JP5656062B2 - 振動式圧力センサ - Google Patents
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更に詳述すれば、測定圧に対する感度を落とすことなく、高静圧下においても座屈せずに機能できる振動式圧力センサに関するものである。
図において、1はシリコン基板である。2はこのシリコン基板1の一部を利用して構成されている受圧ダイアフラムで、例えば、シリコン基板1をエッチングして構成される。
3及び4は受圧ダイアフラム2上に形成された両端固定の微小な振動梁で、振動梁3は受圧ダイアフラム2のほぼ中央部に、振動梁4は受圧ダイアフラム2の周縁部にそれぞれ位置している。
5はシリコン基板1に取り付けられた硼珪酸ガラスまたはシリコンから成るベース、6はベース5に設けられた導圧孔である。
もちろん静圧に対しても感度が高い。例えば数MPa〜50MPa程度の静圧が印加されると、振動梁に圧縮歪がかかり、数パーセントのオーダーで発振周波数が変化する。
これを捕らえて静圧信号とし、マルチバリアブルセンサとして機能する。
しかし、80MPaを超えるような領域では、シリコン振動梁が圧縮に耐えられなくなり、振動梁が座屈してしまう問題がある。
シリコン基板に設けられた板状のダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、前記ダイアフラムの一方の面に一方の面が接し前記ダイアフラムの周縁に沿って配置されリング状をなし前記シリコン基板よりヤング率が大で高静圧下での前記振動梁の座屈を防止する第1の座屈防止部材と、前記ダイアフラムの他方の面に一方の面が接し前記ダイアフラムの周縁に沿って配置されリング状をなし前記シリコン基板よりヤング率が大で高静圧下での前記振動梁の座屈を前記第1の座屈防止部材と協同して防止する第2の座屈防止部材と、を具備したことを特徴とする。
前記第1の座屈防止部材と前記第2の座屈防止部材との少なくとも一方が前記シリコン基板よりヤング率が大で耐食性が高く且つ前記ダイアフラムの腐食を防止する腐食防止部材からなることを特徴とする。
前記座屈防止部材あるいは前記腐食防止部材は、サファイヤあるいはセラミックス材が使用されたことを特徴とする。
高静圧下において、振動梁に大きな圧縮応力が及ばないため、座屈を避けることができ、より高静圧下で機能できる振動式圧力センサが得られる。
ダイアフラムの少なくとも一方の面に一方の面が接し、シリコン基板よりヤング率が大で耐食性が高く、ダイアフラムの腐食を防止する腐食防止部材が設けられたので、高静圧下において、直接、酸やアルカリなど腐食性測定流体の圧力を測定できる振動式圧力センサが得られる。
座屈防止部材あるいは腐食防止部材は、サファイヤあるいはセラミックス材が使用されたので、ファイヤあるいはセラミックス材は市場性があり、材料を容易に入手し易い振動式圧力センサが得られる。
図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2(a)は図1のA−A断面図、図2(b)は図1のB−B断面図である。
図において、図9と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図9との相違部分のみ説明する。
12,14は、振動梁11,13を形成するための窓である。
シリコン基板10は通常300〜1,000μm程度の厚さであるが、裏面からバックグラインディング、ポリッシュすることで、30〜200μm程度の薄さに加工することが可能である。
更に、裏面からも高ヤング率の穴の開いた台座20が接合された構造である。
この場合、台座20は座屈防止部材に相当する。
部材30には、振動梁11,13と対向する面に電極32,33が形成されている。
振動梁11と電極32、振動梁13と電極33の間に交流電界をかけると、2つの振動梁はそれぞれ振動を始め、共振周波数でその振幅が最大となり、電流値をモニターすることでその共振点が知れる。
まず、図9従来例の中央部の振動梁の発振周波数をFc1、周縁部の振動梁の発振周波数をFr1、本発明の中央部の振動梁の発振周波数をFc2、周縁部の振動梁の発振周波数をFr2とする。
この動作は、図9従来例のセンサも同様であり(Fr1/Fr10)2−(Fc1/Fc10)2を演算することで、差圧が検出できる。
本発明によれば、高い静圧SP2の下においても、半導体基板10に形成された振動梁11,13に大きな圧縮応力が及ばないため、座屈を避けることができ、より高静圧下で機能する差圧センサを実現できる。
高静圧下において、振動梁に大きな圧縮応力が及ばないため、座屈を避けることができ、より高静圧下で機能できる振動式圧力センサが得られる。
本実施例においては、高ヤング率基板30にダイアフラム31を加工して、半導体基板10に接合した構造である。
半導体基板10の周辺部では高ヤング率基板30が厚いため、半導体基板10の収縮をしっかり抑えられ、しかも振動梁11,13上の基板板厚31は薄くなっているので、半導体基板10の圧力による変位を妨げない。
すなわち、測定圧に対する感度を低下せせることなく。静圧下での収縮を抑える効果が更に高くなる。
本実施例においては、半導体基板10には振動梁11,13が形成され、内部を真空に保つためのシェル17,18が形成されている。
半導体基板10の裏面には、例えば、アルカリ液で異方性エッチングされダイアフラム状に加工されている。
本実施例の特徴は振動梁が形成された面にヤング率の大きな部材30が接合された構成である。
また、半導体基板10の加工は従来の簡易な異方性エッチングで良く、全体をバックグラインディング、ポリッシュする必要が無いので、製造が容易であるという効果がある。
本実施例においては、振動梁11,13は、図7実施例と同様、選択エピタキシャル層、犠牲層エッチング、封止エピタキシャル層で形成されている。
振動梁11,13が形成された半導体基板10の表面側に、ヤング率の大きな部材30が接合され、更に、半導体基板10の裏面側にもヤング率の大きな部材20にダイアフラム21が加工されて、半導体基板10に接合されている。
この場合、ダイアフラム21が、腐食防止部材に相当する。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
2 受圧ダイアフラム
3 振動梁
4 振動梁
5 ベース
6 導圧孔
10 半導体基板
11 振動梁
12 窓
13 振動梁
14 窓
15 配線部
16 電極端子
17 シェル
18 シェル
20 台座
21 ダイアフラム
30 部材
31 ダイアフラム
32 電極
33 電極
Claims (3)
- シリコン基板に設けられた板状のダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムの一方の面に一方の面が接し前記ダイアフラムの周縁に沿って配置されリング状をなし前記シリコン基板よりヤング率が大で高静圧下での前記振動梁の座屈を防止する第1の座屈防止部材と、
前記ダイアフラムの他方の面に一方の面が接し前記ダイアフラムの周縁に沿って配置されリング状をなし前記シリコン基板よりヤング率が大で高静圧下での前記振動梁の座屈を前記第1の座屈防止部材と協同して防止する第2の座屈防止部材と、
を具備したことを特徴とする振動式圧力センサ。 - 前記第1の座屈防止部材と前記第2の座屈防止部材との少なくとも一方が前記シリコン基板よりヤング率が大で耐食性が高く且つ前記ダイアフラムの腐食を防止する腐食防止部材からなる
ことを特徴とする請求項1記載の振動式圧力センサ。 - 前記座屈防止部材あるいは前記腐食防止部材は、サファイヤあるいはセラミックス材が使用されたこと
を特徴とする請求項1又は請求項2記載の振動式圧力センサ。
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Family Applications (1)
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