JP5648200B2 - Joining method - Google Patents
Joining method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5648200B2 JP5648200B2 JP2010281825A JP2010281825A JP5648200B2 JP 5648200 B2 JP5648200 B2 JP 5648200B2 JP 2010281825 A JP2010281825 A JP 2010281825A JP 2010281825 A JP2010281825 A JP 2010281825A JP 5648200 B2 JP5648200 B2 JP 5648200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foil
- conductive material
- electrode pattern
- joined
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
Description
本発明は、超音波振動を印加して金属接合部を有する被接合物どうしを接合する技術に関する。 The present invention relates to a technique for joining objects to be joined having metal joints by applying ultrasonic vibration.
従来、超音波振動を印加することにより金属接合部を有する被接合物どうしを接合する技術が知られている。例えば、特許文献1に記載の接合装置では、ホーンに吸着保持されたフレキシブル基板の金メッキ電極と、可動テーブルに設けられた基板ホルダに載置されたガラス基板の金メッキ電極とが位置合わせされ、フレキシブル基板がガラス基板にホーンにより押圧されて加圧された状態で超音波振動が印加されることで、フレキシブル基板がガラス基板の所定位置に接合される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a technique for joining objects to be joined having metal joints by applying ultrasonic vibration is known. For example, in the joining apparatus described in
超音波振動を利用した金属接合では、金属接合部どうしが当接した状態の両被接合物に、加圧しながら超音波振動を印加することで、酸化膜やゴミ、埃などが除去されて金属接合部の接合界面に生成された新生面どうしが結合する。したがって、両被接合物の金属接合部どうしの接合強度を向上して良好な接合を行うためには、超音波振動により擦りあわされて金属接合部の接合界面に生成される新生面の面積を増大させることが重要であり、両被接合物の金属接合部どうしが確実に接触した状態で超音波振動を印加しなければならない。 In metal bonding using ultrasonic vibration, oxide film, dust, dust, etc. are removed by applying ultrasonic vibration to both objects to be bonded in a state where the metal bonding portions are in contact with each other, thereby removing metal. The new surfaces generated at the joint interface of the joint are joined together. Therefore, in order to improve the bonding strength between the metal joints of both objects to be bonded and to achieve good bonding, the area of the new surface generated at the bonding interface of the metal joints is rubbed by ultrasonic vibration. It is important to apply ultrasonic vibrations in a state where the metal joints of both objects to be joined are in reliable contact with each other.
しかしながら、被接合物の少なくとも一方が、ガラスエポキシ基板やフレキシブル基板など、金属接合部を形成する金属と比較すれば軟らかい樹脂材料で形成されたものである場合、金属接合部どうしが当接した状態の両被接合物が加圧されたときに軟らかい材質で形成された被接合物に変形が生じ、両被接合物の金属接合部が接触する接合界面に隙間が生じることがある。この場合、金属接合部の接合界面に十分に超音波振動が印加されず、接合不良の原因となるため問題となっている。 However, when at least one of the objects to be joined is made of a resin material that is softer than the metal that forms the metal joint, such as a glass epoxy substrate or a flexible substrate, the metal joints are in contact with each other When both of the objects to be bonded are pressurized, the object to be bonded formed of a soft material may be deformed, and a gap may be generated at the bonding interface where the metal bonding parts of both objects to be bonded contact. In this case, ultrasonic vibration is not sufficiently applied to the bonding interface of the metal bonding portion, which causes a bonding failure, which is a problem.
また、被接合物の少なくとも一方が樹脂などの軟らかい材質で形成されていると、印加された超音波振動が軟らかい材質で形成された被接合物に伝達されて吸収されるので、両被接合物の金属接合部が接触する接合界面に印加される超音波振動が減少し、両被接合物の金属接合部がCuなどの硬い材質で形成されている場合に、金属接合部に新生面が十分に生成されず接合不良を招くため、技術の改善が求められている。 In addition, if at least one of the objects to be bonded is formed of a soft material such as a resin, the applied ultrasonic vibration is transmitted to and absorbed by the object to be bonded formed of a soft material. When the ultrasonic vibration applied to the joint interface where the metal joints of the two parts are in contact is reduced and the metal joints of both objects are formed of a hard material such as Cu, a new surface is sufficiently formed in the metal joints. Since it is not generated and causes poor bonding, improvement in technology is required.
また、一方の被接合物の金属接合部が薄膜状に形成されており、他方の被接合物が芯線や、リードフレームである場合に、芯線やリードフレームを一方の被接合物の薄膜状の金属接合部に超音波振動により直接接合しようとしても、薄膜状の金属接合部がはがれるなどして接合されなかったり、接合されても接合強度が弱く、実用上問題があった。 In addition, when the metal joint portion of one of the objects to be joined is formed in a thin film shape and the other object to be joined is a core wire or a lead frame, the core wire or the lead frame is made of a thin film shape of one of the objects to be joined. Even if it is intended to join directly to the metal joint by ultrasonic vibration, the thin-film metal joint may not be joined due to peeling or the like.
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物どうしを接合するときに、両金属接合部の間に箔状導電材を介在させた状態で超音波振動を印加することで被接合物どうしを良好に接合することのできる技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and a foil-like conductive material is interposed between both metal joints when joining objects to be joined that are difficult to join by simply applying ultrasonic vibration. It is an object of the present invention to provide a technique capable of satisfactorily joining objects to be joined by applying ultrasonic vibration in a state of being made.
上記した目的を達成するために、本発明にかかる接合方法は、超音波振動を印加して金属接合部を有する被接合物どうしを接合する接合方法において、一方の前記被接合物である剛性または可撓性を有する有機基板に前記金属接合部として設けられた電気接続用の電極パターンに金属製箔状導電材を超音波振動を印加して仮接合する工程と、前記有機基板の前記箔状導電材が仮接合された前記電極パターンに、他方の前記被接合物の前記金属接合部を、前記有機基板の前記電極パターンと前記他方の被接合物の前記金属接合部との間に前記箔状導電材を介在させた状態で超音波振動を印加して接合する工程とを備え、前記仮接合の工程において、前記箔状導電材が設けられたテープ材を準備し、1回の前記接合の工程において必要な数の前記箔状導電材を前記有機基板の前記電極パターンに前記テープ材から転写して仮接合し、前記箔状導電材の厚みが、前記有機基板の前記電極パターンの厚みよりも厚いことを特徴としている(請求項1)。 In order to achieve the above-described object, the joining method according to the present invention is a joining method in which ultrasonic vibration is applied to join objects to be joined having metal joints. A step of temporarily joining a metal foil-like conductive material by applying ultrasonic vibration to an electrode pattern for electrical connection provided as a metal joint on an organic substrate having flexibility; and the foil-like shape of the organic substrate The metal bonding part of the other object to be bonded is connected to the electrode pattern to which a conductive material is temporarily bonded, and the foil is interposed between the electrode pattern of the organic substrate and the metal bonding part of the other object to be bonded. A step of applying ultrasonic vibration in a state of interposing a conductive material, and preparing a tape material provided with the foil-shaped conductive material in the temporary bonding step, and performing the bonding once As many as required in the process Temporarily bonding the flaky material by transferring from said tape material to said electrode pattern of the organic substrate, the thickness of the foil-shaped material is, it is characterized in that greater than a thickness of the electrode pattern of the organic substrate ( Claim 1).
また、前記仮接合の工程において、一の前記有機基板の前記電極パターンに前記テープ材から前記箔状導電材を転写して仮接合し、次に実行される前記仮接合の工程において、他の前記有機基板の前記電極パターンに前記テープ材から新たな前記箔状導電材を転写して仮接合することを特徴としている(請求項2)。 Further, in the temporary bonding step, the foil-like conductive material is transferred from the tape material to the electrode pattern of the one organic substrate and temporarily bonded. A new foil-like conductive material is transferred from the tape material to the electrode pattern of the organic substrate and temporarily joined (claim 2).
また、前記箔状導電材は、Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Cr、Pd、In、はんだのいずれかから成るものであるとよい(請求項3)。 The foil-like conductive material may be made of any one of Al, Ag, Au, Cu, Ni, Pt, Cr, Pd, In, and solder.
また、前記箔状導電材の膜厚が5〜1000μmであるとよい(請求項4)。 Moreover, it is good in the film thickness of the said foil-like electrically conductive material being 5-1000 micrometers (Claim 4).
また、前記他方の被接合物は、リードフレームであることを特徴としている(請求項5)。 Further, the other object to be joined is a lead frame (claim 5 ).
また、前記他方の被接合物は、芯線であることを特徴としている(請求項6)。 Further, the other object to be joined is a core wire (claim 6 ).
請求項1に記載の発明によれば、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物どうしを接合するときに、両被接合物の金属接合部の間に、金属製箔状導電材を介した状態で超音波振動を印加することにより、被接合物が変形などしても金属接合部の間に介在する箔状導電材により接合界面に隙間などが生じるおそれがなく、両金属接合部が直接接触してはがれたりするのが箔状導電材により防止されるため、箔状導電材の両面に両金属接合部がそれぞれ接触して形成される接合界面に超音波振動が確実に印加されて、両金属接合部どうしが箔状導電材を介して確実に接合されるので、金属接合部を有する被接合物どうしを良好に接合することができる。 According to the first aspect of the present invention, when joining objects to be joined that are difficult to be joined only by applying ultrasonic vibrations, a metal foil-like conductive material is provided between the metal joints of both objects to be joined. By applying ultrasonic vibration in the state where the joint is interposed, there is no possibility that a gap or the like is generated at the joint interface due to the foil-like conductive material interposed between the metal joints even if the workpiece is deformed. Since the foil-like conductive material prevents the parts from coming into direct contact with each other, ultrasonic vibration is reliably applied to the joint interface formed by contacting both metal joints on both sides of the foil-like conductive material. And since both metal joining parts are reliably joined via foil-like electrically-conductive material, the to-be-joined objects which have a metal joining part can be joined favorably.
また、超音波振動により箔状導電材が金属接合部に仮接合された一方の被接合物に、他方の被接合物を超音波振動により接合することで、両金属接合部の間に箔状導電材を確実に介在させた状態で超音波振動を印加することができる。また、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい、ガラスエポキシ基板などの剛性を有する有機基板や、ポリイミドなどにより形成されたフレキシブル基板などの可撓性を有する有機基板に、金属接合部として電気接続用の電極パターンが設けられた被接合物を確実に接合することができる。また、箔状導電材を各電極パターンに連続して仮接合したり、複数の箔状導電材を各電極パターンに同時に仮接合したりすることができる。
そして、接合強度を確実に向上することができる。
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明と同様に、箔状導電材を電極パターンに効率よく仮接合することができる。
In addition, the foil-like conductive material is temporarily joined to the metal joint by ultrasonic vibration, and the other joint is joined by ultrasonic vibration to the one to-be-joined object. Ultrasonic vibration can be applied with the conductive material reliably interposed. In addition, it is difficult to bond by simply applying ultrasonic vibration, and it can be electrically connected to a rigid organic substrate such as a glass epoxy substrate or a flexible organic substrate formed of polyimide or the like as a metal bonding portion. An object to be joined provided with the electrode pattern for connection can be reliably joined. Moreover, a foil-like conductive material can be temporarily joined to each electrode pattern continuously, or a plurality of foil-like conductive materials can be temporarily joined to each electrode pattern simultaneously.
And joining strength can be improved reliably.
According to the invention described in
請求項3に記載の発明によれば、Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Cr、Pd、In、はんだのいずれかにより容易に箔状導電材を形成することができる。
According to the invention described in
請求項4に記載の発明によれば、箔状導電材の膜厚が5〜1000μmであるため実用的である。
According to invention of
請求項5,6に記載の発明によれば、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい、リードフレームまたは芯線から成る被接合物を確実に接合することができる。
According to the inventions described in
この発明の一実施形態について図1〜図4を参照して説明する。図1は本発明の接合方法が実行される接合装置の一実施形態を示す図である。図2は被接合物の一例を示す図であって、(a)は斜視図、(b)は要部拡大図である。図3は接合処理の一例を示すフローチャートである。図4は接合強度の一例を示す図である。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a view showing an embodiment of a joining apparatus in which the joining method of the present invention is executed. 2A and 2B are views showing an example of an object to be joined, where FIG. 2A is a perspective view and FIG. 2B is an enlarged view of a main part. FIG. 3 is a flowchart showing an example of the joining process. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of bonding strength.
(接合装置)
図1に示す接合装置100は、超音波振動を印加して金属接合部を有する被接合物どうしを接合する装置であって、リードフレームやフレキシブル基板、リード線や同軸ケーブルなどの芯線、電子部品、チップなどの金属接合部23aを有する被接合物23を、剛性を有するガラスエポキシ基板や可撓性を有するポリイミド製のフレキシブル基板などの有機基板、セラミック基板、ウエハなどの金属接合部24aを有する被接合物24の所定の位置に超音波振動により接合する。なお、被接合物23は共振器7の保持手段40の保持面に保持され、被接合物24はステージ10の上面に載置される。
(Joining equipment)
A joining
図1に示すように、接合装置100は、接合機構27と、ステージ10およびステージテーブル12を有する実装機構28と、位置認識部29と、搬送部30と、制御装置31とを備えている。
As shown in FIG. 1, the joining
接合機構27は、上下駆動機構25とヘッド部26とを備え、上下駆動機構25は上下駆動モータ1とボルト・ナット機構2とにより、共振器支持部6を上下ガイド3でガイドしながら上下動する。そして、接合機構27はフレーム34に結合され、フレーム34は、ヘッド部26の加圧中心の周辺を囲むように配設された4本の支柱13により架台35と連結されている。なお、支柱13およびフレーム34の一部は図示省略されている。
The joining mechanism 27 includes a vertical drive mechanism 25 and a head portion 26. The vertical drive mechanism 25 moves up and down while guiding the
共振器支持部6は、ヘッド逃がしガイド5で上下方向にガイドされ、自重をキャンセルするための自重カウンター4に牽引された状態でボルト・ナット機構2に連結されている。そして、この共振器支持部6に、共振器7を有するヘッド部26が結合されている。
The
また、共振器支持部6には圧力センサ32が設けられており、圧力センサ32は、共振器7とステージ10との間に挟持された被接合物23,24への加圧力を検出する。そして、圧力センサ32により検出された被接合物23,24に対する加圧力が制御装置31にフィードバックされ、当該フィードバック値に基づいて上下駆動機構25が制御されることで、両被接合物23,24に対する加圧力が制御される。また、共振器支持部6は、リニアセンサなどにより形成される共振器部高さ検出手段36を備えており、これによりヘッド部26の高さが検出される。
Further, the
共振器支持部6に結合されたヘッド部26は、共振器7と、振動子8と、被接合物23を吸着保持する保持手段40と、基部20と第1クランプ手段21および第2クランプ手段22とを有する共振器支持手段44とを備えている。
The head unit 26 coupled to the
共振器7は、振動子8が発生する超音波振動に共振するものであって、共振器7のほぼ中央の位置と、両端位置とが最大振幅点となるように、共振周波数の一波長の長さで形成されている。このように構成すれば、最大振幅点から1/4波長離れた位置それぞれが最小振幅点(ノーダルポイント)に相当する。また、共振器7は、断面形状が円形状である円柱状に形成されている。
The
振動子8は、共振器7の中心軸と同軸に共振器7の一端に連結されている。また、振動子8は、制御装置31により制御されて超音波振動を発生し、これにより共振器7がその中心軸の方向に振動する。
The vibrator 8 is connected to one end of the
保持手段40は、最大振幅点である共振器7のほぼ中央の位置における外周下面に、熱硬化型樹脂などの接着剤により取着されて、各種の被接合物23を保持面に保持する。また、保持手段40は、被接合物23を保持面に吸着保持できるように、真空吸着機構(図示省略)を備えている。なお、被接合物23を保持する構成としては真空吸着機構に限られるものではなく、静電吸着機構、機械式のチャック機構など、被接合物23を保持できる機構であればどのような構成であってもよい。また、被接合物23を保持手段40に直接貼付けることにより被接合物23が保持手段40に保持されるようにしてもよい。
The holding means 40 is attached to the lower surface of the outer periphery at the substantially central position of the
また、保持手段40を、超硬タングステンカーバイト、セラミック、ダイヤモンドなど、金属以外の部材により形成してもよく、このように構成した保持手段40を、エポキシ系の接着剤や、Ni、Cu、Agなどの金属ろうなどにより共振器7に接着してもよい。
Further, the holding means 40 may be formed of a member other than metal, such as cemented carbide tungsten carbide, ceramic, diamond, etc., and the holding means 40 configured in this way is composed of an epoxy adhesive, Ni, Cu, It may be adhered to the
また、共振器7の最小振幅点の外周上に凹状の溝が形成されることにより、共振器7の外周面よりも小径の外周面を有する被支持部が形成されており、凹状に形成された被支持部がそれぞれ共振器支持手段44が有する第1クランプ手段21および第2クランプ手段22にクランプされることで、共振器7が共振器支持手段44により支持される。
Further, by forming a concave groove on the outer periphery of the minimum amplitude point of the
また、共振器支持手段44の基部20は共振器支持部6に固定されており、共振器支持部6が上下駆動機構25により上下に駆動されることにより、共振器支持手段44に支持された共振器7が上下動し、被接合物23,24が加圧される。
Further, the base 20 of the resonator support means 44 is fixed to the
なお、保持手段40を、上記した材質のうち、比較的硬度の高い、ガラス、超硬タングステンカーバイト、セラミックやダイヤモンドなどで形成すれば、共振器7を音響特性の優れた材質、例えばチタン合金により形成するとよい。また、保持手段40を、硬度の高い材質で形成すれば、共振器7を安価な材質、例えばAlにより形成してもよい。
In addition, if the holding means 40 is formed of glass, super hard tungsten carbide, ceramic, diamond, or the like having a relatively high hardness among the above materials, the
実装機構28は、被接合物24が載置されるステージ10と、ステージ10を上下方向にほぼ直交する水平面内で移動するステージテーブル12とを備えている。
The mounting mechanism 28 includes a
ステージ10は、被接合物24をステージ10の上面に吸着保持するため真空吸着機構(図示省略)を備えている。なお、被接合物24を保持する構成としては真空吸着機構に限られるものではなく、静電吸着機構や、機械式のチャック機構など、被接合物24を保持できる機構であればどのような構成であってもよい。また、被接合物24をステージ210上に載置するだけでもよい。
The
ステージテーブル12は、平行・回転移動自在な移動軸を備え、ステージ10をヘッド部26に対して相対的に移動することで、保持手段40に保持された被接合物23に対する被接合物24の相対的な位置を調整する。なお、この実施形態では、後述する上下マーク認識手段14により読取られた被接合物23,24に設けられたアライメントマークの相対的な位置関係に基づいてステージテーブル12が制御装置31により制御されて、被接合物23,24の相対的な位置調整が行われる。
The stage table 12 includes a moving shaft that can be moved in parallel and rotationally. The stage table 12 moves the
位置認識部29は、対向配置された被接合物23,24の間に挿入されて、被接合物23,24それぞれに設けられた位置認識用のアライメントマークを光学的に読取る上下マーク認識手段14と、被接合物23,24および共振器7の振幅を検出する振幅検出器33と、上下マーク認識手段14および振幅検出器33を水平面内および上下方向に移動させる認識手段移動テーブル15とを備えている。なお、上下マーク認識手段14は、ミラーやプリズムで構成される、周知の2視野光学系レンズと、2視野光学系レンズを介してその上下に隔離して配置された被接合物23,24を撮像するCCDカメラとを備えている(図示省略)。
The position recognition unit 29 is inserted between the
搬送部30は、被接合物23を搬送する供給装置16およびトレイ17と、被接合物24を搬送する搬送装置18および搬送コンベア19とを備えている。
The transport unit 30 includes a
制御装置31は、上下駆動機構25を制御してヘッド部26を介して被接合物23,24に加えられる加圧力を調整したり、振動子8へ印加される電圧および電流を調整して被接合物23,24に加えられる超音波振動エネルギーの大きさを制御したりする。また、制御装置31は、共振器部高さ検出手段36によるヘッド部26の高さ位置の検出信号に基づいて上下駆動機構25を制御し、ヘッド部26の図1中の矢印Z方向の高さを調節する。また、制御装置31は、接合装置100全体の制御を行うための操作パネル(図示省略)を備えている。
The control device 31 controls the vertical drive mechanism 25 to adjust the pressure applied to the
(接合処理)
次に、接合装置100において、金属接合部としてCuによる電気接続用の電極パターン124aが設けられたガラスエポキシ基板124(本発明の「有機基板」に相当)に、Cuにより形成された金属接合部123aを有するリードフレーム123を接合する接合処理の一例について説明する。
(Joining process)
Next, in the
この実施形態では、図2(a)に示すように、一方の被接合物である約500μmの厚みのガラスエポキシ基板124の表面に、電気接続用の電極パターン124aが約15μmの厚みで複数設けられている。そして、同図(b)に示すように、ガラスエポキシ基板124の電極パターン124aと、他方の被接合物である約300μmの厚みのリードフレーム123の金属接合部123aとの間に、約20μmの厚みで形成されたAl製の箔状導電材50を介在させた状態で超音波振動が印加されることにより、電極パターン124aおよび金属接合部123aが箔状導電材50を介して接合されて、パワーデバイスなどが形成される。
In this embodiment, as shown in FIG. 2A, a plurality of
まず、一方の被接合物であるガラスエポキシ基板124および箔状導電材50の供給が行われる。箔状導電材50は、図示省略された供給装置により共振器7に取着された保持手段40に供給されて吸着保持される。また、ガラスエポキシ基板124は、搬送装置18により搬送コンベア19からステージ10に供給されて吸着保持される。
First, the
次に、それぞれの接合面が対向するように保持された箔状導電材50とガラスエポキシ基板124との間に上下マーク認識手段14が認識手段移動テーブル15により挿入されて、対向保持された箔状導電材50およびガラスエポキシ基板124の相対的な位置が検出される。そして、上下マーク認識手段14により検出された箔状導電材50およびガラスエポキシ基板124の相対的な位置関係に基づいて、箔状導電材50の位置を基準としてステージテーブル12が平行・回転移動されてガラスエポキシ基板124の位置が調整されて、箔状導電材50とガラスエポキシ基板124との相対的な位置調整が行われる。
Next, the upper and lower
続いて、箔状導電材50およびガラスエポキシ基板124の相対的な位置が整合された状態で、認識手段移動テーブル15により上下マーク認識手段14が退避されると共に、上下駆動機構25によりヘッド部26の下降が開始され、箔状導電材50とガラスエポキシ基板124とが接近される。そして、箔状導電材50とガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとが接触することによる圧力センサ32からの検出信号に基づき、箔状導電材50とガラスエポキシ基板124とが共振器7およびステージ10との間に挟持されたことが検出されると、所定の加圧力が箔状導電材50およびガラスエポキシ基板124に加えられると共に超音波振動が印加されて、ガラスエポキシ基板124の電極パターン124aに箔状導電材50が仮接合される(ステップS1)。
Subsequently, in a state where the relative positions of the foil-like
このとき、制御装置31により、振動子8に印加される電流値および電圧値から導出される超音波振動エネルギー、共振器7の共振振幅、箔状導電材50およびガラスエポキシ基板124に対する加圧力などの監視と制御が行われる。
At this time, the ultrasonic vibration energy derived from the current value and the voltage value applied to the vibrator 8 by the control device 31, the resonance amplitude of the
そして、箔状導電材50とガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとの仮接合が完了すると、共振器7による箔状導電材50吸着が解除され、ヘッド部26が上方へ復帰移動される。続いて、他方の被接合物であるリードフレーム123が、供給装置16によりトレイ17から共振器7に取着された保持手段40に供給されて吸着保持される。
When the temporary bonding between the foil-like
次に、それぞれの接合面が対向するように保持されたリードフレーム123とガラスエポキシ基板124との間に上下マーク認識手段14が認識手段移動テーブル15により挿入されて、対向保持されたリードフレーム123およびガラスエポキシ基板124の相対的な位置が上下マーク認識手段14により検出される。そして、上下マーク認識手段14により検出されたリードフレーム123およびガラスエポキシ基板124の相対的な位置関係に基づいて、リードフレーム123の位置を基準としてステージテーブル12が平行・回転移動されてガラスエポキシ基板124の位置が調整されて、リードフレーム123とガラスエポキシ基板124との相対的な位置調整が行われる(ステップS2)。
Next, the upper and lower
続いて、リードフレーム123およびガラスエポキシ基板124の相対的な位置が整合された状態(電極パターン124aおよび金属接合部123aの位置が合わされた状態)で、認識手段移動テーブル15により上下マーク認識手段14が退避されると共に、上下駆動機構25によりヘッド部26の下降が開始され、リードフレーム123とガラスエポキシ基板124とが接近される。
Subsequently, in a state where the relative positions of the
そして、リードフレーム123の金属接合部123aが、箔状導電材50が仮接合されたガラスエポキシ基板124の電極パターン124aに接触することによる圧力センサ32からの検出信号に基づき、リードフレーム123およびガラスエポキシ基板124が箔状導電材50を介して共振器7およびステージ10との間に挟持されたことが検出されると、所定の加圧力がリードフレーム123およびガラスエポキシ基板124に加えられると共に超音波振動が印加されて、リードフレーム123の金属接合部123aが、箔状導電材50が仮接合されたガラスエポキシ基板124の電極パターン124aに接合される(ステップS3)。
Based on the detection signal from the
このとき、箔状導電材50のガラスエポキシ基板124の電極パターン124aへの仮接合の際と同様に、制御装置31により、振動子8に印加される電流値および電圧値から導出される超音波振動エネルギー、共振器7の共振振幅、リードフレーム123およびガラスエポキシ基板124に対する加圧力などの監視と制御が行われる。なお、接合処理を終了するタイミングは、目的とされる接合面積で接合されるために必要な加圧力、超音波振動エネルギーおよび接合時間を予め求めておき、予め求めたそれぞれの値に達したときに接合処理を終了すればよい。
At this time, similarly to the temporary bonding of the foil-like
この実施形態では、一例として、振動子8の発信周波数は40kHzに設定されているが、リードフレーム123とガラスエポキシ基板124との間の相対振動振幅の大きさは、被接合物の種類(材質、機能など)や接触面積などに応じて適宜設定すればよい。
In this embodiment, as an example, the oscillation frequency of the vibrator 8 is set to 40 kHz. However, the magnitude of the relative vibration amplitude between the
そして、リードフレーム123およびガラスエポキシ基板124の接合が終了して接合処理が完了すると共振器7によるリードフレーム123の吸着が解除され、ヘッド部26が上方へ復帰移動される。最後に、リードフレーム123が接合された状態で、ステージ10上に保持されたガラスエポキシ基板124が搬送装置18により搬送コンベア19へ排出されて一連の接合処理が終了する。なお、ガラスエポキシ基板124へ接合されるリードフレーム123の数は1つに限られず、複数のリードフレーム123をガラスエポキシ基板124へ連続的に接合してもよい。また、ガラスエポキシ基板124、電極パターン124a、リードフレーム123(金属接合部123a)の厚みは上記した例に限られるものではなく、例えば、ガラスエポキシ基板124は50〜1000μmの厚みで形成することができ、電極パターン124aは5〜30μmの厚みで形成することができ、リードフレーム123は10〜1000μmの厚みで形成することができる。
When the joining of the
(接合強度)
上記したようにして接合された、リードフレーム123およびガラスエポキシ基板124の接合強度の一例について説明する。
(Joint strength)
An example of the bonding strength of the
図4に示すように、Alから成る箔状導電材50が、リードフレーム123の金属接合部123aと、ガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとの間に介在していなければ、ピール強度が1pinあたり3Nであるのに対し、箔状導電材50が介在していれば、1pinあたり30Nのピール強度で、リードフレーム123の金属接合部123aとガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとが接合される。
As shown in FIG. 4, if the foil-like
(被接合物の他の例(1))
次に、接合装置100において、金属接合部としてCuまたはAuにより電気接続用の電極パターン124aが設けられたガラスエポキシ基板124に、金属接合部としてCuまたはAuにより電気接続用の電極パターン224aが設けられたフレキシブル基板224(本発明の「有機基板」に相当)を接合する接合処理の一例について、図5および図6を参照して説明する。図5は被接合物の一例を示す図であり、図6は接合強度の一例を示す図である。
(Other examples of joined objects (1))
Next, in the
他の例(1)では、図5に示すように、一方の被接合物である約100μmの厚みのガラスエポキシ基板124の表面に、電気接続用のCuまたはAuによる電極パターン124aが約10μmの厚みで設けられている。そして、同図に示すように、ガラスエポキシ基板124の電極パターン124aと、他方の被接合物である約100μmの厚みのフレキシブル基板224の約10μmの厚みの電極パターン224aとの間に、約20μmの厚みで形成されたAl製の箔状導電材50を介在させた状態で超音波振動が印加されることにより、電極パターン124a,224aが箔状導電材50を介して接合される。なお、その他の構成および動作は、上記した例と同様であるため、その構成および動作の説明は省略する。
In another example (1), as shown in FIG. 5, an
次に、フレキシブル基板224およびガラスエポキシ基板124の接合強度の一例について説明する。
Next, an example of the bonding strength between the
図6に示すように、Alから成る箔状導電材50が、フレキシブル基板224のCuから成る電極パターン224aと、ガラスエポキシ基板124のCuから成る電極パターン124aとの間に介在していなければ、ピール強度が1pinあたり2Nであるのに対し、箔状導電材50が介在していれば、1pinあたり15Nのピール強度で、フレキシブル基板224の電極パターン224aとガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとが接合され、圧電センサなどの各種センサやフレキシブル基板コネクタが形成されたり、基板どうしの電気的な接合が行われる。
As shown in FIG. 6, if the foil-like
また、図6に示すように、Alから成る箔状導電材50が、フレキシブル基板224のAuから成る電極パターン224aと、ガラスエポキシ基板124のAuから成る電極パターン124aとの間に介在していなければ、ピール強度が1pinあたり10Nであるのに対し、箔状導電材50が介在していれば、1pinあたり18Nのピール強度で、フレキシブル基板224の電極パターン224aとガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとが接合される。
In addition, as shown in FIG. 6, the foil-like
なお、フレキシブル基板224、電極パターン224aの厚みは上記した例に限られるものではなく、例えば、ガラスエポキシ基板124を10〜500μmの厚みで形成し、電極パターン124aを5〜30μmの厚みで形成した場合に、フレキシブル基板224を10〜500μmの厚みで形成することができ、電極パターン224aを5〜30μmの厚みで形成することができる。
The thicknesses of the
また、この例では、ガラスエポキシ基板124にフレキシブル基板224を接合したが、フレキシブル基板224どうしを接合してもよい。
In this example, the
(被接合物の他の例(2))
次に、接合装置100において、金属接合部としてCuにより電気接続用の電極パターン124aが設けられたガラスエポキシ基板124に、Cuから成る芯線223(金属接合部)を接合する接合処理の一例について、図7および図8を参照して説明する。図7は被接合物の一例を示す図であって、(a)は斜視図、(b)は要部拡大図であり、図8は接合強度の一例を示す図である。
(Other examples of workpieces (2))
Next, in the
