야 한다. 액정 재료의 평가 물성으로는 여러 가지 물성을 들 수 있지만, 하기의 물성값을 측정하여 그 값을 파악하는 것이 재이용 시에 바람직하다. 재이용에 있어 중요한 액정 재료의 물성은 액정 재료의 네마틱 액정상-등방상전이 온도, 굴절률 이방성, 유전율 이방성, 자발 피치 및 비저항이다. 상기 비저항값은 전류값, 이온 밀도 측정, 및 유지율 측정으로 치환될 수 있다.

(네마틱 액정상-등방상전이 온도)

액정 패널용으로서 액정 재료를 사용하는 경우, 액정 패널이 사용되는 사용 온도의 상한에서는 네마틱 액정상을 나타낼 필요가 있기 때문에, 회수된 액정 재료의 네마틱 액정상-등방상전이 온도(Tni)를 특정하는 측정은 중요하다. Tni의 측정은 통상의 측정 방법을 사용할 수 있다. 즉, 편광 현미경에 의한 육안 측정에 의한 방법 및 DCS 측정에 의한 방법을 들 수 있다.

전술한 정제 공정에서는, 액정 재료 중의 저분자량 화합물이 증류에 의해 일부 제거되거나, 고분자량의 화합물이 일부 증류되지 않고 제거될 가능성이 있기 때문에, 증류에 의한 정제를 행한 경우에는 특히 Tni의 측정이 중요하다.

(굴절률 이방성)

액정 재료를 액정 패널용으로 사용하는 경우, 패널을 구성하는 2매의 기판 사이의 거리와 사용되는 액정 재료의 굴절률 이방성(Δn)의 합은 액정 패널의 광학 설계상 필수적인 물성이기 때문에, 회수된 Δn을 특정하는 측정은 중요하다. 측정은 통상의 측정 방법을 사용할 수 있다. 즉, 아베 굴절계를 이용하는 방법 및 마이크로 굴절계를 사용하는 방법을 들 수 있다.

(유전율 이방성)

액정 패널용으로서 액정 재료를 사용하는 경우, 구동 전압으로 액정 재료가 구동되어, 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있는지의 여부는 전기광학 설계상 필수적인 물성이기 때문에, 회수된 액정 재료의 유전율 이방성(Δε)을 특정하는 측정은 중요하다.

전술한 흡착제를 사용한 정제 공정에서는 액정 재료 중의 극성이 높은 화합물이 일부 흡착되어 제거될 가능성이 있기 때문에, 정제 공정에서 흡착제를 사용한 경우에는 특히 Δε의 측정이 중요하다.

또한, Δε의 측정은 표준적 액정 패널에 주입하고, 전압-투과율 특성을 측정하여, 한계값 전압이나 포화 전압을 확인함으로써 대체할 수 있다.

(자발 피치)

통상 액정 패널에 사용되고 있은 액정 재료에는, 비틀린 구조를 발현시키기 위하여 광학 활성 화합물이 첨가되어 자발 피치(P; ㎛)를 액정 재료에 부여하고 있다. 자발 피치가 작아지면, 배향 불량이 발생하거나, 설계된 콘트라스트나 응답 속도 등의 전기광학 특성이 만족되지 않기 때문에 필수적인 물성이다. 측정은 쐐기형 셀을 이용해 실시할 수 있다.

전술한 증류에 의한 정제법이나 흡착에 의한 정제법을 행한 경우, 고분자량의 광학 활성 화합물의 일부가 증류물로부터 소실되거나, 선택적으로 흡착재에 흡착되는 것에 의해, 첨가량이 당초의 첨가량보다 적어지는 경우가 있기 때문에 회수된 액정 재료의 자발 피치를 특정하는 측정은 중요하다.

(비저항, 전류값, 이온 밀도 및 전압 유지율 측정)

능동 소자에 의해 구동되는 경우는 물론, 수동 소자에 의해 구동되는 경우에도 액정 재료의 비저항값은 높아야 한다. 그러나, 회수한 액정 재료는 전술한 바와 같이 이온성 불순물을 포함하여, 액정 패널에 주입된 비저항보다 1/100 정도로 저하되어 있는 것이 많다. 이온성 불순물에 의한 영향은 비저항 측정 이외에 전류값, 이온 밀도, 및 전압 유지율 측정에 의해 평가할 수 있다.

(4) 액정 재료의 물성값을 조정하는 공정

액정 패널에 이용되는 액정 재료의 물성값은 그 구성 성분인 액정 화합물을 혼합함으로써 조정할 수 있다.

(네마틱 액정상-등방상전이 온도(Tni)의 조정)

정제 공정에서, 증류나 흡착제에 의해 당초의 Tni가 변화된 경우에는 새롭게 조정하기 위하여 액정 화합물을 첨가하는 것이 유용하다. Tni는 화합물 및 조성물의 혼합에 있어서는 첨가법칙이 성립하기 때문에, 다음 식에 의해 첨가하는 재료의 비율을 산출할 수 있다.

식(A):

원하는 액정 재료의 Tni(℃): Tr

첨가하는 화합물의 Tni(℃): Tx

정제 후의 액정 재료의 Tni(℃): Tc

첨가하는 화합물의 조성비(%): X

예를 들면, 원하는 액정 재료의 Tni = 90℃, 정제 후의 액정 재료의 Tni = 85℃, 첨가하는 액정 화합물(P)의 Tni = 177℃인 경우 각각의 값을 식(A)에 대입함으로써 첨가하는 화합물의 비율을 산출할 수 있다. 즉, 정제 후의 액정 재료와 액정 화합물(P)을 94.6%와 5.4%의 비율로 액정 화합물(P)을 첨가하면, Tni = 90℃인 액정 재료를 얻을 수 있다. 이 방법에 의한 계산값과 실측값의 차이는 통상 1∼2℃ 이내이다.

실제로 전술한 혼합을 행한 결과, 90.4℃의 액정 재료가 얻어졌다.

보통의 정제에서는 장분자 성분 등 분자량이 큰 화합물이 흡착 등의 영향에의해 당초의 함유율보다 작아지는 것이 많다. 이로 인하여, Tni를 조정하기 위해서는 일반식(I)으로 나타내어지는 3환 또는 4환의 화합물이 바람직하다.

R¹-A-Z¹-B-(Z²-C)_m-R²(I)

(식 중에서, R¹및 R²는 각각 독립적으로 플루오르로 치환되어 있을 수 있는 탄소 원자수 1∼16의 알킬기, 탄소 원자수 1∼16의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼16의 알케닐기 또는 탄소 원자수 3∼16의 알케닐옥시기를 나타내고, A, B 및 C는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌기, 2- 또는 3-플루오로-1,4-페닐렌기, 2,3-디플루오로-1,4-페닐렌기, 3,5-디플루오로-1,4-페닐렌기, 2 또는 3-클로로-1,4-페닐렌기, 2,3-디클로로-1,4-페닐렌기, 3,5-디클로로-1,4-페닐렌기, 2-메틸-1,4-페닐렌기, 3-메틸-1,4-페닐렌기, 나프탈렌-2,6-디일기, 페난트렌-2,7-디일기, 플루오렌-2,7-디일기, 트랜스-1,4-사이클로헥실렌기, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카하이드로나프탈렌-2,6-디일기, 트랜스-1,3-디옥산-2,5-디일기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 피라진-2,5-디일기, 또는 피리다진-2,5-디일기를 나타내며, 이들 기는 또한 1∼3개의 플루오르 원자에 의해 치환되어 있을 수 있고, m은 1 또는 2를 나타내고, Z¹및 Z²는 각각 독립적으로 단일결합, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -COO-, -CH=CH-, CF=CF-, -CH=N-N=CH- 또는 -C≡C-를 나타낸다. 단, m이 2인 경우, 2개의 Z²및 C는 각각 독립적으로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.)

이들 액정 화합물 중, 다른 특성에 영향을 잘 미치지 않고 효율적으로 조정할 수 있기 위해서는, Tni가 120℃∼300℃인 화합물이 바람직하다. Tni가 120℃보다 작은 화합물로는, 조정을 위해 첨가량을 많게 해야 하기 때문에, 다른 특성에 영향을 미치거나, 용해도가 부족하여 석출이 발생할 가능성이 있기 때문에 바람직하지 않다. 또한, Tin이 300℃보다 높은 화합물로는 첨가량이 적어지기 때문에, 조정 오차가 커, 효율적인 조정에 바람직하지 않다.

일반식(I)으로 나타내어지는 화합물로는 A, B 및 C가 1,4-페닐렌기 또는 트랜스-1,4-사이클로헥실렌기인 것이 바람직하다. 또한, A 및 B가 모두 트랜스-1,4-사이클로헥실렌기인 비사이클로헥산 화합물이 Δn이 작고, Δε이 작고, Tni가 높기 때문에, 액정 재료에 대한 Δn이나 Δε의 영향이 작아 Tni의 조정을 행할 수 있기 때문에 바람직하다.

R¹및 R²는 탄소 원자수 1∼5의 알킬기가 바람직하다. Z¹및 Z²는 단일결합, -CH₂CH₂- 또는 -COO-이 바람직하다. 단일결합은 화학적 안정성이 우수하기 때문에, 첨가에 의해 액정 재료의 화학 안정성을 손상하기 어렵다. 또한, -CO0-는 용해성이 높기 때문에, 첨가량을 많게 할 수 있는 동시에, 석출이 잘 발생하지 않아 바람직하다.

또한, 조정하는 데 있어서는 액정 화합물뿐만 아니라 조정에 필요한 Tni를 가지는 액정 조성물을 동일하게 첨가함으로써 조정하는 것도 가능하다.

(굴절률 이방성(Δn)의 조정)

정제 후의 액정 재료의 Δn은 정제에 의해 소실된 화합물의 기여분만큼 변화되어 있다. Tni의 조정과 같이, 이하의 식(B)에 따라서 새롭게 액정 화합물을 첨가함으로써 조정하여, 원하는 Δn으로 조정할 수 있다.

식(B):

원하는 액정 재료의 Δn: Nr

첨가하는 화합물의 Δn: Ny

정제 후의 액정 재료의 Δn: Nc

첨가하는 화합물의 조성비(%): Y

소량 첨가로 효율적으로 조정하기 위해서는, Δn이 큰 화합물이 유용하다. 바람직한 첨가 화합물의 Δn의 범위로는 0.15∼O.30이 바람직하다. 이들 화합물로는 비페닐 골격을 가지는 화합물이나 톨란 골격을 가지는 화합물이 바람직하다.

또한, 약간의 Δn의 조정 시에는, Δn이 비교적 작은 화합물이 유용하다. 바람직한 Δn으로는 Δn이 O.03∼0.07인 화합물을 들 수 있다. 이러한 Δn을 가지는 화합물로는 비사이클로헥산 골격을 가지는 화합물이 Δn이 작고, Tni가 높기 때문에 바람직하다.

Tni의 조정과 같이, 정제 후의 액정 재료의 Δn을 조정하는 데 있어서는, 액정 화합물뿐만 아니라 조정에 필요한 Tni를 가지는 액정 조성물을 동일하게 첨가함으로써 조정하는 것도 가능하다.

(유전율 이방성(Δε)의 조정)

Δε이 큰 화합물은 정제에 의해 소실되기 쉬운 화합물 중 하나이다. 정제 후의 액정 재료의 Δε는 정제에 의해 소실된 화합물의 기여분만큼 변화되어 있다. Tni의 조정과 같이, 이하의 식(C)에 따라서 새롭게 액정 화합물을 첨가함으로써 조정하여, 원하는 Δε로 조정할 수 있다.

식(C):

원하는 액정 재료의 Δε: Er

첨가하는 화합물의 Δε: Ez

정제 후의 액정 재료의 Δε: Ec

첨가하는 화합물의 조성비(%): Z

소량 첨가로 효율적으로 조정하기 위해서는, Δε가 큰 화합물이 유용하다. 바람직한 첨가 화합물의 Δε의 범위로는 Δε 5∼40이 바람직하다. 이러한 화합물로는 시아노 말단기를 가지는 화합물이나 F 말단기를 가지는 화합물이 바람직하다. 시아노 말단기를 가지는 화합물은 Δε이 크기 때문에 소량의 첨가로 Δε를 조정할 수 있다. 한편, F 말단기를 가지는 화합물은 Δε이 작아 약간의 Δε의 조정에 적합한 동시에, 이온 물질 등에 의한 오염을 잘 수용하지 않기 때문에, 정제에 의해서 개선된 비저항값을 상승시키기 어려워 조정용 액정 재료로 적합하다. 특히, 3,4,5-트리플루오로벤젠을 가지는 화합물이 특히 적절하다. 본 발명에 사용하는 바람직한 Δε이 큰 화합물로는 일반식(II)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.

