JP5679238B2

JP5679238B2 - Semiconductor processing method

Info

Publication number: JP5679238B2
Application number: JP2013111081A
Authority: JP
Inventors: 政志町田; 平次友次
Original assignee: Japan Steel Works Ltd
Current assignee: Japan Steel Works Ltd
Priority date: 2013-05-27
Filing date: 2013-05-27
Publication date: 2015-03-04
Anticipated expiration: 2028-06-02
Also published as: JP2013214759A

Description

この発明は、半導体にレーザアニールなどの処理を行う際に、雰囲気を適切に管理して半導体処理室内で半導体の処理を良好に行うことができる半導体処理方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor processing method in which a semiconductor can be satisfactorily processed in a semiconductor processing chamber by appropriately managing an atmosphere when performing processing such as laser annealing on the semiconductor.

従来、基板に形成されたアモルファス薄膜にレーザ光を照射して前記薄膜を結晶化させるレーザアニール処理装置は、ポリシリコンの表面の突起を低減すること等を目的として大気の影響を除去して結晶化に最適な雰囲気に制御して処理している。通常アニール処理をする雰囲気は窒素等の不活性ガス、真空等が良いとされる。また、積極的に少量の酸素を混合した方がアニール処理後の特性が改善するとの報告もある。処理に際しては、大気の影響を排除するために、レーザアニール装置に備えるチャンバに基板を収容した後、チャンバ内を真空排気し、さらに必要に応じて窒素などの処理ガスをチャンバ内に導入している。 Conventionally, a laser annealing apparatus for crystallizing an amorphous thin film formed on a substrate by irradiating a laser beam removes the influence of the atmosphere for the purpose of reducing projections on the surface of the polysilicon and the like. The process is controlled to the optimum atmosphere. In general, the atmosphere for annealing is preferably an inert gas such as nitrogen, or a vacuum. There is also a report that positively mixing a small amount of oxygen improves the characteristics after annealing. During processing, in order to eliminate the influence of the atmosphere, after the substrate is accommodated in the chamber provided in the laser annealing apparatus, the inside of the chamber is evacuated, and a processing gas such as nitrogen is introduced into the chamber as necessary. Yes.

また、基板の汚染物を除去するため、処理に際しては、カセットステーションに収容した基板をロボットにより取り出し、スピン洗浄ユニットなどに搬送し、洗浄した後にロボットにて一度取り出し、アニール処理室に搬送する構成となっている。このため洗浄機から取り出した段階で大気中にさらされることにより、設置環境によっては大気中の化学物質等の不純物により非晶質シリコン膜が汚染される問題がある。
このような問題に対し、レーザアニール前の非晶質シリコン基板の汚染防止として、基板を収納、搬送するカセットステーションに隣接したスピン洗浄ユニットより洗浄された基板をアニール処理室へ直接搬送することにより、外部装置からの基板搬送中による汚染や膜の自然酸化を減少させる方法が提案されている（特許文献１参照）。 In addition, in order to remove contaminants on the substrate, the substrate accommodated in the cassette station is taken out by a robot, transported to a spin cleaning unit, etc., cleaned, removed once by the robot, and transported to the annealing chamber. It has become. For this reason, there is a problem that the amorphous silicon film is contaminated by impurities such as chemical substances in the atmosphere depending on the installation environment by being exposed to the atmosphere when taken out from the cleaning machine.
To prevent contamination of the amorphous silicon substrate before laser annealing, the substrate cleaned by the spin cleaning unit adjacent to the cassette station for storing and transporting the substrate is directly transported to the annealing chamber. There has been proposed a method of reducing contamination and natural oxidation of a film during transportation of a substrate from an external device (see Patent Document 1).

特開２００１−１１０７４２号公報JP 2001-110742 A

しかし、上記提案方法のように、スピン洗浄ユニットからアニール処理室へ直接搬送するためには大気にさらされて基板が汚染されてしまう。また、特別な処理室を用意する必要があり、既設の装置を利用することができない。また、設置面積の増大や装置コストが嵩むという問題がある。 However, as in the proposed method, the substrate is contaminated by exposure to the atmosphere in order to directly transfer the spin cleaning unit to the annealing chamber. Moreover, it is necessary to prepare a special processing chamber, and the existing apparatus cannot be used. In addition, there is a problem that the installation area is increased and the apparatus cost is increased.

本発明は、上記事情を背景としてなされたものであり、特別な処理室の設置等が必要なく、スループットに影響することなく半導体の汚染物を取り除いて処理に供することができる半導体処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made against the background of the above circumstances, and provides a semiconductor processing method that does not require the installation of a special processing chamber or the like and can remove semiconductor contaminants without affecting the throughput. The purpose is to do.

すなわち、本発明の半導体処理装置のうち、第１の形態は、雰囲気を調整して半導体の処理を行う半導体処理装置において、処理対象となる半導体が収納されるチャンバと、該チャンバに接続された真空排気系とを有し、該真空排気系は、前記チャンバ内を排気する排気用真空ポンプと、前記排気用真空ポンプで排気された前記チャンバ内を高真空度で排気をする高真空ポンプとを備えることを特徴とする。 That is, in the semiconductor processing apparatus of the present invention, the first embodiment is a semiconductor processing apparatus that performs semiconductor processing by adjusting the atmosphere, and is connected to the chamber in which the semiconductor to be processed is stored and the chamber An evacuation system, the evacuation system for evacuating the chamber, and a high vacuum pump for evacuating the chamber evacuated by the evacuation vacuum pump at a high vacuum level. It is characterized by providing.

第２の形態の半導体処理装置は、前記第１の形態において、前記高真空ポンプの到達真空度が１．０×１０^−２Ｐａ以下であることを特徴とする。 The semiconductor processing apparatus according to a second aspect is characterized in that, in the first aspect, the ultimate vacuum of the high vacuum pump is 1.0 × 10 ⁻² Pa or less.

第３の本発明の半導体処理装置は、前記第１または第２の形態において、前記チャンバとして、半導体を搬出入するロードロック室と、半導体の処理を行う半導体処理室と、前記ロードロック室と前記半導体処理室との間に連通可能に介在している搬送室とを有し、前記半導体処理室、前記ロードロック室および前記搬送室にそれぞれ真空排気系が接続されており、前記ロードロック室の前記真空排気系に前記排気用真空ポンプと高真空ポンプとが備えられていることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the semiconductor processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the chamber is a load lock chamber for loading / unloading a semiconductor, a semiconductor processing chamber for performing semiconductor processing, and the load lock chamber. A transfer chamber intercommunicable with the semiconductor processing chamber, and a vacuum exhaust system is connected to each of the semiconductor processing chamber, the load lock chamber, and the transfer chamber, and the load lock chamber The evacuation system is provided with the evacuation vacuum pump and a high vacuum pump.

さらに本発明の他の形態の半導体処理装置は、雰囲気を調整して半導体の処理を行う半導体処理装置において、真空排気後にガスを供給するガス供給系が接続され、処理対象となる半導体が収納されるチャンバと、該チャンバに接続された真空排気系とを有し、該真空排気系は、前記チャンバ内を排気する排気用真空ポンプと、前記排気用真空ポンプで排気された前記チャンバ内を高真空度で排気をする高真空ポンプとを備えており、
前記チャンバとして、半導体を搬出入するロードロック室と、半導体の処理を行う半導体処理室と、前記ロードロック室と前記半導体処理室との間に連通可能に介在している搬送室と、を備え、
前記排気用真空ポンプは、前記ロードロック室と前記搬送室と前記半導体処理室とにそれぞれ接続された真空排気系に備えられており、
前記高真空ポンプは、前記ロードロック室に接続された前記真空排気系のみに備えられていることを特徴とする。 Furthermore, a semiconductor processing apparatus according to another aspect of the present invention is a semiconductor processing apparatus for processing a semiconductor by adjusting an atmosphere, and a gas supply system for supplying a gas after evacuation is connected to accommodate a semiconductor to be processed. And an evacuation system connected to the chamber. The evacuation system includes an evacuation vacuum pump for evacuating the chamber, and an interior of the chamber evacuated by the evacuation vacuum pump. It is equipped with a high vacuum pump that exhausts at a vacuum level.
The chamber includes a load lock chamber that carries semiconductors in and out, a semiconductor processing chamber that performs semiconductor processing, and a transfer chamber that is interposed between the load lock chamber and the semiconductor processing chamber. ,
The exhaust vacuum pump is provided in a vacuum exhaust system connected to the load lock chamber, the transfer chamber, and the semiconductor processing chamber, respectively.
The high vacuum pump is provided only in the vacuum exhaust system connected to the load lock chamber.

さらに、本発明の半導体処理方法の形態では、雰囲気を調整して半導体の処理を行う半導体処理装置に備えられ、処理対象となる半導体が収納される複数のチャンバのうちロードロック室に前記半導体を搬入して前記ロードロック室内を高真空ポンプとしてクライオポンプを用いて他のチャンバよりも相対的に高真空で、到達真空度が１．０×１０ ^−２Ｐａ以下になるまで排気し、前記ロードロック室にガス供給されてガス圧が大気圧とし、その後、前記ロードロック室に連通可能でガス供給されてガス圧が大気圧となった他のチャンバに前記半導体を搬送または／および半導体処理を行うステップを有し、前記ロードロック室以外の他のチャンバ内では、ガス供給前に前記高真空よりも低い真空度で到達真空度が１０Ｐａ以下になるまで排気を行い、その後、ガス供給されて前記ガス圧を大気圧とすることを特徴とする。 Further, in the semiconductor processing method according to the present invention, the semiconductor processing apparatus is provided in a semiconductor processing apparatus for processing a semiconductor by adjusting the atmosphere, and the semiconductor is placed in a load lock chamber among a plurality of chambers in which semiconductors to be processed are stored. the load lock chamber carried to using a cryopump as a high vacuum pump at a relatively high vacuum than the other chamber, evacuated to ultimate vacuum is below 1.0 × 10 -2 ^Pa, the load is the gas supply to the gas pressure is the atmospheric pressure in the lock chamber, then transferring the semiconductor communicate possible is the gas supply to the other chambers of the gas pressure becomes the atmospheric pressure before Symbol load lock chamber or / and semiconductor processing In a chamber other than the load lock chamber, before the gas is supplied, the chamber is exhausted at a vacuum level lower than the high vacuum until the ultimate vacuum level is 10 Pa or less. Then, gas is supplied and the gas pressure is set to atmospheric pressure .

すなわち、本発明は、雰囲気を調整して半導体の処理を行う半導体処理装置において、処理対象となる半導体が収納されるチャンバと、該チャンバに接続された真空排気系とを有し、該真空排気系は、前記チャンバ内を排気する排気用真空ポンプと、前記排気用真空ポンプで排気された前記チャンバ内を高真空度で排気をする高真空ポンプとを備えるので、半導体が大気と接触することによって付着した汚染物を、スループットを低下させることなく高精度に除去することが可能になる。さらに、その後大気中の汚染物質の影響を受けることなく処理を行うことができる。上記高真空ポンプによる真空排気をロードロック室で行えば、その後、処理室に搬送する際に、大気の影響を受けることなく搬送して処理することが可能となる。
また、新たな処理室を追加することなく、既存のロードロック室と併用することができるため、設置面積の拡大、スループットの低下を招くことなく本発明を導入することが可能となる。 That is, the present invention relates to a semiconductor processing apparatus for processing a semiconductor by adjusting an atmosphere, and includes a chamber in which a semiconductor to be processed is stored, and a vacuum exhaust system connected to the chamber. The system includes an exhaust vacuum pump that exhausts the inside of the chamber, and a high vacuum pump that exhausts the interior of the chamber exhausted by the exhaust vacuum pump at a high vacuum, so that the semiconductor is in contact with the atmosphere. It becomes possible to remove the contaminants attached by the method with high accuracy without reducing the throughput. In addition, the treatment can be performed without being affected by pollutants in the atmosphere. If evacuation by the high vacuum pump is performed in the load-lock chamber, it can be transferred and processed without being affected by the atmosphere when transferred to the processing chamber.
In addition, since the present invention can be used in combination with an existing load lock chamber without adding a new processing chamber, the present invention can be introduced without increasing the installation area and reducing the throughput.

本発明によれば、チャンバ内に半導体を収容した状態で排気用真空ポンプにより真空排気することで雰囲気中の不純物が排除される。さらに、このチャンバを高真空ポンプで排気することで、チャンバ内を高真空、好適には１．０×１０^−２Ｐａ以下にまでに排気することができる。この結果、半導体上の汚染物などをガス化させて真空排気することができる。その後、チャンバには所望により処理ガスを導入した後、または真空雰囲気などでアニールなどの処理を行うことができる。 According to the present invention, impurities in the atmosphere are eliminated by evacuating with an evacuation vacuum pump in a state where a semiconductor is accommodated in the chamber. Further, by evacuating the chamber with a high vacuum pump, the inside of the chamber can be evacuated to a high vacuum, preferably 1.0 × 10 ⁻² Pa or less. As a result, contaminants on the semiconductor can be gasified and evacuated. Thereafter, a treatment gas can be introduced into the chamber as desired, or a treatment such as annealing can be performed in a vacuum atmosphere or the like.

本発明の一実施形態におけるレーザアニール処理装置を示す概略正面図である。It is a schematic front view which shows the laser annealing processing apparatus in one Embodiment of this invention.

以下に、本発明の一実施形態を図１に基づいて説明する。この実施形態では、半導体処理装置としてレーザアニール処理装置について説明する。
レーザアニール処理装置は、ロードロック室５、搬送室７、半導体処理室であるアニール処理室８の３つのチャンバを有しており、各室は、ゲート４−２、４−３の開閉によって必要時に開通可能になっている。 Below, one Embodiment of this invention is described based on FIG. In this embodiment, a laser annealing apparatus will be described as a semiconductor processing apparatus.
The laser annealing processing apparatus has three chambers: a load lock chamber 5, a transfer chamber 7, and an annealing processing chamber 8 which is a semiconductor processing chamber. Each chamber is required by opening and closing gates 4-2 and 4-3. Sometimes it can be opened.

また、ロードロック室５の前段には、カセットステーション３が配置され、該カセットステーション３とロードロック室５との間にはゲート４−１が設けられている。カセットステーション３内には、複数の基板１を収納したカセット２と、カセット２内の基板１を取り出し、開かれたゲート４−１を通してロードロック室５に該基板１を引き渡す搬送ロボット６−１を備えている。基板１は、上面にアモルファスシリコン薄膜（図示しない）が形成されており、後のアニール処理によって該アモルファスシリコン薄膜が結晶化される。
ロードロック室５内には、図示しない回転装置などを備え、前記搬送ロボット６−１によって基板収納室３から導入された基板１を前記搬送室７に搬送するように待機させることができる。 In addition, the cassette station 3 is disposed in front of the load lock chamber 5, and a gate 4-1 is provided between the cassette station 3 and the load lock chamber 5. In the cassette station 3, a cassette 2 containing a plurality of substrates 1 and a substrate robot 6-1 that takes out the substrates 1 in the cassette 2 and delivers the substrates 1 to the load lock chamber 5 through the opened gate 4-1. It has. The substrate 1 has an amorphous silicon thin film (not shown) formed on the upper surface, and the amorphous silicon thin film is crystallized by a subsequent annealing process.
The load lock chamber 5 is provided with a rotating device (not shown) and the like, and the substrate 1 introduced from the substrate storage chamber 3 by the transfer robot 6-1 can be put on standby so as to be transferred to the transfer chamber 7.

搬送室７には、ゲート４−２が開けられたロードロック室５内の基板１を取り出し、ゲート４−３が開けられた前記アニール処理室８に該基板１を引き渡す搬送ロボット６−２を備えている。アニール処理室８では、半導体１を載置する試料台１０を有しており、該試料台１０は必要に応じて、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に移動することができる。
アニール処理室８の外部には、レーザ光発振部１１を有しており、該レーザ光発振部１１から発振されたレーザ光１３をアニール処理室８内に導く光学系１２が設けられている。
なお、アニール処理室８で処理した基板１は、上記とは逆に、アニール処理室８から搬送室７、ロードロック室５を経て外部に搬出することができる。 The transfer chamber 7 is provided with a transfer robot 6-2 that takes out the substrate 1 in the load lock chamber 5 in which the gate 4-2 is opened, and delivers the substrate 1 to the annealing chamber 8 in which the gate 4-3 is opened. I have. The annealing chamber 8 has a sample stage 10 on which the semiconductor 1 is placed, and the sample stage 10 can be moved to the X axis, the Y axis, and the Z axis as necessary.
A laser beam oscillation unit 11 is provided outside the annealing chamber 8, and an optical system 12 that guides the laser beam 13 oscillated from the laser beam oscillation unit 11 into the annealing chamber 8 is provided.
Note that the substrate 1 processed in the annealing chamber 8 can be unloaded from the annealing chamber 8 through the transfer chamber 7 and the load lock chamber 5 in the opposite manner.

また、各室では、真空ポンプ１４−１、１４−２、１４−３を設けた真空排気系１５−１、１５−２、１５−３が接続されており、さらに各室には、処理ガス導入系１６−１、１６−２、１６−３が接続されている。また、真空排気系１５−１にのみ到達真空度が１．０×１０^−２Ｐａ以下である高真空ポンプ１４−４が接続されている。したがって、前記真空ポンプ１４−１が本発明の排気用真空ポンプとして機能する。高真空ポンプ１４−４は、真空ポンプ１４−１に比して到達真空度が高いものであり、真空ポンプ１４−１は、雰囲気中の大気排気を目的とし、高真空ポンプ１４−４は、半導体から汚染物を真空環境に放出させるものである。
それぞれのチャンバは、予め各真空ポンプ１４−１、１４−２、１４−３にて１０Ｐａ以下まで真空引きし、大気を除去した後にガス供給系１５−１、１５−２、１５−３より窒素等の安定ガスで満たされる。もしくは、真空引きした後に真空状態を維持することも可能とする。 In each chamber, evacuation systems 15-1, 15-2, 15-3 provided with vacuum pumps 14-1, 14-2, 14-3 are connected, and each chamber further includes a processing gas. The introduction systems 16-1, 16-2, and 16-3 are connected. Moreover, the high vacuum pump 14-4 whose ultimate vacuum is 1.0 × 10 ⁻² Pa or less is connected only to the vacuum exhaust system 15-1. Accordingly, the vacuum pump 14-1 functions as the exhaust vacuum pump of the present invention. The high vacuum pump 14-4 has a higher degree of vacuum than the vacuum pump 14-1, and the vacuum pump 14-1 is for the purpose of exhausting air into the atmosphere. The contaminant is discharged from the semiconductor to the vacuum environment.
Each chamber is previously evacuated to 10 Pa or less by each vacuum pump 14-1, 14-2, 14-3, and after removing the atmosphere, nitrogen is supplied from the gas supply systems 15-1, 15-2, 15-3. Filled with stable gas such as. Alternatively, the vacuum state can be maintained after evacuation.

次に、上記レーザアニール処理装置の動作について説明する。
洗浄処理された基板１は、カセット２に収納され、レーザニール処理に備えられる。本装置立上時には、ゲート４−１を開け、搬送ロボット６−１によってカセット２内の基板１を取り出してロードロック室５に収容し、ゲート４−１を閉じる。このとき、ゲート４−２、４−３は閉じられている。そして、ロードロック室５、搬送室７、アニール室８の３つのチャンバについて、それぞれの真空ポンプ１４−１、１４−２、１４−３によって真空引きされる。この真空排気に際しての真空到達度は、本発明としては特に限定されるものではないが、工業的には１〜１０Ｐａ程度に排気される。この段階で各室内の残留空気は１０ｐｐｍ以下となり大気の除去という意味では十分な真空度には達している。 Next, the operation of the laser annealing apparatus will be described.
The cleaned substrate 1 is accommodated in a cassette 2 and prepared for laser annealing. When the apparatus is started up, the gate 4-1 is opened, the substrate 1 in the cassette 2 is taken out by the transfer robot 6-1 and stored in the load lock chamber 5, and the gate 4-1 is closed. At this time, the gates 4-2 and 4-3 are closed. Then, the three chambers of the load lock chamber 5, the transfer chamber 7, and the annealing chamber 8 are evacuated by the respective vacuum pumps 14-1, 14-2, and 14-3. The degree of vacuum at the time of evacuation is not particularly limited as the present invention, but is evacuated industrially to about 1 to 10 Pa. At this stage, the residual air in each room becomes 10 ppm or less, and a sufficient degree of vacuum has been reached in terms of removal of the atmosphere.

真空引きされた後、ロードロック室５では、真空ポンプ１４−１を止めた後、さらに高真空ポンプ１４−４によって１．０×１０^−２Ｐａ以下に真空排気される。この高真空での排気によって、基板１が搬送時に大気に触れることで付着した汚染物が、真空環境によって基板１上からガス化して放出され、ロードロック室５から真空排気系へと排気される。
一般的に１００Ｐａ以下の圧力領域においては容積排気から表面排気に移行するため、高真空領域では真空にさらされる面からガスが放出される。つまり、基板１に残留しているガス成分が高真空ポンプによって排気され、不純物が除去される。 After being evacuated, the load lock chamber 5 is evacuated to 1.0 × 10 ⁻² Pa or less by the high vacuum pump 14-4 after the vacuum pump 14-1 is stopped. Due to the high-vacuum exhaust, contaminants attached when the substrate 1 is exposed to the atmosphere during transportation are gasified and discharged from the substrate 1 by the vacuum environment and exhausted from the load lock chamber 5 to the vacuum exhaust system. .
In general, in the pressure region of 100 Pa or less, since the displacement is from the volume exhaust to the surface exhaust, the gas is released from the surface exposed to the vacuum in the high vacuum region. That is, the gas component remaining on the substrate 1 is exhausted by the high vacuum pump to remove impurities.

不純物の除去状態については到達真空度と排気時間で管理することができる。排気時間はアニール処理室でのプロセス処理時間内に完了するよう排気速度を選定することにより、スループットに影響ない範囲での処理が可能となる。真空ポンプ１４−１による真空引き及び高真空ポンプ１４−４での真空到達時間は、アニール処理室８での処理待ち時間を利用して無駄時間を省くため、１〜２分程度が望ましい。このため、大気成分を多く含むことができる高真空ポンプとしてクライオポンプを導入することが到達圧力と真空到達時間を考慮して効果的である。また、汚染物を除去するためには到達真空度を下げる方が良く、１．０×１０^−３Ｐａ程度にすると良好な結果が期待される。不純物が除去された基板１０は、その後アニール処理室８と同種の雰囲気に設定される。 The removal state of the impurities can be managed by the ultimate vacuum and the exhaust time. By selecting the exhaust speed so that the exhaust time is completed within the process time in the annealing chamber, it is possible to perform processing within a range that does not affect the throughput. The vacuum drawing time by the vacuum pump 14-1 and the vacuum arrival time by the high vacuum pump 14-4 are preferably about 1 to 2 minutes in order to reduce the dead time by using the processing waiting time in the annealing chamber 8. For this reason, it is effective to introduce a cryopump as a high vacuum pump that can contain a large amount of atmospheric components in consideration of the ultimate pressure and the ultimate vacuum time. In order to remove contaminants, it is better to lower the ultimate vacuum, and good results are expected when the pressure is about 1.0 × 10 ⁻³ Pa. The substrate 10 from which the impurities have been removed is then set to the same kind of atmosphere as the annealing chamber 8.

すなわち、高真空での排気を行った後、ロードロック室５に処理ガス導入系１６−１を通してアニール処理をする窒素等の高清浄度の安定ガスが大気圧まで充填される。
また、装置立上時に搬送室７とアニール処理室８に関しては前記真空引き後、同種のガスで大気圧に充填しておく。ガラス基板１は、ロードロック室５からアニール処理室８まで、搬送室７内の搬送ロボット６−２を介して搬送される。ロードロック室５から搬送室７、アニール処理室８に至る搬送経路は密閉されているため、途中大気による汚染の影響なく、アニール処理室８まで基板１を搬送することが可能となる。 That is, after exhausting in a high vacuum, the load lock chamber 5 is filled with a high cleanliness stable gas such as nitrogen that is annealed through the processing gas introduction system 16-1 to atmospheric pressure.
Further, when the apparatus is started up, the transfer chamber 7 and the annealing chamber 8 are filled to the atmospheric pressure with the same kind of gas after evacuation. The glass substrate 1 is transferred from the load lock chamber 5 to the annealing treatment chamber 8 via the transfer robot 6-2 in the transfer chamber 7. Since the transfer path from the load lock chamber 5 to the transfer chamber 7 and the annealing chamber 8 is hermetically sealed, the substrate 1 can be transferred to the annealing chamber 8 without being affected by air pollution.

アニール処理室８内には、平面方向軸（Ｘ及びＹ）を有する試料台１０があり、その上面は被処理体である前記基板１が搭載される。レーザ光源１１から発振されたレーザ光１３が光学系１２を通過して線状となったビームとなり、不純物を除去した状態を維持したまま基板１上部の非晶質半導体薄膜に照射され、レーザアニール処理がなされる。 In the annealing chamber 8, there is a sample stage 10 having a plane direction axis (X and Y), on which the substrate 1 as the object to be processed is mounted. Laser light 13 oscillated from the laser light source 11 passes through the optical system 12 to become a linear beam, which is irradiated to the amorphous semiconductor thin film on the substrate 1 with the impurities removed, and laser annealing is performed. Processing is done.

以下に、本発明の一実施例を説明する。
上記実施形態で説明した本発明のレーザアニール処理装置と、高真空ポンプを備えない以外は、前記本発明レーザアニール処理装置と同構造を有する比較例のレーザアニール処理装置とを用いて半導体にレーザアニール処理を行った。 An embodiment of the present invention will be described below.
A laser is applied to a semiconductor using the laser annealing apparatus of the present invention described in the above embodiment and a comparative laser annealing apparatus having the same structure as the laser annealing apparatus of the present invention, except that a high vacuum pump is not provided. Annealing treatment was performed.

実施例および比較例では、真空ポンプ１４−２、真空ポンプ１４−３により搬送室７およびアニール処理室８内を６．７Ｐａまで真空引きした後に、処理ガス導入系１６−２、１６−３により搬送室７およびアニール処理室８内に１００ｋＰａの窒素を導入した。 In the examples and comparative examples, the inside of the transfer chamber 7 and the annealing chamber 8 is evacuated to 6.7 Pa by the vacuum pump 14-2 and the vacuum pump 14-3, and then the processing gas introduction systems 16-2 and 16-3 are used. 100 kPa of nitrogen was introduced into the transfer chamber 7 and the annealing chamber 8.

高真空ポンプ１４−４を備える実施例では、ロードロック室５内を真空ポンプ１４−１で６．７Ｐａまで真空排気した後、高真空ポンプ１４−４によって１．０×１０^−３Ｐａまで真空引きし、その後に処理ガス導入系１６−１により１００ｋＰａの窒素を導入した。 In the example provided with the high vacuum pump 14-4, the inside of the load lock chamber 5 is evacuated to 6.7 Pa with the vacuum pump 14-1, and then vacuumed to 1.0 × 10 ⁻³ Pa with the high vacuum pump 14-4. Thereafter, 100 kPa of nitrogen was introduced by the processing gas introduction system 16-1.

一方、高真空ポンプを備えない比較例では、ロードロック室５内を真空ポンプ１４−１で６．７Ｐａまで真空引きした後に、処理ガス導入系１６−１により１００ｋＰａの窒素を導入した。 On the other hand, in the comparative example that does not include the high vacuum pump, after the inside of the load lock chamber 5 was evacuated to 6.7 Pa by the vacuum pump 14-1, 100 kPa of nitrogen was introduced by the processing gas introduction system 16-1.

上記真空排気を行いつつ、半導体にレーザアニール処理を行った。その結果、比較例では不純物による基板面内でのＴＦＴ特性のばらつきや、基板ごとのＴＦＴ特性にばらつきが生じ、歩留まり低下の原因となったが、実施例では不純物によるＴＦＴ特性の低下を抑えることが可能となった。これにより、装着設置環境による不純物の影響を受けず、安定した製品品質と歩留まりを得ることが可能となった。 The semiconductor was laser-annealed while evacuating. As a result, in the comparative example, variation in TFT characteristics within the substrate surface due to impurities and variation in TFT characteristics from substrate to substrate occurred, causing a decrease in yield. However, in the example, suppressing degradation of TFT characteristics due to impurities is suppressed. Became possible. As a result, it has become possible to obtain stable product quality and yield without being affected by impurities due to the installation environment.

この実施形態では、処理内容としてアモルファス膜半導体をレーザ光によりアニール処理するものを説明したが、本発明としては、処理内容がこれに限定されるものではなく、高精度な雰囲気において半導体の処理が必要なものにおいて適用が可能である。また、半導体の種別においても特に限定をされるものではない。 In this embodiment, an amorphous film semiconductor is annealed with laser light as the processing content. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor processing is performed in a highly accurate atmosphere. Applicable where necessary. Also, the type of semiconductor is not particularly limited.

以上、本発明について上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の内容に限定をされるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りは当然に適宜の変更が可能である。 Although the present invention has been described based on the above embodiment, the present invention is not limited to the content of the above embodiment, and can be appropriately changed as long as it does not depart from the scope of the present invention. It is.

１基板
５ロードロック室
７搬送室
８アニール処理室
１４−１、１４−２、１４−３真空ポンプ
１４−４高真空ポンプ
１５−１、１５−２、１５−３真空排気系 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 5 Load lock chamber 7 Transfer chamber 8 Annealing chamber 14-1, 14-2, 14-3 Vacuum pump 14-4 High vacuum pump 15-1, 15-2, 15-3 Vacuum exhaust system

Claims

Provided in a semiconductor processing apparatus for processing a semiconductor by adjusting the atmosphere, and the semiconductor is loaded into a load lock chamber among a plurality of chambers in which semiconductors to be processed are stored, and the load lock chamber is used as a high vacuum pump. at a relatively high vacuum than the other chamber with a cryopump, then evacuated to ultimate vacuum is below 1.0 × 10 -2 ^Pa, the gas supplied by the gas pressure in the load lock chamber is atmospheric pressure and then, subsequently, before Symbol comprising the step of being a gas supply capable of communicating to the load lock chamber for transporting and / or semiconductor processing said semiconductor to another chamber gas pressure becomes the atmospheric pressure, other than the load lock chamber In the other chambers, the gas is exhausted at a vacuum lower than the high vacuum until the ultimate vacuum is 10 Pa or less before the gas supply , and then the gas is supplied and the gas pressure is increased. The semiconductor processing method characterized by making the atmospheric pressure .