JP5633899B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

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Description

本発明は、スピンの横磁化を再収束させるためのＲＦパルスを送信する磁気共鳴イメージング装置に関する。
磁気共鳴イメージング装置では、静磁場不均一（Ｂ０不均一）が原因で、画像に信号強度ムラが現れ、画質が劣化することがある。そこで、静磁場不均一による画像劣化を低減する方法が提案されている（特許文献１参照）。
特開2007−190362号公報
特許文献１には、フリップ角が４５°である２つのＲＦパルスの間に、フリップ角が１８０°、１８０°、−１８０°、および−１８０°の４つのＲＦパルスを順次送信することによって、静磁場不均一による画像劣化を低減する方法が開示されている。しかし、特許文献１の方法では、ＲＦ送信磁場不均一（Ｂ１不均一）による信号強度ムラが発生するという問題もある。
本発明は、上記の事情に鑑み、静磁場不均一やＲＦ送信磁場不均一などの磁場不均一による画質の劣化を低減する磁気共鳴イメージング装置を提供することを目的とする。
上記の問題を解決する本発明の第１の磁気共鳴イメージング装置は、
スピンの横磁化を再収束させるためのＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、および−α２°θ２°を順に送信し（α１°、α２°、−α１°、および−α２°はＲＦパルスのフリップ角、θ１°、θ２°は、ＲＦパルスの位相）、スピンの横磁化を再収束させた後にスピンの横磁化を縦磁化にする磁気共鳴イメージング装置であって、
前記ＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、および−α２°θ２°のフリップ角α１°、α２°、−α１°、および−α２°の組合せは、下記の組合せのうちのいずれかの組合せである磁気共鳴イメージング装置。
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°−Δd1°，180°＋Δd2°，−(180°−Δd1°)，−(180°＋Δd2°)）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°＋Δd1°，−(180°−Δd2°)，−(180°＋Δd1°)，180°−Δd2°）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°−Δd1°)，−(180°＋Δd2°)，180°−Δd1°，180°＋Δd2°)

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°＋Δd1°)，180°−Δd2°，180°＋Δd1°，−(180°−Δd2°)）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°＋Δd1°，180°−Δd2°，−(180°＋Δd1°)，−(180°−Δd2°)）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°−Δd1°，−(180°＋Δd2°)，−(180°−Δd1°)，180°＋Δd2°）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°＋Δd1°)，−(180°−Δd2°)，180°＋Δd1°，180°−Δd2°）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°−Δd1°)，180°＋Δd2°，180°−Δd1°，−(180°＋Δd2°)）

ただし、０°＜Δｄ１°、Δｄ２°＜１８０°
また、本発明の第２の磁気共鳴イメージング装置は、
スピンの横磁化を再収束させるためのＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、α１°θ１°、およびα２°θ２°を順に送信し（α１°およびα２°はＲＦパルスのフリップ角、θ１°、θ２°は、ＲＦパルスの位相）、スピンの横磁化を再収束させた後にスピンの横磁化を縦磁化にする磁気共鳴イメージング装置であって、
前記フリップ角α１°およびα２°の組合せは、下記の組合せのうちのいずれかの組合せである磁気共鳴イメージング装置。
（α１°，α２°）
＝（180°−Δd1°，180°＋Δd2°）

（α１°，α２°）
＝（180°＋Δd1°，−(180°−Δd2°)）

（α１°，α２°）
＝（−(180°−Δd1°)，−(180°＋Δd2°))

（α１°，α２°）
＝（−(180°＋Δd1°)，180°−Δd2°）

（α１°，α２°）
＝（180°＋Δd1°，180°−Δd2°）

（α１°，α２°）
＝（180°−Δd1°，−(180°＋Δd2°)）

（α１°，α２°）
＝（−(180°＋Δd1°)，−(180°−Δd2°)）

（α１°，α２°）
＝（−(180°−Δd1°)，180°＋Δd2°）

ただし、０°＜Δｄ１°、Δｄ２°＜１８０°
本発明では、フリップ角が１８０°（又は−１８０°）からΔd1又はΔd2だけずれたＲＦパルスを用いている。このようなＲＦパルスを用いることによって、Ｂ１不均一による信号強度ムラを低減することができる。
本発明の第１の実施形態の磁気共鳴イメージング装置１のブロック図である。 被検体９の撮像領域ＦＯＶを概略的に示す図である。 動脈血ＡＲを撮像するためのパルスシーケンスの説明図である。 縦磁化調整用シーケンス２１の具体的な構成について説明する図である。 ＲＦパルス90°x、α1°y、α2°y、−α1°y、−α2°y、および−90°xの説明図である。 縦磁化調整用シーケンス２１が実行されている間のスピンの挙動を示す図である。 シミュレーション結果を示すグラフである。 式（１０）で表されるフリップ角の組合せを用いた場合の縦磁化調整用シーケンス２１の一例を示す図である。 シミュレーション結果を示すグラフである。 渦電流を説明する図である。 第３の実施形態における縦磁化調整用シーケンス２１の一例である。 一軸に合成されたクラッシャー勾配パルスＧcrushおよび速度エンコード勾配パルスＧｖを作成する手順の説明図である。 シーケンスの時間τが短縮できる様子を示す図である。 ＲＦパルスα1°yとα2°yとの間に位置する２番目の勾配パルスｇc2を、３番目の勾配パルスｇc3に近づけたときのシーケンスを示す図である。 複数の勾配パルスを移動させたときのシーケンスを示す図である。
以下、発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、以下の形態に限定されることはない。
（１）第１の実施形態
図１は、本発明の第１の実施形態の磁気共鳴イメージング装置（以下、「ＭＲＩ装置」と呼ぶ。ＭＲＩ：Magnetic
Resonance Imaging）１のブロック図である。
ＭＲＩ装置１は、コイルアセンブリ２と、テーブル３と、心拍センサ４と、受信コイル５と、制御装置６と、入力装置７と、表示装置８とを有している。
コイルアセンブリ２は、被検体９が搬入されるボア２１を有している。また、コイルアセンブリ２は、超伝導コイル２２と、勾配コイル２３と、送信コイル２４とを有している。超伝導コイル２２はボア２１内に静磁場Ｂ0を印加する。勾配コイル２３は、ボア２１内に勾配パルスを印加する。送信コイル２４はボア２１内にＲＦパルスを送信する。
テーブル３は、クレードル３１を有している。クレードル３１は、ｚ方向および−ｚ方向に移動するように構成されている。クレードル３１がｚ方向に移動することによって、被検体９がボア２１に搬送される。クレードル３１が−ｚ方向に移動することによって、ボア２１に搬送された被検体９は、ボア２１から搬出される。
心拍センサ４は、被検体９の心拍を検出し、心電信号４ａを生成する。
受信コイル５は磁気共鳴信号を受信する。
制御装置６は、心電信号解析手段６１、コイル制御手段６２、および画像再構成手段６３を有している。
心電信号解析手段６１は、心電信号４ａを解析する。
コイル制御手段６２は、心電信号解析手段６１の解析結果に基づいて、パルスシーケンスＰＳ（後述する図３参照）が実行されるように、勾配コイル２３および送信コイル２４を制御する。
画像再構成手段６３は、受信コイル５が受信した磁気共鳴信号に基づいて、画像を再構成する。
入力装置７は、オペレータ１０の操作に応じて、種々の命令を制御装置６に入力する。
表示装置８は、種々の情報や画像を表示する。
図２は、被検体９の撮像領域ＦＯＶを概略的に示す図である。
図２には、心臓１４、動脈１５、および静脈１６が示されている。動脈血ＡＲは、上流領域ＵＰから、撮像領域ＦＯＶを経由して、下流領域ＤＷに流れる。静脈血ＶＥは、動脈血ＡＲとは反対に、下流領域ＤＷから、撮像領域ＦＯＶを経由して、上流領域ＵＰに流れる。第１の実施形態では、撮像領域ＦＯＶには、被検体９の膝Ｋとその周辺部位が含まれている。以下に、撮像領域ＦＯＶを流れる動脈血ＡＲのＭＲ画像をどのように取得しているかについて説明する。
尚、撮像領域ＦＯＶには、撮像対象である動脈血ＡＲの他に、撮像対象ではない静脈血ＶＥも含まれている。第１の実施形態では、動脈血ＡＲを描出することを考えているので、動脈血ＡＲと一緒に静脈血ＶＥも描出されてしまうと、動脈血ＡＲの血流状態を視認することが困難になる。したがって、撮像対象ではない静脈血ＶＥはできるだけ描出されないようする必要がある。そこで、第１の実施形態では、動脈血ＡＲを撮像する場合、以下のようなパルスシーケンスを実行する。
図３は、動脈血ＡＲを撮像するためのパルスシーケンスの説明図である。
図３（ａ）は、被検体９の心電波形ＥＣＧを示すグラフ、図３（ｂ）は動脈血ＡＲを撮像するためのパルスシーケンスＰＳ、図３（ｃ）は、動脈血ＡＲの縦磁化回復曲線Ｃarと、静脈血ＶＥの縦磁化回復曲線Ｃveを示す図である。
パルスシーケンスＰＳは、心電波形ＥＣＧに同期して実行される。パルスシーケンスＰＳは、縦磁化調整用シーケンス２１、反転パルス２２、およびデータ収集用シーケンス２３を含んでいる。
縦磁化調整用シーケンス２１は、静脈血ＶＥの縦磁化成分ＭｚをＭｚ＝１（又はＭｚ＝１に近い値）のままにしておく一方で、動脈血ＡＲの縦磁化成分ＭｚをＭｚ＝０（又はＭｚ＝０に近い値）に調整するためのシーケンスである。反転パルス２２は、縦磁化調整用シーケンス２１が実行された後の動脈血ＡＲおよび静脈血ＶＥの縦磁化を反転させるためのパルスである。データ収集用シーケンス２３は、ｋスペースを埋めるためのデータを収集するためのシーケンスである。
次に、パルスシーケンスＰＳを実行した場合の静脈血ＶＥおよび動脈血ＡＲのスピンの磁化の挙動について、図３（ｃ）を参照しながら簡単に説明する。
縦磁化調整用シーケンス２１が開始される前の時点ｔａにおいて、静脈血ＶＥおよび動脈血ＡＲの縦磁化成分ＭｚをＭｚ＝１とする。しかし、時点ｔ1において、縦磁化調整用シーケンス２１が実行される。縦磁化調整用シーケンス２１は、静脈血ＶＥの縦磁化成分ＭｚをＭｚ＝１（又はＭｚ＝１に近い値）にするとともに、動脈血ＡＲの縦磁化成分ＭｚをＭｚ＝０（又はＭｚ＝０に近い値）にするためのシーケンスである。したがって、縦磁化調整用シーケンス２１が終了すると、静脈血ＶＥの縦磁化成分ＭｚはＭｚ＝１（又はＭｚ＝１に近い値）であるが、動脈血ＡＲの縦磁化成分ＭｚはＭｚ＝０（Ｍｚ＝０に近い値）になる。尚、縦磁化調整用シーケンス２１の具体的な構成については、後に詳しく説明する。
縦磁化調整用シーケンス２１が終了した後、静脈血ＶＥの縦磁化成分Ｍｚは、反転パルス２２によって、Ｍｚ＝１からＭｚ＝−１に反転し（時点ｔｂ）、その後、再び縦磁化回復し、時点ｔｃにおいてヌルポイントに到達する。
一方、動脈血ＡＲの縦磁化成分Ｍｚは、縦磁化調整用シーケンス２１が終了してから反転パルス２２が送信されるまでの間に、Ｍｚ＝０からＭｚ＝ｍ１にまで回復し、反転パルス２２によって、Ｍｚ＝ｍ１からＭｚ＝−ｍ１に反転する。しかし、縦磁化調整用シーケンス２１と反転パルス２２との間の待ち時間Ｔw1は、非常に短い時間（数msec）であるので、ｍ１の値は、ゼロに近い値である。したがって、−ｍ１の値もゼロに近い値である。Ｍｚ＝−ｍ１に反転した動脈血ＡＲの縦磁化成分Ｍｚは、縦磁化回復し、時点ｔｃにおいてＭｚ＝ｍ２まで回復する。
時点ｔｃにおいて、データ収集シーケンス２３の実行が開始される。
データ収集開始時点ｔｃでは、動脈血ＡＲの縦磁化成分Ｍｚは０．５程度であり、一方、静脈血ＶＥの縦磁化成分Ｍｚは、Ｍｚ＝０である。したがって、データ収集開始時点ｔｃにおいて、データを収集することによって、動脈血ＡＲが強調され、静脈血ＶＥが抑制されたＭＲ画像を得ることができる。
尚、第１の実施形態では、縦磁化調整用シーケンス２１として、後述する図４（ｂ）に示すシーケンスが使用されている。図４に示す構成の縦磁化調整用シーケンス２１を用いることによって、ボア２１（図１参照）内におけるＢ１強度のばらつき（Ｂ１不均一）に起因した信号強度ムラを低減できるという効果がある。このような効果が得られる理由について説明する。
図４は、縦磁化調整用シーケンス２１の具体的な構成について説明する図である。
縦磁化調整用シーケンス２１は、ＲＦパルス90°x、α1°y、α2°y、−α1°y、−α2°y、および−90°xを有している。以下に、各ＲＦパルスについて説明する。
図５は、ＲＦパルス90°x、α1°y、α2°y、−α1°y、−α2°y、および−90°xの説明図である。
ＲＦパルス９０°xは、フリップ角９０°で位相がｘ軸に一致したＲＦパルスであり、時点ｔ1〜ｔ3の間に送信される。ＲＦパルス９０°xの中心時点はｔ2である。
ＲＦパルスα1°y は、フリップ角α1°で位相がｙ軸に一致した（即ち、ｘ軸から９０°ずれた）ＲＦパルスであり、時点ｔ4〜ｔ6の間に送信される。ＲＦパルスα1°yの中心時点はｔ5である。ＲＦパルスα1°yと９０°xとの間の時間間隔Δｔは、Δｔ＝Δｔ1である。尚、フリップ角α1°は、１８０°よりもΔｄ1°だけ小さいフリップ角であり、以下の式（１）で表される。
α1°＝１８０°−Δｄ1° ・・・（１）
ただし０＜Δｄ1°＜１８０°
ＲＦパルスα2°y は、フリップ角α2°で位相がｙ軸に一致した（即ち、ｘ軸から９０°ずれた）ＲＦパルスであり、時点ｔ7〜ｔ9の間に送信される。ＲＦパルスα2°yの中心時点はｔ8である。ＲＦパルスα2°yとα1°yとの間の時間間隔Δｔは、Δｔ＝Δｔ2である。尚、フリップ角α2°は、１８０°よりもΔｄ2°だけ大きいフリップ角であり、以下の式（２）で表される。
α2°＝１８０°＋Δｄ2° ・・・（２）
ただし０＜Δｄ2°＜１８０°
ＲＦパルス−α1°y は、フリップ角−α1°で位相がｙ軸に一致した（即ち、ｘ軸から９０°ずれた）ＲＦパルスであり、時点ｔ10〜ｔ12の間に送信される。ＲＦパルス−α1°yの中心時点はｔ11である。ＲＦパルス−α1°yとα2°yとの間の時間間隔Δｔは、Δｔ＝Δｔ3である。尚、フリップ角−α1°は、フリップ角α1°と符号が反対であるが絶対値が同じフリップ角であり、以下の式（３）で表される。
−α1°＝−（１８０°−Δｄ1°） ・・・（３）
ただし０＜Δｄ1°＜１８０°
ＲＦパルス−α2°y は、フリップ角−α2°で位相がｙ軸に一致した（即ち、ｘ軸から９０°ずれた）ＲＦパルスであり、時点ｔ13〜ｔ15の間に送信される。ＲＦパルス−α2°yの中心時点はｔ14である。ＲＦパルス−α2°yと−α1°yとの間の時間間隔Δｔは、Δｔ＝Δｔ4である。尚、フリップ角−α2°は、フリップ角α2°と符号が反対であるが絶対値が同じフリップ角であり、以下の式（４）で表される。
−α2°＝−（１８０°＋Δｄ2°） ・・・（４）
ただし０＜Δｄ2°＜１８０°
ＲＦパルス−９０°xは、フリップ角−９０°で位相がｘ軸に一致したＲＦパルスであり、時点ｔ16〜ｔ18の間に送信される。ＲＦパルス−９０°xの中心時点はｔ17である。ＲＦパルス−９０°xと−α2°yとの間の時間間隔Δｔは、Δｔ＝Δｔ5である。
また、ＲＦパルス90°x、α1°y、α2°y、−α1°y、−α2°y、および−90°xの時間間隔Δｔ1、Δｔ2、Δｔ3、Δｔ4、およびΔｔ5は、以下の関係が成り立つように設定されている。
Δｔ1：Δｔ2：Δｔ3：Δｔ4：Δｔ5＝１：２：２：２：１
縦磁化調整用シーケンス２１は、図３（ｃ）に示すように、クラッシャー勾配パルスＧcrushと、速度エンコード勾配パルスＧｖも有している。クラッシャー勾配パルスＧcrushは左右方向ＲＬに印加されており、速度エンコード勾配パルスＧｖは、上下方向ＳＩ（図２参照）に印加されている。クラッシャー勾配パルスＧcrushは、左右方向ＲＬに関して、動脈血ＡＲのスピンの横磁化を消失させるために印加されている。速度エンコード勾配パルスＧｖは、上下方向ＳＩに関して、動脈血ＡＲのスピンの位相と静脈血ＶＥのスピンの位相とを１８０°シフトさせるために印加されている。
縦磁化調整用シーケンス２１は、上記のように構成されている。
第１の実施形態では、縦磁化調整用シーケンス２１において、図４に示すように、１８０°からずれたフリップ角を有するＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、−α2°yを用いている。このような縦磁化調整用シーケンス２１を用いることによって、ボア２１（図１参照）内におけるＢ１強度のばらつき（Ｂ１不均一）に起因した信号強度ムラを低減できるという効果がある。以下に、このような効果が得られる理由を説明するために、ボア２１内においてＢ１強度のばらつきが発生したときのスピンの挙動について、図６を参照しながら説明する。
図６は、縦磁化調整用シーケンス２１が実行されている間のスピンの挙動を示す図である。
図６（ａ）は、縦磁化調整用シーケンス２１を示す図、図６（ｂ）および（ｃ）は、ボア２１内における静脈血ＶＥのスピンの挙動を示す図である。
図６（ａ）にはＲＦパルスのみが示されている。また、図６（ｂ）は、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置における静脈血ＶＥのスピンの挙動を示しており、図６（ｃ）は、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％低下する位置における静脈血ＶＥのスピンの挙動を示している。
以下に、図６（ｂ）および（ｃ）のスピンの挙動について説明する。
尚、以下では、説明の便宜上、ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、−α2°yのフリップ角α1°、α2°、−α1°、−α2°は、以下の値であるとする。

α1°＝１５０°（式（１）においてΔｄ1°＝３０°）

α2°＝２２５°（式（２）においてΔｄ2°＝４５°）

−α1°＝−α１°
＝−１５０°（式（３）においてΔｄ1°＝３０°）

−α2°＝−α2°
＝−２２５°（式（４）においてΔｄ2°＝４５°）
（１）図６（ｂ）について（Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置におけるスピンの挙動）
（ｉ）時点ｔａ
時点ｔａでは、縦磁化調整シーケンス２１はまだ開始されていないので、スピンの磁化ベクトルＭ１１はＺ方向の磁化（縦磁化成分）である（スピン状態Ｂ１参照）。
（ii）時点ｔ2（時点ｔ1〜ｔ3）
時点ｔ1〜ｔ3の間にＲＦパルス90°xが送信されるので、スピンはｘ軸を中心にフリップし、スピンの磁化ベクトルＭ１１は、磁化ベクトルＭ１２に変化する（尚、説明の便宜上、スピンは、ＲＦパルス90°xの中心時点ｔ2において、瞬間的にフリップするとする）。ただし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置では、スピンのフリップ角は９０°にはならず、９０°よりも２０％大きい１０８°（＝９０°×１．２）になる（スピン状態Ｂ２参照）。
（ii）時点ｔ2〜ｔ5
時点ｔ2におけるスピンの磁化Ｍ１２は、時間が進むにつれて横磁化の位相が分散し、磁化Ｍ１３となる（スピン状態Ｂ３参照）。
（iii）時点ｔ5（時点ｔ4〜ｔ6）
時点ｔ4〜ｔ6の間にＲＦパルス150°yが送信されるので、スピンはｙ軸を中心にフリップし、スピンの磁化ベクトルＭ１３は、磁化ベクトルＭ１４に変化する（尚、説明の便宜上、スピンは、ＲＦパルス150°yの中心時点ｔ5において、瞬間的にフリップするとする）。ただし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置では、スピンのフリップ角は１５０°にはならず、１５０°よりも２０％大きい１８０°（＝１５０°×１．２）になる（スピン状態Ｂ３参照）。
（iv）時点ｔ5〜ｔ6’
時点ｔ5においてスピンは１８０°フリップしている。したがって、時点ｔ2〜ｔ5（時間Δｔ１）の間に生じたスピンの横磁化の位相の分散は、時点ｔ5〜時点ｔ6’（時間Δｔ１）の間にキャンセルされ、分散したスピンの横磁化は時点ｔ6’において収束し、磁化Ｍ１５となる（スピン状態Ｂ４参照）。
（ｖ）時点ｔ6’〜ｔ8
時点ｔ6’において収束したスピンの磁化Ｍ１５は、時間が進むにつれて横磁化の位相が分散し、磁化Ｍ１６となる（スピン状態Ｂ５参照）。
（vi）時点ｔ8（時点ｔ7〜ｔ9）
時点ｔ7〜ｔ9の間にＲＦパルス225°yが送信されるので、スピンはｙ軸を中心にフリップし、スピンの磁化Ｍ１６は、磁化Ｍ１７に変化する（尚、説明の便宜上、スピンは、ＲＦパルス225°yの中心時点ｔ8において、瞬間的にフリップするとする）。ただし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置では、スピンのフリップ角は２２５°にはならず、２２５°よりも２０％大きい２７０°（＝２２５°×１．２）になる（スピン状態Ｂ５参照）。
（vii）時点ｔ8〜ｔ11
時点ｔ8においてフリップしたスピンの磁化Ｍ１７は、時間が進むにつれて横磁化の位相の分散が進み、磁化Ｍ１８となる（スピン状態Ｂ６参照）。
（viii）時点ｔ11（時点ｔ10〜ｔ12）
時点ｔ10〜ｔ12の間にＲＦパルス−150°yが送信されるので、スピンはｙ軸を中心にフリップし、スピンの磁化Ｍ１８は、磁化Ｍ１９に変化する（尚、説明の便宜上、スピンは、ＲＦパルス−150°yの中心時点ｔ11において、瞬間的にフリップするとする）。ただし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置では、スピンのフリップ角は−１５０°にはならず、−１５０°よりも２０％大きい−１８０°（＝−１５０°×１．２）になる（スピン状態Ｂ６参照）。
（ix）時点ｔ11〜ｔ14
時点ｔ11においてスピンは−１８０°フリップしている。したがって、時点ｔ8〜ｔ11（時間Δｔ３＝２×Δｔ１）の間に生じたスピンの横磁化の位相の分散は、時点ｔ11〜ｔ14（時間Δｔ４＝２×Δｔ１）の間にキャンセルされ、スピンの磁化Ｍ１９は、磁化Ｍ２０に変化する。
（x）時点ｔ14（時点ｔ13〜ｔ15）
時点ｔ13〜ｔ15の間にＲＦパルス−225°yが送信されるので、スピンはｙ軸を中心にフリップし、スピンの磁化ベクトルＭ２０は、磁化ベクトルＭ２１に変化する（尚、説明の便宜上、スピンは、ＲＦパルス−225°yの中心時点ｔ14において、瞬間的にフリップするとする）。ただし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置では、スピンのフリップ角は−２２５°にはならず、−２２５°よりも２０％大きい−２７０°（＝−２２５°×１．２）になる（スピン状態Ｂ７参照）。
（xi）時点ｔ14〜ｔ17
時点ｔ14〜時点ｔ17（時間Δｔ５＝Δｔ１）の間に、時点ｔ6’〜ｔ8（時間Δｔ１）の間に生じたスピンの横磁化の位相の分散がキャンセルされる。したがって、スピンの横磁化は、時点ｔ１７において収束し、磁化Ｍ２２となる（スピン状態Ｂ８参照）。
（xii）時点ｔ17（時点ｔ16〜ｔ18）
時点ｔ16〜ｔ18の間にＲＦパルス−90°xが送信されるので、スピンはｘ軸を中心にフリップし、スピンの磁化Ｍ２２は、磁化Ｍ２３に変化する（尚、説明の便宜上、スピンは、ＲＦパルス−90°xの中心時点ｔ17において、瞬間的にフリップするとする）。ただし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置では、スピンのフリップ角は−９０°にはならず、−９０°よりも２０％大きい−１０８°（＝−９０°×１．２）になる。したがって、磁化Ｍ２３はＺ軸方向を向くので、スピンの縦磁化成分Ｍｚは、Ｍｚ＝１になる（スピン状態Ｂ８参照）。
（ｉ）〜（xii）で説明したように、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置においては、ＲＦパルス150°y（−150°y）がスピンを１８０°（−１８０°）フリップさせている。したがって、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％増大する位置であっても、スピンの縦磁化成分Ｍｚを、Ｍｚ＝１にすることができる（図３に示す縦磁化回復曲線Ｃveの時点ｔ18参照）。
（２）図６（ｃ）について（Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％低下する位置におけるスピンの挙動）
図６（ｃ）におけるスピンの挙動は、図６（ｂ）におけるスピンの挙動と同様に説明することができるので、簡単に説明する。
時点ｔａでは、縦磁化調整シーケンス２１はまだ開始されていないので、スピンの磁化ベクトルＭ３１はＺ方向の磁化（縦磁化成分）である（スピン状態Ｃ１参照）。その後、時点ｔ1〜ｔ3の間にＲＦパルス90°xが送信され、スピンの磁化ベクトルＭ３１は、磁化ベクトルＭ３２に変化する。しかし、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％低下する位置においては、ＲＦパルス90°xが送信されてもスピンのフリップ角は９０°にはならず、９０°よりも２０％小さい７２°（＝９０°×０．８）になる（スピン状態Ｃ２参照）。時点ｔ2におけるスピンの磁化Ｍ３２は、時間が進むにつれて横磁化の位相が分散する。しかし、時点ｔ2〜ｔ8の間に分散したスピンの磁化は、ＲＦパルス225°y（時点ｔ7〜ｔ9）によって、時点ｔ8〜ｔ12’の間に収束する（スピン状態Ｃ６参照）。また、時点ｔ12’〜ｔ14の間に分散したスピンの磁化は、ＲＦパルス−225°y（時点ｔ13〜ｔ15）によって、時点ｔ14〜ｔ17の間に収束する（スピン状態Ｃ８参照）。したがって、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値よりも２０％低下する位置についても、スピンの縦磁化成分Ｍｚを、Ｍｚ＝１にすることができる（図３に示す縦磁化回復曲線Ｃveの時点ｔ18参照）。
図６（ｂ）および（ｃ）の説明から、Ｂ１強度の値がＢ１強度の理想値より２０％増大したり、逆に２０％低下しても、スピンの縦磁化成分Ｍｚは、Ｍｚ＝１になることが分かる。したがって、スピンの縦磁化ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、−α2°yのフリップ角α1°、α2°、−α1°、−α2°を１８０°および−１８０°からずらすことによって、Ｂ１不均一に起因した信号強度ムラを低減することができる。上記の考察を検証するために、縦磁化シーケンス２１を実行した場合の信号強度についてシミュレーションを行った。以下に、このシミュレーションについて説明する。
図７は、シミュレーション結果を示すグラフである。
グラフの横軸は、撮影領域ＦＯＶ内の各画素における送信磁場強度比Ｂ１ｒを示し、縦軸は、撮影領域ＦＯＶ内の各画素における信号強度の積分値Ｓである。
尚、送信磁場強度比Ｂ１ｒは、以下の式で表される。
Ｂ１ｒ＝Ｂ１ｘ／Ｂ１ａ ・・・（５）
ここで、Ｂ１ａ：Ｂ１不均一が存在しないと仮定した場合の送信磁場強度の理想値
Ｂ１ｘ：Ｂ１不均一が存在している場合の撮影領域ＦＯＶ内の各画素における送信磁場強度
したがって、撮影領域ＦＯＶの所定の画素における送信磁場強度Ｂ１ｘが、送信磁場強度の理想値Ｂ１ａに一致する場合、その所定の画素においては、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１となる。しかし、撮影領域ＦＯＶの所定の画素における送信磁場強度Ｂ１ｘが、送信磁場強度の理想値Ｂ１ａからずれる場合、その所定の画素においては、送信磁場強度比Ｂ１ｒ≠１となる。具体的には、撮影領域ＦＯＶの所定の画素における送信磁場強度Ｂ１ｘが、送信磁場強度の理想値Ｂ１ａよりも大きくなる場合、その所定の画素においては、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＞１となる。例えば、撮影領域ＦＯＶの所定の画素における送信磁場強度Ｂ１ｘが、送信磁場強度の理想値Ｂ１ａよりも２０％大きくなる場合、その所定の画素においては、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１．２となる。一方、撮影領域ＦＯＶの所定の画素における送信磁場強度Ｂ１ｘが、送信磁場強度の理想値Ｂ１ａよりも小さくなる場合、その所定の画素においては、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＜１となる。例えば、撮影領域ＦＯＶの所定の画素における送信磁場強度Ｂ１ｘが、送信磁場強度の理想値Ｂ１ａよりも２０％小さくなる場合、その所定の画素においては、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝０．８となる。
グラフには、送信磁場強度比Ｂ１ｒと信号強度の積分値Ｓとの関係を表す３本のラインＬ１、Ｌ２、およびＬ３が示されている。３本のラインＬ１、Ｌ２、およびＬ３のシミュレーション条件では、ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、−α2°yのフリップ角α1°、α2°、−α1°、−α2°の値が異なっている。３本のラインＬ１、Ｌ２、およびＬ３におけるフリップ角α1°、α2°、−α1°、−α2°の値は、以下の通りである。
（１）ラインＬ１
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（１８０°，１８０°，−１８０°，−１８０°） ・・・（６）

（２）ラインＬ２
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（１５０°，２２５°，−１５０°，−２２５°） ・・・（７）

（３）ラインＬ３
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（１３８°，２５７°，−１３８°，−２５７°） ・・・（８）
図７には、ラインＬ１、Ｌ２、およびＬ３ごとに、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１の付近において信号強度の積分値Ｓが０．８以上になる送信磁場強度比Ｂ１ｒの範囲ΔＲ１、ΔＲ２、およびΔＲ３が示されている。
各ラインＬ１、Ｌ２、およびＬ３における送信磁場強度比Ｂ１ｒの範囲ΔＲ１、ΔＲ２、およびΔＲ３を比較すると、ラインＬ２およびＬ３の範囲ΔＲ２およびΔＲ３が、ラインＬ１の範囲ΔＲ１よりも広くなっている。したがって、フリップ角（α１°，α２°，−α１°，−α２°）を１８０°および−１８０°からずらすことによって、Ｂ１不均一による信号強度ムラを低減できることが分かる。
尚、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１では、ラインＬ２およびＬ３は、ラインＬ１よりも、信号強度の積分値Ｓが小さくなっている。しかし、ラインＬ２およびＬ３でも、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１における信号強度の積分値Ｓは、Ｓ＞０．８であるので、信号強度としては十分な大きさを有していると考えられる。したがって、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１において信号強度の積分値ＳがＳ＜１であっても、Ｂ１不均一による信号強度ムラを十分に低減することができる。
上記の説明では、静脈血ＶＥについて述べられているが、動脈血ＡＲの場合についても、同様に、Ｂ１不均一による信号強度ムラを十分に低減することができる。尚、静脈血ＶＥよりも十分に早い流速で流れる動脈血ＡＲは、クラッシャー勾配パルスＧcrushおよび速度エンコード勾配パルスＧｖによって横磁化が打ち消しあうので、最後のＲＦパルス−90°xが送信されるまでに、横磁化が十分に小さくなる。したがって、ＲＦパルス−90°xが送信されても、動脈血ＡＲの縦磁化成分Ｍｚは、Ｍｚ＝０（又はＭｚ＝０に近い値）になる（図３に示す縦磁化回復曲線Ｃarの時点ｔ18参照）。
上記のように、縦磁化調整用シーケンス２１を使用することによって、流速の異なる静脈血ＶＥおよび動脈血ＡＲの両方について、Ｂ１不均一による信号強度ムラを十分に低減することができ、高品質な画像を得ることができる。
（２）第２の実施形態
第１の実施形態では、ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、−α2°yのフリップ角α１°、α２°、−α１°、および−α２°は、式（１）〜（４）で表されている。これらの式（１）〜（４）をまとめると、フリップ角α１°、α２°、−α１°、および−α２°の組合せは、以下の式（９）で表される。
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°−Δd1°，180°＋Δd2°，−(180°−Δd1°)，−(180°＋Δd2°)） ・・・（９）
しかし、フリップ角α１°、α２°、−α１°、および−α２°の組合せは、式（５）とは異なる別の組合せであってもよい。第２の実施形態では、フリップ角α１°、α２°、−α１°、および−α２°の別の組合せとして、以下の式（１０）で表される組合せを用いた場合について説明する。
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°＋Δd1°，−(180°−Δd2°)，−(180°＋Δd1°)，180°−Δd2°） ・・・（１０）
ただし、０°＜Δｄ１°、Δｄ２°＜１８０°
図８は、式（１０）で表されるフリップ角の組合せを用いた場合の縦磁化調整用シーケンス２１の一例を示す図である。
図８では、式（１０）のΔd1°およびΔd2°に、それぞれΔd1°＝２０°、Δd2°＝４０°を代入したときの値が用いられている（以下の式（１０）’参照）。
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°＋Δd1°，−(180°−Δd2°)，−(180°＋Δd1°)，180°−Δd2°）
＝（２００°，−１４０°，−２００°，１４０°） ・・・（１０）’
次に、式（１０）’で表されるフリップ角を用いた場合のＢ１不均一による信号強度ムラを調べるためのシミュレーションを行った。以下に、このシミュレーションについて説明する。
図９は、シミュレーション結果を示すグラフである。
グラフには、送信磁場強度比Ｂ１ｒと信号強度の積分値Ｓとの関係を表す２本のラインＬ１およびＬ４が示されている。
ラインＬ１は、図７に示すラインＬ１と同じであり、フリップ角（１８０°，１８０°，−１８０°，−１８０°）を用いたときのシミュレーション結果である。一方、ラインＬ４は、式（１０）’で表されるフリップ角（２００°，−１４０°，−２００°，１４０°）を用いたときのシミュレーション結果である。
図９には、ラインＬ１およびＬ４ごとに、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１の付近において信号強度の積分値Ｓが０．８以上になる送信磁場強度比Ｂ１ｒの範囲ΔＲ１およびΔＲ４が示されている。
各ラインＬ１およびＬ４における送信磁場強度比Ｂ１ｒの範囲ΔＲ１およびΔＲ４を比較すると、ラインＬ４の範囲ΔＲ４が、ラインＬ１の範囲ΔＲ１よりも広くなっている。したがって、第２の実施形態でも、第１の実施形態と同様に、Ｂ１不均一による信号強度ムラを低減することができる。
尚、３Ｔ（テスラ）の磁気共鳴イメージング装置で被検体を撮影する場合、被検体の体表面から被検体の内部の中心に近づくにつれて、送信磁場強度比Ｂ１ｒが大きくなる傾向がある。したがって、３Ｔ（テスラ）の磁気共鳴イメージング装置で被検体を撮影する場合、被検体の内部の中心付近においても高品質な画像が得られるようにするには、送信磁場強度比Ｂ１ｒの値が大きくなっても、信号強度の積分値Ｓはできるだけ大きい値を有していることが望まれる。しかし、ラインＬ１では、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１．３を越えた辺りから、信号強度の積分値Ｓが０．８よりも小さくなってしまう。これに対して、ラインＬ４では、送信磁場強度比Ｂ１ｒ＝１．６付近まで、信号強度の積分値Ｓを０．８以上にすることができる。したがって、３Ｔ（テスラ）の磁気共鳴イメージング装置で被検体を撮影する場合、フリップ角（２００°，−１４０°，−２００°，１４０°）を用いることによって、被検体の内部の中心付近でも、Ｂ１不均一による信号強度ムラを効率よく低減することができる。
第１の実施形態では、式（９）で表されるフリップ角（α１°，α２°，−α１°，−α２°）の組合せを使用しており、第２の実施形態では、式（１０）で表されるフリップ角（α１°，α２°，−α１°，−α２°）の組合せを使用している。しかし、フリップ角の組合せは、式（９）および（１０）に限定されることはない。例えば、以下の式（１１）〜（１６）で表されるフリップ角の組合せを使用することができる。
（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°−Δd1°)，−(180°＋Δd2°)，180°−Δd1°，180°＋Δd2°） ・・・（１１）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°＋Δd1°)，180°−Δd2°，180°＋Δd1°，−(180°−Δd2°)） ・・・（１２）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°＋Δd1°，180°−Δd2°，−(180°＋Δd1°)，−(180°−Δd2°)） ・・・（１３）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（180°−Δd1°，−(180°＋Δd2°)，−(180°−Δd1°)，180°＋Δd2°） ・・・（１４）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°＋Δd1°)，−(180°−Δd2°)，180°＋Δd1°，180°−Δd2°） ・・・（１５）

（α１°，α２°，−α１°，−α２°）
＝（−(180°−Δd1°)，180°＋Δd2°，180°−Δd1°，−(180°＋Δd2°)） ・・・（１６）
また、第１および第２の実施形態では、フリップ角の組合せとして（α１°，α２°，−α１°，−α２°）が使用されている。しかし、（α１°，α２°，−α１°，−α２°）の代わりに、（α１°，α２°，α１°，α２°）の組合せを使用してもよい。
更に、第１および第２の実施形態では、ＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、−α２°θの位相θ１°およびθ２°は、θ１°＝θ２°＝ｙである（即ち、ｘ軸に対して９０°ずれたｙ軸に一致している）。しかし、ＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、−α２°θ２°の位相θ１°およびθ２°は、ｘ軸に対して９０°ずれたｙ軸に一致している必要は無く、例えば、ｘ軸に対してθ°（０≦θ°＜９０°）ずれた位相としてもよい。また、θ１°＝θ２°である必要は無く、θ１°≠θ２°であってもよい。
（３）第３の実施形態
第３の実施形態を説明するに当たり、先ず、クラッシャー勾配パルスＧcrushと、速度エンコード勾配パルスＧｖにより発生する渦電流について説明する。
図１０は、渦電流を説明する図である。
図１０において、勾配パルスの直後に示した斜線の部分が、渦電流の発生を概略的に表している。渦電流によって、画像にシェーディングが発生することがある。図１０では、クラッシャー勾配パルスＧcrushによる渦電流と、速度エンコード勾配パルスＧｖによる渦電流とが発生するので、クラッシャー勾配パルスＧcrushの渦電流に起因したシェーディングと、速度エンコード勾配パルスＧｖの渦電流に起因したシェーディングが考えられる。しかし、クラッシャー勾配パルスＧcrushの渦電流は、ＲＦパルス90°xと−90°xとの間に存在する４つのリフォーカスパルス（ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、および−α2°y）全てに影響を与えるので、画像にシェーディングを発生させる原因にはほとんどならないと考えられる。これに対して、速度エンコード勾配パルスＧｖの渦電流は、３番目のリフォーカスパルス（ＲＦパルス−α1°y）にのみ影響を与えるので、画像にシェーディングを発生させる原因になり得る。速度エンコード勾配パルスＧｖの渦電流に起因したシェーディングを低減するためには、速度エンコード勾配パルスＧｖの２番目のパルスｇv2により発生する渦電流がゼロに近づくのを待って、３番目のリフォーカスパルス（ＲＦパルス−α1°y）が送信されるようにすればよい。しかし、この場合、速度エンコード勾配パルスＧｖの２番目のパルスｇv2により発生する渦電流がゼロに近づくのを待つ必要があるので、２番目のパルスｇv2とＲＦパルス−α1°yとの間の待ち時間Δτ０をある程度長くする必要がある。また、上記のように、ＲＦパルスの時間間隔Δｔ1、Δｔ2、Δｔ3、Δｔ4、およびΔｔ5は、１：２：２：２：１の関係が成り立つように設定するので、待ち時間Δτ０を長くすると、それに伴って、ＲＦパルスの時間間隔Δｔ1、Δｔ2、Δｔ3、Δｔ4、およびΔｔ5を長くする（つまり、シーケンスの時間τを長くする）必要がある。したがって、シーケンスの時間τを短くしたいような場合に対処することができないという問題がある。そこで、第３の実施形態では、シェーディングを低減し、更にシーケンスの時間τを短くすることが可能な縦磁化調整用シーケンス２１（図３参照）について説明する。
図１１は、第３の実施形態における縦磁化調整用シーケンス２１の一例である。
第３の実施形態では、クラッシャー勾配パルスＧcrushと、速度エンコード勾配パルスＧｖは、一軸に合成されている。以下に、一軸に合成されたクラッシャー勾配パルスＧcrushおよび速度エンコード勾配パルスＧｖを作成する手順について、図１２を参照しながら説明する。
図１２は、一軸に合成されたクラッシャー勾配パルスＧcrushおよび速度エンコード勾配パルスＧｖを作成する手順の説明図である。
図１２（ａ）は、ＲＦパルスを示す図、図１２（ｂ）は、合成する前のクラッシャー勾配パルスＧcrushを示す図、図１２（ｃ）は、合成する前の速度エンコード勾配パルスＧｖを示す図、図１２（ｄ）は、一軸に合成されたクラッシャー勾配パルスＧcrushおよび速度エンコード勾配パルスＧｖを示す図である。
合成する前の速度エンコード勾配パルスＧｖ（図１２（ｃ）参照）は、負の勾配パルスｇv1と、正の勾配パルスｇv2とを有している。負の勾配パルスｇv2は、合成する前のクラッシャー勾配パルスＧcrushの４番目の勾配パルスｇc4と同じ時刻に印加されている。しかし、正の勾配パルスｇv2は、合成する前のクラッシャー勾配パルスＧcrushの５番目の勾配パルスｇc5よりも、時間Δτ１だけ先に印加されている。したがって、図１２（ｂ）に示すクラッシャー勾配パルスＧcrushと、図１２（ｃ）に示す速度エンコード勾配パルスＧｖとを一軸に合成すると、図１２（ｄ）に示す一軸に合成されたクラッシャー勾配パルスＧcrushおよび速度エンコード勾配パルスＧｖ（以下、「合成勾配パルスＧcrush＋Ｇｖ」と呼ぶ）が得られる。
合成勾配パルスＧcrush＋Ｇｖは、クラッシャー勾配パルスＧcrushの４番目の勾配パルスｇc4を、速度エンコード勾配パルスＧｖの正の勾配パルスｇv2の位置に移動させる（５番目の勾配パルスｇc5に近づける）ことによって、得ることができる。
クラッシャー勾配パルスＧcrushと速度エンコード勾配パルスＧｖとを一軸に合成しても、速度エンコード勾配パルスＧｖの効果はそのまま維持することができる。また、図１２（ａ）および（ｄ）を参照すると、合成勾配パルスＧcrush＋Ｇｖによる渦電流は、４つのリフォーカスパルス（ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、および−α2°y）の全てに対して均等に影響を与えることがわかる。したがって、渦電流がゼロになるのを待たなくても、４つのリフォーカスパルス（ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、および−α2°y）を送信することができ、シーケンスの時間τを短縮することができる（図１３参照）。
図１３は、シーケンスの時間τが短縮できる様子を示す図である。
図１３（ａ）は、シーケンスの時間τを短縮する前の縦磁化調整用シーケンス２１を示す図、図１３（ｂ）は、シーケンスの時間τを短縮した後の縦磁化調整用シーケンス２１を示す図である。
合成勾配パルスＧcrush＋Ｇｖによる渦電流は、４つのリフォーカスパルス（ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、および−α2°y）の全てに対して均等に影響を与える。したがって、各リフォーカスパルス（ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、および−α2°y）と直前の勾配パルスとの時間間隔Δｍを短くしても、画像にシェーディングを発生させる原因にはほとんどならないと考えられる。このため、必要に応じて、図１３（ｂ）に示すように、ＲＦパルスの間隔、および勾配パルスの間隔を狭めることができ、シーケンスの時間τを短縮することができる。
尚、第３の実施形態では、４個のリフォーカスパルス（ＲＦパルスα1°y、α2°y、−α1°y、および−α2°y）について説明されているが、リフォーカスパルスの数は、例えば、８個や１６個でもよく、４個に限定されることはない。
また、第３の実施形態では、図１３に示すように、ＲＦパルスα2°yと−α1°yとの間に位置する勾配パルスｇc4を、５番目の勾配パルスｇc5に近づけている。しかし、図１４に示すように、ＲＦパルスα1°yとα2°yとの間に位置する２番目の勾配パルスｇc2を、３番目の勾配パルスｇc3に近づけるなど、別の勾配パルスを移動させてもよい。また、図１５に示すように、複数の勾配パルスを移動させてもよい。
１ ＭＲＩ装置
２ コイルアセンブリ
３ テーブル
４ 受信コイル
５ 制御装置
６ 入力装置
７ 表示装置

Claims (10)

  1. スピンの横磁化を再収束させるためのＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、および−α２°θ２°を順に送信し（α１°、α２°、−α１°、および−α２°はＲＦパルスのフリップ角、θ１°、θ２°は、ＲＦパルスの位相）、スピンの横磁化を再収束させた後にスピンの横磁化を縦磁化にする磁気共鳴イメージング装置であって、

    前記ＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、および−α２°θ２°のフリップ角α１°、α２°、−α１°、および−α２°の組合せは、下記の組合せのうちのいずれかの組合せである磁気共鳴イメージング装置。

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（180°−Δd1°，
    180°＋Δd2°，−(180°−Δ
    d1°)，−(180°＋Δ
    d2°)）

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（180°＋Δd1°，−
    (180°−Δd2°)，−
    (180°＋Δd1°)，
    180°−Δd2°）

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（−(180°−Δd1°
    )，−(180°＋Δd2°
    )，180°−Δd1°，
    180°＋Δd2°)

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（−(180°＋Δd1°
    )，180°−Δd2°，
    180°＋Δd1°，−(180°−Δ
    d2°)）

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（180°＋Δd1°，
    180°−Δd2°，−(180°＋Δ
    d1°)，−(180°−Δ
    d2°)）

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（180°−Δd1°，−
    (180°＋Δd2°)，−
    (180°−Δd1°)，
    180°＋Δd2°）

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（−(180°＋Δd1°
    )，−(180°−Δd2°
    )，180°＋Δd1°，
    180°−Δd2°）

    （α１°，α２°，−α１°，−α２°）
    ＝（−(180°−Δd1°
    )，180°＋Δd2°，
    180°−Δd1°，−(180°＋Δ
    d2°)）

    ただし、０°＜Δｄ１°＜１８０°及び ０°＜Δｄ２°＜１８０°
  2. 前記ＲＦパルスα１°θ１°の前に、スピンの縦磁化を横磁化にするためのＲＦパルスβ°δ°（β°はフリップ角、δ°はＲＦパルスの位相）を送信し、

    前記ＲＦパルス−α２°θ２°の後に、再収束したスピンの横磁化を縦磁化に回復させる磁気共鳴イメージングスピンの縦磁化を横磁化にするためのＲＦパルス−β°δ°（−β°はフリップ角、δ°はＲＦパルスの位相）を送信する、請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  3. 前記ＲＦパルスβδ°の中心時点と前記ＲＦパルスα１°θ１°の中心時点との間の時間間隔に対して、

    前記ＲＦパルスα１°θ１°の中心時点と前記ＲＦパルスα２°θ２°の中心時点との間の時間間隔が２倍であり、

    前記ＲＦパルスα２°θ２°の中心時点と前記ＲＦパルス−α１°θ１°の中心時点との間の時間間隔が２倍であり、

    前記ＲＦパルス−α１°θ１°の中心時点と前記ＲＦパルス−α２°θ２°の中心時点との間の時間間隔が２倍であり、

    前記ＲＦパルス−α２°θ２°の中心時点と前記ＲＦパルス−βδ°の中心時点との間の時間間隔が同じである、請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  4. 第１の流速で流れるスピンの位相と、前記第１の流速よりも速い第２の流速で流れるスピンの位相とを１８０°シフトさせるための速度エンコード勾配パルス、又は

    前記第２の流速で流れるスピンの横磁化を消失させるためのクラッシャー勾配パルス、
    を印加する、請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  5. 第１の流速で流れるスピンの位相と、前記第１の流速よりも速い第２の流速で流れるスピンの位相とを１８０°シフトさせるための速度エンコード勾配パルスと、

    前記第２の流速で流れるスピンの横磁化を消失させるためのクラッシャー勾配パルスと、
    を印加する、請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  6. 前記速度エンコード勾配パルスは、被検体の所定方向に印加され、
    前記クラッシャー勾配パルスは、被検体の前記所定方向とは異なる他の方向に印加されている、請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  7. 前記速度エンコード勾配パルスと前記クラッシャー勾配パルスは、一軸に合成されている、請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  8. 前記ＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、−α１°θ１°、および−α２°θ２°の位相θ１°およびθ２°は、前記被検体の体軸方向であるｚ軸方向に垂直な前記被検体の前後方向（ＡＰ方向）のｙ軸に一致している、請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  9. 前記ＲＦパルスβδ°および−βδ°の位相δは、前記被検体の体軸方向であるｚ軸方向に垂直な前記被検体の左右方向（ＲＬ方向）のｘ軸に一致している、請求項２〜８のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  10. スピンの横磁化を再収束させるためのＲＦパルスα１°θ１°、α２°θ２°、α１°θ１°、およびα２°θ２°を順に送信し（α１°およびα２°はＲＦパルスのフリップ角、θ１°、θ２°は、ＲＦパルスの位相）、スピンの横磁化を再収束させた後にスピンの横磁化を縦磁化にする磁気共鳴イメージング装置であって、

    前記フリップ角α１°およびα２°の組合せは、下記の組合せのうちのいずれかの組合せである磁気共鳴イメージング装置。

    （α１°，α２°）
    ＝（180°−Δd1°，
    180°＋Δd2°）

    （α１°，α２°）
    ＝（180°＋Δd1°，−
    (180°−Δd2°)）


    （α１°，α２°）
    ＝（−(180°−Δd1°
    )，−(180°＋Δd2°
    ))

    （α１°，α２°）
    ＝（−(180°＋Δd1°
    )，180°−Δd2°）


    （α１°，α２°）
    ＝（180°＋Δd1°，
    180°−Δd2°）

    （α１°，α２°）
    ＝（180°−Δd1°，−
    (180°＋Δd2°)）


    （α１°，α２°）
    ＝（−(180°＋Δd1°
    )，−(180°−Δd2°
    )）

    （α１°，α２°）
    ＝（−(180°−Δd1°
    )，180°＋Δd2°）


    ただし、０°＜Δｄ１°＜１８０°及び ０°＜Δｄ２°＜１８０°
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