(상기 식에서, R³은 플루오르로 치환되어 있을 수 있는 탄소 원자수 1∼16의 알킬기, 탄소 원자수 1∼16의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼l6의 알케닐기 또는 탄소 원자수 3∼16의 알케닐옥시기를 나타내고, D 및 E는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌기, 2- 또는 3-플루오로-1,4-페닐렌기, 2,3-디플루오로-1,4-페닐렌기, 3,5-디플루오로-1,4-페닐렌기, 2- 또는 3-클로로-1,4-페닐렌기, 2,3-디클로로-1,4-페닐렌기, 3,5-디클로로-1,4-페닐렌기, 2-메틸-1,4-페닐렌기, 3-메틸-1,4-페닐렌기, 나프탈렌-2,6-디일기, 페난트렌-2,7-디일기, 플루오렌-2,7-디일기, 트랜스-1,4-사이클로헥실렌기, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카하이드로나프탈렌-2,6-디일기, 트랜스-1,3-디옥산-2,5-디일기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 피라진-2,5-디일기 또는 피리다진-2,5-디일기를 나타내며, 이들 기는 또한 1∼3개의 플루오르 원자에 의해 치환되어 있을 수 있고, n은 0, 1 또는 2를 나타내며, Z³및 Z⁴는 각각 독립적으로 단일결합, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -COO-, -CH=CH-, -CF=CF-, -CH=N-N=CH- 또는 -C≡C-를 나타내고, Y는 시아노기, 플루오르 원자, 염소 원자, 트리플루오로메톡시기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메톡시기, 수소 원자 또는 3,3,3-트리플루오로에톡시기를 나타내며, X¹, X²는 수소 원자, 플루오르 원자 또는 염소 원자를 나타낸다. 단, n이 2인 경우, 2개의 Z³및 E는 각각 독립적으로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.)

일반식(II)으로 나타내어지는 화합물로는 D 및 E가 1,4-페닐렌기 또는 트랜스-1,4-사이클로헥실렌기인 것이 바람직하다. 또한, D 및 E가 모두 트랜스-1,4-사이클로헥실렌기인 비사이클로헥산 화합물이 Δn이 작고 Tni가 높기 때문에 액정 재료에 대한 Δn이나 Tni의 영향이 작고, Δε의 조정을 행할 수 있어 바람직하다.

R³은 탄소 원자수 1∼5의 알킬기가 바람직하다. Z³및 Z⁴는 단일결합, -CH₂CH₂-, 또는 -COO-이 바람직하다. 단일결합 및 -CH₂CH₂-는 화학적 안정성이 우수하기 때문에, 첨가에 의해 액정 재료의 화학 안정성을 손상하기 어렵다. 또한, -CO0-는 용해성이 높기 때문에, 첨가량을 많게 할 수 있는 동시에, 석출이 잘 발생하지 않아 바람직하다.

X¹및 X²중 적어도 하나는 F인 것이 바람직하고, 양자 모두가 F인 화합물이 더욱 바람직하다. Y는 F 또는 CN이 바람직하고, 화학 안정성을 중시하는 경우에는 F가 바람직하고, Δε를 크게 조정하는 경우에는 CN이 바람직하다. 구체적으로는, 3,4,5-트리플루오로페닐기를 가지는 화합물 또는 4-시아노-3,5-디플루오로페닐기를 가지는 화합물이 바람직하다.

또한, 조정하는 데 있어서는 액정 화합물뿐만 아니라 조정에 필요한 Δε를가지는 액정 조성물을 동일하게 첨가함으로써 조정하는 것도 가능하다.

