JP5662266B2 - Optical deflection module - Google Patents
Optical deflection module Download PDFInfo
- Publication number
- JP5662266B2 JP5662266B2 JP2011147517A JP2011147517A JP5662266B2 JP 5662266 B2 JP5662266 B2 JP 5662266B2 JP 2011147517 A JP2011147517 A JP 2011147517A JP 2011147517 A JP2011147517 A JP 2011147517A JP 5662266 B2 JP5662266 B2 JP 5662266B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- waveguide
- optical
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 108
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、光偏向素子、および光偏向素子を備えた光偏向モジュールに関する。 The present invention relates to an optical deflection element and an optical deflection module including the optical deflection element.
従来、半導体レーザのレーザ光を偏向しスキャンするデバイスについて、種々の構造が提案されている。
例えば、機械的駆動を必要とすることなく光ビームを高速で大きく偏向するために、ＤＢＲ型波長可変レーザとフォトニック結晶とを備え、波長可変レーザからの光の波長を微小量可変することにより出射ビームの偏向位置を制御する光ビーム偏向機構が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
Conventionally, various structures have been proposed for devices that deflect and scan a laser beam of a semiconductor laser.
For example, in order to greatly deflect a light beam at high speed without requiring mechanical drive, a DBR type wavelength tunable laser and a photonic crystal are provided, and the wavelength of light from the wavelength tunable laser is changed by a minute amount. A light beam deflection mechanism that controls the deflection position of the outgoing beam is known (see, for example, Patent Document 1).
また、波長多重通信における可変波長フィルタを実現する方法として、回折格子からなる２つのビーム偏向器とその中間に傾けて載置されるバンドパスフィルタからなるフィルタ装置が知られている（例えば、特許文献２を参照）。 Further, as a method for realizing a variable wavelength filter in wavelength division multiplexing communication, a filter device including two beam deflectors made of a diffraction grating and a band-pass filter placed inclined between them is known (for example, a patent) Reference 2).
また、ガルバノミラーまたはポリゴンミラーを用いてレーザ光をスキャンする装置が知られている（例えば、特許文献３，４を参照）。
また、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を利用したミラースキャナが知られている（例えば、特許文献５を参照）。
An apparatus that scans laser light using a galvano mirror or a polygon mirror is known (see, for example, Patent Documents 3 and 4).
Further, a mirror scanner using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology is known (see, for example, Patent Document 5).
しかし、特許文献１に記載の技術では、フォトニック結晶母材（特許文献１では酸化シリコン）に対して配置する異種材料（特許文献１では円柱状シリコン）の配列パターンによって決まる光学的バンドの損失の低い方向が、偏向したい光ビーム方向と必ずしも一致するとは限らず、結果として高い偏向方位分解能を得ることができないという課題がある。 However, in the technique described in Patent Document 1, the loss of an optical band determined by the arrangement pattern of dissimilar materials (cylindrical silicon in Patent Document 1) placed on the photonic crystal base material (silicon oxide in Patent Document 1). The direction of the low is not always coincident with the direction of the light beam to be deflected, and as a result, there is a problem that a high deflection azimuth resolution cannot be obtained.
また、特許文献２に記載の技術では、偏向機能に着目した場合に、予め定めたピッチの要素格子（回折格子）と波長によって偏向角度が決まる。偏向角度を変えてビームスキャンを行うためには波長を変化させる必要があるが、波長を数十ｎｍ程度変化させた場合は数度程度の小さな偏向角度の変化しか得られないという課題がある（波長１５００ｎｍ前後での概算）。 In the technique described in Patent Document 2, when focusing on the deflection function, the deflection angle is determined by the element grating (diffraction grating) having a predetermined pitch and the wavelength. In order to perform a beam scan by changing the deflection angle, it is necessary to change the wavelength. However, when the wavelength is changed by about several tens of nanometers, there is a problem that only a small change of the deflection angle can be obtained by several degrees ( (Approximate at a wavelength of around 1500 nm).
また、特許文献３，４に記載の技術では、機械的可動部を有するために半導体デバイスに比べてサイズおよび重量が大きくなり、搭載自由度に劣るという課題がある。また、いずれも１軸周りの回転機構をスキャン動作に用いているため、ガルバノミラーでは１次元スキャンのみ、ポリゴンミラーでも各面の角度を変えることでわずか数面分の２次元スキャンしか実現できないという課題がある。 In addition, the techniques described in Patent Documents 3 and 4 have a problem that the size and weight are larger than that of a semiconductor device because of having a mechanical movable part, and the degree of freedom in mounting is inferior. In addition, since the rotation mechanism around one axis is used for the scanning operation, only one-dimensional scanning can be realized with a galvano mirror, and only two-dimensional scanning for only a few planes can be realized with a polygon mirror by changing the angle of each surface. There are challenges.
また、特許文献５に記載の技術では、ＭＥＭＳミラー単独により２次元スキャンの実現を図る場合に、ＭＥＭＳミラーの構造が複雑になり、搭載環境の振動にロバストでなくなるという課題がある。 In addition, the technique described in Patent Document 5 has a problem in that when the two-dimensional scan is realized by using the MEMS mirror alone, the structure of the MEMS mirror becomes complicated and the mounting environment is not robust against vibration.
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these problems, and an object of the present invention is to provide a technique for improving the deflection azimuth resolution, expanding the deflection angle, improving the degree of mounting flexibility, and simplifying the structure.
上記目的を達成するためになされた請求項１に記載の光偏向モジュールは、内部を光が導波する光導波層と、光導波層の上面および下面から放出される光を反射するために光導波層の上面および下面それぞれに形成された第１分布ブラッグ反射鏡とを備える導波路と、導波路内に光を入射させるための光入射口と、光入射口から入射して導波路内を導波する光を出射させるために、前記導波路の表面に形成された光出射口とを備える光偏向素子を備えることを特徴とする。 The optical deflection module according to claim 1, which is made to achieve the above object, includes an optical waveguide layer through which light is guided, and an optical waveguide for reflecting light emitted from an upper surface and a lower surface of the optical waveguide layer. A waveguide provided with a first distributed Bragg reflector formed on each of the upper surface and the lower surface of the wave layer, a light entrance for allowing light to enter the waveguide, and entering the waveguide through the light entrance In order to emit the light to be guided, an optical deflection element including a light exit opening formed on the surface of the waveguide is provided .
このように構成された光偏向モジュールでは、光入射口から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光導波層の上面および下面に設けられた第１分布ブラッグ反射鏡で反射しながら光導波層内を導波し、その後、光出射口から出射する。 In the optical deflection module configured as described above, when light enters the waveguide from the light incident port, the light in the waveguide is reflected by the first distributed Bragg reflectors provided on the upper and lower surfaces of the optical waveguide layer. The light is guided through the optical waveguide layer, and then emitted from the light exit port.
そして、導波路中における内部の伝搬角θiは、下式（１）で近似的に表される。なお式（１）において、λは入射光の波長、λcは導波路のカットオフ波長である。 The internal propagation angle θ i in the waveguide is approximately expressed by the following equation (1). In equation (1), λ is the wavelength of incident light, and λc is the cutoff wavelength of the waveguide.
図２に示すように、波長を約５０ｎｍ 変えると、８０°に及ぶ巨大な偏向角の変化が得られることがわかる。
図３は、光偏向素子における電磁界分布の電磁界シミュレータによる計算結果を色々な波長（９５０，９６０，９７０，９８０ｎｍ）に対して示したものである。上部が光偏向素子からの出射光の電界を示しており、濃淡の直線が偏向光の波面を示している。波長を変化させることで、波面（すなわち偏向角）が大きく変化することがわかる。
As shown in FIG. 2, when the wavelength is changed by about 50 nm, it can be seen that a huge change in deflection angle up to 80 ° can be obtained.
FIG. 3 shows the calculation result of the electromagnetic field distribution in the optical deflecting element by the electromagnetic field simulator for various wavelengths (950, 960, 970, 980 nm). The upper part shows the electric field of the light emitted from the light deflecting element, and the light and shade straight line shows the wavefront of the deflected light. It can be seen that the wavefront (that is, the deflection angle) changes greatly by changing the wavelength.
そして請求項１に記載の光偏向モジュールでは、式（２）で表される波長λの入射光を光入射口に入射させる。したがって、請求項１に記載の光偏向素子によれば、入射光の波長を変化させることで、広い偏向角範囲にわたって光を偏向させることができる。
また、出射光の広がり角Δθdivは、下式（３）で表される。なお式（３）において、Ｌは、光出射口における光導波方向の長さ（以下、光出射口長という）である。
In the optical deflection module according to the first aspect, the incident light having the wavelength λ represented by the formula (2) is incident on the light incident port. Therefore, according to the optical deflection element of the first aspect, the light can be deflected over a wide deflection angle range by changing the wavelength of the incident light.
Further, the spread angle Δθ div of the emitted light is expressed by the following expression (3). In Equation (3), L is the length of the light exit port in the optical waveguide direction (hereinafter referred to as the light exit port length).
したがって、請求項１に記載の光偏向モジュールによれば、光出射口長を長くするほど、偏向方位分解能を向上させることができる。
Therefore, according to the optical deflection module of the first aspect, the deflection azimuth resolution can be improved as the light exit length is increased.
図４は、光偏向素子の光出射口長と広がり角および解像点数との関係を示す図である。
図４に示すように、光出射口長を長くなるほど広がり角が小さく（偏向方位分解能が高く）なるとともに解像点数が大きくなる。例えば、光出射口長を１０ｍｍ程度まで長くすることによって、解像点数１，０００以上を実現することができる。
FIG. 4 is a diagram illustrating the relationship between the light exit aperture length, the divergence angle, and the number of resolution points of the light deflection element.
As shown in FIG. 4, the longer the light exit length, the smaller the spread angle (higher deflection azimuth resolution) and the larger the number of resolution points. For example, by increasing the light exit length to about 10 mm, it is possible to realize a resolution point of 1,000 or more.
また、請求項１に記載の光偏向モジュールによれば、機械的可動部を備えないために構造の簡略化が可能になるとともに、半導体デバイスの製造プロセスを適用して作製することができるために小型化が可能となり搭載自由度を向上させることができる。 In addition, according to the optical deflection module of the first aspect, since the mechanical movable portion is not provided, the structure can be simplified and the semiconductor device manufacturing process can be applied. The size can be reduced, and the degree of freedom for mounting can be improved.
また、請求項１に記載の光偏向モジュールにおいて、請求項２に記載のように、光導波層は、電流が注入されることにより、光入射口から入射する光を増幅する第１活性層を備え、当該光偏向素子は、第１活性層に電流を注入するための第１電流注入用電極を備えるようにしてもよい。 Further, in the optical deflection module according to claim 1, as described in claim 2, the optical waveguide layer includes a first active layer that amplifies light incident from the light incident port when current is injected. The optical deflection element may include a first current injection electrode for injecting a current into the first active layer.
このように構成された光偏向モジュールでは、第１電流注入用電極を介した第１活性層への注入電流量に応じて、第１活性層の増幅率を変化させることができる。このため、光入射口から入射した光が導波路内を導波する過程で減衰した場合であっても、第１活性層での増幅によりこの減衰分の光強度を補うことができる。これにより、光出射口から出射する光の強度の低下を抑制することができる。また、第１分布ブラッグ反射鏡の反射率と、第１活性層の増幅率を調整することで、光出射口から出射する光の強度を伝搬方向に対して一定にすることができる。これによって、同時に光出射口長を長くすることで、偏向方位分解能を向上させることができる。 In the optical deflection module thus configured, the amplification factor of the first active layer can be changed according to the amount of current injected into the first active layer via the first current injection electrode. For this reason, even if the light incident from the light entrance is attenuated in the process of being guided through the waveguide, the light intensity corresponding to the attenuation can be compensated by amplification in the first active layer. Thereby, the fall of the intensity | strength of the light radiate | emitted from a light exit can be suppressed. Further, by adjusting the reflectance of the first distributed Bragg reflector and the amplification factor of the first active layer, the intensity of light emitted from the light exit can be made constant with respect to the propagation direction. Accordingly, it is possible to improve the deflection azimuth resolution by simultaneously increasing the light exit length.
なお、入射光の波長を変えた場合に、ブラッグ反射鏡で構成される光導波路における垂直方向の定在波分布は一定のため、導波路を伝搬する光の伝搬角は変化する。また、光出射口から放射される光の波長は、入射光の波長と同一である。 In addition, when the wavelength of incident light is changed, the standing wave distribution in the vertical direction in the optical waveguide configured by the Bragg reflector is constant, so that the propagation angle of light propagating through the waveguide changes. Moreover, the wavelength of the light radiated | emitted from a light exit is the same as the wavelength of incident light.
また、請求項１または請求項２に記載の光偏向モジュールにおいて、請求項３に記載のように、光が導波する導波方向に沿って、光出射口が形成されている領域を挟んで光入射口が形成されている領域とは反対側において光導波層に隣接して配置され、光導波層を導波する光を吸収する光吸収層を備えるようにしてもよい。 Further, in the optical deflection module according to claim 1 or 2, as described in claim 3, the region where the light emission port is formed is sandwiched along the waveguide direction in which light is guided. A light absorption layer that is disposed adjacent to the optical waveguide layer on the side opposite to the region where the light incident port is formed and absorbs light guided through the optical waveguide layer may be provided.
このように構成された光偏向モジュールでは、光入射口から入射した光が、導波路内を導波方向に沿って導波し、光導波層と光吸収層との境界に到達すると、この光が光吸収層で吸収される。これにより、光吸収層に到達した光が反射して光入射口側に戻って光の伝搬が不安定になるという状況の発生を抑制することができる。 In the optical deflection module configured as described above, when the light incident from the light incident port is guided in the waveguide along the waveguide direction and reaches the boundary between the optical waveguide layer and the light absorption layer, this light is transmitted. Is absorbed by the light absorption layer. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a situation in which the light reaching the light absorption layer is reflected and returns to the light entrance side to make the light propagation unstable.
また、請求項１に記載の光偏向モジュールは、光入射口に入射する光の波長を予め設定された第１波長範囲内で変化させることができる第１波長可変手段を備えることを特徴とする。 Further, the optical deflection module according to claim 1, and further comprising a first variable wavelength hand stages can be varied within a first wavelength range which is previously set the wavelength of light incident on the light inlet To do.
このように構成された光偏向モジュールは、第１波長可変手段が、光入射口に入射する光の波長を変化させることにより、光偏向素子から出射する光の出射角を波長に応じて変えることができる。 In the optical deflection module configured as described above, the first wavelength variable unit changes the emission angle of the light emitted from the optical deflection element according to the wavelength by changing the wavelength of the light incident on the light incident port. Can do .
また、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の光偏向モジュールにおいて、請求項４に記載のように、第１波長可変手段は、電流が注入されることにより光を発生させる第２活性層と、第２活性層で発生した光を反射するために第２活性層の下面に形成された下側第２分布ブラッグ反射鏡と、第２活性層の上方において、空隙を介して第２活性層と対向するように配置され、第２活性層で増幅される光を反射する反射層と、反射層を移動させることにより、反射層と第２活性層との間の距離を予め設定された移動範囲内で変化させることができる反射層移動手段とを備える波長可変面発光レーザであるようにしてもよい。 Further, in the optical deflection module according to any one of claims 1 to 3 , as described in claim 4 , the first wavelength varying means generates the light by injecting a current. Two active layers, a lower second distributed Bragg reflector formed on the lower surface of the second active layer to reflect light generated in the second active layer, and above the second active layer via a gap A reflective layer that is disposed so as to face the second active layer and reflects the light amplified by the second active layer, and moving the reflective layer, the distance between the reflective layer and the second active layer is set in advance. You may make it be a wavelength-variable surface emitting laser provided with the reflection layer moving means which can be changed within the set movement range.
このように構成された光偏向モジュールでは、反射層移動手段が、反射層を移動させることにより、反射層と第２活性層との間の距離を予め設定された移動範囲内で変化させることにより、上記距離に応じた波長のレーザ光を発光する波長可変面発光レーザを備える。そして、波長可変面発光レーザは、端面発光レーザと異なり、基板表面に対して垂直方向にレーザ光を照射することができるため、光偏向素子と同一の基板上に作製することができる。これにより、光偏向素子とレーザとを別々に作製した後に結合する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。 In the optical deflection module thus configured, the reflection layer moving means moves the reflection layer, thereby changing the distance between the reflection layer and the second active layer within a preset movement range. A tunable surface emitting laser that emits laser light having a wavelength corresponding to the distance is provided. Unlike the edge-emitting laser, the wavelength-tunable surface-emitting laser can irradiate laser light in the direction perpendicular to the substrate surface, and thus can be manufactured on the same substrate as the optical deflection element. Thereby, it is not necessary to combine the optical deflection element and the laser after separately manufacturing them, and the manufacturing process can be simplified.
また、請求項４に記載の光偏向モジュールにおいて、請求項５に記載のように、第２活性層の周囲には酸化層が形成されているようにしてもよい。これにより、第２活性層に注入電流を狭搾し、周囲における不要な発光を抑制することができる。 Further, in the optical deflection module according to claim 4 , as described in claim 5 , an oxide layer may be formed around the second active layer. Thereby, the injection current can be narrowed in the second active layer, and unnecessary light emission in the surroundings can be suppressed.
なお、請求項４または請求項５に記載の光偏向モジュールにおいて、反射層と上側第２分布ブラッグ反射鏡との間の距離を予め設定された移動範囲内で変化させるために、具体的には、請求項６に記載のように、反射層移動手段が、反射層上に積層され反射層と熱膨張率が異なる材料で構成された層である異膨張率層と、異膨張率層を加熱する加熱手段とから構成され、異膨張率層の温度を変化させるようにしてもよいし、請求項７に記載のように、反射層と第２活性層との間に印加される電圧を変化させることにより反射層を移動させるようにしてもよい。 In the optical deflection module according to claim 4 or 5 , in order to change the distance between the reflective layer and the upper second distributed Bragg reflector within a preset moving range, specifically, , as described in claim 6, heat reflective layer moving means, the different expansion layer which is a layer laminated reflective layer and the thermal expansion coefficient is composed of different materials on the reflective layer, the different expansion layer The temperature of the different expansion coefficient layer may be changed, and the voltage applied between the reflective layer and the second active layer may be changed as described in claim 7. The reflective layer may be moved by doing so.
また、請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の光偏向モジュールにおいて、請求項８に記載のように、光偏向素子から出射された光を平行光に変換して照射するコリメートレンズと、コリメートレンズから照射された光を、光偏向素子の光偏向方向と直交する光走査方向に走査する１軸ＭＥＭＳミラーとを備えるようにしてもよい。 In the optical deflection module according to any one of claims 1 to 7, as described in claim 8, a collimator lens for irradiating converts the light emitted from the light deflecting element into parallel light And a uniaxial MEMS mirror that scans the light emitted from the collimator lens in an optical scanning direction orthogonal to the optical deflection direction of the optical deflection element.
このように構成された光偏向モジュールでは、光を２次元走査する場合において、上記光偏向方向の走査を光偏向素子が行い、これにより、上記光偏向方向の走査について機械的可動部が不要となるため、その分、２次元走査機構の構造を簡略化することができる。 In the optical deflection module configured as described above, when the light is two-dimensionally scanned, the optical deflection element performs the scanning in the optical deflection direction, thereby eliminating the need for a mechanically movable portion for the scanning in the optical deflection direction. Therefore, the structure of the two-dimensional scanning mechanism can be simplified accordingly.
また、請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の光偏向モジュールにおいて、請求項９に記載のように、光偏向素子は、導波路内に光を入射させるために、光出射口を挟んで光入射口とは反対側から光を入射可能になるように構成され、反対側から入射する光の波長を予め設定された第２波長範囲内で変化させることができる第２波長可変手段を備えるようにしてもよい。 In the optical deflection module according to any one of claims 1 to 8, as described in claim 9, the optical deflecting element, in order to incident light in the waveguide, the light emitting window A second wavelength variable that is configured such that light can be incident from the side opposite to the light incident port with the wavelength interposed, and the wavelength of light incident from the opposite side can be changed within a preset second wavelength range. Means may be provided.
このように構成された光偏向モジュールでは、光出射口の両側から光を入射して、その光を光出射口から出射することができる。このため、光入射口から入射して光出射口から出射する光の出射方向と、その反対側から入射して光出射口から出射する光の出射方向とが逆になる。このため、光入射口とその反対側とに光を入射させることにより、光出射口から出射する光の出射角範囲を拡げることができる。 In the light deflection module configured as described above, light can be incident from both sides of the light emission port, and the light can be emitted from the light emission port. For this reason, the emission direction of the light incident from the light incident port and emitted from the light emission port is opposite to the emission direction of the light incident from the opposite side and emitted from the light emission port. For this reason, the incident angle range of the light emitted from the light emitting port can be expanded by making the light incident on the light incident port and the opposite side.
（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態について図面とともに説明する。
図１（ａ）は本発明が適用された光偏向素子１の断面図、図１（ｂ）は光偏向素子１の平面図である。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1A is a cross-sectional view of an optical deflection element 1 to which the present invention is applied, and FIG. 1B is a plan view of the optical deflection element 1.
光偏向素子１は、図１（ａ）に示すように、半導体層２と、半導体層２の上面に形成された電極３とを備える。
これらのうち半導体層２は、ＧａＡｓ基板１１上に、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなる分布ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector）１２（以下、ＤＢＲ１２という）、ＧａＡｓからなる光ガイド層１３、およびＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなる分布ブラッグ反射鏡１４（以下、ＤＢＲ１４という）が順次積層されて構成されている。
As shown in FIG. 1A, the optical deflection element 1 includes a semiconductor layer 2 and an electrode 3 formed on the upper surface of the semiconductor layer 2.
Among these, the semiconductor layer 2 is formed on a GaAs substrate 11 on a distributed Bragg reflector 12 (hereinafter referred to as DBR 12) made of AlAs / GaAs, a light guide layer 13 made of GaAs, and AlAs / GaAs. A distributed Bragg reflector 14 (hereinafter referred to as DBR 14) is sequentially laminated.
そしてＤＢＲ１２，１４は、ＡｌＡｓからなる第１層とＧａＡｓからなる第２層とを交互に積層して構成されている。なお、ＤＢＲ１４は、ＤＢＲ１２よりも反射率が低くなるように、ＤＢＲ１２よりも多層膜の層数が少なくなるように形成されている。本実施形態では、ＤＢＲ１４は、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓを一組とした層を一例として２０組積層して構成されているのに対し、ＤＢＲ１２は、４０組積層して構成されている。 The DBRs 12 and 14 are configured by alternately laminating first layers made of AlAs and second layers made of GaAs. The DBR 14 is formed so that the number of layers of the multilayer film is smaller than that of the DBR 12 so that the reflectance is lower than that of the DBR 12. In the present embodiment, the DBR 14 is configured by stacking 20 pairs of AlAs / GaAs as an example, whereas the DBR 12 is configured by stacking 40 sets.
また電極３は、ＤＢＲ１４上に、ＧａＡｓからなるコンタクト層２１、およびＡｕ系の金属からなる金属膜２２が順次積層されて構成されている。
そして図１（ａ），（ｂ）に示すように、電極３には、光ビームを半導体層２内に入射させるための光入射口２６と、光ビームを半導体層２から出射させるための光出射口２７とが電極３を貫通して形成されている。また光出射口２７は、矩形状に形成されている。そして光出射口２７は、その長手方向の辺が予め設定されたビーム入射方向Ｄ１に沿うように、且つ、短手方向の辺が光入射口２６と対向するように配置される。
The electrode 3 is formed by sequentially laminating a contact layer 21 made of GaAs and a metal film 22 made of Au-based metal on the DBR 14.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the electrode 3 has a light incident port 26 for allowing a light beam to enter the semiconductor layer 2 and light for emitting the light beam from the semiconductor layer 2. An emission port 27 is formed through the electrode 3. The light exit 27 is formed in a rectangular shape. The light exit port 27 is arranged so that the side in the longitudinal direction thereof is along the preset beam incident direction D1 and the side in the short direction is opposed to the light entrance port 26.
さらに、半導体層２のＤＢＲ１４において、光入射口２６が形成されている領域には、その他の領域と比較して層数が少なくなるように凹部２８が形成されている。
このように構成された光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面から放出される光を反射するために光ガイド層１３の上面および下面それぞれに形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、導波路内に光を入射させるための光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるために、導波路の表面に形成された光出射口２７とを備える。
Further, in the DBR 14 of the semiconductor layer 2, a recess 28 is formed in a region where the light incident port 26 is formed so that the number of layers is reduced as compared with other regions.
The light deflection element 1 configured in this way includes a light guide layer 13 in which light is guided, and an upper surface of the light guide layer 13 for reflecting light emitted from the upper and lower surfaces of the light guide layer 13. DBR 14 and DBR 12 formed on each of the lower surfaces (hereinafter, the light guide layer 13 and the DBRs 12 and 14 are collectively referred to as “waveguide”), and a light incident port 26 for allowing light to enter the waveguide. And a light exit port 27 formed on the surface of the waveguide in order to emit light that enters from the light entrance port 26 and is guided through the waveguide.
そして、このような光偏向素子１では、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（図１（ａ）の矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（図１（ａ）の矢印Ｄ２を参照）。 In such an optical deflection element 1, when light enters the waveguide from the light incident port 26, the light in the waveguide is reflected by the DBRs 12 and 14 provided on the upper and lower surfaces of the light guide layer 13. Then, the light is guided through the optical waveguide layer (see arrow D1 in FIG. 1A) and then emitted from the light exit 27 (see arrow D2 in FIG. 1A).
そして、導波路中における内部の伝搬角θiは、下式（１）で近似的に表される。なお式（１）において、λは入射光の波長、λcは導波路のカットオフ波長である。 The internal propagation angle θ i in the waveguide is approximately expressed by the following equation (1). In equation (1), λ is the wavelength of incident light, and λc is the cutoff wavelength of the waveguide.
