JP5635499B2 - 放射線コレクタ - Google Patents
放射線コレクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5635499B2 JP5635499B2 JP2011512186A JP2011512186A JP5635499B2 JP 5635499 B2 JP5635499 B2 JP 5635499B2 JP 2011512186 A JP2011512186 A JP 2011512186A JP 2011512186 A JP2011512186 A JP 2011512186A JP 5635499 B2 JP5635499 B2 JP 5635499B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- mirror
- collector
- point
- collected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 170
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0605—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors
- G02B17/061—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
- G02B19/0019—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors)
- G02B19/0023—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors) at least one surface having optical power
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
- G02B19/0047—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
- G02B19/0095—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0694—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror with variable magnification or multiple imaging planes, including multispectral systems
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/064—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements having a curved surface
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
本発明は、放射線コレクタ、特に、約13.5nm(ナノメートル)の波長を有する放射線を集めるように構成されたコレクタに関する。
・EUV放射線は、直接使用するには広すぎる立体角で放射源によって発射されるので、この放射線の一部を、当該放射線の使用に適したスポットおよび当該放射線の使用に適した立体角に集束させることが必要である。
・EUV放射線は、DPP源の前側に位置する前側半分の空間の方向にのみ生成され、後ろ側半分の空間はDPP源自体の部品によって占められる。
・放射線を利用するデバイスを、DPP源によって排出される物質の細片から保護するために、「緩和装置(mitigation device)」と呼ばれる保護システムを、DPP源と当該デバイスとの間に設置することが必要である。
・放射源によって生成される全放射線に対して、集められる放射線の比率を、できるだけ大きくすること。
・コレクタによって生成される集束スポットにおいて、放射線が充分、且つ一様に分布すること。
・放射集束スポットのサイズおよび当該スポットを形成するビームの開口角が、EUV放射線を利用するデバイスと適合性を有すること。
・放射源とその放射線を利用するデバイスとの間に、コレクタを配置すること。
・放射線がコレクタ内へ入射する開口の形状およびサイズが、DPP源とコレクタとの間に設置された緩和装置の構成と適合性を有すること。
・コレクタ自体の全体的なサイズが、コレクタを集積電子回路の製造ラインの既存モジュールに設置するにあたって、適合性を有すること。
・コレクタのミラーの形状が、既存のミラー加工プロセス、特に、ミラーの表面を機械加工するためのプロセス、および反射層を当該表面上に積層するプロセスと適合性を有すること。
・コレクタのユニット当たりの価格が安いこと。特に、現在入手可能な、複数の同心状のシェル(例えば8つのシェル)を有するコレクタと比較して安いこと。
・例えば、適切な層の組み合わせで被覆することによって、入射角のこの厳密な値が実現できるように、一次ミラーを最適化することができる。
・集められた放射線が反射する条件は、一次ミラーのすべての点において同一である。これにより、生成された集束スポットにおいて、放射線がより一様に分布するようになる。
・それゆえ、一次ミラーの製造が容易になる。特に、積層物源を、上記放射源が配置される点またはその点の近くに一次ミラーに対して相対的に配置することによって、一次ミラー上において一様な積層物がより容易に形成可能である。このため、一次ミラー上に積層物を生成するための勾配を設けて反射性能を実現することは不要である。したがって、一次ミラーに物質を積層させる処理は非常に効率的となる。
・図1は、本発明に係るコレクタの実施態様を図示している。
・図2a〜2dはミラーの母線の図であって、本発明に係る、互いに異なる4つのコレクタをそれぞれ図示している。
・図3は、本発明に係るコレクタの改良版を図示している。
・焦点Oと同じ側に位置するミラー1の入射用開口E1は、軸X−Xに対して垂直な平面上に配置され、使用する緩和装置12の全体的なサイズに応じてコレクタ10の出射口に向かってシフトされる。
・焦点Oとは反対側に位置するミラー1の出射用開口S1、および焦点Oと同じ側に位置するミラー2の開口E2は、どちらも、それぞれが一方のミラーのエッジで引き起こす可能性のある相互掩蔽に応じて決定されてもよい。
・コレクタの出射口と同じ側に位置するミラー2の開口S2は、同じくコレクタの出射口と同じ側に位置するミラー1のエッジで反射された放射線をトレースすることによって、配置されてもよい。
Claims (14)
- 放射源によって生成される放射線の一部を集めて、当該集められた放射線の一部を、生成した集束出力ビーム(F)によって形成されるスポット(100)に集束させるように構成された、放射コレクタ(10)であって、
上記コレクタの光軸(X−X)に対してそれぞれが回転対称である一次ミラー(1)および二次ミラー(2)であって、まず当該一次ミラーが、つぎに当該二次ミラーが上記集められた放射線の一部を反射するように構成された、一次ミラー(1)および二次ミラー(2)を備え、
上記一次ミラー(1)は凹型であり、上記コレクタの光軸を含むデバイスの子午面における領域[0.8×R(α);1.2×R(α)]に配置された第1の母線を有し、Rおよびαは当該子午面内の極座標であり、Rは上記放射源が配置される、光軸(X−X)上の点(O)から測定される動径座標であり、αは当該光軸から測定される角座標であり、R(α)は次式(1)によって算出され、
上記二次ミラー(2)は上記子午面において第2の母線を有し、上記一次ミラー(1)によって反射された上記集められた放射線の一部から、上記集束出力ビーム(F)をコレクタから見て上記放射源とは反対側に生成するように構成され、当該二次ミラー(2)の上記第2の母線は上記子午面内のデカルト座標XおよびYを有する複数の点(P2)によって構成され、当該デカルト座標の原点は上記放射源が配置される点(O)であり、Xは上記コレクタの光軸に対応し、
上記第2の母線の各点は領域[0.8×X(α);1.2×X(α)]×[0.8×Y(α);1.2×Y(α)]に配置され、X(α)およびY(α)は次式(2)および(3)によって算出され、
fは上記放射源が配置される点(O)と上記集められた放射線の一部の集束スポット(100)との間の距離であって、上記光軸(X−X)にそって測定され、
Lは上記放射源が配置される点(O)と上記集められた放射線の一部の集束スポット(100)との間における光路の長さであり、上記放射源が配置される点で発生し、まず一次ミラー(1)によって、つぎに二次ミラー(2)によって反射された放射線にそって測定され、
上記一次ミラー(1)が上記式(1)に従い、かつ、上記二次ミラー(2)が上記式(2)および式(3)に従うことによって、上記放射源が配置される点(O)と上記集められた放射線の一部の集束スポット(100)との間では非点収差性を有しない、コレクタ。 - 上記角度iは、20°〜60°である、請求項1に記載のコレクタ。
- 上記角度iは、35°〜45°の範囲外である、請求項1または2に記載のコレクタ。
- さらに、上記一次ミラー(1)の上記第1の母線が、上記子午面内の領域[0.95×R(α);1.05×R(α)]に配置された、請求項1〜3のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記一次ミラー(1)は、上記放射源が配置される点(O)と同じ側に、直径(D)が200mmより大きな入射用開口(E1)を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記二次ミラー(2)は、上記集められた放射線の一部を反射する各点が、当該放射線が60°より大きな入射角(i2)で入射されるように構成された、請求項1〜5のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記第2の母線の各点(P2)は、上記子午面内の領域[0.95×X(α);1.05×X(α)]×[0.95×Y(α);1.05×Y(α)]にある、請求項1〜6のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記集められた放射の一部の集束スポット(100)は、上記光軸(X−X)に対して垂直方向に延びる7mm未満、好ましくは5mm未満の直径(d)を有するようにさらに構成された、請求項1〜7のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記集められた放射の一部の集束スポット(100)を形成する集束出力ビーム(F)は、15°未満、好ましくは10°未満の円錐の半頂角(θ/2)を有するようにさらに構成された、請求項1〜8のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記一次ミラー(1)および上記二次ミラー(2)は、上記放射源によって生成される超紫外線放射を反射するように構成された、請求項1〜9のいずれか一項に記載のコレクタ。
- 上記一次ミラー(1)および上記二次ミラー(2)は、上記放射源によって生成される、13.5nmに等しい波長を有する放射線を反射するように構成された、請求項10に記載のコレクタ。
- 上記一次ミラー(1)は、集束出力ビーム(F)によって形成されるスポット(100)に集束した上記集められた放射線の一部の波長より長い波長を有する、上記放射源によって生成される放射線の他の一部を吸収し、
上記コレクタは、上記一次ミラーを冷却するように構成された冷却システムをさらに備えている、請求項1〜11のいずれか一項に記載のコレクタ。 - 上記二次ミラー(2)は、上記放射源が配置される点(O)とは反対側に開口(S2)を有し、
上記コレクタは、上記放射源によって生成される放射線の他の一部を反射して、当該放射源が配置される点(O)と、上記一次ミラー(1)および上記二次ミラー(2)によって集められた放射線の一部の集束スポットの中心(I)とを光学的に結合させることによって、当該放射線の他の一部を集めるように構成された、上記コレクタの光軸(X−X)に対して回転対称である少なくとも1つの追加的ミラーをさらに備え、