(복수 물성값의 동시 조정)

네마틱 액정상-등방상전이 온도(Tni), 굴절률 이방성(Δn) 및 유전율 이방성(Δε)을 동시에 조정하는 경우에는 식(C), 식(D) 및 식(E)으로 나타내어지는 3가지 식을 동시에 만족시키는 X, Y 및 Z를 산출함으로써, 첨가하는 3종의 재료의 비율을 구할 수 있다.

식(D):

(Tx-Tc)X + (Ty-Tc)Y + (Tz-Tc)Z = (Tr-Tc)×100

식(E):

(Nx-Nc)X + (Ny-Nc)Y + (Nz-Nc)Z = (Nr-Nc)×100

식(F):

(Ex-Ec)X + (Ey-Ec)Y + (Ez-Ec)Z = (Er-Ec)×100

원하는 액정 재료의 Tni(℃): Tr

원하는 액정 재료의 Δn: Nr

원하는 액정 재료의 Δε: Er

정제 후의 액정 재료의 Tni(℃): Tc

정제 후의 액정 재료의 Δn: Nc

정제 후의 액정 재료의 Δε: Ec

Tni를 조정하기 위해서 첨가하는 화합물의 조성비(%): X

화합물의 Tni(℃): Tx

첨가하는 화합물의 Δn: Nx

첨가하는 화합물의 Δε: Ex

Δn을 조정하기 위해서 첨가하는 화합물의 조성비(%): Y

화합물의 Tni(℃): Ty

첨가하는 화합물의 Δn: Ny

첨가하는 화합물의 Δε: Ey

Δε를 조정하기 위해서 첨가하는 화합물의 조성비(%): Z

화합물의 Tni(℃): Tz

첨가하는 화합물의 Δn: Nz

첨가하는 화합물의 Δε: Ez

전술한 바와 같이 산출된 값에 따라 조정용 화합물을 첨가하지만, 반드시 한번에 목적하는 물성값으로 할 필요는 없고, 수회로 나눠 행할 수도 있다. 그 때에 조성물의 저온 보존성을 향상시키기 위하여 별도의 화합물을 이용하는 것도 바람직하다.

또한, 한번에 목적하는 물성값이 얻어지지 않는 경우에는, 전술한 측정 공정 및 조정 공정을 반복할 수 있다.

저온에서의 보존성을 개선하는 것을 목적으로 동일 재료의 첨가량을 줄이고자 하는 경우에도 동일하게 하여 성분수를 증가시킬 수 있다.

(자발 피치)

키랄 화합물도 정제에 의해 소실되기 쉬운 화합물의 하나라고 할 수 있다.키랄 화합물의 소실에 의해, 정제 후의 액정 재료의 자발 피치(p)가 커지고 있다(즉 신장하고 있음). 액정 재료의 자발 피치의 값은 액정 표시 소자의 임계값 전압이나 배향 안정성 등에 큰 영향을 미친다.

액정 재료의 자발 피치는, 식(G): HTP = 1/(p×0.01C)(상기 식에서, C는 광학 활성 화합물의 첨가량(질량%)을 나타내고, p는 자발 피치(μm)를 나타냄)로 나타내어지도록, 첨가하는 키랄 화합물의 나선 꼬임(twisting) 파워: HTP(1/μm)와 첨가된 키랄 화합물의 농도(질량%)의 합에 반비례한다. 소량 첨가로 조정하기 위해서는 꼬임 파워가 큰 키랄 화합물이 유효하지만, 꼬임 파워가 지나치게 크면 미세 조정이 곤란하기 때문에, 사용하는 키랄 화합물의 꼬임 파워는 3∼30(절대값으로 표시)인 것이 바람직하다.

또한, 꼬임 파워는 액정 재료에 키랄 화합물을 1질량% 첨가했을 때의 자발 피치의 역수로서 얻을 수 있다. 이 값은 첨가하는 모체에 따라 변화하기 때문에, 조정 사용하고자 하는 정제 후의 액정 재료에 1질량% 첨가해 꼬임 파워를 산출한 뒤, 비례 계산에 의해 키랄 화합물의 첨가량을 결정하는 것이 바람직하다.

