JP5684249B2 - 光学素子の製造方法、及び、光学素子の製造装置 - Google Patents
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Description
10 加熱部
11 本体
12 電気コイル
13 気体供給管
20 第1の加圧部
21 第1の成形型
21a 成形面
21b 大径部
22 ヒータプレート
22a ヒータ
23 断熱プレート
24 シリンダ
30 第2の加圧部
31 第2の成形型
31a 成形面
31b 大径部
32 ヒータプレート
32a ヒータ
33 断熱プレート
34 シリンダ
40 加熱部移動機構
41 ベース部
42 スライダ
43 保持部
50 温度流量制御部
61〜63 熱電対
70 透過センサ
80 フレーム
81〜84 側壁
90 型温度制御部
100 光学素子材料
101 光学素子の製造装置
120 第1の加圧部
121 第1の成形型
121a 成形面
121b 大径部
122 ヒータプレート
122a ヒータ
123 断熱プレート
Claims (12)
- 光学素子材料を気体中で浮遊させて加熱する加熱工程と、
その後、浮遊した状態の前記光学素子材料に対し、第1の成形型と第2の成形型とを同時になるよう接触させ、該第1の成形型及び該第2の成形型により前記光学素子材料を加圧する加圧工程と、を含む、光学素子の製造方法。 - 請求項1記載の光学素子の製造方法において、
前記加圧工程では、前記第1の成形型と前記第2の成形型とを、鉛直方向と交差する方向に互いに接近させることで、前記光学素子材料に接触させる、光学素子の製造方法。 - 請求項2記載の光学素子の製造方法において、
前記加圧工程では、前記第1の成形型と前記第2の成形型とを、鉛直方向と直交する方向に互いに接近させることで、前記光学素子材料に接触させる、光学素子の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項記載の光学素子の製造方法において、
前記加熱工程では、加熱部の内部で前記光学素子材料を加熱し、
前記光学素子の製造方法は、前記加熱工程の後で且つ前記加圧工程の前に、前記光学素子材料を前記加熱部の外部に露出させる露出工程を更に含む、光学素子の製造方法。 - 請求項4記載の光学素子の製造方法において、
前記露出工程では、前記加熱部を移動させることで、前記光学素子材料を前記加熱部の外部に露出させる、光学素子の製造方法。 - 請求項5記載の光学素子の製造方法において、
前記露出工程では、前記加熱部を、鉛直下方に前記光学素子材料の落下速度よりも速い速度で移動させる、光学素子の製造方法。 - 請求項6記載の光学素子の製造方法において、
前記露出工程では、前記加熱部を、一端上昇させた後、鉛直下方に前記光学素子材料の落下速度よりも速い速度で移動させる、光学素子の製造方法。 - 請求項4記載の光学素子の製造方法において、
前記露出工程では、前記光学素子材料を非接触で移動させることで、前記光学素子材料を前記加熱部の外部に露出させる、光学素子の製造方法。 - 請求項8記載の光学素子の製造方法において、
前記加熱工程では、加熱した前記気体を前記光学素子材料に吹きつけることで、前記光学素子材料を前記気体中で浮遊させて加熱し、
前記露出工程では、前記気体の吹きつけ量を増加させることで、前記光学素子材料を非接触で移動させる、光学素子の製造方法。 - 請求項4記載の光学素子の製造方法において、
前記露出工程で前記光学素子材料の少なくとも一部が前記加圧部の外部に露出したことを検知する露出検知工程を更に含み、
前記加圧工程では、前記露出検知工程の後、前記光学素子材料に対し前記第1の成形型及び第2の成形型を接触させる、光学素子の製造方法。 - 光学素子材料を気体中で浮遊させて加熱する加熱部と、
前記光学素子材料に対し同時になるよう接触して該光学素子材料を加圧する第1の成形型及び第2の成形型と、を備える、光学素子の製造装置。 - 請求項11記載の光学素子の製造装置において、
前記第1の成形型及び前記第2の成形型は、鉛直方向と交差する方向に互いに接近させられるように配置されている、光学素子の製造装置。
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