JP5648036B2 - パイロット式電磁弁 - Google Patents
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Description
本発明は、一次側継手と二次側継手との間の主弁ポートに対向してピストン室内にピストン弁を配設するとともに、ピストン弁のパイロットポートをパイロット弁で開閉し、ピストン室内のピストン背空間の圧力と一次側継手の圧力の差圧を利用して主弁ポートを弁開とするようにしたパイロット式電磁弁に関する。
従来、パイロット式電磁弁として、例えば特開平4−231783号公報(特許文献1)、特開2005−344875号公報(特許文献2)に開示されたものがある。また、図11は従来のパイロット式電磁弁の一例を示す図、図12は同パイロット式電磁弁のピストン弁を示す図である。本体部2には、一次側継手21と二次側継手22との間に隔壁23が形成され、隔壁23の上端側には主弁座24が形成されている。主弁座24には円形開口をなす主弁ポート24aが形成されている。本体部2にはシリンダケース3が螺合することにより固着されている。
シリンダケース3の内側は円筒状のピストン室31となっており、このピストン室31内に略円柱形状のピストン弁4が内挿されている。ピストン弁4は、金属製のピストン部41とその下端に配設された樹脂製のシール部42とを有している。ピストン部41の外周には周方向に溝41aが切削加工により形成され、この溝41a内にインナーリング43とピストンリング44が嵌め込まれている。そして、ピストンリング44はピストン室31の内壁31aに摺接される。ピストン弁4の中心にはパイロットポート4aと導通路4bが形成されており、パイロットポート4aは導通路4bを介して二次側継手22に導通される。
電磁駆動部5はプランジャチューブ51の端部に吸引子52を固着するとともに、プランジャチューブ51内にプランジャ53と、パイロット弁体6を内挿しており、プランジャ53とパイロット弁体6は、プランジャ53のボス部53aをパイロット弁体の嵌合溝6aに遊嵌することにより軸線L方向に僅かに遊びをもって連結されている。そして、プランジャ53とパイロット弁体6は、プランジャチューブ51内で軸線L方向(上下方向)に摺動可能になっている。パイロット弁体6とピストン弁4との間にはパイロット弁ばね61が圧縮して介在されている。また、プランジャ53と吸引子52との間にはプランジャばね53bが圧縮して介在されている。
電磁駆動部5の電磁コイル54へ通電がなされていないときは、パイロット弁体6のニードル部6bがパイロットポート4aを弁閉状態とする。電磁コイル54に通電がなされると、プランジャ53が上昇し、プランジャ53のボス部53aがパイロット弁体6の上端に当接して係合する。これにより、プランジャ53とパイロット弁体6が共に上昇する。その後、プランジャ53が吸引子52に当接してプランジャ53が停止し、パイロット弁体6はパイロット弁ばね61のばね力によりさらに上昇する。
そして、プランジャ53に当接し、パイロット弁体6が停止してパイロットポート4aが全開となると、ピストン弁4上部のピストン背空間(ピストン室31)の流体がパイロットポート4aと導通路4bを介して二次継手22側に流出し、ピストン弁4上部のピストン背空間の圧力が低下する。これにより、ピストン背空間の圧力とピストン弁4の下部の圧力(一次側継手21の圧力)との圧力差により、ピストン弁4が上昇し、主弁ポート24aが全開となり、一次継手21から二次継手22に流体が流れる。
前記従来のパイロット式電磁弁では、一次側からピストン弁4とピストン室31との隙間を通してピストン弁4の上部のピストン背空間へ流れる流体の流量(通常「Cv値」で表す。)を制御する方法として、ピストンリング44を使用している。しかし、ピストンリング44を使用した場合、部品費の増加となるという問題がある。また、一次側とピストン背空間の差圧が、低差圧の時(例えば0.2MPa以下)の一次側からピストン背空間へ流れるCv値の抑制効果が小さいという問題がある。これは、ピストンリング44はピストン弁4の外周の溝41a内に嵌め込まれており、高差圧のときは、ピストンリング44がピストン室31の内壁31aに摺接することによる封止だけでなく、高圧が一次側からピストンリング44に作用し、当該ピストンリング44は溝41aの側面41a1に押しつけられ、溝41aとピストンリング44との間が完全に封止されるので、一次側からピストン背空間へ流れるCv値は低くなる。しかし、低差圧のときは、ピストンリング44が溝41aの側面41a1に十分に押しつけられないため、図13に矢印で示すように溝41aとピストンリング44との間の漏れ量のCv値は高くなる。また、ピストンリング44とピストン室31の内壁31aとの摩擦抵抗が大きいため、特に低差圧のときに、ピストン弁4の作動が不安定になったり、ピストン弁4が弁開とならないなどの問題がある。
なお、特許文献1及び特許文献2にはピストン弁の外周に溝を形成したものが開示されており、この溝によりある程度、ピストン背空間へ流れるCv値を抑制することができるが、溝の詳細な条件の具体的な構成はなく、改良の余地を残している。
本発明は、上述の如き問題点を解消するためになされたものであり、パイロット式電磁弁において、ピストンリングを使用することなく、一次側からピストン背空間へ流れるCv値を抑制するとともに、部品点数を低減することを課題とする。
請求項1のパイロット式電磁弁は、一次側継手と二次側継手との間の主弁ポートに対向してピストン室内にピストン弁を配設するとともに、ピストン弁のパイロットポートをパイロット弁で開閉し、ピストン室内のピストン背空間の圧力と一次側継手の圧力の差圧を利用して主弁ポートを弁開とするようにしたパイロット式電磁弁において、前記ピストン室の内壁に対向するピストン弁の外周に、軸線Lを中心とするリング状の複数の溝を軸線L方向に併設した複数溝からなるラビリンス構造を設け、前記リング状溝の軸線方向の縦断面形状がV型であって、該V型溝の内面の対向角度である溝角度θ、前記複数溝の各溝の溝深さD、前記複数溝の軸線方向の隣接する溝同士の間隔である溝間隔Pが、
15°≦θ≦40°…(1)
0.2mm≦D≦0.6mm…(2)
0.2mm≦P≦0.6mm…(3)
の条件を満たすことを特徴とする。
15°≦θ≦40°…(1)
0.2mm≦D≦0.6mm…(2)
0.2mm≦P≦0.6mm…(3)
の条件を満たすことを特徴とする。
請求項1のパイロット式電磁弁によれば、上記(1)の条件を満たすのでCv値が低くなり、上記(2)の条件を満たすのでCv値が低くなり、上記(3)の条件を満たすのでCv値が低くなり、全体としてCv値を抑制できる。したがって、ピストンリングを使用することなく、一次側からピストン背空間へ流れるCv値を抑制でき、動作を確実にすることができるとともに、部品点数を低減することができる。
次に、本発明のパイロット式電磁弁の実施形態を図面を参照して説明する。図1は実施形態のパイロット式電磁弁の非通電時の縦断面図、図2は同パイロット式電磁弁のピストン弁を示す図である。この実施形態のパイロット式電磁弁と前記図11に示す従来のパイロット式電磁弁との違いは、実施形態におけるピストン弁1の形状であり、図1において前記図11と同じ要素には同符号を付記してある。図1において、ピストン弁1以外の他の要素の構造及び動作は図11について説明した前述のとおりであり、重複する詳細な説明は省略する。
図1及び図2に示すように、実施形態におけるピストン弁1は、金属製(例えば真鍮)のピストン部11とその下端に配設された樹脂製のシール部12とを有している。ピストン部11の中心にはパイロットポート1aと導通路1bが形成されており、パイロットポート1aは導通路1bを介して二次側継手22に導通される。
また、ピストン室31の内壁31aに対向するピストン弁1(ピストン部11)の外周には、軸線Lを中心とするリング状溝11aが複数形成されており、この複数のリング溝11a,11a,…を軸線L方向に併設することによりラビリンス構造11Aが設けられている。この複数の溝11a,11a,…は、切削加工により形成されたものであり、その軸線L方向の縦断面形状がV型である。
ピストン弁1の径はφ10mm〜40mmであり、ピストン弁1とピストン室31の内壁31aとの隙間は0.01mm〜0.06mmである。そして、実施形態のピストン弁1によれば、図3に示すように、一次側からピストン弁1とピストン室31の内壁31aとの隙間を通ってピストン背空間に流体が流れるが、このとき流体はリング状溝11a内で、溝に沿った周方向に筒状となる渦を巻く。これにより、ピストン背空間への流体の流れが抑えられる。
ラビリンス構造11Aの形状は、図4に示す各形状パラメータにより特定したものである。各形状パラメータは、リング状溝11aのV型溝の内面の対向角度である溝角度θ、前記複数溝の各溝の溝深さD、前記複数溝の軸線L方向の隣接する溝同士の間隔である溝間隔P、溝の数である溝数Nである。
図5は実施形態のパイロット式電磁弁におけるピストン背空間へのCv値(漏れ流量)と、従来のパイロット式電磁弁及び他の例におけるピストン背空間へのCv値とを比較して示す圧力差−Cv値特性である。なお、以下の各グラフは要所サンプリング点での計測を行った結果をソフトウエアでスムージングして得られたものである。また、各測定の基準値は以下のとおりである。
溝角度θ:30°
溝深さD:0.4mm
溝間隔P:0.3mm
ピストン径:φ30mm
溝数N:10
ピストン全長:15mm
溝角度θ:30°
溝深さD:0.4mm
溝間隔P:0.3mm
ピストン径:φ30mm
溝数N:10
ピストン全長:15mm
図5の横軸は一次側の圧力とピストン背空間の圧力との圧力差、縦軸はCv値である。ピストンリング(従来形状)の特性は、高差圧ではピストンリングのシール効果が効いている為、Cv値は低くなるが、前述のようにシール効果の低い低差圧のときに大きなピークができてしまう。このため、特に低差圧時に弁開するときのピストン弁の動作が不安定になる。実施形態の複数のリング状溝11aからなるラビリンス構造11Aを有する場合、高差圧でのCv値はピストンリングタイプと比較して高くなるが、低差圧時のCv値は低い値である。なお、ラビリンス構造無しの場合に比較すれば、実施形態の場合は高差圧でもCv値は低い値である。ピストン弁1を上昇させるために必要な力が発生し難いのは低差圧の時であり、このことを考慮すると、実施形態(本発明)の方が従来のものよりも安定した動作が得られる。
次にラビリンス構造11Aの各形状パラメータを変化させてCv値を測定した検証結果について説明する。
図6は溝角度θを15°〜120°まで変化させたときのCv値の測定結果を示す図である。溝角度θ以外の形状パラメータは前述の測定の基準値(一定)として測定し、縦軸のCv値は溝角度0°(溝無し)のCv値を1.0として規格化した値である。なお、15°以下は切削加工が極めて困難であるため予想線である。この測定結果から、溝角度θが15°以上で40°以下の範囲でCv値が低くなっており、この範囲でCv値の抑制効果が高いことが判明した。
図7は、溝深さDを0.0mm〜0.6mmまで変化させたときのCv値の測定結果を示す図である。溝深さD以外の形状パラメータは前述の測定の基準値(一定)として測定し、縦軸のCv値は溝深さ0mm(溝無し)のCv値を1.0として規格化した値である。この測定結果から、溝深さDは0.2mm以上で0.6mm以下の範囲でCv値が低くなっており、この範囲でCv値の抑制効果が高いことが判明した。
図8は、溝間隔Pを0.0mm〜0.7mmまで変化させたときのCv値の測定結果を示す図である。溝間隔P以外の形状パラメータは前述の測定の基準値(一定)として測定し、縦軸のCv値は溝間隔0mm(溝無し)のCv値を1.0として規格化した値である。この測定結果から、溝間隔Pは0.2mm以上で0.6mm以下の範囲でCv値が低くなっており、この範囲でCv値の抑制効果が高いことが判明した。
図9は、溝数Nを0ヶ〜20ヶまで変化させたときのCv値の測定結果を示す図である。溝数N以外の形状パラメータは前述の測定の基準値(一定)として測定し、縦軸のCv値は溝数0ヶ(溝無し)のCv値を1.0として規格化した値である。この測定結果から、溝数が多いほどCv値が低くなり、Cv値の抑制効果が高くなることが判明した。なお、10ヶ以上では抑制効果は低減してくることも判る。
図10は、ピストン弁の全長を5.0mm〜60.0mmまで変化させたときのCv値の測定結果を示す図である。全長以外の形状パラメータは前述の測定の基準値(一定)として測定し、縦軸のCv値は全長5.0mmのCv値を1.0として規格化した値である。この測定結果から、全長が長いほどCv値が低くなり、Cv値の抑制効果が高くなることが判明した。なお、50.0mm以上では抑制効果は低減してくることも判る。
以上のように、実施形態のパイロット式電磁弁によれば、前記の条件を満たすラビリンス構造11Aにより、ピストンリングを使用することなく、一次側からピストン背空間へ流れるCv値を制御することができ、特に低差圧のときでもピストン弁の安定した動作が得られる。
1 ピストン弁
1a パイロットポート1a
1b 導通路
11 ピストン部
11a リング状溝
11A ラビリンス構造
12 シール部
2 本体部
21 一次側継手
22 二次側継手
24 主弁座
24a 主弁ポート
3 シリンダケース
31 ピストン室
31a 内壁
5 電磁駆動部
51 プランジャチューブ
52 吸引子
53 プランジャ
54 電磁コイル
6 パイロット弁体
6b ニードル部
L 軸線
1a パイロットポート1a
1b 導通路
11 ピストン部
11a リング状溝
11A ラビリンス構造
12 シール部
2 本体部
21 一次側継手
22 二次側継手
24 主弁座
24a 主弁ポート
3 シリンダケース
31 ピストン室
31a 内壁
5 電磁駆動部
51 プランジャチューブ
52 吸引子
53 プランジャ
54 電磁コイル
6 パイロット弁体
6b ニードル部
L 軸線
Claims (1)
- 一次側継手と二次側継手との間の主弁ポートに対向してピストン室内にピストン弁を配設するとともに、ピストン弁のパイロットポートをパイロット弁で開閉し、ピストン室内のピストン背空間の圧力と一次側継手の圧力の差圧を利用して主弁ポートを弁開とするようにしたパイロット式電磁弁において、
前記ピストン室の内壁に対向するピストン弁の外周に、軸線Lを中心とするリング状の複数の溝を軸線L方向に併設した複数溝からなるラビリンス構造を設け、
前記リング状溝の軸線方向の縦断面形状がV型であって、該V型溝の内面の対向角度である溝角度θ、前記複数溝の各溝の溝深さD、前記複数溝の軸線方向の隣接する溝同士の間隔である溝間隔Pが、
15°≦θ≦40°…(1)
0.2mm≦D≦0.6mm…(2)
0.2mm≦P≦0.6mm…(3)
の条件を満たすことを特徴とするパイロット式電磁弁。
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