上記追加的ミラーは、上記集められた放射線の他の一部が上記二次ミラーの開口(S2)を通過し、上記コレクタの光軸(X−X)に対して垂直な平面上で、上記一次ミラー(1)および上記二次ミラー(2)によって集められた放射線の一部によって囲まれるようにさらに構成された、請求項1〜12のいずれか一項に記載のコレクタ。 - 上記少なくとも1つの追加的ミラーは、それぞれが上記コレクタの光軸(X−X)に対して回転対称である凹型の楕円体状のミラー(3)および凸型の双曲面状のミラー(4)を含み、まず当該楕円体状のミラーにおいて、つぎに当該双曲面状のミラーにおいて上記放射源によって生成される放射線の他の一部を反射させることによって、当該放射線の他の一部を集めるように構成された、請求項13に記載のコレクタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0853731A FR2932283B1 (fr) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | Collecteur de rayonnement |
FR0853731 | 2008-06-05 | ||
PCT/FR2009/051058 WO2010001015A1 (fr) | 2008-06-05 | 2009-06-04 | Collecteur de rayonnement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011522434A JP2011522434A (ja) | 2011-07-28 |
JP5635499B2 true JP5635499B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=39944307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011512186A Active JP5635499B2 (ja) | 2008-06-05 | 2009-06-04 | 放射線コレクタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110073785A1 (ja) |
EP (1) | EP2286294B1 (ja) |
JP (1) | JP5635499B2 (ja) |
FR (1) | FR2932283B1 (ja) |
WO (1) | WO2010001015A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9057962B2 (en) * | 2010-06-18 | 2015-06-16 | Media Lario S.R.L. | Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source |
DE102011084266A1 (de) | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
DE102012220465A1 (de) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Kollektor |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2198014A (en) * | 1937-07-22 | 1940-04-23 | Harry G Ott | Optical system |
US2819404A (en) * | 1951-05-25 | 1958-01-07 | Herrnring Gunther | Optical image-forming mirror systems having aspherical reflecting surfaces |
US3982824A (en) * | 1971-12-01 | 1976-09-28 | Raytheon Company | Catoptric lens arrangement |
US3790257A (en) * | 1971-12-01 | 1974-02-05 | Raytheon Co | Conductively cooled catoptric lens arrangement |
US3802767A (en) * | 1972-07-03 | 1974-04-09 | Raytheon Co | Catoptric lens arrangement |
US3817605A (en) * | 1973-03-12 | 1974-06-18 | Spector G | Behind mirror focus light gathering device |
US3950079A (en) * | 1974-08-19 | 1976-04-13 | Raytheon Company | Steerable catoptric arrangements |
JPS60226122A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Hitachi Ltd | 光反射鏡および露光装置 |
FR2579752A1 (fr) * | 1985-03-27 | 1986-10-03 | Commissariat Energie Atomique | Spectrometre de fluorescence x comprenant au moins un monochromateur toroidal a spirale logarithmique |
US4968126A (en) * | 1990-02-20 | 1990-11-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | All-optical device and method for remapping images |
DE19932275B4 (de) * | 1999-07-06 | 2005-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Röntgenfluoreszenzanalyse |
JP2004140390A (ja) * | 2003-12-01 | 2004-05-13 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006021419A2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic exposure apparatus |
FR2899698A1 (fr) * | 2006-04-07 | 2007-10-12 | Sagem Defense Securite | Dispositif de collecte de flux de rayonnement electromagnetique dans l'extreme ultraviolet |
US7634052B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-12-15 | Thermo Niton Analyzers Llc | Two-stage x-ray concentrator |
-
2008
- 2008-06-05 FR FR0853731A patent/FR2932283B1/fr active Active
-
2009
- 2009-06-04 US US12/996,029 patent/US20110073785A1/en not_active Abandoned
- 2009-06-04 JP JP2011512186A patent/JP5635499B2/ja active Active
- 2009-06-04 EP EP09772697.0A patent/EP2286294B1/fr active Active
- 2009-06-04 WO PCT/FR2009/051058 patent/WO2010001015A1/fr active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2932283A1 (fr) | 2009-12-11 |
EP2286294A1 (fr) | 2011-02-23 |
FR2932283B1 (fr) | 2010-07-30 |
US20110073785A1 (en) | 2011-03-31 |
WO2010001015A1 (fr) | 2010-01-07 |
EP2286294B1 (fr) | 2016-12-28 |
JP2011522434A (ja) | 2011-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008533752A (ja) | 無収差結像システムおよび結合された非結像光集光器を有する多接合太陽電池 | |
US8895946B2 (en) | Source-collector modules for EUV lithography employing a GIC mirror and a LPP source | |
JP5368478B2 (ja) | レーザ生成プラズマ源の斜入射集光光学系 | |
US6927403B2 (en) | Illumination system that suppresses debris from a light source | |
US20070242799A1 (en) | Illumination system | |
NL2005960C2 (en) | Source-collector module with gic mirror and lpp euv light source. | |
JP2009545181A5 (ja) | ||
JP2002319537A (ja) | 波長が193nm以下の照明光学系のための集光器 | |
CN109917535B (zh) | 制冷型紧凑无遮拦自由曲面光学系统 | |
US7439492B1 (en) | Nondispersive neutron focusing method beyond the critical angle of mirrors | |
WO2005086714A2 (en) | Grazing incidence relays | |
JP5635499B2 (ja) | 放射線コレクタ | |
US20050094764A1 (en) | Collector unit with a reflective element for illumination systems with a wavelength of smaller than 193 nm | |
WO2010144389A2 (en) | Reflective free-form kohler concentrator | |
JP2012216743A (ja) | スペクトル純度フィルタ及びそれを備える極端紫外光生成装置 | |
JP5362076B2 (ja) | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 | |
JP4897039B2 (ja) | 極紫外の電磁放射束を集める装置 | |
US20020021782A1 (en) | Optical assembly for increasing the intensity of a formed X-ray beam | |
US9057962B2 (en) | Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source | |
US11875910B2 (en) | Off-axis capillary x-ray optics | |
US10268118B2 (en) | Extreme ultraviolet light generating apparatus | |
EP2304739B1 (en) | High intensity x-ray beam system | |
JP2016082599A (ja) | 熱光発電装置 | |
JPH1073698A (ja) | レーザプラズマx線用真空紫外分光器 | |
Ehlers et al. | Investigation of aberrations of Kirkpatrick-Baez mirrors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140217 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5635499 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |