JP5632655B2 - 屈折率変調構造及びled素子 - Google Patents
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Description
d・n1・(sinθin−sinθref)=m・λ・・・(1)
である。ここで、n1は入射側の媒質の屈折率、λは入射する光の波長、mは整数である。本実施形態では、n1は、バッファ層110の屈折率となる。
d・(n1・sinθin−n2・sinθout)=m’・λ・・・(2)
である。ここで、n2は出射側の媒質の屈折率であり、m’は整数である。本実施形態では、n2は、モスアイ構造層106の屈折率となる。すなわち、モスアイ構造層106の屈折率が変化すると、光の透過条件が変化する。
102 サファイア基板
104 第1電極層
106 モスアイ構造層
107 凸部
108 第2電極層
110 バッファ層
112 n型GaN層
114 多重量子井戸活性層
116 電子ブロック層
118 p型GaN層
119 半導体積層部
120 p側電極
122 反射面
124 n側電極
126 屈折率変調用電極
200 LED素子
205 シード結晶層
206 モスアイ構造層
208 第2電極層
300 LED素子
302 SiC基板
306 モスアイ構造層
307 凸部
308 第2電極層
310 バッファ層
312 n型GaN層
314 多重量子井戸活性層
316 電子ブロック層
318 p型GaN層
320 p側電極
324 n側電極
326 パッド電極
Claims (4)
- 基板と、発光層と、前記発光層に電圧を印加する発光用のアノード電極及びカソード電極と、を備えたLED素子において、
前記基板と前記発光層の間に介在し、表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造層と、
発光用の前記アノード電極及び前記カソード電極と別個に設けられた屈折率変化用電極と、を有し、
前記モスアイ構造層は、前記屈折率変化用電極と、発光用の前記アノード電極及び前記カソード電極の一方とにより電圧を印加されると、当該モスアイ構造層の材料の屈折率が変化されるよう構成されるLED素子。 - 基板と、発光層と、前記発光層に電圧を印加するアノード電極及びカソード電極と、を備えたLED素子において、
前記基板について前記発光層と反対側に配置され、表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造層と、
発光用の前記アノード電極及び前記カソード電極と別個に設けられた屈折率変化用電極と、を有し、
前記モスアイ構造層は、前記屈折率変化用電極と、発光用の前記アノード電極及び前記カソード電極の一方とにより電圧を印加されると、当該モスアイ構造層の材料の屈折率が変化されるよう構成されるLED素子。 - 前記モスアイ構造層の前記材料は、圧電性を有する等方性結晶である請求項1または2に記載のLED素子。
- 前記発光層と前記モスアイ構造層は、ともにIII属窒化物半導体からなる請求項1から3のいずれか1項に記載のLED素子。
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