JP5669495B2 - Resin-encapsulated metal component, lead frame used therefor, and method of manufacturing metal component - Google Patents

Resin-encapsulated metal component, lead frame used therefor, and method of manufacturing metal component Download PDF

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Description

本発明は、例えばメモリー、ロジック、カスタムLSI、パワーデバイス、LEDなどの半導体パッケージや電池などに用いるリードフレーム等の樹脂封止金属部品、それに用いるリードフレーム、及び金属部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a resin-encapsulated metal part such as a lead frame used in a semiconductor package or battery such as a memory, logic, custom LSI, power device, LED, etc., a lead frame used therefor, and a method for manufacturing the metal part.

電子部品として、例えばメモリー、ロジック、トランジスタ、ダイオード、LEDなどの半導体パッケージが広く使用されている。最近の電子部品では、照明用、表示用のLEDや、自動車用のパワーデバイスの需要が高まっており、これに用いられる半導体パッケージの小型化が進んでいる。また電池では、自動車用やパソコン用にリチウムイオン電池の需要が高まっており、リチウムイオン電池の場合も、半導体パッケージ同様に小型高出力化が急速に進んでいる。   As electronic components, for example, semiconductor packages such as memory, logic, transistors, diodes, and LEDs are widely used. In recent electronic components, demand for LEDs for illumination and display and power devices for automobiles is increasing, and semiconductor packages used for these are becoming smaller. As for batteries, demand for lithium ion batteries for automobiles and personal computers is increasing, and in the case of lithium ion batteries, miniaturization and high output are rapidly progressing as in the case of semiconductor packages.

小型化が益々進む半導体パッケージでは、半導体デバイスを保護するために樹脂封止するが、半導体デバイスを搭載し外部に電極を取り出す金属端子(リードフレーム)と樹脂の界面の面積がパッケージの小型化によって益々狭小化している。   In semiconductor packages that are becoming increasingly smaller, resin sealing is used to protect the semiconductor devices. However, the area of the interface between the metal terminals (lead frame) that take out the electrodes and mount the semiconductor devices and the resin is reduced by downsizing of the packages. It is getting smaller and smaller.

このため、樹脂と金属端子の界面からの水分の浸入による半導体デバイスの腐食、短絡などが発生するおそれがあり、信頼性の観点からその予防策を講じることが強く望まれている。   For this reason, there is a possibility that the semiconductor device may be corroded or short-circuited due to the ingress of moisture from the interface between the resin and the metal terminal, and it is strongly desired to take preventive measures from the viewpoint of reliability.

またリチウムイオン電池においては、電解液の漏洩や外気の浸入を防ぐために、電極リード端子(リードフレーム)の取り出し口を接着剤や樹脂で封止するが、小型化によって半導体パッケージ同様の封止面積の狭小化による電解液の漏洩や外気浸入のおそれがあり、その予防策を講じることが望まれている。   In lithium ion batteries, the lead-out port of the electrode lead terminal (lead frame) is sealed with an adhesive or resin to prevent leakage of electrolyte and intrusion of outside air. There is a risk of leakage of electrolyte or intrusion of outside air due to the narrowing of the size, and it is desired to take preventive measures.

このような最近の状況を踏まえ、信頼性確保を目的とした、リードフレームなどの樹脂封止金属部品と樹脂の密着性の向上が大きな課題になっている。金属部品と樹脂の密着性の向上方法には現在2つの面からの開発が進んでいる。一つは樹脂の接着性の改良、二つ目は金属表面の粗化処理方法である。   In light of these recent situations, improvement of the adhesion between resin-encapsulated metal parts such as lead frames and resin for the purpose of ensuring reliability has become a major issue. There are currently two developments in methods for improving the adhesion between metal parts and resins. One is to improve the adhesiveness of the resin, and the second is a method for roughening the metal surface.

樹脂の接着性の改良では、熱可塑性のPPS樹脂やLCP樹脂の流動性の改良や、化学的な樹脂の改質が試みられている。   In order to improve the adhesiveness of the resin, attempts have been made to improve the fluidity of thermoplastic PPS resins and LCP resins and to modify the chemical resins.

一方、金属表面の粗化処理方法では、化学的粗化処理法が知られている。化学的粗化処理法としては、金属の表面を溶解して粗化する方法、または特許文献1(特開2005−353919号公報)に記載のように金属の表面に粗化めっきをする方法がある。いずれも樹脂と金属の接触界面の面積を増加させ、さらにアンカー効果(投錨効果)により密着強度(剥離強度)を高めることができる。   On the other hand, a chemical roughening treatment method is known as a metal surface roughening treatment method. As the chemical roughening treatment method, there is a method in which the surface of the metal is melted and roughened, or a method in which the surface of the metal is roughened as described in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-353919). is there. In either case, the area of the contact interface between the resin and the metal can be increased, and the adhesion strength (peeling strength) can be increased by the anchor effect (throwing effect).

化学的溶解法では、例えばアルミニウムの表面に微細な凹凸を形成できる特殊な薬品を用いる。めっき粗化法では、電気めっき法によって表面に凹凸の粗いめっきを析出させる。この化学的粗化処理法は、粗化液の選定によって、数μmの微細な凹凸を形成できる特徴があるが、化学薬品を用いるため特殊な処理槽を必要とし、さらに、電気めっきによる粗化では、前処理液やめっき液を用いるためにめっき装置が必要である。   In the chemical dissolution method, for example, a special chemical that can form fine irregularities on the surface of aluminum is used. In the plating roughening method, rough plating is deposited on the surface by electroplating. This chemical roughening method has the feature that it can form fine irregularities of several μm depending on the selection of the roughening solution, but it requires a special treatment tank because of the use of chemicals, and it is further roughened by electroplating. Then, in order to use a pretreatment liquid and a plating solution, a plating apparatus is required.

また、かような化学的粗化処理方法は、排気排液の処理や洗浄処理における環境汚染対策を講じる必要があり、また、作業環境の悪化につながることが懸念される。   In addition, such chemical roughening treatment methods need to take measures against environmental pollution in the treatment of exhaust effluent and cleaning, and there is a concern that the working environment may be deteriorated.

このほか粗化処理には機械的方法があり、例えば特許文献2(特開2001−225346号公報)では、金属部品がインサートされた樹脂複合成形品を製造する方法において、予め金属部品表面に鋼鉄やガラスなどの硬い微粉末を吹き付けて粗化するブラスト処理法が良く知られている。この方法は、大きな機械加工部品や構造体の表面を梨地処理して、塗料との密着性を良くするなどの目的で実際に用いられるが、小型の製品には適さず、且つ部分的な粗化処理ができない。半導体パッケージやリチウムイオン電池は小型であり、かつ樹脂と接触する部分のみの粗化処理が求められる。   In addition, there is a mechanical method for the roughening treatment. For example, in Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-225346), in a method of manufacturing a resin composite molded article in which a metal part is inserted, a surface of the metal part is previously coated with steel. A blasting method in which a hard fine powder such as glass or glass is blown to roughen is well known. This method is actually used for the purpose of improving the adhesion to paints by treating the surface of large machined parts and structures with a matte finish, but it is not suitable for small products and is partially rough. Cannot be processed. Semiconductor packages and lithium ion batteries are small in size and require roughening treatment only at the portions that come into contact with the resin.

例えば、半導体パッケージでは、そのリードフレームにおける封止樹脂との界面以外の部分を粗化した場合、リードフレームのはんだ付けが行われる箇所のはんだ付け性が阻害される。また照明用LEDパッケージでは、はんだ付け性のほかに反射率が低下する問題がある。リチウムイオン電池では、電池キャップから電極用のリードフレームを外部に引き出すが、キャップと金属電極の界面は接着剤や樹脂で封止される。この場合も樹脂との界面のみを粗化する必要がある。金属電極と樹脂界面のほかの部分を粗化した場合、接触電気抵抗が増加するなどの問題があり、好ましくない。上述の化学的な粗化処理方法も浸漬方法であるために部分的な粗化処理は非常に困難であり、機械的処理法と同様の問題がある。   For example, in a semiconductor package, when the portion other than the interface with the sealing resin in the lead frame is roughened, the solderability of the portion where the lead frame is soldered is hindered. Moreover, in the LED package for illumination, there exists a problem that a reflectance falls besides solderability. In a lithium ion battery, a lead frame for an electrode is drawn out from a battery cap, and the interface between the cap and the metal electrode is sealed with an adhesive or a resin. In this case as well, it is necessary to roughen only the interface with the resin. When other portions of the metal electrode and the resin interface are roughened, there is a problem that the contact electric resistance increases, which is not preferable. Since the above-mentioned chemical roughening treatment method is also an immersion method, the partial roughening treatment is very difficult and has the same problems as the mechanical treatment method.

以上のように、現在、半導体パッケージやリチウムイオン電池などの信頼性向上の要求がますます強くなっており、金属部品と樹脂との密着性の改良が急務となっているが、現在これに応え得る手法が無いのが実状である。   As described above, there is an ever-increasing demand for improved reliability of semiconductor packages and lithium-ion batteries, and there is an urgent need to improve the adhesion between metal parts and resin. The reality is that there is no way to get it.

特開2005−353919号公報JP-A-2005-353919 特開2001−225346号公報JP 2001-225346 A

本発明の目的は、従来の化学的な粗化処理や機械的粗化処理に代わる新たな機械的粗化処理を可能とし、しかも部分的な粗化処理を短時間で可能にする金属プレス加工方法及びそれにより得られる樹脂封止用の金属部品の樹脂に対する界面接着の面積を狭小化した領域においても充分な接着性、密着性を確保し、封止性及び剥離強度に優れ、しかも他部品との半田接続や電気的接続、他の機能性にも支障のない樹脂封止金属部品及びリードフレームを提供することにある。   The object of the present invention is to enable a new mechanical roughening process to replace a conventional chemical roughening process or a mechanical roughening process, and to perform a partial roughening process in a short time. In the region where the area of the interface adhesion to the resin of the method and the metal part for resin sealing obtained thereby is reduced, sufficient adhesion and adhesion are ensured, and the sealing property and peel strength are excellent, and other parts It is an object of the present invention to provide a resin-encapsulated metal part and a lead frame that do not interfere with solder connection, electrical connection, and other functionality.

本発明は、上記目的を達成するために、基本的には、次のような金属プレス加工方法、樹脂封止金属部品及びリードフレームを提案する。
(1)金属プレス加工による金属部品の製造方法において、
ワークとなる金属板材の表裏面の一部に超硬金型のパンチ及びダイを用いてプレス転写することによりプレス加工粗面を形成する工程と、
前記プレス加工粗面形成工程前あるいは後に、前記金属板材を抜き加工することにより前記金属部品を得ると共にこの金属部品における前記プレス加工粗面と交わる板厚側面に、微細な溝列のプレス抜き加工面を形成する工程とを有する金属部品の製造方法。または、上記工程に加えて、前記抜き加工による溝列形成後に、この溝列の面(板厚側面)に側面叩きパンチを用いて、梨地レベルの微細な粗面を形成する金属部品の製造方法。
In order to achieve the above object, the present invention basically proposes the following metal pressing method, resin-encapsulated metal part, and lead frame.
(1) In a method of manufacturing a metal part by metal pressing,
A step of forming a pressing rough surface by press transfer using a punch and die of a super hard die on a part of the front and back surfaces of a metal plate material to be a workpiece;
Before or after the pressing rough surface forming step, the metal plate material is punched to obtain the metal part, and the metal part is subjected to punching of fine groove rows on the plate thickness side surface intersecting with the pressing rough surface. A method of manufacturing a metal part comprising a step of forming a surface. Alternatively, in addition to the above-described steps, after forming the groove row by the punching process, a metal part manufacturing method for forming a fine rough surface at a satin level by using a side surface punch on the surface (plate thickness side surface) of the groove row .

好ましくは、前記プレス加工粗面形成に用いるパンチ及びダイには、プレス加工粗面転写用の高さ或いは深さを有する第1の凹凸面と、さらにこの第1の凹凸面上に形成される該第1の凹凸面より微細な粗面(例えば梨地レベルの粗面)よりなる第2の凹凸面とが形成されていることを特徴とする金属部品の製造方法。
(2)プレス加工された金属成形体よりなる金属部品と、前記金属部品を封止する封止樹脂とを有する樹脂封止金属部品において、
前記金属部品の少なくとも一部で前記封止樹脂が密着する被封止部にプレス加工の粗面が形成され、
このプレス加工粗面は、微細な凹凸を繰り返す第1の凹凸面と、さらにこの第1の凹凸面上に形成される該第1の凹凸面より微細な凹凸よりなる第2の凹凸面とにより構成されていることを特徴とする樹脂封止金属部品。
(3)金属プレス加工により成形されたリードフレームにおいて、
一部にプレス加工の粗面が形成され、
このプレス加工粗面は、微細な凹凸を繰り返す第1の凹凸面と、さらにこの第1の凹凸面上に形成される該第1の凹凸面より微細な凹凸よりなる第2の凹凸面とにより構成されていることを特徴とするリードフレーム。
Preferably, the punch and die used for forming the press-processed rough surface are formed on the first uneven surface having a height or depth for press-processed rough surface transfer, and further on the first uneven surface. A method for producing a metal part, characterized in that a second rough surface made of a rough surface (for example, a rough surface at a satin level) finer than the first rough surface is formed.
(2) In a resin-sealed metal part having a metal part made of a pressed metal molded body and a sealing resin for sealing the metal part,
A rough surface of the press process is formed on the sealed portion where the sealing resin is in close contact with at least a part of the metal part,
This press-processed rough surface is composed of a first concavo-convex surface that repeats fine concavo-convex portions and a second concavo-convex surface that is formed on the first concavo-convex surface and that has finer concavo-convex portions than the first concavo-convex surface. A resin-encapsulated metal part characterized by comprising.
(3) In a lead frame formed by metal pressing,
A rough surface of press work is formed in part,
This press-processed rough surface is composed of a first concavo-convex surface that repeats fine concavo-convex portions and a second concavo-convex surface that is formed on the first concavo-convex surface and that has finer concavo-convex portions than the first concavo-convex surface. A lead frame characterized by being configured.

本発明によれば、金属材料に対して、従来の化学的な粗化処理や機械的粗化処理に代わる新たな機械的粗化処理を可能とし、しかも部分的な粗化処理を短時間で可能にする金属プレス加工方法を実現することができる。   According to the present invention, a new mechanical roughening treatment can be performed on a metal material in place of a conventional chemical roughening treatment or mechanical roughening treatment, and a partial roughening treatment can be performed in a short time. An enabling metal press working method can be realized.

また、それにより得られる金属部品(金属プレス加工品)の粗化処理部たるプレス加工粗面は、微細加工の第1の凹凸面と、それよりもさらに微細な第2の凹凸面とを組み合わせた複合的な粗面により構成されるので、限られた被封止部における封止樹脂に対する有効な界面接着(密着)面積を増やして、狭小化される金属部品あっても優れた気密封止を維持できる樹脂封止金属部品及びリードフレームを実現することができる。   In addition, the roughened surface of the metal part (metal stamped product) obtained by the roughening treatment is a combination of a finely processed first uneven surface and a finer second uneven surface. Because it is composed of a complex rough surface, it increases the effective interfacial adhesion (adhesion) area to the sealing resin in limited sealed parts, and even for metal parts that are narrowed, excellent hermetic sealing It is possible to realize a resin-sealed metal part and a lead frame that can maintain the above.

