JP5659376B2 - 直流絶縁型の半導体リレー装置 - Google Patents
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Description
本願は、日本国で2011年6月6日に出願した特願2011−126228の優先権を主張するものであり、その全体を参照により本願の一部をなすものとして引用する。
本発明は、直列に接続された2つのMOSFETを有する直流絶縁型の半導体リレー装置に関する。
この種の絶縁型の半導体リレー装置では、発光ダイオード(LED)からの光をフォトダイオードアレーに当てて、MOSFETのゲートを導通させることによりオン・オフ動作を行うフォトMOSリレーが知られている(例えば、特許文献1)。このフォトMOSリレーは、信号入力回路とリレー回路とが光結合されて入出力間が電気的に絶縁されている。
また、2つのMOSFETを用い、信号入力回路とリレー回路とをトランスで絶縁分離したり、コンデンサにより直流的に分離したものも知られている(例えば、特許文献2)。一般に、半導体リレー装置は、これを内蔵するスイッチ機器と、リレー出力を受け取るリレー出力側機器であってスイッチ機器への電源供給もするコントロールパネル(CP)の構成で使用されるが、このコントロールパネル(CP)から見て、少なくとも直流(DC)絶縁が可能であれば、スイッチ機器との回路依存性を解消して、その電気的影響から保護される。
上記の半導体リレー装置は、リレー動作の際に無音であることが必要なスイッチ機器内、例えば物体を検出する物体検出センサに内蔵され、マイクロコンピュータ(MC)の制御によって物体検出に基づくリレー駆動用の交流信号に基づいてMOSFETをオン・オフ動作させ、コントロールパネル(CP)へ検出オン・オフ信号を出力させる。
しかし、上記のフォトMOSリレーは、光学系を透明樹脂で形成した後に、不要な外光の入力を阻止するために遮光性樹脂でモールドする必要があり、高コスト化する。また、コントロールパネル(CP)にはGND共通型や電源共通型などの種類があり、その種類によって従来の半導体リレー装置を含むスイッチ機器では適正に接続できない場合があり、半導体リレー装置の汎用化が困難であるという問題があった。
さらに、近年消費電力を抑制する観点から、半導体リレー装置を内蔵したスイッチ機器のマイクロコンピュータ(MC)の駆動電圧が低下する傾向にあり、このため、MOSFETを安定して駆動させることが困難となるという問題もあった。
本発明は、前記の問題点を解決して、確実な動作と低コスト化が可能で、リレー出力側機器の種類を問わずに接続が可能で汎用的に使用できる直流絶縁型の半導体リレー装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明にかかる直流絶縁型の半導体リレー装置は、リレー駆動用の交流信号を入力する信号入力部と、前記交流信号のうち直流電流を遮断する直流絶縁部材と、前記直流電流遮断後の信号電圧を整数倍に倍圧する倍電圧回路と、ソース同士が接続されて逆直列に接続されるとともに、ゲート同士が接続された2つのMOSFETを含むリレー回路とを備え、前記倍電圧回路で電圧が倍圧された信号により前記2つのMOSFETのゲートを導通させることによって、該2つのMOSFETを双方向にオン・オフ動作させる。
この構成によれば、直流絶縁部材がリレー駆動用の交流信号のうち直流電流を遮断するので、信号入力部とリレー回路との直流絶縁を実現することによりリレー出力側機器との回路依存性を解消するとともに、倍電圧回路が直流電流遮断後の信号電圧を整数倍に倍圧するので、この電圧が倍圧された信号を各ゲートに導通させることにより信号電圧の低電圧化に対応してMOSFETを安定的に動作させることができる。したがって、装置の確実な動作と低コスト化が可能で、リレー出力側機器の種類を問わずに接続が可能で汎用的に使用できる。
好ましくは、前記直流絶縁部材がコンデンサまたはトランスである。したがって、低コストで直流絶縁することができる。
好ましくは、前記倍電圧回路が2倍または3倍の倍電圧回路である。したがって、より確実な動作が可能となる。
好ましくは、マイクロコンピュータで制御される物体検出センサに内蔵され、マイクロコンピュータの制御によって、物体検出に基づく前記交流信号による駆動により前記MOSFETをオン・オフ動作させ、リレー出力機器へ検出オン・オフ信号を出力させる。したがって、本装置を低電圧マイクロコンピュータと整合させることができる。また、好ましくは、前記物体検出センサは防犯用センサである。
請求の範囲および/または明細書および/または図面に開示された少なくとも2つの構成のどのような組合せも、本発明に含まれる。特に請求の範囲の各請求項の2つ以上のどのような組合せも、本発明に含まれる。
本発明は、添付の図面を参考にした以下の好適な実施形態の説明から、より明瞭に理解されるであろう。しかしながら、実施形態および図面は単なる図示および説明のためのものであり、この発明の範囲を定めるために利用されるべきものではない。この発明の範囲は添付の請求の範囲によって定まる。添付図面において、複数の図面における同一の部品符号は同一部分を示す。
本発明の一実施形態に係る直流絶縁型の半導体リレー装置が内蔵された物体検出センサを示す側面図である。
本発明に係る直流絶縁型の半導体リレー装置を含む構成の一例を示す回路図である。
本発明に係る直流絶縁型の半導体リレー装置を含む構成の他例を示す回路図である。
本発明に係る直流絶縁型の半導体リレー装置を含む構成のさらに他例を示す回路図である。
本発明に係る直流絶縁型の半導体リレー装置を構成する倍電圧回路の他例を示す回路図である。
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。図1は本発明の一実施形態に係る直流絶縁型の半導体リレー装置1が内蔵されたスイッチ機器である物体検出センサ10を示す側面図である。コントロールパネル(CP)8は、物体検出センサ10からのリレー出力を受け取るリレー出力側機器であるとともに、当該物体検出センサ10へ電源を供給する。この例では、CP8は、半導体リレー装置1へ電源を供給する接続状態で、GND(接地)を共通とするGND共通型である。
前記物体検出センサ10は、例えば、天井に取り付けられたPIR(受動型赤外線)センサで、検知エリアにおいて侵入する人体Hなどから放射される赤外線エネルギが、光学系により集光されて対応するセンサ部(焦電素子)12に入射され、焦電素子12により検知された検知信号は、マイクロコンピュータ(MC)15の制御により信号検知処理されて侵入者Hが検出される。
図2は本発明の一実施形態である直流絶縁型の半導体リレー装置1を含む構成の一例を示す回路図である。本装置1は、リレー駆動用の交流信号を入力する信号入力部2と、前記交流信号のうち直流電流を遮断する直流絶縁部材3と、前記直流電流遮断後の信号電圧を2倍に倍圧する倍電圧回路5と、例えばソースS同士が接続されて逆直列に接続されるとともに、ゲートG同士が接続された2つのn型のMOSFET6、7を含むリレー回路4と、MOSFET6、7を保護する保護回路9とを備えている。なお、n型のMOSFETに代えて、p型のMOSFETを使用してもよい。
コントロールパネル(CP)8からの電源供給を受けた、例えば防犯用センサである物体検出センサ10では、マイクロコンピュータ(MC)15の制御により侵入者Hの検出に基づいて、信号入力部2でリレー駆動用の交流信号(矩形波出力)が直流絶縁部材3に入力される。このMC15は消費電力の低減のため、駆動電圧を低くしており、例えば、CP8の電源Vccからの電圧12vに対して図示しないレギュレータにより駆動電圧が例えば2Vに設定されて、侵入者Hの検出に基づく2Vの交流信号が直流絶縁部材3を介して倍電圧回路5に入力される。
直流絶縁部材3は例えばコンデンサC1であり、信号入力部2とリレー回路4とを直流(DC)絶縁して、ACカップリングによる電力供給を行う。本発明ではMOSFET6、7のゲートドライブに必要な電力が極めて小さいことから、安価なチップコンデンサを使用することができる。
なお、直流絶縁部材3として、コンデンサC1に代えて、トランスを使用することができる。この場合、巻き線構造のトランスではなく、パターンにより立体的な2本のコイルを形成し、これらの相互インダクタンスにより交流電力を供給するタイプのトランスを使用することが好ましい。これにより、巻き線構造のトランスに比べて低コスト化を図ることができる。同様に本発明ではMOSFET6、7のゲートドライブに必要な電力が極めて小さいことから、トランスのインダクタンスを小さく抑えることができる。
前記倍電圧回路5は、例えば直流絶縁部材3であるコンデンサC1と直列に接続された第2ダイオードD2と、第2ダイオードD2の両端に並列に接続された第1ダイオードD1および倍電圧用コンデンサC2と、第1ダイオードD1と倍電圧用コンデンサC2の間に接続されて接地されたコンデンサC3とを備えている。第1ダイオードD1のカソードと第2ダイオードD2のアノードとが接続され、第1ダイオードD1のカソードとコンデンサC3とが接続されている。交流信号を直流絶縁した信号の負電圧時に第1ダイオードD1が導通してコンデンサC3を充電し、正電圧時に第2ダイオードD2が導通してコンデンサC3を放電して、倍電圧用コンデンサC2に充電された電圧およびそれと同方向、同電圧レベルの信号電圧を生成して、2倍の信号電圧が生成される。
前記倍電圧回路5の出力端の一端21と2つのMOSFET6、7のゲートGの接続点23とが接続され、出力端の他端22と該2つのMOSFET6、7のソースSの接続点24とが接続されて、倍電圧回路5で電圧が2倍圧された信号により各ゲートGを導通させることによって、該2つのMOSFET6、7を双方向にオン・オフ動作させる。このMOSFET6、7のオン・オフ動作により、CP8へ検出オン・オフ信号が出力される。
各ゲートGが非導通状態では、2つのMOSFET6、7は、ゲートG端子の電位とソースS端子の電位がほぼ等しいため、ともにオフ状態となる。各ゲートGが導通状態では、ゲートG端子の電位がソースS端子の電位よりも高くなるため、ともにオン状態となる。
こうして、直流絶縁部材3がリレー駆動用の交流信号のうち直流電流を遮断するので、信号入力部2とリレー回路4との直流絶縁を実現することによりコントロールパネル(CP)8との回路依存性を解消する。これとともに、倍電圧回路5が直流電流遮断後の信号の電圧を2倍に倍圧するので、この2倍に電圧が倍圧された信号で各ゲートGを導通させることによって低電圧マイクロコンピュータ15と整合してMOSFET6、7を安定的に動作させることができる。また、本装置1は、フォトMOSリレーに比べてフォトMOSFETを使用しないので低コスト化が可能となり、またフォトMOSFETのON抵抗が一般的に高いのに比べて、メカニカルリレー程度にON抵抗を低減することもできる。
本装置1は、メカニカルリレー程度の低ON抵抗およびMOSFETによって、低コストで直流絶縁の実現だけでなく、フォトMOSリレー程度にスイッチの無音化も可能となる。侵入者Hは、防犯用センサのスイッチ音を聞くことによってその侵入が検出されたことを知る場合があり、侵入者Hに対してスイッチの無音化により侵入検出を気付かせないようにできる。
図3は、直流絶縁型の半導体リレー装置1を含む構成の他例を示す回路図である。このコントロールパネル(CP)8は、半導体リレー装置1へ電源を供給する接続状態で、電源を共通とする電源共通型である。その他の構成は図2と同様である。本装置1は、図2と同様に信号入力部2とリレー回路4との直流絶縁を実現しているので、コントロールパネル(CP)8におけるリレー出力側の極性を問わず、電源共通型のコントロールパネル(CP)であっても接続が可能である。
図4は、直流絶縁型の半導体リレー装置1を含む構成のさらに他例を示す回路図である。この物体検出センサ10は電池(バッテリー)を内蔵しているため、コントロールパネル(CP)8は半導体リレー装置1へ電源を供給しておらず、電源絶縁型である。コントロールパネル(CP)8におけるコンデンサCは浮遊容量を示す。その他の構成は図2と同様である。本装置1は、図2と同様に信号入力部2とリレー回路4との直流絶縁を実現しているので、コントロールパネル(CP)8におけるリレー出力側の極性を問わず、電源絶縁型のコントロールパネル(CP)であっても接続が可能である。
図5は、本発明に係る直流絶縁型の半導体リレー装置1Aを構成する倍電圧回路5Aの他例を示す回路図である。この倍電圧回路5Aは、交流信号が直流絶縁部材3により直流絶縁された後の信号の電圧を3倍に倍圧する。直流絶縁部材3であるコンデンサC1と直列に接続されたダイオードD5、D6と、これらダイオードD5、D6の両端に並列に配置されたコンデンサC4と、ダイオードD6に直列に接続されたダイオードD7とこれらダイオードD6、D7の両端に並列に配置されたコンデンサC5と、ダイオードD5とダイオードD6の間に並列に接続されて接地されたコンデンサC3と、ダイオードD7およびコンデンサC5の接続点に並列に接続された倍電圧用コンデンサC2とを備えている。
まず、交流信号を直流絶縁した信号の正電圧時にダイオードD5が導通してコンデンサC3を充電する。つぎに、負電圧時にダイオードD6が導通してコンデンサC3を放電し、コンデンサC4に2倍の信号電圧が生成される。そして、正電圧時にダイオードD5が導通してコンデンサC3を充電するとともに、コンデンサC4の2倍の信号電圧がコンデンサC5に移動し、倍電圧用コンデンサC2には、コンデンサC3の1倍の信号電圧と、コンデンサC5の2倍の信号電圧とが加わり、3倍の信号電圧が生成される。これにより、電圧が3倍圧された信号でMOSFET6、7のゲートGを導通させるので、本装置1Aのより確実な動作と低コスト化が可能となる。
このように、本発明では、直流絶縁部材3がリレー駆動用の交流信号のうち直流電流を遮断するので、信号入力部2とリレー回路4との直流絶縁を実現することによりリレー出力側機器(コントロールパネル)8との回路依存性を解消するとともに、倍電圧回路5が直流電流遮断後の信号電圧を整数倍に倍圧するので、電圧が倍圧された信号で各ゲートGを導通させることにより信号電圧の低電圧化に対応してMOSFET6、7を安定的に動作させることができる。これにより、本装置1の確実な動作と低コスト化が可能で、コントロールパネル(CP)8のようなリレー出力側機器の種類を問わずに接続が可能で汎用的に使用できる。
また、上記実施形態では、本装置1は、スイッチ機器として物体検知センサ10に内蔵されているが、これに何ら限定されるものではなく、マイクロコンピュータで制御される他のスイッチ機器に内蔵させてもよい。
また、上記実施形態では、本装置1は、コントロールパネル(CP)8から電源が供給されているが、これに限定されず、他の装置、例えば照明装置などから電源が供給されてもよい。
以上のとおり図面を参照しながら好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本件明細書を見て、自明な範囲内で種々の変更および修正を容易に想定するであろう。したがって、そのような変更および修正は、添付の請求の範囲から定まる本発明の範囲内のものと解釈される。
1:直流絶縁型の半導体リレー装置
2:信号入力部
3:直流絶縁部材
4:リレー回路
5:倍電圧回路
6、7:MOSFET
8:リレー出力側機器(コントロールパネル(CP))
10:物体検出センサ
15:マイクロコンピュータ(MC)
H:侵入者
2:信号入力部
3:直流絶縁部材
4:リレー回路
5:倍電圧回路
6、7:MOSFET
8:リレー出力側機器(コントロールパネル(CP))
10:物体検出センサ
15:マイクロコンピュータ(MC)
H:侵入者
Claims (2)
- リレー駆動用の単相の交流信号を入力する信号入力部と、
前記交流信号のうち直流電流を遮断する直流絶縁部材と、
前記直流電流遮断後の信号電圧を整数倍に倍圧する倍電圧回路と、
ソース同士が接続されて逆直列に接続されるとともに、ゲート同士が接続された2つのMOSFETを含むリレー回路とを備え、
前記倍電圧回路で電圧が倍圧された信号により前記2つのMOSFETのゲートを導通させることによって、該2つのMOSFETを双方向にオン・オフ動作させるとともに、
マイクロコンピュータで制御される物体検出センサに内蔵され、
前記マイクロコンピュータの制御によって、物体検出に基づく前記交流信号による駆動により前記MOSFETをオン・オフ動作させ、前記直流絶縁部材により回路依存性を解消してリレー出力側機器へ検出オン・オフ信号を出力させる、直流絶縁型の半導体リレー装置。 - 請求項1において、
前記物体検出センサは防犯用センサである、直流絶縁型の半導体リレー装置。
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