바람직한 키랄 화합물로는 콜레스테릴노나네이트 등의 콜레스테롤 유도체등, 하기의 화합물을 들 수 있다:

(상기 각각의 식에서, R 및 R'는 탄소 원자수 1∼16의 알킬기, 탄소 원자수 1∼16의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼16의 알케닐기 또는 탄소 원자수 3∼I6의 알케닐옥시기를 나타냄).

본 발명의 처리 방법에 따르면, 회수 전의 원래의 액정 재료와 동일한 물성값을 가지는 액정 조성물을 회수하는 것이 가능하다.

또한, 원래의 액정 조성물과는 상이한 물성값을 가지는 액정 조성물로 리사이클하는 것도 가능하다. 즉, 액정 모니터는 매우 미세한 특성까지 설계 사항으로 되어 있기 때문에, 어떠한 경우에도 원래의 액정 조성물로 완전히 리사이클할 수 있는 것은 아니다. 한계값 전압의 주파수 의존성, 온도 의존성, 리스판스 등을 완전히 동일하게 복구하는 것이 곤란한 경우도 많다. 이러한 곤란은 리사이클에 제공하는 액정 재료의 오염 정도에 크게 의존한다. 오염을 제거하기 위해서는, 몇 공정의 정제 작업을 행해야 하고, 그 공정이 많고 길면 원래의 액정 조성물로부터의 특성의 변화도 커지게 된다.

이러한 경우, 반드시 원래의 물성값을 가지는 액정 조성물로 복구되지 않고, 재이용 가능한 다른 요구 특성의 액정 재료 용도로 제공하기 위하여 조정을 행하는 것이 바람직하다.

실시예

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.

액정 재료(A)를 정법에 따라 제작하였다. 액정 재료(A)의 조성과 물성을 하기에 나타낸다.

Tni = 90℃

Δn = 0.095

Δε = 7.5

p = 85 ㎛

비저항 = 5.8×10¹²Ω·cm

20 cm²의 표시 면적을 가지고, 2매의 유리 기판 사이의 거리가 10 ㎛인 90° TN 액정 모니터를 200매 제작하고, 그 디스플레이에 액정 재료(A)를 진공 주입하였다. 얻어진 액정 디스플레이의 Vth는 1.69V, 전압 유지율은 98%이었다. 이 디스플레이를 80℃의 항온조 중에 500시간 동안 방치하였다.

(액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정)

2매의 기판을 접착하고 있는 밀봉재의 내측에서 절단을 행하고, 2매의 유리 기판 사이에 삽입된 액정 재료를 얻는다. 밀봉재나 배향막으로부터의 불순물의 혼입이 발생하지 않도록 주의하면서, 천천히 2매의 기판을 박리시킨다. 기판 상에 부착한 액정 재료를 질소 가스를 내뿜으면서, 액정 저장소 A에 액정을 수집한다. 액정이 더 이상 수집되지 않게 되면, n-헥산으로 기판상을 세정하고 추가로 액정 저장소 B에 액정을 수집한다. 이 공정을 200매의 액정 디스플레이에 대해 행하고, 액정 저장소 B의 n-헥산을 증발기를 이용해 제거한 후, 회수 액정 재료를 얻었다. 용매를 제거한 회수 액정 재료 및 액정 저장소 A에서 회수된 액정 재료를 합하여, 6g의 회수 액정 재료(R1)를 얻었다.

(인출한 액정 재료를 정제하는 공정)

액정 저장소 A에서 회수된 액정 재료 및 액정 저장소 B로부터 회수된 액정 재료의 기체 크로마토그램을 측정하였다. 그 결과, 액정 저장소 B에서 회수된 액정 재료에서 액정 저장소 A로부터 회수된 액정 재료를 제외한 피크의 함유율은 1% 이하였기 때문에, 액정 저장소 B에서 회수된 액정 재료 및 액정 저장소 A로부터 회수된 액정 재료를 합쳐서 이하의 정제 공정에 진행시켰다(1%를 초과하는 경우에는 개별적으로 이하의 정제 공정에 제공함.). 얻어진 액정 재료의 정제 전의 비저항은 6.8×10¹¹Ω·cm이었다.

인출된 액정 재료를 10^-1Pa의 진공도로 분자 증류를 통해 정제하여 5.2g의 회수 액정 재료(R2)를 얻었다.

회수 액정 재료(R2)를, n-헥산에 용해시키고, 이온 교환수로 2회 세정한 후, 액정 재료에 대하여 0.1%의 실리카겔을 이용해 흡착 정제를 행하였다.

헥산을 전술한 바와 동일한 방법으로 제거하여 회수 액정 재료(R3)를 얻었다.

(정제한 액정 재료의 물성값을 측정하는 공정)

얻어진 회수 액정 재료(R3)의 Tni, Δn, Δε, 및 자발 피치를 측정하였다.

Tni = 88℃

Δn = O.094

Δε = 7.0

p = 90μm

비저항 = 4.6×10¹²Ω·cm

정제 공정에 의해 비저항이 개선되어, 비저항은 액티브 디스플레이용으로서도 충분히 높은 값이 얻어진 것을 알 수 있다. 그러나, Tni가 2℃ 낮아지고, Δn이 0.001 낮아지고, Δε이 0.5 작아지고, p가 5㎛ 신장하고 있는 것을 알 수 있다.

액정 재료를 재이용하기 위해서는, 반드시 원래의 특성으로 복구되어야 하는 것은 아니지만, 여기서는 본 실험에 제공한 액정 재료(A)의 특성을 재현하는 것을 시도하였다.

Tni가 낮아져 있기 때문에, 식(A-1)

(Tni = 168℃, Δn = O.095, Δε = 0.8)로 나타내어지는 화합물을 첨가하고, Δε가 작아져 있기 때문에, 식(A-2)

(Tni = 94℃, Δn = 0.09, Δε = 12)으로 나타내어지는 화합물을 첨가하였다. 또한, 자발 피치가 신장하고 있기 때문에, 키랄 화합물로서 (III-1)에 있어서R이 C₆H₆₁₃O-이고, R'가 C₆H₁₃인 화합물인 식(A-3)

으로 나타내어지는 화합물을 첨가하였다.

식(A-1)으로 나타내어지는 화합물의 첨가량을 X%로 하고, 식(A-2)으로 나타내어지는 화합물의 첨가량을 Z%로 하여, 첨가 후의 액정 재료가 Tni = 90℃, Δn = 0.095 및 Δε = 7.5가 되도록 전술한 식(D) 및 식(F)을 이용하여 계산하였다.

식(D)에 이 값을 대입하면 하기 식이 유도된다.

(168-88)X + (94-88)Z = (90-88) × 100

80X + 6Z = 200

계속해서 식(F)에 값을 대입하면 하기 식이 유도된다.

(0.8-7)X + (12-7)Z = (7.5-7) × 100

-6.2X + 5Z = 50

상기 연립 방정식을 푼 결과, X = 1.6%, Y = 11.8%가 산출된다.

이 때의 조정 후의 Δn은 식(E)에 값을 대입함으로써 산출할 수 있다.

Δn = (0.094 × 0.866) + (0.090 × 0.016) + (0.095 × 0.118) = 0.094

자발 피치 조정을 위한 식(A-3)으로 나타내어지는 화합물의 첨가량은 하기의 방법으로 결정하였다.

정제 모체에 식(A-3)으로 나타내어지는 화합물을 1질량% 첨가함으로써, 이액정 재료에서의 식(A-3)으로 나타내어지는 화합물의 나선 꼬임 파워(HTP)를 측정한 결과 HTP = 10.0을 얻었다. 전술한 식(G)으로부터, 첨가할 키랄 화합물 농도: ΔC를 1/85-1/90=1O ΔC로 산출한 결과 ΔC = O.O1%를 얻었다.

이상의 계산값을 바탕으로 정제 후의 액정 재료 86.6%, 식(A-1)의 화합물 1.6%, 및 식(A-2)의 화합물 11.8%을 혼합하고, 이 혼합물 99.99%에 식(A-3)의 화합물을 0.01% 혼합하여 물성값을 재조정하였다. 이 액정 조성물의 물성값을 측정한 결과, Tni = 89.7℃, Δn = O.095, Δε = 7.6, p = 84 ㎛이며, 계산값과 매우 잘 일치하여, 원하는 재이용 가능한 회수 액정 재료를 얻을 수 있었다.

얻어진 회수 액정 재료를 원래의 TN 액정 디스플레이에 진공 주입하고, 특성을 측정하였다.

Vth = 1.67V, 전압 유지율 98%이며, 사용 전의 액정 디스플레이와 거의 동등한 특성을 얻을 수 있었다.

본 명세서 및 특허청구의 범위에 있어서 모든 %은 질량%을 나타낸다.

본 발명의 처리 공정에 의해, 종래에는 곤란한 것으로 생각되었던 사용이 끝난 액정 패널로부터 재이용 가능한 액정 재료의 회수가 가능하게 되었다.

Claims

1) 액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정;

2) 인출한 상기 액정 재료를 정제하는 공정;

3) 정제한 상기 액정 재료의 물성값을 측정하는 공정; 및

4) 상기 액정 재료의 물성값을 조정하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 재료를 재이용하기 위한 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정이 탄화수소계 유기 용제에 의해 액정 재료를 용해시킴으로써 액정 재료를 패널로부터 추출해낸 후, 유기 용제를 제거하는 공정인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료를 액정 패널로부터 인출하는 공정이 기체를 블로우함으로써 액정 재료를 패널로부터 제거하는 공정인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료를 정제하는 공정이 분자 증류 공정인 처리 방법.

제4항에 있어서,

분자 증류의 감압도가 10^-1Pa∼10^-2Pa인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료를 정제하는 공정이 알루미나, 실리카겔, 실리카알루미나류, 제올라이트, 및 이온 교환 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 사용하는 공정인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료의 물성값을 측정하는 공정이 액정 재료의 네마틱 액정상-등방상전이 온도, 굴절률 이방성, 유전율 이방성, 자발 피치, 및 비저항 중 적어도 하나를 측정하는 공정인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료의 물성값을 조정하는 공정이 네마틱 액정상-등방상전이 온도가 120℃∼300℃인 액정 화합물 또는 액정 조성물을 첨가하는 공정인 처리 방법.

제8항에 있어서,

네마틱 액정상-등방상전이 온도가 120℃∼300℃인 액정 화합물 또는 조성물이 바이사이클로헥실벤젠 골격을 가지는 액정 화합물 또는 조성물인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료의 물성값을 조정하는 공정이 유전율 이방성이 5∼40℃인 액정 화합물 또는 액정 조성물을 첨가하는 공정인 처리 방법.

제10항에 있어서,

유전율 이방성이 5∼40인 액정 화합물 또는 조성물이 3,4,5-트리페닐벤젠 구조를 가지는 액정 화합물 또는 조성물인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료의 물성값을 조정하는 공정이 굴절률 이방성이 0.03∼0.07인 액정 화합물 또는 액정 조성물을 첨가하는 공정인 처리 방법.

제12항에 있어서,

굴절률 이방성이 0.03∼0.07인 액정 화합물 또는 액정 조성물이 바이사이클로헥산 골격을 가지는 액정 화합물 또는 액정 조성물인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료의 물성값을 조정하는 공정이 굴절률 이방성이 0.15∼0.30인 액정화합물 또는 액정 조성물을 첨가하는 공정인 처리 방법.

제14항에 있어서,

굴절률 이방성이 0.15∼0.30인 액정 화합물 또는 액정 조성물이 바이페닐 골격을 가지는 액정 화합물 또는 액정 조성물인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료의 물성값을 조정하는 공정이 광학 활성 물질을 첨가하는 공정인 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 패널이 대각선 길이 140 mm 이상인 처리 방법.

제1항에 있어서,

회수 전의 액정 패널을 구성하는 액정 재료의 물성값과 회수 후의 액정 재료의 물성값이 동등한 처리 방법.

제1항에 있어서,

회수 전의 액정 패널을 구성하는 액정 재료의 물성값과 회수 후의 액정 재료의 물성값이 상이한 처리 방법.

제1항에 있어서,

액정 재료가 액티브 매트릭스용 액정 재료인 처리 방법.