本発明の実施例1の樹脂封止金属部品の適用対象となる半導体パッケージの一例を示す縦断面図及びその一部拡大断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows an example of the semiconductor package used as the application object of the resin sealing metal component of Example 1 of this invention, and its partial expanded sectional view. 実施例1に係る樹脂封止金属部品(リードフレーム)の斜視図。1 is a perspective view of a resin-encapsulated metal part (lead frame) according to Embodiment 1. FIG. 本発明の実施例2の樹脂封止金属部品の適用対象となるリチウムイオン電池の一例を示す縦断面図及びその要部拡大断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows an example of the lithium ion battery used as the application object of the resin sealing metal component of Example 2 of this invention, and its principal part expanded sectional view. 図3の一部拡大断面図。FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of FIG. 3. 本発明の金属プレス加工方法(金属プレス導電体の製造方法)の一実施例におけるプレス加工粗面形成工程を示す説明図(実施例3)。Explanatory drawing (Example 3) which shows the press work rough surface formation process in one Example of the metal press processing method (manufacturing method of a metal press conductor) of this invention. 本発明の金属プレス加工方法(金属プレス導電体の製造方法)の一実施例における抜き加工工程を示す説明図(実施例3)。Explanatory drawing (Example 3) which shows the punching process in one Example of the metal press processing method (manufacturing method of a metal press conductor) of this invention. 微細溝加工側面を有する抜き加工金型のパンチ及びダイを用いてワークWを抜き加工した場合の、ワークW´(型抜き金属プレス加工品)の被加工面(ワーク板厚側面)とそれに隣接する非加工面を示す図。When the workpiece W is punched using a punch and die of a punching die having a micro-grooving side surface, the work surface (work plate thickness side surface) of the workpiece W '(die-cut metal stamped product) and adjacent to it The figure which shows the non-processed surface to do. 実施例4において、溝加工後にブラスト処理を行ったパンチのレーザ顕微鏡による観察結果を示す図。In Example 4, the figure which shows the observation result by the laser microscope of the punch which performed the blast process after the groove | channel process. 実施例4におけるプレス加工真鍮面のレーザ顕微鏡観察結果を示す図。The figure which shows the laser microscope observation result of the press work brass surface in Example 4. FIG. 本願発明に係るテストピースの仕様を示す正面図及び側面図。The front view and side view which show the specification of the test piece which concerns on this invention.

本発明の実施の形態を図面に示す実施例を用いて説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to examples shown in the drawings.

先ず、図1及び図2により、樹脂封止金属部品(導電体)の一実施例を半導体パッケージに適用した場合について説明する。図1は、本実施例の樹脂封止金属部品の適用対象となる半導体パッケージの一例を示す縦断面図及びその一部拡大断面図である。図2は、本実施例に係る樹脂封止金属部品(リードフレーム)の斜視図である。   First, referring to FIGS. 1 and 2, a case where an embodiment of a resin-encapsulated metal part (conductor) is applied to a semiconductor package will be described. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a semiconductor package to which the resin-encapsulated metal part of the present embodiment is applied and a partially enlarged sectional view thereof. FIG. 2 is a perspective view of a resin-encapsulated metal part (lead frame) according to the present embodiment.

図1における半導体パッケージは、例えばパワートランジスタを構成する半導体チップ1、それを支持する金属ベース2、入出力用のリード端子となるリードフレーム3、前記半導体チップ1とリードフレーム3間を接続するボンディングワイヤ4、及びこれらの部材を封止する封止樹脂5よりなる。   1 includes, for example, a semiconductor chip 1 that constitutes a power transistor, a metal base 2 that supports the semiconductor chip, a lead frame 3 that serves as an input / output lead terminal, and a bonding that connects the semiconductor chip 1 and the lead frame 3. It consists of a wire 4 and a sealing resin 5 for sealing these members.

封止樹脂5は、例えばトランスファーモールド樹脂であり、樹脂封止金属部品(樹脂封止導電体)となるリードフレーム3については、一部が樹脂封止され、その他の部分は外部に引き出されている。   The sealing resin 5 is, for example, a transfer mold resin, and part of the lead frame 3 that is a resin-sealed metal part (resin-sealed conductor) is resin-sealed, and the other part is drawn out to the outside. Yes.

このリードフレーム3は、例えば銅合金材よりなる金属プレス加工品である。図1に示すリードフレーム3は、作図の便宜上、模式的に描かれているが、実際には図2に示すように板状のものである。リードフレーム3は、銅合金に限らず、その他、アルミニウム、アルミニウム合金、42アロイ(42mass%Ni-Fe合金)などの鉄系合金など適宜な金属導電材料を使用することが可能である。リードフレーム3の一部(被封止部)に封止樹脂5が密着するプレス加工の粗面(粗化処理部)7が形成される。   The lead frame 3 is a metal stamped product made of, for example, a copper alloy material. The lead frame 3 shown in FIG. 1 is schematically drawn for convenience of drawing, but is actually a plate-like one as shown in FIG. The lead frame 3 is not limited to a copper alloy, and other appropriate metal conductive materials such as aluminum, an aluminum alloy, and an iron-based alloy such as 42 alloy (42 mass% Ni—Fe alloy) can be used. A rough surface (roughening portion) 7 of press working is formed in which the sealing resin 5 is in close contact with a part (sealed portion) of the lead frame 3.

このプレス加工粗面7は、図1の要部拡大図に示すように、リードフレーム3の表裏面の一部に形成される微細な山谷が繰り返される第1の凹凸面7aと、さらにこの第1の凹凸面7a上に形成されるより微細な梨地レベルの第2の凹凸面7bと、これらの凹凸面のある表裏面部位と交わるリードフレーム板厚側面に形成される第3の凹凸面7c(図2参照)とにより構成されている。第2の凹凸面7bは、第1の凹凸面7aより微細な凹凸よりなる。また必要に応じて、第3の凹凸面7c面にも、第2凹凸面7b同様のより微細な梨地レベルの凹凸が形成される(図示省略:これを7dとする)。   As shown in the enlarged view of the main part of FIG. 1, the rough surface 7 subjected to press working includes a first uneven surface 7 a in which fine valleys formed on a part of the front and back surfaces of the lead frame 3 are repeated, and further A finer textured second uneven surface 7b formed on one uneven surface 7a, and a third uneven surface 7c formed on the side surface of the lead frame plate crossing the front and back surface portions having these uneven surfaces. (See FIG. 2). The 2nd uneven surface 7b consists of unevenness finer than the 1st uneven surface 7a. Further, if necessary, finer textured surface irregularities similar to those of the second irregular surface 7b are also formed on the third irregular surface 7c (not shown: this is referred to as 7d).

本実施例における第1の凹凸面7aは、凹凸高さ(谷〜山)1〜100μm、幅(山〜山のピッチ)1〜200μm程度の微細な三角形の突起が多数配列されることで構成されている。三角形の突起は、峰状の山と谷が繰り返す凸凹面により構成してもよい。凹凸の形状は、加工が可能であれば、例えば円錐形、ピラミッド形状、連続した溝形状など任意のパターンであり形状を問わない。   The first concavo-convex surface 7a in the present embodiment is configured by arranging a large number of fine triangular protrusions having a concavo-convex height (valley to mountain) of 1 to 100 μm and a width (peak to mountain pitch) of 1 to 200 μm. Has been. The triangular protrusion may be formed by a convex / concave surface in which peak-shaped peaks and valleys repeat. The shape of the concavo-convex shape is an arbitrary pattern such as a conical shape, a pyramid shape, or a continuous groove shape as long as it can be processed.

第2の凹凸面7bおよび7dは、算術平均粗さ(Ra)が0.1〜10μmの粗さである。   The second uneven surfaces 7b and 7d have an arithmetic average roughness (Ra) of 0.1 to 10 μm.

第1、第2の凹凸面7a,7bはいずれもプレス加工による粗化処理により形成されている。   The first and second uneven surfaces 7a and 7b are both formed by a roughening process by pressing.

さらに、リードフレーム3における板厚側面に形成される第3の凹凸面7cは、凹凸高さ(谷から山)1〜100μm、幅(山〜山のピッチ)、1〜200μmの範囲の深さを有して繰り返す微細な溝列のプレス抜き加工面により形成されている。また第3の凹凸面7cの表面にも、第2の凹凸面7b同様の算術平均粗さ(Ra)が0.1〜10μmの粗さの粗化面を必要に応じて形成してもよい。   Furthermore, the 3rd uneven surface 7c formed in the plate | board thickness side surface in the lead frame 3 is 1-100 micrometers in uneven | corrugated height (valley-to-mountain), width | variety (peak-to-mountain pitch), and the depth of the range of 1-200 micrometers. It is formed by the press-punching surface of the fine groove row which repeats and has. Further, a roughened surface having an arithmetic average roughness (Ra) of 0.1 to 10 μm similar to the second uneven surface 7b may be formed on the surface of the third uneven surface 7c as necessary. .

これらのプレス加工粗面の仕様は、粗化対象品の金属部品の板厚(強度)に支障をきたさない範囲で設定され、例えば10分の数ミリメートル〜数ミリメートル程度の板厚であれば、上記した数値であれば金属板材の強度は確保できる。   The specifications of these press-worked rough surfaces are set in a range that does not hinder the thickness (strength) of the metal part of the roughening target product. For example, if the thickness is about several tenths of a millimeter to several millimeters, If it is an above-mentioned numerical value, the intensity | strength of a metal plate material is securable.

これらのプレス加工粗面7(7a,7b,7c)の形成方法については後述する。   A method for forming these rough surfaces 7 (7a, 7b, 7c) will be described later.

リードフレーム3の粗化処理部7はリードフレームの一部に形成され、粗化処理部7を除く部分で半導体チップ側の一端近傍にワイヤパッドとなる銀めっき部6が形成され、この銀めっき部6にボンディングワイヤ4の一端が超音波接合法により接続されている。   The roughening processing part 7 of the lead frame 3 is formed in a part of the lead frame, and a silver plating part 6 serving as a wire pad is formed in the vicinity of one end on the semiconductor chip side except for the roughening processing part 7. One end of the bonding wire 4 is connected to the portion 6 by an ultrasonic bonding method.

上記本実施例の樹脂封止構造によれば、リードフレーム3の粗化処理部7を煩雑な処理を不要とする金属プレス加工により実現できる。しかも、粗化処理部たるプレス加工粗面は、微細加工の第1の凹凸面と、それよりもさらに微細な第2の凹凸面とを組み合わせた複合的な粗面により構成されるので、限られた被封止部における封止樹脂に対する界面接着(密着)面積を増やして、狭小化される金属部品であっても優れた気密封止を維持でき、ひいては半導体パッケージの小型化に対応した樹脂封止リードフレームを実現することができる。   According to the resin-encapsulated structure of the present embodiment, the roughening processing section 7 of the lead frame 3 can be realized by metal pressing that does not require complicated processing. In addition, the press-processed rough surface, which is a roughening treatment unit, is composed of a complex rough surface that is a combination of a first uneven surface for fine processing and a second uneven surface that is finer than that. Increases the area of interfacial adhesion (adhesion) to the sealing resin in the sealed part, and can maintain excellent hermetic sealing even for metal parts that are narrowed. A sealed lead frame can be realized.

次に、図3及び図4により、樹脂封止金属部品の他の実施例(実施例2)を、リチウムイオン電池に適用した場合について説明する。図3は、本実施例の適用対象となるリチウムイオン電池の一例を示す縦断面図、図4は、その部分拡大断面図である。   Next, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, a case where another embodiment (embodiment 2) of the resin-encapsulated metal part is applied to a lithium ion battery will be described. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an example of a lithium ion battery to which the present embodiment is applied, and FIG. 4 is a partially enlarged sectional view thereof.

図3のリチウムイオン電池は、負極端子となる有底筒形の電池ケース10の内部に、正極板(正極)11と負極板(負極)12とそれらの電極間に介在するセパレータ13とからなる電極アッセンブリが多数積層されて実装される。電極アッセンブリは、そのほか、正極板1と負極板2を、それらの間を絶縁するセパレータ13を介在させて巻き回して形成するものなど、その形状は種々のものが考えられ、本願発明はいずれにおいても適用可能である。また、非水電解液(電解質)がケース10内に充填されている。   The lithium ion battery of FIG. 3 includes a positive electrode plate (positive electrode) 11, a negative electrode plate (negative electrode) 12, and a separator 13 interposed between these electrodes inside a bottomed cylindrical battery case 10 serving as a negative electrode terminal. A large number of electrode assemblies are stacked and mounted. In addition, the electrode assembly may have various shapes such as a structure in which the positive electrode plate 1 and the negative electrode plate 2 are formed by winding a separator 13 that insulates between them. Is also applicable. In addition, the case 10 is filled with a nonaqueous electrolytic solution (electrolyte).

正極、負極、電解質のそれぞれの材料は、リチウムイオンを移動し、リチウムイオンの授受が可能であればよいので、多くの種類があり、また、その種類によって特性に違いが出てくるが、これらの材料は、公知のものを使用すればよいので、説明を省略する。   There are many types of materials for the positive electrode, the negative electrode, and the electrolyte, as long as they can move lithium ions and exchange lithium ions. There are many types of materials, and the characteristics vary depending on the types. Since a known material may be used, description thereof is omitted.

ケース10の上部開口は、電極アッセンブリをケース10内に実装した後に内側の金属キャップ(例えばアルミニウム製キャップ)14によって封止されている。金属キャップ14には、非水電解液を注液するための且つケース10内のガスを放出させるための安全弁15が設けられている。   The upper opening of the case 10 is sealed by an inner metal cap (for example, an aluminum cap) 14 after the electrode assembly is mounted in the case 10. The metal cap 14 is provided with a safety valve 15 for injecting a non-aqueous electrolyte and for releasing the gas in the case 10.

金属キャップ14には、正極板11と正極端子16とを接続するリードフレーム17を通すための通孔18が設けられている。リードフレーム17は、この通孔18を通されて、正極板11と正極端子16とを接続する。リードフレーム17の一端は、正極端子16に設けた孔20に通されてかしめられている。   The metal cap 14 is provided with a through hole 18 through which a lead frame 17 connecting the positive electrode plate 11 and the positive electrode terminal 16 is passed. The lead frame 17 is connected to the positive electrode plate 11 and the positive electrode terminal 16 through the through hole 18. One end of the lead frame 17 is caulked through a hole 20 provided in the positive electrode terminal 16.

正極端子16は、外側の外装樹脂キャップ19に固定されている。   The positive terminal 16 is fixed to an outer exterior resin cap 19.

リードフレーム17と通孔18との間、および正極端子16と金属キャップ14との間には封止樹脂として接着剤21が充填されている。接着剤としては、例えばエポキシ系接着剤を用いるがそれに限定されるものではなく、適宜な絶縁性の接着剤を用いれば良く、またモールド成形金型を用いた樹脂成形などでもかまわない。   An adhesive 21 is filled as a sealing resin between the lead frame 17 and the through hole 18 and between the positive terminal 16 and the metal cap 14. As the adhesive, for example, an epoxy-based adhesive is used, but the adhesive is not limited thereto. An appropriate insulating adhesive may be used, and resin molding using a molding die may be used.

図4に示すように、本実施例でもリードフレーム17の一部(少なくとも被封止部)には、接着剤21との界面接着面積を高めるために、実施例1同様のプレス加工粗面(粗化処理部)22が設けられる。さらにリードフレーム以外の金属部品、すなわち金属キャップ14の一部、すなわち接着剤21が接着するキャップ14の表面一部と通孔18の孔壁にそれぞれプレス加工粗面23及び24が設けられている。   As shown in FIG. 4, in this embodiment as well, a part of the lead frame 17 (at least a portion to be sealed) has a roughened press-processed surface similar to that of the first embodiment in order to increase the interfacial adhesion area with the adhesive 21 ( (Roughening unit) 22 is provided. Further, metal parts other than the lead frame, that is, a part of the metal cap 14, that is, a part of the surface of the cap 14 to which the adhesive 21 is bonded and a rough surface 23 and 24 are provided on the hole wall of the through hole 18, respectively. .

リードフレーム17に設けたプレス加工粗面22は、リードフレーム両面一部に設けた第1、第2の凹凸面(実施例1の第1、第2の凹凸面7a,第7bと同様のプレス加工面)とこれらの凹凸面に直交する板厚側面に設けた第3の凹凸面(実施例1の第3の凹凸面7cと同様のプレス抜き加工面)からなる。また必要に応じて第3の凹凸面7c面にも、第2の凹凸面7b同様の凹凸面を形成してもよい。   The press-work rough surface 22 provided on the lead frame 17 has first and second uneven surfaces provided on a part of both surfaces of the lead frame (the same press as the first and second uneven surfaces 7a and 7b of Example 1). Processed surface) and a third uneven surface (a press-processed surface similar to the third uneven surface 7c of Example 1) provided on the plate thickness side surface orthogonal to these uneven surfaces. If necessary, an uneven surface similar to the second uneven surface 7b may be formed on the third uneven surface 7c.

金属キャップ14の通孔18周辺に設けられるプレス加工粗面23も、実施例1の第1、第2の凹凸面7a,第7bと同様のプレス加工面である。   The roughened press-worked surface 23 provided around the through hole 18 of the metal cap 14 is the same press-worked surface as the first and second uneven surfaces 7a and 7b of the first embodiment.

通孔18の内壁に設けられるプレス加工粗面24は、実施例1の第3の凹凸面7cと同様のプレス抜き加工面からなる。またこの面にも、必要に応じて上記した第2の凹凸面7b同様の凹凸面が形成される。   The roughened press-worked surface 24 provided on the inner wall of the through hole 18 is formed of a press-worked surface similar to the third uneven surface 7c of the first embodiment. Further, an uneven surface similar to the second uneven surface 7b described above is formed on this surface as needed.

すなわち、本実施例では、プレス加工粗面が、リードフレーム17の金属キャップ14の通孔18を通る部位と、金属キャップ14の通孔18及びその周辺に設けられ、この通孔18及びその周辺に充填される封止接着剤21がプレス加工粗面に密着している
本実施例においても、狭小化されるリードフレーム及びその周辺金属部材(金属キャップなど)の間の封止樹脂接着面積を十分に確保でき、しかも、接着面積を高める金属部品の粗化処理を金属プレス加工により実現するので、化学粗化処理のような製造工程の煩雑を避け、しかも必要とされる部位に限定して粗化処理を行うことができる。また正極端子16の接着剤と接する面も必要に応じて7a,7bを形成する。
That is, in this embodiment, the roughened press working surface is provided in a portion passing through the through hole 18 of the metal cap 14 of the lead frame 17, the through hole 18 of the metal cap 14 and the periphery thereof, and the through hole 18 and the periphery thereof. In this embodiment, the sealing adhesive area between the lead frame and its peripheral metal member (such as a metal cap) to be narrowed is also reduced. It can be secured sufficiently, and the roughening process of metal parts that increase the adhesion area is realized by metal pressing, so it avoids the complexity of the manufacturing process like chemical roughening process, and it is limited to the necessary parts Roughening can be performed. Further, the surface of the positive electrode terminal 16 in contact with the adhesive also forms 7a and 7b as necessary.

次に樹脂封止用の金属部品の製造方法(金属プレス加工方法)について、上記したリードフレーム3を一例に説明する。なお、本実施例の金属プレス加工方法は、樹脂封止用の金属部品であれば、リードフレームに限定されるものではなく種々のものに適用可能である。   Next, a method for producing a metal part for resin sealing (metal pressing method) will be described by taking the above-described lead frame 3 as an example. The metal press working method of the present embodiment is not limited to the lead frame as long as it is a metal part for resin sealing, and can be applied to various types.

図5はリードフレーム(ワーク:金属加工プレス品)の金属表面の一部に超硬金型のパンチを用いてプレス転写することによりプレス加工粗面を形成する工程を示す説明図である。   FIG. 5 is an explanatory view showing a process of forming a rough surface by press transfer using a punch of a super hard die on a part of a metal surface of a lead frame (work: metal processing press product).

プレス加工粗面を形成する場合、図の左側に示すように、金型となるパンチ50の底面には、エンドミルやマシニングセンターなどによりプレス加工粗面(第1凹凸面7a相当)転写用の精密微細加工面51が施される。パンチ底面には、例えば凹凸高さ(谷〜山)1〜100μm、幅(山〜山のピッチ)1〜300μmの範囲の微細な三角形の突起列の精密微細加工面51が形成されている。凹凸の形状は連続した溝またはピラミッド形状、円錐形状など、加工が可能な任意のパターンであり形状を問わない。この微細凹凸の表面にはさらにブラスト処理を施す。これによってパンチ50には、微細凹凸の表面にさらに微細なブラスト加工52(第2凹凸面7b転写用プレス面)を行った三次元マイクロ構造加工の底面が得られる。このパンチ50を、ワークW(例えば銅合金:リードフレーム加工前の金属材)に用いられている銅合金の表面に、順送プレスにより押し当てると、銅合金表面には図の右側のパンチ加工部の断面に示すような三次元マイクロ構造加工面が得られる。   When forming a rough surface for press working, as shown on the left side of the drawing, the bottom surface of the punch 50 serving as a die is precision fine for transferring the rough surface for pressing (corresponding to the first uneven surface 7a) by an end mill or a machining center. A processed surface 51 is applied. On the bottom surface of the punch, for example, a fine micro-processed surface 51 of a fine triangular projection row having a concavo-convex height (valley to mountain) of 1 to 100 μm and a width (peak to mountain pitch) of 1 to 300 μm is formed. The shape of the concavo-convex shape is an arbitrary pattern that can be processed, such as a continuous groove, a pyramid shape, or a conical shape, and may have any shape. Blasting is further applied to the surface of the fine irregularities. As a result, the bottom surface of the three-dimensional microstructure processing in which the fine blasting 52 (the second uneven surface 7b transfer press surface) is further performed on the fine uneven surface is obtained on the punch 50. When this punch 50 is pressed against the surface of a copper alloy used for a workpiece W (for example, copper alloy: metal material before lead frame processing) by a progressive press, the copper alloy surface is punched on the right side of the figure. A three-dimensional microstructured surface as shown in the section of the part is obtained.

順送プレスでは長い帯状の金属条を、巻き取りながらプレス加工できるので、銅合金の必要な箇所に連続して微細な凹凸を部分的に連続的に加工することが可能となる。図5ではパンチ加工面の例で説明したが、図5に示すダイ55側にも微細な凹凸加工とブラスト処理を施すことによって、ワーク(銅合金)Wの裏面にも三次元マイクロ構造加工面(プレス加工粗面)が得られる。   In the progressive press, a long strip-shaped metal strip can be pressed while being wound up, so that it is possible to partially and continuously process the fine irregularities continuously at the necessary portions of the copper alloy. Although the example of the punching surface has been described with reference to FIG. 5, the three-dimensional microstructure processing surface is also formed on the back surface of the workpiece (copper alloy) W by performing fine uneven processing and blasting on the die 55 side shown in FIG. (Roughened surface by pressing) is obtained.

図6のプレス加工粗面の形成工程後に、ワークWは、順送プレスにより図6に示す型抜きが行われる。   After the press-processed rough surface forming step in FIG. 6, the workpiece W is die-cut as shown in FIG. 6 by progressive press.

図6の左側には、抜き加工用のパンチ60の両側面(図では片側の側面のみ示す)にプレス加工粗面転写用の凹凸高さ(谷〜山)1〜100μm、幅(山〜山のピッチ)1〜300μmの範囲の微細溝(または微細突条列:図1の第3の凹凸面7c転写用)61を形成した例を示す。この微細溝61も、エンドミルやマシニングセンターなどを用いた精密微細加工で形成される。また、抜き加工用のダイ65の側面にも上記パンチ同様微細な溝または突起などを形成する。ワークWのパンチ60及びダイ65を用いて抜き加工する場合(図6の右側)には、パンチ及びダイに用いた微細溝の精密位置合わせをすることにより行われる。さらに必要に応じて凹凸面7c面にも、第2の凹凸面7b同様の凹凸面がブラスト加工法などによって形成される。   On the left side of FIG. 6, on both sides of the punch 60 for punching (only one side is shown in the figure), the unevenness height (valley to mountain) for pressing rough surface transfer is 1 to 100 μm, and the width (mountain to mountain). An example in which fine grooves (or fine protrusion rows: for transferring the third uneven surface 7c in FIG. 1) 61 in the range of 1 to 300 μm is formed is shown. The fine groove 61 is also formed by precision fine processing using an end mill, a machining center, or the like. Further, fine grooves or protrusions are formed on the side surface of the die 65 for punching as well as the punch. In the case of punching using the punch 60 and the die 65 of the workpiece W (right side in FIG. 6), the fine grooves used for the punch and the die are precisely aligned. Further, if necessary, an uneven surface similar to the second uneven surface 7b is also formed on the uneven surface 7c by a blasting method or the like.

上記パンチ及びダイを用いたワークWを抜き加工すると、抜き加工により得られた加工金属部品W´がリードフレームの形状を呈しかつその板厚側面に微細溝の凹凸面(実施例の第3の凹凸面7c相当)が形成される。また抜き加工後、リードフレームの側面から、再度ブラスト処理などによって第2の凹凸面7b同様の凹凸面(転写用)のみを形成したパンチを押し当てることによって、加工金属部品の側面にも第2の凹凸面が形成される。この抜き加工側面に第2の凹凸面形成用のパンチを押し当てる方法は、プレスの金型の上下運動を横方向の運動に変換する、カム駆動方式によってプレスパンチを横方向に移動することで行える。この方法は、深絞り加工における横方向からの穴明け加工などに良く用いられている。   When the workpiece W using the punch and die is punched, the processed metal part W ′ obtained by the punching process has the shape of a lead frame, and the uneven surface of the fine groove (the third example of the embodiment) An uneven surface 7c) is formed. Further, after the punching process, the second metal is also applied to the side surface of the processed metal part by pressing a punch having only the uneven surface (for transfer) similar to the second uneven surface 7b by blasting or the like from the side surface of the lead frame. An uneven surface is formed. The method of pressing the punch for forming the second uneven surface on the punching side surface is to move the press punch laterally by a cam drive system that converts the vertical movement of the press die into lateral movement. Yes. This method is often used for drilling from the lateral direction in deep drawing.

本実施例では、側面の抜き加工による第1の凹凸面7c(或いは凹凸面7c面に必要に応じて行う第2の凹凸面同様のプレス粗面加工)をリードフレームの表裏面加工の後工程としたが、この凹凸面7c(或いは7c面に施す第2の凹凸面も含めて)の形成加工を前工程で行い、その後に7aの第1の凹凸面加工および、7bの粗面加工による第2の凹凸加工を行っても構わない。   In the present embodiment, the first uneven surface 7c (or the rough surface processing similar to the second uneven surface performed as necessary on the uneven surface 7c) by the side surface punching process is a post-process for the front and back surfaces of the lead frame. However, the formation process of the uneven surface 7c (or the second uneven surface applied to the 7c surface) is performed in the previous process, and then the first uneven surface process 7a and the rough surface process 7b are performed. You may perform a 2nd uneven | corrugated process.

実施例4では、ダイス鋼(SKD11)のパンチに対して、深さ50μm、ピッチ250μmの溝をマシニングセンターによって形成した。実施例4では、溝加工表面にさらにSiC微粒子によるブラスト加工を行った。溝加工後にブラスト処理を行ったパンチのレーザ顕微鏡による観察結果を図8に示す。またダイ側もパンチ側と同様の溝およびブラスト加工を行ったダイを用いた。   In Example 4, a groove having a depth of 50 μm and a pitch of 250 μm was formed by a machining center on a punch of die steel (SKD11). In Example 4, the grooving surface was further blasted with SiC fine particles. FIG. 8 shows the observation result of the punch subjected to the blasting after the groove processing by the laser microscope. The die side used was a die that was grooved and blasted in the same manner as the punch side.

パンチのブラスト加工面の算術平均粗さRaは、3.0〜4.0μmの範囲であった。この加工パンチを用いて銅合金材料(Zn32mass%-Cu)の表面および裏面に対してプレス加工を行った。プレス加工はクランクプレスマシンを用い、回転数100RPMで行った。プレス加工銅合金材料面のレーザ顕微鏡観察結果を図9(a)に示す。
図9(a)に示すように、ワークW(銅合金材料)の加工面にブラスト加工を行ったパンチの転写による粗面加工面が見られる。比較のためにブラスト加工なしのパンチによる銅合金材料のプレス加工面は同図(b)に示すように、溝内部は平滑であることが分かる。ブラスト加工を行ったパンチおよびダイによる銅合金材料粗面加工面の平均粗さ(Ra)はブラスト加工パンチの平均粗さ(Ra)同様、3.0〜4.0μmであった。またブラスト加工を行わない場合の銅合金材料表面の平均粗さ(Ra)は0.2〜0.3μmであった。
The arithmetic average roughness Ra of the blasted surface of the punch was in the range of 3.0 to 4.0 μm. This processing punch was used to press the front and back surfaces of the copper alloy material (Zn32mass% -Cu). The press working was performed at a rotation speed of 100 RPM using a crank press machine. FIG. 9A shows the result of laser microscope observation of the pressed copper alloy material surface.
As shown in FIG. 9A, a roughened surface by transfer of a punch subjected to blasting is seen on the processed surface of the workpiece W (copper alloy material). For comparison, it can be seen that the pressed surface of the copper alloy material by the punch without blasting is smooth inside the groove as shown in FIG. The average roughness (Ra) of the roughened surface of the copper alloy material by the blasted punch and die was 3.0 to 4.0 μm, similar to the average roughness (Ra) of the blasted punch. Moreover, the average roughness (Ra) of the copper alloy material surface when not blasting was 0.2 to 0.3 μm.

さらに抜き加工側面には、第1の凹凸加工(7c)を行った。この加工断面を図7に示す。図7に示すように、0.64mmの銅合金材料(リードフレーム)の抜き加工断面に対して、ピッチ0.1mmの溝が形成されていることがわかる。レーザ顕微鏡測定による溝の深さは平均3μmであった。   Furthermore, the 1st uneven | corrugated process (7c) was performed on the side of a punching process. This processed cross section is shown in FIG. As shown in FIG. 7, it can be seen that a groove having a pitch of 0.1 mm is formed on a cross section of a 0.64 mm copper alloy material (lead frame). The average depth of the groove as measured by a laser microscope was 3 μm.

この7a,7b,7cを形成した銅合金材料によるテストピースを用いてそのテストピースの周りに樹脂成形して、ガスリーク試験を行った。ガスリーク試験用のテストピースを図10に示すように、厚さ0.64mm、幅4mm、長さ70mmの銅合金材料の中央部10mmの範囲の表面、裏面、およびプレス抜き加工側面の4面に対して、クランクプレスによる凹凸加工が施されている。テストピースの表裏両面には第1(溝加工:第1の凹凸面7a相当)、第2(粗面加工:第2の凹凸面7b相当)の凹凸加工が、また両側面には第3の凹凸加工(溝加工:第3の凹凸面7c相当)が施されている(これを実施例テストピースと称する)。   Using a test piece made of a copper alloy material on which these 7a, 7b, and 7c were formed, resin molding was performed around the test piece, and a gas leak test was performed. As shown in FIG. 10, the test piece for the gas leak test is formed on four surfaces, a front surface, a back surface, and a press-cut side surface of a copper alloy material having a thickness of 0.64 mm, a width of 4 mm, and a length of 70 mm in a central portion of 10 mm. On the other hand, uneven processing by a crank press is performed. The first (groove processing: equivalent to the first uneven surface 7a) and the second (rough surface processing: equivalent to the second uneven surface 7b) are provided on both the front and back surfaces of the test piece, and the third is provided on both side surfaces. Concavity and convexity processing (groove processing: equivalent to the third concave and convex surface 7c) is performed (this is referred to as an example test piece).

ガスリーク試験法の図は省略するが、一方の端に内径φ8mmの樹脂製中空ホースを挿入し、また他端にも8mmφ樹脂製中空ホースを挿入し、一方のホースに0.1MPaの圧力の空気圧を連続加圧方式で試験した。試験時間は2hとした。リーク量は、水中に沈めた他端のホースからリークする空気を、軽量瓶で捕集して計測した。図10に示す凹凸形成プレス加工部を有する銅合金材料には、本実施例の粗面加工銅合金材料(Zn32mass%-Cu)を用いた。銅合金材料には、第1の凹凸面7a,第3の凹凸7cの粗面加工深さ(溝深さ)0.05mm(50μm)、0.1mm(100μm)の2つについて行った。また比較のために第1凹凸面7a,第3の凹凸面7cは有するが、ブラスト加工無し(第2凹凸面7b無し)のパンチにより加工した銅合金材料に関しても試験を行った(これを比較例テストピースと称する)。成形樹脂には、PPS樹脂を用いた。樹脂成形金型温度は150℃とした。   Although the illustration of the gas leak test method is omitted, a resin hollow hose with an inner diameter of φ8 mm is inserted into one end and an 8 mmφ resin hollow hose is inserted into the other end, and air pressure at a pressure of 0.1 MPa is inserted into one hose. Were tested in a continuous pressure mode. The test time was 2 hours. The amount of leak was measured by collecting air leaking from the hose at the other end submerged in water with a lightweight bottle. The roughened copper alloy material (Zn32mass% -Cu) of this example was used as the copper alloy material having the unevenness forming press-worked portion shown in FIG. The copper alloy material was subjected to two rough surface processing depths (groove depths) of 0.05 mm (50 μm) and 0.1 mm (100 μm) of the first uneven surface 7a and the third uneven surface 7c. For comparison, the first concavo-convex surface 7a and the third concavo-convex surface 7c are provided, but a copper alloy material processed by a punch without blasting (without the second concavo-convex surface 7b) was also tested (compare this). Example called test piece). PPS resin was used as the molding resin. The resin mold temperature was 150 ° C.

ガスリーク試験の結果を纏めて表1に示す。   Table 1 summarizes the results of the gas leak test.

Figure 0005669495
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ガスリーク試験は、それぞれのテストピースについて3回行われた。ガスリーク試験の結果によれば、表1に示すように、第1の凹凸面7a,第2の凹凸面7b,第3の凹凸面7cのいずれの凹凸加工形状を有する実施例テストピースは、溝深さ50μmのものが、3回のテストともリーク量(l/h)が「0,0,0」であり、溝深さ100μmのものが、3回のテストのリーク量(l/h)が「0,0,0.033」であり、比較例テストピースに較べていずれも気密性に優れていることが実証された。   The gas leak test was performed three times for each test piece. According to the result of the gas leak test, as shown in Table 1, the example test piece having any one of the first uneven surface 7a, the second uneven surface 7b, and the third uneven surface 7c has a groove shape. The depth of 50 μm is “0, 0, 0” in the three tests, and the depth of 100 μm is the leak amount in three tests (l / h). Was “0, 0, 0.033”, and it was proved that all of them were excellent in airtightness as compared with the test piece of the comparative example.

したがって、上記した本実施例の半導体パッケージやリチウムイオン電池などのリードフレーム、キャップなどの樹脂封止を必要とする部品に本発明に係る粗面加工処理を適用することで、狭小化される金属部品あっても優れた気密封止効果が得られる。   Therefore, the metal to be narrowed by applying the rough surface processing according to the present invention to the parts that require resin sealing such as the lead package and cap of the semiconductor package and lithium ion battery of the above-described embodiment. Even with parts, an excellent hermetic sealing effect can be obtained.

また、従来の煩雑な化学的な粗化処理や機械的粗化処理に代わる新たな簡便な機械的粗化処理を可能とし、しかも部分的な粗化処理を短時間で可能にする金属プレス加工方法を実現することができる。   In addition, metal press processing that enables new simple mechanical roughening treatment to replace conventional complicated chemical roughening treatment and mechanical roughening treatment and enables partial roughening treatment in a short time. A method can be realized.

なお、上記した実施例では、樹脂封止金属部品として主に半導体パッケージのリードフレーム、リチウムイオン電池のリードフレーム、金属キャップを一例に説明したが、本発明は、それ以外の同様の樹脂封止される金属部品であれば種類を問わず適用可能である。   In the above-described embodiments, the lead frame of the semiconductor package, the lead frame of the lithium ion battery, and the metal cap have been mainly described as examples of the resin-sealed metal parts. Any metal part can be used regardless of the type.

1…半導体チップ、3…樹脂封止金属部品(リードフレーム)、5…封止樹脂、7…プレス加工粗面、7a…第1の凹凸面、7b…第2の凹凸面、7c…第3の凹凸面、14…樹脂封止金属部品(金属キャップ)、17…樹脂封止金属部品(リードフレーム)、22,23,24…プレス加工粗面。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor chip, 3 ... Resin sealing metal component (lead frame), 5 ... Sealing resin, 7 ... Rough surface of press work, 7a ... 1st uneven surface, 7b ... 2nd uneven surface, 7c ... 3rd 14: Resin-encapsulated metal part (metal cap), 17: Resin-encapsulated metal part (lead frame), 22, 23, 24: Press-worked rough surface.

Claims (15)

プレス加工された金属部品と、前記金属部品を封止する封止樹脂とを有する樹脂封止金属部品において、
前記金属部品の少なくとも一部で前記封止樹脂が密着する被封止部にプレス加工の粗面が形成され、
このプレス加工粗面は、微細な凹凸を繰り返す第1の凹凸面と、さらにこの第1の凹凸面上に形成される該第1の凹凸面より微細な凹凸よりなる第2の凹凸面とにより構成されていることを特徴とする樹脂封止金属部品。
In a resin-sealed metal part having a pressed metal part and a sealing resin for sealing the metal part,
A rough surface of the press process is formed on the sealed portion where the sealing resin is in close contact with at least a part of the metal part,
This press-processed rough surface is composed of a first concavo-convex surface that repeats fine concavo-convex portions and a second concavo-convex surface that is formed on the first concavo-convex surface and that has finer concavo-convex portions than the first concavo-convex surface. A resin-encapsulated metal part characterized by comprising.
請求項1記載の樹脂封止金属部品において、
前記金属部品がリードフレームであり、
前記プレス加工粗面は、リードフレームの表裏両面の一部で且つ少なくとも他の部品との接続部を除いて前記被封止部となる部位に形成され、
かつ前記リードフレームにおける前記被封止部における板厚側面には、微細な溝列のプレス抜き加工面が形成されている樹脂封止金属部品。
In the resin-sealed metal part according to claim 1,
The metal part is a lead frame;
The pressed rough surface is formed on a portion of the front and back surfaces of the lead frame and at least a portion to be the sealed portion except for a connecting portion with other components,
And the resin-sealed metal part in which the stamping process surface of a fine groove row is formed in the plate | board thickness side surface in the said to-be-sealed part in the said lead frame.
請求項2記載の樹脂封止金属部品において、前記板厚側面の前記プレス抜き加工面には、このプレス抜き加工面の前記微細な溝列よりも微細な凹凸面がプレス加工されている樹脂封止金属部品。   3. The resin-encapsulated metal part according to claim 2, wherein the press-cut surface of the plate thickness side surface is pressed with an uneven surface that is finer than the fine groove row of the press-cut surface. Stop metal parts. 請求項1ないし3のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記第1の凹凸面は、山と谷が連続的或いは断続的に繰り返す凸凹面により構成されている樹脂封止金属部品。
In the resin-sealed metal part according to any one of claims 1 to 3,
The first concavo-convex surface is a resin-encapsulated metal part configured with a concavo-convex surface in which peaks and troughs repeat continuously or intermittently.
請求項1ないし3のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、前記第1の凹凸面は、多数の微細突起の集合により構成されている樹脂封止金属部品。   4. The resin-encapsulated metal part according to claim 1, wherein the first concavo-convex surface is constituted by an assembly of a large number of fine protrusions. 請求項1ないし5のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記封止樹脂がモールド樹脂或いは接着剤よりなる樹脂封止金属部品。
In the resin-encapsulated metal part according to any one of claims 1 to 5,
A resin-sealed metal part, wherein the sealing resin is a mold resin or an adhesive.
請求項1ないし6のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記樹脂封止金属部品は、半導体電子部品をモールド樹脂により封止する半導体パッケージに用いるリードフレームであって、リードフレームの一端が前記半導体電子部品とワイヤボンディングを介して接続され、他端がモールド樹脂外部に引き出され、且つリードフレームの一部に設けた前記プレス加工粗面に前記モールド樹脂が密着している樹脂封止金属部品。
In the resin-sealed metal part according to any one of claims 1 to 6,
The resin-encapsulated metal component is a lead frame used in a semiconductor package for encapsulating a semiconductor electronic component with a mold resin, and one end of the lead frame is connected to the semiconductor electronic component via wire bonding, and the other end is molded. A resin-encapsulated metal part in which the mold resin is in close contact with the roughened press-work surface provided on a part of the lead frame and drawn out to the outside of the resin.
請求項1ないし6のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記樹脂封止金属部品は、正極、負極、電解質、セパレータを実装する電池の前記正極と正極端子とを接続するリードフレームと、電池の電極アッセンブリを収容するケースを閉じるキャップであって、前記リードフレームが前記キャップに設けた通孔を通して前記正極端子に接続され、
前記プレス加工粗面は、前記リードフレームの前記キャップの通孔を通る部位と、前記キャップの通孔及びその周辺に設けられ、この通孔及びその周辺に充填される封止接着剤が前記プレス加工粗面に密着している樹脂封止金属部品。
In the resin-sealed metal part according to any one of claims 1 to 6,
The resin-encapsulated metal part includes a lead frame that connects the positive electrode and the positive electrode terminal of a battery on which a positive electrode, a negative electrode, an electrolyte, and a separator are mounted, and a cap that closes a case that houses a battery electrode assembly, and the lead A frame is connected to the positive terminal through a through hole provided in the cap;
The rough surface for pressing is provided in a portion of the lead frame that passes through the through hole of the cap, the through hole of the cap, and the periphery thereof, and a sealing adhesive that fills the through hole and the periphery thereof is provided in the press. Resin-encapsulated metal parts that are in close contact with the roughened surface.
請求項1ないし8のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記第1の凹凸面は、凹凸の高低差が1〜100μm、凹凸の幅が1〜200μmであり、
前記第2の凹凸面が算術平均粗さ(Ra)が0.1〜10μmの粗さである樹脂封止金属部品。
In the resin-sealed metal part according to any one of claims 1 to 8,
The first uneven surface has an uneven height difference of 1 to 100 μm, an uneven width of 1 to 200 μm,
A resin-encapsulated metal part in which the second uneven surface has an arithmetic average roughness (Ra) of 0.1 to 10 μm.
請求項2ないし8のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記板厚側面の前記微細な溝列のプレス抜き加工面は、凹凸の高低差が1〜100μm、凹凸の幅が1〜200μmである樹脂封止金属部品。
In the resin-sealed metal part according to any one of claims 2 to 8,
The stamped surface of the fine groove array on the side surface of the plate thickness is a resin-encapsulated metal part having an uneven height difference of 1 to 100 μm and an uneven width of 1 to 200 μm.
請求項3ないし8のいずれか1項記載の樹脂封止金属部品において、
前記板厚側面における前記微細な溝列よりも微細な前記凹凸面は、算術平均粗さ(Ra)が0.1〜10μmの粗さである樹脂封止金属部品。
The resin-encapsulated metal part according to any one of claims 3 to 8,
The resin-encapsulated metal part having an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.1 to 10 [mu] m on the uneven surface finer than the fine groove row on the plate thickness side surface.
金属プレス加工により成形されたリードフレームにおいて、
一部にプレス加工の粗面が形成され、
このプレス加工粗面は、微細な凹凸を繰り返す第1の凹凸面と、さらにこの第1の凹凸面上に形成される該第1の凹凸面より微細な凹凸よりなる第2の凹凸面とにより構成されていることを特徴とするリードフレーム。
In a lead frame formed by metal press processing,
A rough surface of press work is formed in part,
This press-processed rough surface is composed of a first concavo-convex surface that repeats fine concavo-convex portions and a second concavo-convex surface that is formed on the first concavo-convex surface and that has finer concavo-convex portions than the first concavo-convex surface. A lead frame characterized by being configured.
請求項12記載のリードフレームにおいて、
前記プレス加工粗面は、リードフレームの表裏両面の一部に形成され、
かつ前記リードフレームにおける前記プレス加工粗面と交わる板厚側面には、微細な溝列のプレス抜き加工面が形成されているリードフレーム。
The lead frame according to claim 12,
The pressing rough surface is formed on a part of both the front and back surfaces of the lead frame,
The lead frame is formed with a punched surface of a fine groove array on a plate thickness side surface that intersects the roughened surface of the press frame.
金属プレス加工による金属部品の製造方法において、
ワークとなる金属板材の片面又は両面の一部に超硬金型のパンチ及びダイを用いてプレス転写することによりプレス加工粗面を形成する工程と、
前記プレス加工粗面工程後に、前記金属板材を抜き加工することにより前記金属部品を得ると共にこの金属部品における前記プレス加工粗面と交わる板厚側面に、微細な溝列のプレス抜き加工面を形成する工程とを有し、
且つ前記プレス加工粗面形成に用いるパンチ及びダイには、プレス加工粗面転写用の高さ或いは深さを有する第1の凹凸面と、さらにこの第1の凹凸面上に形成される該第1の凹凸面より微細な凹凸よりなるプレス加工粗面転写用の第2の凹凸面とが形成されていることを特徴とする金属部品の製造方法。
In the manufacturing method of metal parts by metal pressing,
A step of forming a press-worked rough surface by press transfer using a punch and die of a super-hard mold on one side or part of both sides of a metal plate material to be a workpiece;
After the pressing rough surface step, the metal plate material is punched to obtain the metal part, and a fine groove row press punching surface is formed on the thickness side of the metal part that intersects the pressing rough surface. And a process of
In addition, the punch and die used for forming the press-process rough surface include a first uneven surface having a height or depth for press-process rough surface transfer, and the first uneven surface formed on the first uneven surface. A method for producing a metal part, comprising: a second rough surface for transferring a roughened surface by pressing, which is made of unevenness finer than the one uneven surface.
請求項14記載の金属部品の製造方法において、
前記パンチ及びダイに形成される転写用の前記第1の凹凸面は、エンドミル或いはマシニングセンターにより形成され、転写用の前記第2の凹凸面は、前記第1の凹凸面にブラスト処理を施すことで形成されている金属部品の製造方法。
In the manufacturing method of the metal component of Claim 14,
The first uneven surface for transfer formed on the punch and die is formed by an end mill or a machining center, and the second uneven surface for transfer is subjected to a blasting process on the first uneven surface. A method for manufacturing formed metal parts.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018059945A (en) * 2017-12-08 2018-04-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 Thermal type flowmeter
JP2018119990A (en) * 2018-05-09 2018-08-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 Thermal type flowmeter
US11594467B2 (en) 2017-03-23 2023-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic metal circuit board and semiconductor device using the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5894502B2 (en) 2012-06-04 2016-03-30 ローム株式会社 Wire bonding structure and semiconductor device
JP6313013B2 (en) * 2013-10-28 2018-04-18 京セラ株式会社 Thermal head and thermal printer equipped with the same
JP6621681B2 (en) * 2016-02-17 2019-12-18 株式会社三井ハイテック Lead frame, manufacturing method thereof, and semiconductor package
US10297516B2 (en) * 2016-03-30 2019-05-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor device
JP6485397B2 (en) 2016-04-04 2019-03-20 株式会社デンソー Electronic device and manufacturing method thereof
TWI746883B (en) 2017-09-29 2021-11-21 韓商Jmj韓國有限公司 Clip, leadframe and substrate for semiconductor package with finely engraved patterns and the semiconductor package having the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58199547A (en) * 1982-05-17 1983-11-19 Hitachi Ltd Lead frame
JP3339173B2 (en) * 1994-04-01 2002-10-28 松下電器産業株式会社 Lead frame, method of manufacturing the same, and semiconductor device using the same
JP2002083917A (en) * 2000-06-28 2002-03-22 Noge Denki Kogyo:Kk Lead frame having protrusions on surface, method of manufacturing the same, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4657129B2 (en) * 2006-03-24 2011-03-23 ローム株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP4789771B2 (en) * 2006-10-13 2011-10-12 パナソニック株式会社 Lead frame with resin envelope and manufacturing method thereof
JP5593508B2 (en) * 2007-09-21 2014-09-24 エリーパワー株式会社 Electrode terminal mounting structure and non-aqueous electrolyte secondary battery

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11594467B2 (en) 2017-03-23 2023-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic metal circuit board and semiconductor device using the same
JP2018059945A (en) * 2017-12-08 2018-04-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 Thermal type flowmeter
JP2018119990A (en) * 2018-05-09 2018-08-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 Thermal type flowmeter

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