他の例(2)では、図7(a)に示すように、一方の被接合物であるガラスエポキシ基板124の表面に、電気接続用のCuによる電極パターン124aが複数設けられている。そして、同図(b)に示すように、ガラスエポキシ基板124の電極パターン124aと、他方の被接合物である芯線223との間に、Al製の箔状導電材50を介在させた状態で超音波振動が印加されることにより、電極パターン124aと芯線223とが箔状導電材50を介して接合される。なお、その他の構成および動作は、上記した例と同様であるため、その構成および動作の説明は省略する。
In another example (2), as shown in FIG. 7A, a plurality of
次に、芯線223およびガラスエポキシ基板124の接合強度の一例について説明する。
Next, an example of the bonding strength between the
図8に示すように、Alから成る箔状導電材50が、Cuから成る芯線223と、ガラスエポキシ基板124のCuから成る電極パターン124aとの間に介在していなければ、接合が行われないのに対し(ピール強度が1pinあたり0N)、箔状導電材50が介在していれば、1pinあたり8Nのピール強度で、芯線223とガラスエポキシ基板124の電極パターン124aとが接合される。
As shown in FIG. 8, bonding is not performed unless the foil-like
なお、この例では、ガラスエポキシ基板124に芯線223を接合したが、フレキシブル基板224に芯線223を接合してもよい。また、ガラスエポキシ基板124、電極パターン124a、フレキシブル基板224、電極パターン224aの厚み、芯線223の太さなどは、上記したように、適宜設定すればよい。
In this example, the
(被接合物の他の例(3))
次に、接合装置100において、Cuにより形成された電極パターン124aに、酸化防止のためのNiメッキ124a1およびAuメッキ124a2が施された金属接合部が設けられたガラスエポキシ基板124に、Cuにより形成された金属接合部123aに、酸化防止のためのNiメッキ123a1およびAuメッキ123a2が施されたリードフレーム123を接合する接合処理の一例について、図9を参照して説明する。図9は被接合物の一例を示す要部拡大図であって、(a)は接合前の状態を示す図、(b)は接合後の状態を示す図である。
(Other examples of joined objects (3))
Next, in the
他の例(3)では、図9(a)に示すように、一方の被接合物であるガラスエポキシ基板124の表面に、Niメッキ124a1およびAuメッキ124a2が施された電気接続用の電極パターン124aが設けられている。そして、同図(b)に示すように、ガラスエポキシ基板124の電極パターン124a(Auメッキ124a2)と、他方の被接合物であるリードフレーム123の金属接合部123a(Auメッキ123a2)との間に、Al製の箔状導電材50を介在させた状態で超音波振動が印加されることにより、金属接合部123a(Auメッキ123a2)と電極パターン124a(Auメッキ124a2)とが箔状導電材50を介して接合される。なお、その他の構成および動作は、上記した例と同様であるため、その構成および動作の説明は省略する。
In another example (3), as shown in FIG. 9A, an electrode pattern for electrical connection in which a Ni-plated 124a1 and an Au-plated 124a2 are applied to the surface of a
なお、ガラスエポキシ基板124、電極パターン124a、リードフレーム123の厚みなどは、上記したように、適宜設定すればよい。また、上記したすべての例においても、酸化を防止したり、電気導電性を向上するために、NiやAuなどのメッキを金属接合部に施してもよい。
Note that the thickness of the
(箔状導電材の他の例(1))
次に、箔状導電材の他の例について図10を参照して説明する。図10は箔状導電材の一例を示す図である。この例における箔状導電材150は、図10に示すように、箔状導電材150と同じ材質の箔状のテープ材150aにガラスエポキシ基板124の形状に合わせて設けられた複数の開口150bのそれぞれに、複数の電極パターン124aの位置に合わせて島状に複数配置されている。
(Other examples of foil-like conductive material (1))
Next, another example of the foil-like conductive material will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a foil-like conductive material. As shown in FIG. 10, the foil-shaped
また、図10に示すように、箔状導電材150は、テープ材150aの開口150bにテーパ状に形成された橋絡片の先端に連続して形成されており、箔状導電材150に超音波振動などの外力が加わると、箔状導電材150が橋絡片の先端から容易に脱離するように形成されている。なお、その他の構成および動作は上記した例と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成および動作の説明は省略する。
Further, as shown in FIG. 10, the foil-like
このように構成すると、ガラスエポキシ基板124と、テープ材150aに形成された複数の開口150bのうちの一つとを位置合わせして、各電極パターン124a上に、開口150bに橋絡片を介して連続的に形成された各箔状導電材150を配置し、各電極パターン124a上に配置された各箔状導電材150に順に超音波振動を印加することで、箔状導電材150を各電極パターン124aに連続して仮接合することができる。
If comprised in this way, the glass epoxy board |
また、各箔状導電材150は、脱離し易いようにテーパ状に形成された橋絡片を介して開口150bに連続的に形成されており、仮接合の際に各箔状導電材150に超音波振動が印加されることで、各箔状導電材150は容易に開口150bから脱離するため、橋絡片を切断して電極パターン124aを切離す工程が不要となり、効率よく各箔状導電材150を各電極パターン124aに仮接合することができる。
In addition, each foil-like
また、新たにステージ10に保持されたガラスエポキシ基板124の複数の電極パターン124aに対して箔状導電材150を仮接合する際は、テープ材150aに形成された複数の開口150bのうち、箔状導電材150の電極パターン124aへの仮接合が終了していない開口150bをガラスエポキシ基板124に位置合わせすることで、同様に箔状導電材150を電極パターン124aに仮接合することができる。
Further, when the foil-like
なお、テープ材150aは図示省略したリールに巻回して保管し、必要に応じてテープ材150aを引出しながら箔状導電材150の電極パターン124aへの仮接合を行うとよい。
Note that the
(箔状導電材の他の例(2))
次に、箔状導電材の他の例について図11を参照して説明する。図11は箔状導電材の一例を示す図である。この例における箔状導電材250は、図11に示すように、樹脂材料により形成された膜状のテープ材250aにフレキシブル基板324の各電極パターン324aの形状および位置に合わせて設けられた複数の開口(図示省略)のそれぞれに配置されている。
(Other examples of foil-like conductive material (2))
Next, another example of the foil-like conductive material will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a foil-like conductive material. As shown in FIG. 11, the foil-like
また、箔状導電材250は、箔状導電材150に超音波振動などの外力が加わると、箔状導電材250がテープ材250aの開口から容易に脱離するように形成されている。なお、その他の構成および動作は上記した例と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成および動作の説明は省略する。
The foil-like
このように構成すると、フレキシブル基板324と、テープ材250aに形成された複数の箔状導電材250の群のうちの一つとを位置合わせして、各電極パターン324a上に各箔状導電材250を配置し、各電極パターン324a上に配置された複数の箔状導電材250に超音波振動を印加することで、複数の箔状導電材250を各電極パターン324aに同時に仮接合することができる。
With this configuration, the
また、各箔状導電材250は、脱離し易いようにテープ材250aの開口に設けられおり、仮接合の際に各箔状導電材250に超音波振動が印加されることで、各箔状導電材250は容易に開口から脱離するため、箔状導電材250をテープ材250aから切離す工程が不要となり、効率よく各箔状導電材250を各電極パターン324aに仮接合することができる。
Each foil-like
また、新たにステージ10に保持されたフレキシブル基板324の複数の電極パターン324aに対して箔状導電材250を仮接合する際は、テープ材250aに形成された複数の箔状導電材250の群のうちの新たな群をフレキシブル基板324に位置合わせすることで、同様に箔状導電材250を電極パターン324aに仮接合することができる。
Further, when the foil-like
なお、テープ材250aは図示省略したリールに巻回して保管し、必要に応じてテープ材250aを引出しながら箔状導電材250の電極パターン324aへの仮接合を行うとよい。
Note that the
以上のように、この実施形態によれば、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物23,24どうしを接合するときに、両被接合物23,24の金属接合部23a,24aの間に、金属製箔状導電材50を介した状態で超音波振動を印加することにより、被接合物23,24が変形などしても金属接合部23a,24aの間に介在する箔状導電材50により接合界面に隙間などが生じるおそれがなく、両金属接合部23a,24aが直接接触してはがれたりするのが箔状導電材50により防止されるため、箔状導電材50の両面に両金属接合部23a,24aがそれぞれ接触して形成される接合界面に超音波振動が確実に印加されて、両金属接合部23a,24aどうしが箔状導電材50を介して確実に接合されるので、金属接合部23a,24aを有する被接合物23,24どうしを良好に接合することができる。
As described above, according to this embodiment, when joining the
また、超音波振動により箔状導電材50が金属接合部24aに仮接合された一方の被接合物24に、他方の被接合物23を超音波振動により接合することで、両金属接合部23a,24aの間に箔状導電材50を確実に介在させた状態で超音波振動を印加することができる。
Further, the two metal joints 23a are joined by ultrasonic vibration to one object to be joined 24 in which the foil-like
また、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい、ガラスエポキシ基板124またはフレキシブル基板224に、金属接合部として電気接続用の電極パターン124a,224aが設けられた被接合物を確実に接合することができる。
In addition, it is difficult to bond by simply applying ultrasonic vibration, and the object to be bonded provided with the
また、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい、リードフレーム123または芯線223から成る被接合物を確実に接合することができる。
In addition, it is difficult to join only by applying ultrasonic vibrations, and it is possible to reliably join an object to be joined including the
また、超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物23,24どうしを接合するときに、両被接合物23,24の金属接合部23a,24aの間に金属製箔状導電材50を介した状態で超音波振動を印加することにより、はんだを溶融させたり、加熱を併用せずとも金属接合部23a,24aを有する被接合物23,24どうしを良好に接合することができるため、例えばガラス転移温度を超える熱履歴を与えることにより形状や特性が変化するガラスエポキシ基板などの被接合物を、ガラス転移温度以下の低温で接合することができる。また、常温で一切加熱することなく接合することもできる。
Further, when joining the
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であり、箔状導電材50の材質としては、上記したAlに限られるものではなく、Ag、Au、Cu、Ni、発泡Ni、Pt、Cr、Pd、In、はんだのいずれかにより容易に箔状導電材50を形成することができ、Alにより箔状導電材50を形成したときと同様の効果を奏することができる。
る。また、被接合物に設けられた金属接合部よりも軟らかい金属により箔状導電材50を形成することにより、箔状導電材50に接触する金属接合部と、箔状導電材50とが超音波振動により接合され易くなるため、より良好に金属接合部どうしを箔状導電材50を介して接合することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the gist of the invention. The foil-like
The Further, by forming the foil-like
また、箔状導電材50をはんだで形成した場合には、箔状導電材50にフラックスを塗布することにより、より良好に金属接合部どうしを箔状導電材50を介して接合することができる。また、箔状導電材50がはんだにより形成されている場合には、金属接合部がAuで形成されていたり、金属接合部にAuメッキが施されていると、接合の際に、Auがはんだに拡散されるため、良好に金属接合部どうしを接合することができる。
In addition, when the foil-like
また、箔状導電材50の膜厚は、被接合物の材質や大きさ、厚み、金属接合部の材質や大きさ、厚みなどに応じて、5〜1000μmの実用的な厚みで形成すればよい。
Moreover, if the film thickness of the foil-like
また、金属接合部を有する被接合物の種類としては上記した例に限られるものではなく、セラミック基板やウエハなど、超音波振動による金属接合を行うことができる材質であれば、どのようなものを被接合物として超音波振動による接合を行ってもよい。 In addition, the kind of the object to be joined having the metal joint portion is not limited to the above example, and any material can be used as long as the material can be joined by ultrasonic vibration, such as a ceramic substrate or a wafer. Bonding by ultrasonic vibration may be performed with the object to be bonded.
23…被接合物
23a…金属接合部
24…被接合物
24a…金属接合部
50,150,250…箔状導電材
123…リードフレーム
123a…金属接合部
124…ガラスエポキシ基板(有機基板)
124a…電極パターン
223…芯線(金属接合部)
224,324…フレキシブル基板(有機基板)
224a,324a…電極パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 23 ... To-be-joined object 23a ...
124a ...
224, 324 ... Flexible substrate (organic substrate)
224a, 324a ... electrode pattern
Claims (6)
一方の前記被接合物である剛性または可撓性を有する有機基板に前記金属接合部として設けられた電気接続用の電極パターンに金属製箔状導電材を超音波振動を印加して仮接合する工程と、
前記有機基板の前記箔状導電材が仮接合された前記電極パターンに、他方の前記被接合物の前記金属接合部を、前記有機基板の前記電極パターンと前記他方の被接合物の前記金属接合部との間に前記箔状導電材を介在させた状態で超音波振動を印加して接合する工程とを備え、
前記仮接合の工程において、
前記箔状導電材が設けられたテープ材を準備し、1回の前記接合の工程において必要な数の前記箔状導電材を前記有機基板の前記電極パターンに前記テープ材から転写して仮接合し、
前記箔状導電材の厚みが、前記有機基板の前記電極パターンの厚みよりも厚い
ことを特徴とする接合方法。 In the joining method of joining the objects to be joined having a metal joint by applying ultrasonic vibration,
One metal foil-like conductive material is temporarily bonded to the electrode pattern for electrical connection provided as the metal bonding portion on the rigid or flexible organic substrate as one of the objects to be bonded by applying ultrasonic vibration. Process,
The metal bonding portion of the other object to be bonded is connected to the electrode pattern on which the foil-like conductive material of the organic substrate is temporarily bonded, and the metal bonding of the electrode pattern of the organic substrate and the other object to be bonded is performed. A step of applying ultrasonic vibration in a state of interposing the foil-like conductive material between the parts, and joining,
In the temporary joining step,
A tape material provided with the foil-like conductive material is prepared, and the necessary number of the foil-like conductive materials are transferred from the tape material to the electrode pattern of the organic substrate and temporarily joined in one bonding step. And
The thickness of the said foil-like electrically conductive material is thicker than the thickness of the said electrode pattern of the said organic substrate, The joining method characterized by the above-mentioned .
ことを特徴とする請求項1に記載の接合方法。 In the temporary bonding step, the foil-like conductive material is transferred from the tape material to the electrode pattern of the one organic substrate and temporarily bonded. In the temporary bonding step to be executed next, the other organic The bonding method according to claim 1, wherein a new foil-shaped conductive material is transferred from the tape material to the electrode pattern of the substrate and temporarily bonded.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010281825A JP5648200B2 (en) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | Joining method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010281825A JP5648200B2 (en) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | Joining method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012129463A JP2012129463A (en) | 2012-07-05 |
JP5648200B2 true JP5648200B2 (en) | 2015-01-07 |
Family
ID=46646169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010281825A Expired - Fee Related JP5648200B2 (en) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | Joining method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5648200B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6322804B2 (en) * | 2013-04-04 | 2018-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Method for manufacturing metalized film capacitor |
JP6000227B2 (en) * | 2013-11-21 | 2016-09-28 | 三菱電機株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190602A (en) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Nitto Denko Corp | Bump forming method |
JPH06163552A (en) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and equipment for transferring bump |
US5765744A (en) * | 1995-07-11 | 1998-06-16 | Nippon Steel Corporation | Production of small metal bumps |
JP3179002B2 (en) * | 1995-10-12 | 2001-06-25 | 矢崎総業株式会社 | Joint method between conductors and joint structure between conductors |
JPH1050758A (en) * | 1996-08-01 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | Ultrasonic connecting method and connecting structure |
JP4541121B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-09-08 | 矢崎総業株式会社 | Ultrasonic welding method and ultrasonic welding apparatus |
-
2010
- 2010-12-17 JP JP2010281825A patent/JP5648200B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012129463A (en) | 2012-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4469503B2 (en) | Bump bonding determination apparatus and method, and semiconductor component manufacturing apparatus and method | |
JP5076163B2 (en) | Ultrasonic vibration bonding method and ultrasonic vibration bonding apparatus | |
US20050268457A1 (en) | Apparatus and method for mounting electronic components | |
EP1224997B1 (en) | Method and device for frictional connection, and holding tool used for the frictional connection device | |
WO2007129700A1 (en) | Electronic part mounting head, electronic part mounting apparatus, and electronic part mounting method | |
CN113681145B (en) | Ultrasonic welding system and method of use | |
JP5648200B2 (en) | Joining method | |
WO2011092809A1 (en) | Ultrasonic bonding method and ultrasonic bonding device | |
JP5082081B2 (en) | Ultrasonic vibration bonding equipment | |
JP2002084158A (en) | Piezoelectric device and manufacturing method therefor | |
JP5663764B2 (en) | Joining device | |
JP4733441B2 (en) | Electronic component joining equipment | |
JP4606709B2 (en) | Electronic component bonding method and electronic component bonding apparatus | |
JP2003179101A (en) | Bonding unit, method of manufacturing semiconductor device, and bonding method | |
JP2010021216A (en) | Method for bonding flexible printed board | |
JP2009117867A (en) | Method of manufacturing semiconductor apparatus | |
JP4670620B2 (en) | Electronic component mounting device | |
JP4308444B2 (en) | Component joining device | |
JP2009090296A (en) | Ultrasonic vibration welding device | |
JP5413603B2 (en) | Mounting apparatus and alignment method | |
KR100651152B1 (en) | Method and apparatus for bonding electronic components | |
JP2005230845A (en) | Ultrasonic joining apparatus, and method for producing electronic device | |
JP2003258012A (en) | Bump-applying device | |
JP4589266B2 (en) | Semiconductor ultrasonic bonding method | |
JP4682225B2 (en) | Electronic component bonding equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141014 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5648200 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |