JP5704192B2 - プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2013125929A JP5704192B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013125929A JP5704192B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2008027861A Division JP2009188257A (ja) | 2008-02-07 | 2008-02-07 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013175797A JP2013175797A (ja) | 2013-09-05 |
| JP2013175797A5 JP2013175797A5 (https=) | 2014-05-22 |
| JP5704192B2 true JP5704192B2 (ja) | 2015-04-22 |
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ID=49268365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013125929A Expired - Fee Related JP5704192B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5704192B2 (https=) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6854600B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2021-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および基板載置台 |
| JP6799550B2 (ja) | 2018-01-16 | 2020-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法 |
| JP6799549B2 (ja) | 2018-01-16 | 2020-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法 |
| CN117976506B (zh) * | 2024-04-01 | 2024-06-25 | 上海谙邦半导体设备有限公司 | 一种等离子体刻蚀中改善颗粒污染的方法及装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335626A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP3568749B2 (ja) * | 1996-12-17 | 2004-09-22 | 株式会社デンソー | 半導体のドライエッチング方法 |
| JP3676919B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2005-07-27 | 株式会社アルバック | 反応性イオンエッチング装置 |
| JP3801366B2 (ja) * | 1998-09-17 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理装置のクリーニング方法 |
| JP2001176843A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Nec Kyushu Ltd | ドライクリーニング方法 |
| JP3859629B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2006-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007294905A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造方法およびエッチングシステム |
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2013
- 2013-06-14 JP JP2013125929A patent/JP5704192B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013175797A (ja) | 2013-09-05 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140205 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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