JP5678644B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
これに対し本発明は、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制する技術を提供する。
この電気光学装置によれば、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制することができる。
この電気光学装置によれば、第2トランジスター群に入力されるゲート信号が第1トランジスター群に入力されるゲート信号よりもなまっている場合において、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制することができる。
この電気光学装置によれば、複数のトランジスター群に入力されるゲート信号が上流側から下流側にいくにつれてなまっていく場合において、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制することができる。
この電気光学装置によれば、トランジスター群が複数のトランジスターを含む場合において、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制することができる。
この電気光学装置によれば、抵抗素子の長さ、幅、または厚さを調整することにより、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制することができる。
この電子機器によれば、トランジスター群の位置に依存したスジを抑制することができる。
図1は、一実施形態に係る電気光学装置1を用いた電子機器の(一部の)外観を示す図である。この例で、電気光学装置1は、プロジェクターのライトバルブとして用いられる液晶装置である。電子機器は、液晶パネル100と、データ線駆動回路200と、FPC(Flexible Printed Circuits)基板300と、回路基板400とを有する。FPC基板300上には、データ線駆動回路200が設けられている。回路基板400上には、電気光学装置1を制御する回路が設けられている。回路基板400と液晶パネル100とは、FPC基板300を介して電気的に接続される。回路基板400とFPC基板300とは、コネクタ410およびコネクタ320を介して接続される。FPC基板300と液晶パネル100とはコネクタ310およびコネクタ107を介して接続される。
図5は、電気光学装置1の動作を示すタイミングチャートである。ここでは、第i行第j列の画素群に対するデータの書き込み動作を例として説明する。時刻t1の直前において、操作信号Yi、ゲート信号G1、ゲート信号G2、およびゲート信号G3はLレベルである。時刻t1において、走査線駆動回路130は、走査信号YiをLレベルからHレベルに変化させる。走査信号YiがHレベルになると、TFT116がオン状態になり、データ線114と画素電極118とが導通する。
ΔVp=Cgd・Vg/(Cgd+Cs) …(1)
ここで、CgdはTFT152のゲート−ドレイン間の容量を、CsはTFT152における寄生容量を、Vgはゲート電圧を表す。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち2つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
また、TFTはnチャネル型の電界効果トランジスターに限定されず、pチャネル型の電界効果トランジスターであってもよい。この場合、プッシュダウン現象ではなく、プッシュアップ現象が起こる。
Claims (5)
- 画像の第1部分を示す第1ソース信号が入力される第1ソース信号入力端子と、
前記画像の第2部分を示す第2ソース信号が入力される第2ソース信号入力端子と、
前記第1ソース信号入力端子に接続された第1データ線群および前記第2ソース信号入力端子に接続された第2データ線群から、それぞれ1本のデータ線を時分割で順次選択するためのゲート信号が入力されるゲート信号入力端子と、
前記ゲート信号が供給される第1ゲート電極、前記第1ソース信号が供給される第1ソース電極、および第1ドレイン電極を有する第1トランジスターと、
前記ゲート信号が供給される第2ゲート電極、前記第2ソース信号が供給される第2ソース電極、および第2ドレイン電極を有し、前記ゲート信号入力端子からの距離が前記第1トランジスターよりも近い第2トランジスターと、
前記第1トランジスターと前記第1ソース信号入力端子との間に設けられた第1抵抗と、
前記第2トランジスターと前記第2ソース信号入力端子との間に設けられ、前記第1抵抗よりも小さい抵抗値を有する第2抵抗と、
前記第1ドレイン電極に接続され、当該第1ソース信号が供給される第1画素と、
前記第2ドレイン電極に接続され、当該第2ソース信号が供給される第2画素と
を有する電気光学装置。 - 前記画像の第3部分を示す第3ソース信号が入力される第3ソース信号入力端子と、
前記ゲート信号が供給される第3ゲート電極、前記第3ソース信号が供給される第3ソース電極、および第3ドレイン電極を有し、前記ゲート信号入力端子からの距離が前記第2トランジスターよりも遠い第3トランジスターと、
前記第3トランジスターと前記第3ソース信号入力端子との間に設けられた第3抵抗と
を有し、
前記第1抵抗、前記第2抵抗、および前記第3抵抗の抵抗値は、当該抵抗に接続されたトランジスターの位置が前記ゲート信号入力端子に近いほど小さい
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第1ソース信号入力端子に接続された第4トランジスターを含み、
前記第1ソース信号の信号線は、前記第1抵抗と前記第1トランジスターおよび前記第4トランジスターとの間で分岐している
ことを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1抵抗および前記第2抵抗は、ある長さ、幅、および厚さを有する抵抗素子により形成され、
前記第1抵抗および前記第2抵抗は、前記長さ、前記幅、および前記厚さの少なくとも1つが異なっている
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1ないし4のいずれか一項に記載の電気光学装置を有する電子機器。
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