図２に示すように、波長を約５０ｎｍ 変えると、８０°に及ぶ巨大な偏向角の変化が得られることがわかる。
図３は、光偏向素子１における電磁界分布の電磁界シミュレータによる計算結果を色々な波長（９５０，９６０，９７０，９８０ｎｍ）に対して示したものである。上部が光偏向素子１からの出射光の電界を示しており、濃淡の直線が偏向光の波面を示している。波長を変化させることで、波面（すなわち偏向角）が大きく変化することがわかる。
As shown in FIG. 2, when the wavelength is changed by about 50 nm, it can be seen that a huge change in deflection angle up to 80 ° can be obtained.
FIG. 3 shows the calculation results of the electromagnetic field distribution in the optical deflecting element 1 by the electromagnetic field simulator for various wavelengths (950, 960, 970, 980 nm). The upper part shows the electric field of the emitted light from the light deflecting element 1, and the light and shade straight line shows the wavefront of the deflected light. It can be seen that the wavefront (that is, the deflection angle) changes greatly by changing the wavelength.
したがって、光偏向素子１によれば、入射光の波長を変化させることで、広い偏向角範囲にわたって光を偏向させることができる。
また、出射光の広がり角Δθdivは、下式（３）で表される。なお式（３）において、Ｌは、光出射口２７における光導波方向の長さ（以下、光出射口長という）である。
Therefore, according to the light deflection element 1, it is possible to deflect light over a wide deflection angle range by changing the wavelength of the incident light.
Further, the spread angle Δθ div of the emitted light is expressed by the following expression (3). In Expression (3), L is the length of the light exit port 27 in the optical waveguide direction (hereinafter referred to as the light exit port length).
図４は、光偏向素子１の光出射口長と広がり角および解像点数との関係を示す図である。
図４に示すように、光出射口長を長くなるほど広がり角が小さく（偏向方位分解能が高く）なるとともに解像点数が大きくなる。例えば、光出射口長を１０ｍｍ程度まで長くすることによって、解像点数１，０００以上を実現することができる。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the light exit length of the light deflection element 1, the spread angle, and the number of resolution points.
As shown in FIG. 4, the longer the light exit length, the smaller the spread angle (higher deflection azimuth resolution) and the larger the number of resolution points. For example, by increasing the light exit length to about 10 mm, it is possible to realize a resolution point of 1,000 or more.
また、光偏向素子１によれば、機械的可動部を備えないために構造の簡略化が可能になるとともに、半導体デバイスの製造プロセスを適用して作製することができるために小型化が可能となり搭載自由度を向上させることができる。 Further, according to the optical deflection element 1, the structure can be simplified because it does not include a mechanically movable portion, and the size can be reduced because it can be manufactured by applying a semiconductor device manufacturing process. Mounting flexibility can be improved.
なお、光入射口２６でのＤＢＲ１４の反射率を低下させることで、光入射口２６に入射する光を高効率に導波路に結合することができる。
以上説明した実施形態において、光ガイド層１３は本発明における光導波層、ＤＢＲ１２，１４は本発明における第１分布ブラッグ反射鏡である。
Note that by reducing the reflectivity of the DBR 14 at the light incident port 26, the light incident on the light incident port 26 can be coupled to the waveguide with high efficiency.
In the embodiment described above, the light guide layer 13 is the optical waveguide layer in the present invention, and the DBRs 12 and 14 are the first distributed Bragg reflectors in the present invention.
（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態について図面とともに説明する。
図５（ａ）は本発明が適用された光偏向素子５１の断面図、図５（ｂ）は光偏向素子５１の平面図である。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 5A is a cross-sectional view of the light deflection element 51 to which the present invention is applied, and FIG. 5B is a plan view of the light deflection element 51.
光偏向素子５１は、図５（ａ）に示すように、半導体層５２と、半導体層５２の上面に形成された電極５３と、半導体層２の下面に形成された電極５４とを備える。
これらのうち半導体層５２は、ｎ−ＧａＡｓ基板６１上に、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ６２、ＧａＡｓからなる光ガイド層６３、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなる活性層６４、ＧａＡｓからなる光ガイド層６５、およびＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ６６が順次積層されて構成されている。
As shown in FIG. 5A, the light deflection element 51 includes a semiconductor layer 52, an electrode 53 formed on the upper surface of the semiconductor layer 52, and an electrode 54 formed on the lower surface of the semiconductor layer 2.
Among these, the semiconductor layer 52 is formed on the n-GaAs substrate 61, the DBR 62 made of AlAs / GaAs, the light guide layer 63 made of GaAs, the active layer 64 made of InGaAs / AlGaAs, the light guide layer 65 made of GaAs, and the AlAs. A DBR 66 made of / GaAs is sequentially stacked.
また電極５３は、ＤＢＲ６６上に、ｐ−ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層７１、およびＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる金属膜７２が順次積層されて構成されるｐ型電極である。
また電極５４は、Ａｕ―Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ型電極であり、ｎ−ＧａＡｓ基板６１の下面、すなわち半導体層５２の下面の全面にわたって形成される。
The electrode 53 is a p-type electrode formed by sequentially stacking a p-type contact layer 71 made of p-GaAs and a metal film 72 made of Ti / Pt / Au on the DBR 66.
The electrode 54 is an n-type electrode made of Au—Ge / Ni / Au, and is formed over the entire lower surface of the n-GaAs substrate 61, that is, the lower surface of the semiconductor layer 52.
そして図５（ａ），（ｂ）に示すように、電極５３には、光ビームを半導体層５２内に入射させるための光入射口７６と、光ビームを半導体層５２から出射させるための光出射口７７とが電極５３を貫通して形成されている。また光出射口７７は、矩形状に形成されている。そして光出射口７７は、その長手方向の辺が予め設定されたビーム入射方向Ｄ５１に沿うように、且つ、短手方向の辺が光入射口７６と対向するように配置される。 As shown in FIGS. 5A and 5B, the electrode 53 has a light incident port 76 for allowing the light beam to enter the semiconductor layer 52, and light for emitting the light beam from the semiconductor layer 52. An emission port 77 is formed through the electrode 53. Further, the light exit port 77 is formed in a rectangular shape. The light exit port 77 is disposed so that the side in the longitudinal direction thereof is along the preset beam incident direction D51 and the side in the short direction is opposed to the light entrance port 76.
また電極５３には、光入射口７６および光出射口７７が存在する領域５３ａと、光入射口７６および光出射口７７が存在しない領域５３ｂとに電極５３を分断するようにビーム入射方向Ｄ５１に直交する方向に沿って延びる分断口７９が電極５３を貫通して形成されている。 The electrode 53 has a beam incident direction D51 so that the electrode 53 is divided into a region 53a where the light incident port 76 and the light emitting port 77 are present and a region 53b where the light incident port 76 and the light emitting port 77 are not present. A dividing opening 79 extending along the orthogonal direction is formed through the electrode 53.
そして、電極５３の領域５３ａおよび領域５３ｂのうち、領域５３ａのみに、活性層６４へ電流を注入するための電圧が印加される。そして、領域５３ａと領域５３ｂとは分断口７９を介して分断されているために、領域５３ｂには電圧が印加されない。このため、活性層６４のうち、領域５３ｂと対向する領域は、活性層６４内を導波する光を吸収する領域（図５の光吸収層６４ａを参照）となる。なお本実施形態では、光吸収層６４ａの反射率は約１％以下である。 Then, a voltage for injecting current into the active layer 64 is applied only to the region 53a out of the region 53a and the region 53b of the electrode 53. And since the area | region 53a and the area | region 53b are divided | segmented via the dividing port 79, a voltage is not applied to the area | region 53b. Therefore, a region of the active layer 64 that faces the region 53b is a region that absorbs light guided in the active layer 64 (see the light absorption layer 64a in FIG. 5). In the present embodiment, the reflectance of the light absorption layer 64a is about 1% or less.
さらに、半導体層５２のＤＢＲ６６において、光入射口７６が形成されている領域には、その他の領域と比較して膜厚が薄くなるように凹部７８が形成されている。
このように構成された光偏向素子５１では、電極５３，５４を介した活性層６４への注入電流量に応じて、活性層６４の増幅率を変化させることができる。このため、光入射口７６から入射した光が導波路内を導波する過程で減衰した場合であっても、活性層６４での増幅によりこの減衰分の光強度を補うことができる。これにより、光出射口７７から出射する光の強度の低下を抑制することができる。また、ＤＢＲ６２，６６の反射率と、活性層６４の増幅率を調整することで、光出射口７７から出射する光の強度を伝搬方向に対して一定にすることができる。これによって、同時に光出射口長を長くすることで、偏向方位分解能を向上させることができる。
Further, in the DBR 66 of the semiconductor layer 52, a recess 78 is formed in a region where the light incident port 76 is formed so as to be thinner than other regions.
In the optical deflection element 51 thus configured, the amplification factor of the active layer 64 can be changed according to the amount of current injected into the active layer 64 via the electrodes 53 and 54. For this reason, even if the light incident from the light incident port 76 is attenuated in the process of being guided through the waveguide, the light intensity corresponding to the attenuation can be compensated by amplification in the active layer 64. Thereby, the fall of the intensity | strength of the light radiate | emitted from the light exit 77 can be suppressed. Further, by adjusting the reflectivity of the DBRs 62 and 66 and the amplification factor of the active layer 64, the intensity of the light emitted from the light exit port 77 can be made constant with respect to the propagation direction. Accordingly, it is possible to improve the deflection azimuth resolution by simultaneously increasing the light exit length.
なお、入射光の波長を変えた場合に、ＤＢＲ６２，６６で構成される導波路における垂直方向の定在波分布は一定のため、導波路を伝搬する光の伝搬角は変化する。また、光出射口７７から放射される光の波長は、入射光の波長と同一である。 When the wavelength of the incident light is changed, the standing wave distribution in the vertical direction in the waveguide constituted by the DBRs 62 and 66 is constant, so that the propagation angle of light propagating through the waveguide changes. The wavelength of the light emitted from the light exit port 77 is the same as the wavelength of the incident light.
また、光が導波する導波方向に沿って、光出射口７７が形成されている領域を挟んで光入射口７６が形成されている領域とは反対側において活性層６４に隣接して配置され、活性層６４を導波する光を吸収する光吸収層６４ａを備える。これにより、光入射口７６から入射した光が、導波路内を導波方向に沿って導波し、活性層６４と光吸収層６４ａとの境界に到達すると、この光が光吸収層６４ａで吸収される。これにより、光吸収層６４ａに到達した光が反射して光入射口７６側に戻って光の伝搬が不安定になるという状況の発生を抑制することができる。 Further, it is disposed adjacent to the active layer 64 on the opposite side of the region where the light incident port 76 is formed across the region where the light exit port 77 is formed, along the waveguide direction in which light is guided. And a light absorption layer 64 a that absorbs light guided through the active layer 64. Thereby, when the light incident from the light incident port 76 is guided in the waveguide along the waveguide direction and reaches the boundary between the active layer 64 and the light absorption layer 64a, the light is absorbed by the light absorption layer 64a. Absorbed. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of a situation in which the light reaching the light absorption layer 64a is reflected and returns to the light incident port 76 side to make the light propagation unstable.
なお、ＤＢＲ６６の反射率と活性層６４への注入電流を制御することで、光出射口７７から出射する光の強度とその伝搬方向の強度分布を制御することができる。
以上説明した実施形態において、活性層６４は本発明における第１活性層、ＤＢＲ６２，６６は本発明における第１分布ブラッグ反射鏡、電極５３，５４は本発明における第１電流注入用電極である。
Note that by controlling the reflectance of the DBR 66 and the injection current into the active layer 64, the intensity of light emitted from the light exit port 77 and the intensity distribution in the propagation direction can be controlled.
In the embodiment described above, the active layer 64 is the first active layer in the present invention, DBRs 62 and 66 are the first distributed Bragg reflectors in the present invention, and the electrodes 53 and 54 are the first current injection electrodes in the present invention.
（第３実施形態）
以下に本発明の第３実施形態について図面とともに説明する。
図６は本発明が適用された光偏向モジュール１０１の断面図である。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 6 is a cross-sectional view of an optical deflection module 101 to which the present invention is applied.
光偏向モジュール１０１は、図６に示すように、第２実施形態の光偏向素子５１と、光偏向素子５１に隣接するようにして光偏向素子５１と同一のｎ−ＧａＡｓ基板６１上に形成された波長可変面発光レーザ１１０とから構成されている。 As shown in FIG. 6, the optical deflection module 101 is formed on the same n-GaAs substrate 61 as the optical deflection element 51 so as to be adjacent to the optical deflection element 51 of the second embodiment. And a wavelength tunable surface emitting laser 110.
波長可変面発光レーザ１１０は、光を放出する光放出部１１１と、光放出部１１１からの光の波長を予め設定された波長範囲内における所望の値に調整する波長調整部１１２とから構成される。 The wavelength tunable surface emitting laser 110 includes a light emitting unit 111 that emits light, and a wavelength adjusting unit 112 that adjusts the wavelength of light from the light emitting unit 111 to a desired value within a preset wavelength range. The
光放出部１１１は、ｎ−ＧａＡｓ基板６１上に、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ６２、ＧａＡｓからなる光ガイド層６３、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなる活性層６４、ＧａＡｓからなる光ガイド層６５、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ６６、およびＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電極１２１が順次積層されて構成されている。 The light emitting portion 111 is formed on an n-GaAs substrate 61 on a DBR 62 made of AlAs / GaAs, a light guide layer 63 made of GaAs, an active layer 64 made of InGaAs / AlGaAs, a light guide layer 65 made of GaAs, and an AlAs / GaAs. The DBR 66 and the p-type electrode 121 made of Ti / Pt / Au are sequentially stacked.
なお、光放出部１１１の活性層６４と光偏向素子５１の活性層６４との間には、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓが酸化した酸化層１２２が形成されるとともに、光放出部１１１の活性層６４を挟んで酸化層１２２とは反対側に、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓが酸化した酸化層１２３が形成される。これにより、波長可変面発光レーザ１１０内の活性層６４において、酸化されていない所望の領域のみで光を発生させることができる。 An oxide layer 122 in which InGaAs / AlGaAs is oxidized is formed between the active layer 64 of the light emitting unit 111 and the active layer 64 of the light deflection element 51, and the active layer 64 of the light emitting unit 111 is sandwiched between the active layer 64 and the light emitting unit 111. Thus, an oxide layer 123 in which InGaAs / AlGaAs is oxidized is formed on the side opposite to the oxide layer 122. Thereby, light can be generated only in a desired region that is not oxidized in the active layer 64 in the wavelength tunable surface emitting laser 110.
またｐ型電極１２１は、光ガイド層６５上において、活性層６４の一部と対向するように形成される。
波長調整部１１２は、空気層ＡＬを挟んで光放出部１１１と対向するように配置されるカンチレバー１３１と、カンチレバー１３１と光ガイド層６５との間に配置されてカンチレバー１３１を支持する支持部１３２とから構成される。
The p-type electrode 121 is formed on the light guide layer 65 so as to face a part of the active layer 64.
The wavelength adjusting unit 112 is disposed so as to face the light emitting unit 111 with the air layer AL interposed therebetween, and the support unit 132 disposed between the cantilever 131 and the light guide layer 65 to support the cantilever 131. It consists of.
カンチレバー１３１は、光放出部１１１に近い側から、光偏向素子５１のｐ型コンタクト層７１と同じ材料で構成された層１４１、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ１４２、およびＤＢＲ１４２と膨張率が異なる材料で構成された層１４３が順次積層されるとともに、層１４３上にＤＢＲ１４４とヒータ１４５が積層されて構成されている。 The cantilever 131 is composed of a layer 141 made of the same material as the p-type contact layer 71 of the light deflection element 51, a DBR 142 made of AlAs / GaAs, and a material having a different expansion coefficient from the DBR 142 from the side close to the light emitting portion 111. The layer 143 is sequentially stacked, and the DBR 144 and the heater 145 are stacked on the layer 143.
なおＤＢＲ１４４は、層１４３上において、光放出部１１１の活性層６４と対向するように形成される。
またヒータは、不図示の電極から電圧供給を受けて発熱して層１４３を加熱するものであり、層１４３上においてＤＢＲ１４４が形成されていない領域に形成される。
The DBR 144 is formed on the layer 143 so as to face the active layer 64 of the light emitting unit 111.
The heater receives a voltage supply from an electrode (not shown) and generates heat to heat the layer 143. The heater is formed on the layer 143 in a region where the DBR 144 is not formed.
支持部１３２は、光ガイド層６５上に積層されたＤＢＲ６６について、支持部１３２に対応する領域以外をエッチングすることにより形成される。したがって、光偏向素子５１のＤＢＲ６６と波長可変面発光レーザ１１０の支持部１３２との間でＤＢＲ６６がエッチングされた領域が空気層ＡＬとなる。 The support part 132 is formed by etching the DBR 66 stacked on the light guide layer 65 except for the region corresponding to the support part 132. Therefore, an area where the DBR 66 is etched between the DBR 66 of the optical deflection element 51 and the support portion 132 of the wavelength tunable surface emitting laser 110 becomes the air layer AL.
このように構成された光偏向モジュール１０１では、ヒータ１４５によりカンチレバー１３１の層１４３を加熱することにより、ＤＢＲ１４２と光偏向素子５１の活性層６４との間の距離を予め設定された移動範囲内で変化させることにより（図６中の破線で記載されたカンチレバー１３１を参照）、上記距離に応じた波長のレーザ光を発光する波長可変面発光レーザ１１０を備える。そして、波長可変面発光レーザ１１０内で発生した光は、狭い酸化層１２２を介して、その一部が横方向に漏れることで、波長可変面発光レーザ１１０からのレーザ光を光偏向素子５１の導波路内に導く（図６中の矢印Ｄ１０１を参照）。 In the optical deflection module 101 configured as described above, the heater 145 heats the layer 143 of the cantilever 131, so that the distance between the DBR 142 and the active layer 64 of the optical deflection element 51 is within a preset movement range. By changing (refer to the cantilever 131 described with a broken line in FIG. 6), a tunable surface emitting laser 110 that emits a laser beam having a wavelength corresponding to the distance is provided. Then, a part of the light generated in the wavelength tunable surface emitting laser 110 leaks laterally through the narrow oxide layer 122, so that the laser light from the wavelength tunable surface emitting laser 110 is transmitted to the light deflection element 51. Guide into the waveguide (see arrow D101 in FIG. 6).
この波長可変面発光レーザ１１０は、端面発光レーザと異なり、基板表面に対して垂直方向にレーザ光を照射することができるため、光偏向素子５１と同一の基板上に作製することができる。これにより、光偏向素子５１とレーザとを別々に作製した後に結合する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。 Unlike the edge-emitting laser, the wavelength-tunable surface-emitting laser 110 can irradiate laser light in a direction perpendicular to the substrate surface, and thus can be manufactured on the same substrate as the optical deflection element 51. Thereby, it is not necessary to combine the optical deflection element 51 and the laser after they are separately manufactured, and the manufacturing process can be simplified.
また、波長可変面発光レーザ１１０の活性層６４の周囲には酸化層１２２，１２３が形成されている。これにより、注入電流を活性領域に狭搾し、波長可変面発光レーザ１１０の活性層６４周囲における不要な発光を抑制することができる。 Further, oxide layers 122 and 123 are formed around the active layer 64 of the wavelength tunable surface emitting laser 110. Thereby, the injection current can be narrowed down to the active region, and unnecessary light emission around the active layer 64 of the wavelength tunable surface emitting laser 110 can be suppressed.
また、光吸収層６４ａを備えるため、入射した光が、導波路内を導波方向に沿って導波し、活性層６４と光吸収層６４ａとの境界に到達すると、この光が光吸収層６４ａで吸収される。これにより、光吸収層６４ａに到達した光が反射して波長可変面発光レーザ１１０側に戻って、波長可変面発光レーザ１１０の発振が不安定になるという状況の発生を抑制することができる。 Since the light absorption layer 64a is provided, when the incident light is guided in the waveguide along the waveguide direction and reaches the boundary between the active layer 64 and the light absorption layer 64a, the light is absorbed by the light absorption layer 64a. Absorbed at 64a. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of a situation in which the light reaching the light absorption layer 64a is reflected and returns to the wavelength tunable surface emitting laser 110 side, and the oscillation of the wavelength tunable surface emitting laser 110 becomes unstable.
以上説明した実施形態において、波長可変面発光レーザ１１０は本発明における第１波長可変手段、波長可変面発光レーザ１１０の活性層６４は本発明における第２活性層、波長可変面発光レーザ１１０のＤＢＲ６２は本発明における下側第２分布ブラッグ反射鏡、ＤＢＲ１４２は本発明における反射層、層１４３およびヒータ１４５は本発明における反射層移動手段、酸化層１２２，１２３は本発明における酸化層である。 In the embodiment described above, the wavelength tunable surface emitting laser 110 is the first wavelength tunable means in the present invention, and the active layer 64 of the wavelength tunable surface emitting laser 110 is the second active layer in the present invention, the DBR 62 of the wavelength tunable surface emitting laser 110. Is a lower second distributed Bragg reflector in the present invention, DBR 142 is a reflective layer in the present invention, layer 143 and heater 145 are reflective layer moving means in the present invention, and oxide layers 122 and 123 are oxide layers in the present invention.
また、層１４３は本発明における異膨張率層、ヒータ１４５は本発明における加熱手段である。
（第４実施形態）
以下に本発明の第４実施形態について図面とともに説明する。
The layer 143 is a different expansion coefficient layer in the present invention, and the heater 145 is a heating means in the present invention.
(Fourth embodiment)
Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図７は本発明が適用された光偏向モジュール１５１の構成を示す図である。
光偏向モジュール１５１は、図７に示すように、第３実施形態の光偏向モジュール１０１と、コリメートレンズ１６１と、１軸ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）ミラー１６２を備える。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an optical deflection module 151 to which the present invention is applied.
As shown in FIG. 7, the optical deflection module 151 includes the optical deflection module 101 of the third embodiment, a collimator lens 161, and a uniaxial MEMS (Micro Electro Mechanical System) mirror 162.
コリメートレンズ１６１は、光偏向モジュール１０１から照射された光ビームを平行光に変換して、１軸ＭＥＭＳミラー１６２に向けて照射する。
１軸ＭＥＭＳミラー１６２は、コリメートレンズ１６１から照射された光ビームを、光偏向モジュール１０１の光ビーム偏向方向Ｄ１５１と直交する光走査方向Ｄ１５２に走査する。
The collimator lens 161 converts the light beam irradiated from the light deflection module 101 into parallel light, and irradiates the uniaxial MEMS mirror 162.
The uniaxial MEMS mirror 162 scans the light beam emitted from the collimator lens 161 in the light scanning direction D152 orthogonal to the light beam deflection direction D151 of the light deflection module 101.
このように構成された光偏向モジュール１５１では、光を２次元走査する場合において、光ビーム偏向方向Ｄ１５１の走査を光偏向モジュール１０１の光偏向素子５１が行い、これにより、光ビーム偏向方向Ｄ１５１の走査について機械的可動部が不要となるため、その分、２次元走査機構の構造を簡略化することができる。 In the light deflection module 151 configured as described above, when the light is two-dimensionally scanned, the light deflection element 51 of the light deflection module 101 performs scanning in the light beam deflection direction D151, and thereby the light beam deflection direction D151 is scanned. Since no mechanical movable part is required for scanning, the structure of the two-dimensional scanning mechanism can be simplified correspondingly.
（第５実施形態）
以下に本発明の第５実施形態について図面とともに説明する。
図８は本発明が適用された光偏向モジュール２０１の断面図である。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 8 is a sectional view of an optical deflection module 201 to which the present invention is applied.
光偏向モジュール２０１は、図８に示すように、第３実施形態の光偏向モジュール１０１と、光偏向モジュール１０１の光偏向素子５１に隣接するようにして光偏向素子５１と同一のｎ−ＧａＡｓ基板６１上に形成された波長可変面発光レーザ２１１とから構成されている。 As shown in FIG. 8, the optical deflection module 201 is the same n-GaAs substrate as the optical deflection element 51 so as to be adjacent to the optical deflection module 101 of the third embodiment and the optical deflection element 51 of the optical deflection module 101. The wavelength tunable surface emitting laser 211 is formed on 61.
このように構成された光偏向モジュール２０１では、光出射口７７の両側から光を入射して、その光を光出射口７７から出射することができる。このため、光出射口７７の一端側から入射して光出射口７７から出射する光の出射方向と、その反対側から入射して光出射口７７から出射する光の出射方向とが逆になる。このため、光出射口７７の一端側とその反対側とに光を入射させることにより、光出射口７７から出射する光の出射角範囲を拡げることができる。例えば、波長可変面発光レーザ１１０と波長可変面発光レーザ２１１が同じ波長範囲でレーザ光の波長を変化させるともに、波長可変面発光レーザ１１０と波長可変面発光レーザ２１１とが交互に光を入射するようにすれば、光偏向モジュール１０１と比較して２倍の出射角範囲を実現することができる。 In the light deflection module 201 configured as described above, light can be incident from both sides of the light exit port 77, and the light can be emitted from the light exit port 77. Therefore, the emission direction of light incident from one end side of the light emission port 77 and emitted from the light emission port 77 is opposite to the emission direction of light incident from the opposite side and emitted from the light emission port 77. . For this reason, by making light incident on one end side of the light exit port 77 and the opposite side thereof, the exit angle range of the light exiting from the light exit port 77 can be expanded. For example, the wavelength tunable surface emitting laser 110 and the wavelength tunable surface emitting laser 211 change the wavelength of the laser light in the same wavelength range, and the wavelength tunable surface emitting laser 110 and the wavelength tunable surface emitting laser 211 alternately enter light. By doing so, it is possible to realize an emission angle range that is twice that of the optical deflection module 101.
以上説明した実施形態において、波長可変面発光レーザ２１１は本発明における第２波長可変手段である。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
In the embodiment described above, the wavelength variable surface emitting laser 211 is the second wavelength variable means in the present invention.
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, As long as it belongs to the technical scope of this invention, a various form can be taken.
例えば上記第３実施形態においては、ＤＢＲ１４２と膨張率が異なる材料で構成された層１４３とヒータ１４５とを用いてカンチレバー１３１を移動させるものを示したが、カンチレバー１３１と光放出部１１１との間に印加される電圧を変化させることによりカンチレバー１３１を移動させるようにしてもよい。 For example, in the third embodiment, the case where the cantilever 131 is moved using the layer 143 made of a material having a different expansion coefficient from the DBR 142 and the heater 145 is shown. The cantilever 131 may be moved by changing the voltage applied to the.
また、光出射口に薄膜プリズムを形成することで、偏向角の中心角度を制御するようにしてもよい。 Further, the center angle of the deflection angle may be controlled by forming a thin film prism at the light exit port.
１…光偏向素子、２…半導体層、３…電極、１１…ＧａＡｓ基板、１２，１４…ＤＢＲ、１３…光ガイド層、２１…コンタクト層、２２…金属膜、２６…光入射口、２７…光出射口、２８…凹部、５１…光偏向素子、５２…半導体層、５３，５４…電極、６１…ｎ−ＧａＡｓ基板、６２，６６…ＤＢＲ、６３，６５…光ガイド層、６４…活性層、６４ａ…光吸収層、７１…ｐ型コンタクト層、７２…金属膜、７６…光入射口、７７…光出射口、７８…凹部、７９…分断口、１０１…光偏向モジュール、１１０…波長可変面発光レーザ、１１１…光放出部、１１２…波長調整部、１２１…ｐ型電極、１２２，１２３…酸化層、１３１…カンチレバー、１３２…支持部、１４１…層、１４２，１４４…ＤＢＲ、１４３…層、１４５…ヒータ、１５１…光偏向モジュール、１６１…コリメートレンズ、１６２…１軸ＭＥＭＳミラー、２０１…光偏向モジュール、２１１…波長可変面発光レーザ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical deflecting element, 2 ... Semiconductor layer, 3 ... Electrode, 11 ... GaAs substrate, 12, 14 ... DBR, 13 ... Light guide layer, 21 ... Contact layer, 22 ... Metal film, 26 ... Light entrance, 27 ... Light exit port, 28 ... concave portion, 51 ... light deflection element, 52 ... semiconductor layer, 53, 54 ... electrode, 61 ... n-GaAs substrate, 62, 66 ... DBR, 63, 65 ... light guide layer, 64 ... active layer 64a ... light absorption layer, 71 ... p-type contact layer, 72 ... metal film, 76 ... light entrance port, 77 ... light exit port, 78 ... recess, 79 ... dividing port, 101 ... light deflection module, 110 ... wavelength variable Surface emitting laser, 111... Light emitting part, 112 .. wavelength adjusting part, 121... P-type electrode, 122, 123... Oxidized layer, 131... Cantilever, 132 ... support part, 141. Layer, 145 ... heater, 15 ... optical deflection module, 161 ... collimator lens, 162 ... 1-axis MEMS mirror, 201 ... optical deflection module, 211 ... variable-wavelength surface emitting laser
Claims (9)
前記導波路内に光を入射させるための光入射口と、
前記光入射口から入射して前記導波路内を導波する光を出射させるために、前記導波路の表面に形成された光出射口と
を備える光偏向素子と、
前記光入射口に入射する入射光の波長を予め設定された第１波長範囲内で変化させることができる第１波長可変手段とを備え、
前記導波路中における内部の伝搬角をθ i 、前記入射光の波長をλ、前記導波路のカットオフ波長をλc、前記導波路の平均的な屈折率をｎ、前記光偏向素子からの偏向角をθ ｒ として、下式（２）で表される波長λの前記入射光を前記光入射口に入射させる
ことを特徴とする光偏向モジュール。 An optical waveguide layer through which light is guided; and a first distributed Bragg reflector formed on each of the upper and lower surfaces of the optical waveguide layer for reflecting light emitted from the upper and lower surfaces of the optical waveguide layer; A waveguide comprising:
A light entrance for allowing light to enter the waveguide;
A light exit formed on the surface of the waveguide to emit light that is incident from the light entrance and is guided in the waveguide ;
An optical deflection element comprising:
First wavelength variable means capable of changing the wavelength of incident light incident on the light incident port within a preset first wavelength range;
The internal propagation angle in the waveguide is θ i , the wavelength of the incident light is λ, the cutoff wavelength of the waveguide is λc, the average refractive index of the waveguide is n, and the deflection from the optical deflection element The incident light having the wavelength λ represented by the following formula (2) is incident on the light incident port with the angle θ r .
An optical deflection module characterized by that.
電流が注入されることにより、前記光入射口から入射する光を増幅する第１活性層を備え、
前記光偏向素子は、
前記第１活性層に電流を注入するための第１電流注入用電極を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の光偏向モジュール。 The optical waveguide layer is
A first active layer for amplifying light incident from the light incident port by injecting a current;
The light deflection element is
The optical deflection module according to claim 1, further comprising a first current injection electrode for injecting a current into the first active layer.
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光偏向モジュール。 An optical waveguide layer is disposed adjacent to the optical waveguide layer on the opposite side of the region where the light incident port is formed across the region where the light exit port is formed, along the waveguide direction in which light is guided. The optical deflection module according to claim 1, further comprising a light absorption layer that absorbs light guided through the optical waveguide layer.
電流が注入されることにより光を発生させる第２活性層と、
前記第２活性層で発生した光を反射するために前記第２活性層の下面に形成された下側第２分布ブラッグ反射鏡と、
前記第２活性層の上方において、空隙を介して前記第２活性層と対向するように配置され、前記第２活性層で増幅される光を反射する反射層と、
前記反射層を移動させることにより、前記反射層と前記第２活性層との間の距離を予め設定された移動範囲内で変化させることができる反射層移動手段と
を備える波長可変面発光レーザである
ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の光偏向モジュール。 The first wavelength variable means includes
A second active layer that generates light when current is injected;
A lower second distributed Bragg reflector formed on the lower surface of the second active layer to reflect light generated in the second active layer;
A reflective layer that is disposed above the second active layer so as to face the second active layer with a gap therebetween and reflects light amplified by the second active layer;
A tunable surface emitting laser comprising: a reflecting layer moving means capable of changing a distance between the reflecting layer and the second active layer within a preset moving range by moving the reflecting layer; The optical deflection module according to claim 1 , wherein the optical deflection module is provided.
ことを特徴とする請求項４に記載の光偏向モジュール。 The optical deflection module according to claim 4 , wherein an oxide layer is formed around the second active layer.
前記反射層上に積層され前記反射層と熱膨張率が異なる材料で構成された層である異膨張率層と、
前記異膨張率層を加熱する加熱手段とから構成され、
前記異膨張率層の温度を変化させることにより前記反射層を移動させる
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の光偏向モジュール。 The reflective layer moving means includes
A different expansion coefficient layer, which is a layer that is laminated on the reflection layer and is composed of a material having a coefficient of thermal expansion different from that of the reflection layer;
A heating means for heating the different expansion coefficient layer,
The optical deflection module according to claim 4 or 5 , wherein the reflective layer is moved by changing a temperature of the different expansion coefficient layer.
前記反射層と前記第２活性層との間に印加される電圧を変化させることにより前記反射層を移動させる
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の光偏向モジュール。 The reflective layer moving means includes
The optical deflection module according to claim 4 or 5 , wherein the reflection layer is moved by changing a voltage applied between the reflection layer and the second active layer.
前記コリメートレンズから照射された光を、前記光偏向素子の光偏向方向と直交する光走査方向に走査する１軸ＭＥＭＳミラーとを備える
ことを特徴とする請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の光偏向モジュール。 A collimator lens for irradiating converts the light emitted from the light deflection element into a parallel light,
The light emitted from the collimating lens, any one of claims 1 to 7, characterized in that it comprises a single-axis MEMS mirror for scanning the light scanning direction perpendicular to the optical polarization direction of the light deflection element 1 The optical deflection module according to Item.
前記反対側から入射する光の波長を予め設定された第２波長範囲内で変化させることができる第２波長可変手段を備える
ことを特徴とする請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の光偏向モジュール。 The light deflection element is configured to allow light to be incident from the side opposite to the light incident port with the light emitting port interposed therebetween in order to allow light to enter the waveguide.
In any one of claims 1 to 8, characterized in that it comprises a second tunable device that can be varied within a second wavelength range which is previously set the wavelength of light incident from the opposite side The light deflection module described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011147517A JP5662266B2 (en) | 2011-07-01 | 2011-07-01 | Optical deflection module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011147517A JP5662266B2 (en) | 2011-07-01 | 2011-07-01 | Optical deflection module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013016591A JP2013016591A (en) | 2013-01-24 |
| JP5662266B2 true JP5662266B2 (en) | 2015-01-28 |
Family
ID=47688991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011147517A Active JP5662266B2 (en) | 2011-07-01 | 2011-07-01 | Optical deflection module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5662266B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11079541B2 (en) | 2016-01-22 | 2021-08-03 | National University Corporation Yokohama National University | Optical deflection device and LIDAR apparatus |
| US11448729B2 (en) | 2016-06-30 | 2022-09-20 | National University Corporation Yokohama National University | Optical deflection device and LIDAR apparatus |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5910970B2 (en) * | 2013-01-29 | 2016-04-27 | 日本電信電話株式会社 | Wavelength selective switch |
| JP6238361B2 (en) * | 2014-06-20 | 2017-11-29 | 日本電信電話株式会社 | Wavelength selective switch |
| JP6358710B2 (en) * | 2015-06-03 | 2018-07-18 | 日本電信電話株式会社 | Diffractive optical element |
| JP6455933B2 (en) * | 2015-10-22 | 2019-01-23 | 日本電信電話株式会社 | Diffractive optical element and manufacturing method thereof |
| JP6732225B2 (en) * | 2016-02-29 | 2020-07-29 | 国立大学法人東京工業大学 | Beam deflection device |
| JP2018032793A (en) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 富士ゼロックス株式会社 | Light emitting element array, optical device, and image forming apparatus |
| CN115826316A (en) * | 2016-09-29 | 2023-03-21 | 松下知识产权经营株式会社 | Optical device and optical detection system |
| CN108351571B (en) * | 2016-09-29 | 2022-11-04 | 松下知识产权经营株式会社 | Optical scanning apparatus, optical receiving apparatus, and optical detection system |
| WO2018061515A1 (en) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical scan device, light receiving device, and optical detection system |
| US10775506B2 (en) | 2017-01-31 | 2020-09-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging system |
| JP7018564B2 (en) * | 2017-02-09 | 2022-02-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical scanning device, optical receiving device, and optical detection system |
| CN108415205B (en) * | 2017-02-09 | 2022-11-04 | 松下知识产权经营株式会社 | Optical scanning apparatus, optical receiving apparatus, and optical detection system |
| JP2018156059A (en) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical scan system |
| CN108627974A (en) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | 松下知识产权经营株式会社 | Photo-scanning system |
| WO2018193723A1 (en) | 2017-04-20 | 2018-10-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical scanning device, optical receiving device, and optical detection system |
| JP7076822B2 (en) * | 2017-05-30 | 2022-05-30 | 国立大学法人横浜国立大学 | Optical receiver array and rider device |
| JP2019028438A (en) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical scan device, light reception device, and optical detection system |
| US10209509B1 (en) | 2017-07-28 | 2019-02-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical scanning device that includes mirrors and optical waveguide region |
| JP2019040041A (en) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | パイオニア株式会社 | Light deflection module |
| JP2019046880A (en) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 国立大学法人東京工業大学 | Surface emitting laser |
| JP7162268B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-10-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical scanning device, optical receiving device, and optical detection system |
| JP7162269B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-10-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | optical device |
| JP7031856B2 (en) * | 2018-02-14 | 2022-03-08 | 国立大学法人東京工業大学 | Beam deflection device |
| WO2019171806A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device and optical detection system |
| JP7199035B2 (en) * | 2018-03-09 | 2023-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device and photodetection system |
| WO2019187777A1 (en) | 2018-03-27 | 2019-10-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device and optical detection system |
| DE102018208188A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Robert Bosch Gmbh | Beam deflection unit for influencing an angle of a light beam coupled out of the beam deflection unit and method for operating a beam deflection unit |
| JP7408924B2 (en) * | 2018-06-19 | 2024-01-09 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | Semiconductor optical amplifiers, optical output devices, and distance measurement devices |
| JP7429928B2 (en) * | 2018-09-19 | 2024-02-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical devices and optical detection systems |
| WO2020084850A1 (en) | 2018-10-23 | 2020-04-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Light detection system |
| JP7026822B2 (en) * | 2018-11-19 | 2022-02-28 | 三菱重工業株式会社 | Laser device |
| JP7182334B2 (en) | 2019-01-25 | 2022-12-02 | 三菱重工業株式会社 | Laser irradiation device and laser irradiation program |
| JP7363165B2 (en) * | 2019-02-19 | 2023-10-18 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | Semiconductor optical amplifiers, optical output devices, and distance measurement devices |
| JP7239920B2 (en) * | 2019-03-01 | 2023-03-15 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | Semiconductor optical amplifier, semiconductor optical amplifier, optical output device, and distance measuring device |
| JP7511161B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-07-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device, optical detection system and method for manufacturing the same |
| JP7429908B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-02-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | optical device |
| WO2020226031A1 (en) | 2019-05-09 | 2020-11-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device and optical detection system |
| JPWO2021149437A1 (en) | 2020-01-24 | 2021-07-29 | ||
| WO2022107397A1 (en) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device and optical detection system |
| JP2022082100A (en) * | 2020-11-20 | 2022-06-01 | 国立大学法人東京工業大学 | Light deflection device |
| WO2024190029A1 (en) * | 2023-03-15 | 2024-09-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Optical device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0389327A (en) * | 1989-09-01 | 1991-04-15 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | Optical connecting device |
| JP2000165102A (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Alps Electric Co Ltd | Linearly to circularly polarized wave converter |
| JP2005227324A (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display element and display apparatus |
| JP4750390B2 (en) * | 2004-08-30 | 2011-08-17 | 株式会社リコー | Optical switching element |
| JP4031481B2 (en) * | 2005-01-05 | 2008-01-09 | 日本電信電話株式会社 | Projection display |
| JP2006220746A (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Rohm Co Ltd | Light controller and structural body used therefor |
| JP2006216722A (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tokyo Institute Of Technology | Modulator-integrated surface emitting laser |
| JP2007011106A (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Yokogawa Electric Corp | Light waveform shaping element |
| JP5226081B2 (en) * | 2008-11-20 | 2013-07-03 | プリズム インク | Scanning projector |
-
2011
- 2011-07-01 JP JP2011147517A patent/JP5662266B2/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11079541B2 (en) | 2016-01-22 | 2021-08-03 | National University Corporation Yokohama National University | Optical deflection device and LIDAR apparatus |
| US11448729B2 (en) | 2016-06-30 | 2022-09-20 | National University Corporation Yokohama National University | Optical deflection device and LIDAR apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013016591A (en) | 2013-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5662266B2 (en) | Optical deflection module | |
| CN108700790B (en) | Optical deflector and laser radar device | |
| US9627852B2 (en) | Diode laser packages with flared laser oscillator waveguides | |
| JP6293675B2 (en) | Wavelength tunable external cavity laser diode with GRSM for OCT | |
| EP2636111B1 (en) | Optical element for vertical external-cavity surface-emitting laser | |
| JP4833665B2 (en) | Manufacturing method of photonic crystal semiconductor device | |
| KR102319348B1 (en) | Vertical Cavity Surface Emitting Laser including meta structure reflector and optical apparatus including the vertical cavity surface emitting laser | |
| KR102710726B1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser including nanostructure reflector and optical apparatus adopting the vertical cavity surface emitting laser | |
| JPWO2017150382A1 (en) | Surface emitting laser | |
| CN111684346B (en) | Beam deflection device | |
| JP2015056469A (en) | Diode laser module wavelength controlled by external resonator | |
| JP2012074446A (en) | Wavelength variable semiconductor laser | |
| US20230378720A1 (en) | Vertical laser emitter and manufacturing method thereof | |
| JP2012074445A (en) | Wavelength-variable laser | |
| US9577402B2 (en) | Variable-wavelength light source | |
| EP2932568B1 (en) | Optically pumped solid state laser device with self aligning pump optics and enhanced gain | |
| EP0716777B1 (en) | Tunable gain coupled laser device | |
| JP2010192528A (en) | Semiconductor optical element and wavelength sweeping light source using the same | |
| CN104253376A (en) | Surface emitting laser and optical coherence tomography measuring apparatus using same | |
| Suhara et al. | Broad-area and MOPA lasers with integrated grating components for beam shaping and novel functions | |
| Kondo et al. | Two-dimensional beam steering using slow-light waveguide deflector array with optical gain | |
| JP2020141111A (en) | Wavelength sweep laser system and inspection device | |
| JP2023146319A (en) | laser module | |
| JP2022085870A (en) | Optical device, distance measuring device, and movable body | |
| JP2019075438A (en) | Semiconductor laser element and semiconductor laser element manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130821 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130821 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140603 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5662266 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |