JP5631068B2 - Charged particle beam lithography system - Google Patents

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Description

本発明は、図形パターンを試料に描画する荷電粒子ビーム描画装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus for drawing a graphic pattern on a sample.

半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するために、リソグラフィー技術が用いられる。リソグラフィー技術では、マスク(レチクル)と称される原画パターンを使ったパターンの転写が行われる。そして、高精度なレチクルを製造するために、優れた解像度を有する電子ビーム(電子線)描画技術が用いられる。   Lithography technology is used to form a desired circuit pattern on a semiconductor device. In lithography technology, a pattern is transferred using an original pattern called a mask (reticle). In order to manufacture a highly accurate reticle, an electron beam (electron beam) drawing technique having excellent resolution is used.

このような、電子ビーム描画装置では、電子線源(電子銃)で発生させた電子ビームをマスクに照射する際に電子ビームの軌道や照射位置等を電界により制御するための偏向電極を備えている。そして、この偏向電極に電圧を印加するための偏向アンプが備えられている(特許文献1参照)。   Such an electron beam drawing apparatus includes a deflection electrode for controlling the trajectory and irradiation position of an electron beam by an electric field when the mask is irradiated with an electron beam generated by an electron beam source (electron gun). Yes. A deflection amplifier for applying a voltage to the deflection electrode is provided (see Patent Document 1).

電子ビーム描画装置には生産性を向上するために描画速度の高速化が要求される。そして、描画速度の高速化のためには試料上のビーム位置の制定時間の短縮が要求される。また、メインテナンスに要する時間の短縮も生産性の向上に寄与することから、メインテナンス性の向上も同時に要求される。   An electron beam drawing apparatus is required to increase the drawing speed in order to improve productivity. In order to increase the writing speed, it is required to shorten the establishment time of the beam position on the sample. Further, since shortening the time required for maintenance also contributes to improvement in productivity, improvement in maintenance is also required at the same time.

特開2007−142100号公報JP 2007-142100 A

本発明は、描画速度の高速化とメインテナンス性の向上が図られた荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a charged particle beam drawing apparatus in which writing speed is increased and maintenance is improved.

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、内部を真空雰囲気に保持可能な真空容器と、前記真空容器を覆う鏡筒と、前記真空容器の一端に設けられ、荷電粒子を発生させる荷電粒子線源と、前記真空容器内に設けられ、前記荷電粒子線源で発生する荷電粒子の軌道を制御する偏向電極と、前記真空容器外に設けられ、少なくとも一部が前記鏡筒内に有り、回路基板と、前記回路基板を内部に納めるシールドケースと、前記シールドケースに面的に接する放熱部材を有し、前記真空容器に対し着脱可能で、前記偏向電極に電圧を印加する偏向アンプと、前記真空容器外に設けられ、前記偏向電極と前記偏向アンプを電気的に接続するための接続部と、着脱時に前記偏向アンプを支持し、前記偏向アンプの着脱を容易にするガイド部と、前記鏡筒外に設けられ、前記放熱部材に接する冷却器と、を備えることを特徴とする。
A charged particle beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes a vacuum container capable of maintaining an inside in a vacuum atmosphere, a lens barrel that covers the vacuum container, and a charged particle that is provided at one end of the vacuum container and generates charged particles. A radiation source, a deflection electrode provided in the vacuum vessel, for controlling a trajectory of charged particles generated in the charged particle beam source, and provided outside the vacuum vessel, at least a part being in the lens barrel, A circuit board; a shield case that houses the circuit board; a heat dissipation member that is in surface contact with the shield case; detachable from the vacuum vessel; and a deflection amplifier that applies a voltage to the deflection electrode; provided outside the vacuum vessel, a connecting portion for electrically connecting said deflection amplifier and the deflection electrode, and a guide portion for said deflection amplifier supported upon removable to facilitate detachment of the deflection amplifier, wherein Provided outside the cylinder, characterized in that it comprises a cooler in contact with the heat radiating member.

上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、放熱部材がヒートパイプであることが望ましい。   In the charged particle beam drawing apparatus according to the above aspect, it is desirable that the heat dissipation member is a heat pipe.

上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、接続部が真空容器の側壁に設けられ、偏向アンプと偏向電極が真空容器外では電力ケーブルを介さずに接続されることが望ましい。   In the charged particle beam drawing apparatus of the above aspect, it is desirable that the connection portion is provided on the side wall of the vacuum vessel, and the deflection amplifier and the deflection electrode are connected outside the vacuum vessel without going through the power cable.

上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、偏向アンプと偏向電極の距離が20cm以下であることが望ましい。   In the charged particle beam drawing apparatus of the above aspect, the distance between the deflection amplifier and the deflection electrode is desirably 20 cm or less.

本発明によれば、描画速度の高速化とメインテナンス性の向上が図られた荷電粒子ビーム描画装置を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the charged particle beam drawing apparatus with which the drawing speed was increased and the maintenance property was improved.

実施の形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the electron beam drawing apparatus of embodiment. 実施の形態の偏向器部分の鏡筒の伸長方向に垂直な断面図である。It is sectional drawing perpendicular | vertical to the extending | stretching direction of the lens-barrel of the deflector part of embodiment. 実施の形態の偏向器部分の鏡筒の伸長方向に平行な断面図である。It is sectional drawing parallel to the expansion | extension direction of the lens-barrel of the deflector part of embodiment. 実施の形態の偏向器部分の鏡筒の伸長方向に平行な断面の詳細図である。It is detail drawing of the cross section parallel to the extension direction of the lens-barrel of the deflector part of embodiment. 実施の形態の作用・効果の説明図である。It is explanatory drawing of the effect | action and effect of embodiment. 実施の形態の作用・効果の説明図である。It is explanatory drawing of the effect | action and effect of embodiment.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。ただし、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでもかまわない。また、実施の形態では電子ビーム描画装置として、可変成型電子ビーム描画装置を例に説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Hereinafter, in the embodiment, a configuration using an electron beam will be described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to the electron beam, and may be a beam using charged particles such as an ion beam. In the embodiment, a variable shaped electron beam drawing apparatus will be described as an example of the electron beam drawing apparatus.

また、本明細書中「電力ケーブル」とは、導電性のケーブルを意味し、例えば同軸ケーブルや銅線等である。   Further, in the present specification, the “power cable” means a conductive cable, such as a coaxial cable or a copper wire.

実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置は、内部を真空雰囲気に保持可能な真空容器と、真空容器の一端に設けられ、荷電粒子を発生させる荷電粒子線源と、真空容器内に設けられ、荷電粒子線源で発生する荷電粒子の軌道、照射位置等を制御する偏向電極と、真空容器外に設けられ、真空容器に対し着脱可能で、偏向電極に電圧を印加する偏向アンプと、真空容器外に設けられ、偏向電極と偏向アンプを電気的に接続するための接続部と、着脱時に偏向アンプを支持し、偏向アンプの着脱を容易にするガイド部と、を備える。   The charged particle beam drawing apparatus according to the embodiment includes a vacuum container capable of maintaining the inside in a vacuum atmosphere, a charged particle beam source that generates charged particles provided at one end of the vacuum container, and a charged container that is provided in the vacuum container. A deflection electrode that controls the trajectory, irradiation position, etc. of charged particles generated by a particle beam source, a deflection amplifier that is provided outside the vacuum vessel, is detachable from the vacuum vessel, and applies a voltage to the deflection electrode, and the outside of the vacuum vessel And a guide part for electrically connecting the deflection electrode and the deflection amplifier, and a guide part for supporting the deflection amplifier when attaching and detaching and facilitating attachment and detachment of the deflection amplifier.

以下、上述のように荷電粒子ビーム描画装置として電子ビーム描画装置を例に説明する。したがって、荷電粒子は電子であり、荷電粒子線源は電子線源(電子銃)であるる。   Hereinafter, an electron beam drawing apparatus will be described as an example of the charged particle beam drawing apparatus as described above. Therefore, the charged particles are electrons, and the charged particle beam source is an electron beam source (electron gun).

本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置は、上記の構成を備えることで、偏向電極と偏向アンプとの距離を近づけることが可能になる。したがって、電力ケーブル両端でのインピーダンスの不整合に起因するリンギングを抑制し、ビーム位置の制定時間を短縮することが可能である。また、偏向アンプを容易に着脱可能とすることで、メインテナンス性を向上させることが可能になる。したがって、荷電粒子ビーム描画装置の生産性の向上が実現される。   The charged particle beam drawing apparatus according to the present embodiment has the above-described configuration, so that the distance between the deflection electrode and the deflection amplifier can be reduced. Therefore, it is possible to suppress ringing caused by impedance mismatching at both ends of the power cable and shorten the beam position establishment time. In addition, maintenance can be improved by making the deflection amplifier easily detachable. Therefore, the productivity of the charged particle beam drawing apparatus can be improved.

図1は、本実施の形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。電子ビーム描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。電子ビーム描画装置100は、描画部102と、この描画部102の描画動作を制御する制御部104から構成されている。電子ビーム描画装置100は、試料110に所定のパターンを描画する。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electron beam drawing apparatus according to the present embodiment. The electron beam drawing apparatus 100 is an example of a charged particle beam drawing apparatus. The electron beam drawing apparatus 100 includes a drawing unit 102 and a control unit 104 that controls the drawing operation of the drawing unit 102. The electron beam drawing apparatus 100 draws a predetermined pattern on the sample 110.

描画部102の試料室108内に試料110を載置するステージ112が収容されている。ステージ112は、制御部104によって、X方向(紙面左右方向)、Y方向(紙面表裏方向)およびZ方向に駆動される。試料110として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクがある。また、このマスクには、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。   A stage 112 on which the sample 110 is placed is accommodated in the sample chamber 108 of the drawing unit 102. The stage 112 is driven by the control unit 104 in the X direction (left and right direction on the paper surface), the Y direction (front and back direction on the paper surface), and the Z direction. As the sample 110, for example, there is an exposure mask for transferring a pattern to a wafer on which a semiconductor device is formed. Further, this mask includes, for example, mask blanks on which no pattern is formed.

試料室108の上方には、鏡筒114に納められて電子ビーム光学系が設置されている。電子ビーム光学系は、内部を真空雰囲気に保持可能な真空容器115、真空容器115の一端(図1では上端)に設けられ電子を発生させる電子銃116、例えば励磁コイルで構成される各種電子レンズ118、120、122、124、126、ブランキング用偏向器128、ビーム寸法可変用偏向器130、ビーム走査用の主偏向器132、ビーム走査用の副偏向器134、及び可変成形ビームで描画するための、ビーム成形用の第1のアパーチャ136、第2のアパーチャ138などから構成されている。   Above the sample chamber 108, an electron beam optical system is installed in a lens barrel 114. The electron beam optical system includes a vacuum vessel 115 capable of maintaining the inside in a vacuum atmosphere, an electron gun 116 that is provided at one end (upper end in FIG. 1) of the vacuum vessel 115 and generates electrons, for example, various electron lenses configured by exciting coils. 118, 120, 122, 124, 126, blanking deflector 128, beam size variable deflector 130, beam scanning main deflector 132, beam scanning sub deflector 134, and variable shaped beam. For this purpose, the first aperture 136 and the second aperture 138 are formed for beam shaping.

また、上記、ブランキング用偏向器128、ビーム寸法可変用偏向器130、ビーム走査用の主偏向器132、ビーム走査用の副偏向器134のそれぞれが、真空容器115内に設けられ、電子銃116で発生する電子の軌道、照射位置等を制御する偏向電極を備えている。さらに、電子ビーム光学系は、真空容器115外に設けられ、真空容器115に対し着脱可能で、上記、ブランキング用偏向器128、ビーム寸法可変用偏向器130、ビーム走査用の主偏向器132、ビーム走査用の副偏向器134のそれぞれに、電圧を印加する偏向アンプ228、230、232、234を備えている。   Each of the blanking deflector 128, the beam size changing deflector 130, the beam scanning main deflector 132, and the beam scanning sub deflector 134 is provided in the vacuum vessel 115, and an electron gun is provided. A deflection electrode is provided for controlling the trajectory, irradiation position, and the like of electrons generated at 116. Further, the electron beam optical system is provided outside the vacuum vessel 115 and is detachable from the vacuum vessel 115. The above-described blanking deflector 128, beam size variable deflector 130, and beam scanning main deflector 132 are provided. Each of the sub-deflectors 134 for beam scanning is provided with deflection amplifiers 228, 230, 232, 234 for applying a voltage.

制御部104は、例えば、描画データを記憶する記憶部、描画データからショットデータを生成するショットデータ生成部、制御回路等を備える。そして、制御部104は、各種電子レンズ118、120、122、124、126、偏向アンプ228、230、232、234を制御する。   The control unit 104 includes, for example, a storage unit that stores drawing data, a shot data generation unit that generates shot data from the drawing data, a control circuit, and the like. The control unit 104 controls the various electronic lenses 118, 120, 122, 124, 126 and the deflection amplifiers 228, 230, 232, 234.

図2は、本実施の形態の偏向器部分の鏡筒の伸長方向に垂直な断面図である。ここでは、ビーム走査用の主偏向器132部分の断面を例に説明する。図1に示すように、電子ビーム描画装置は、真空容器115内に8つの主偏向器132を備えている。そして、主偏向器132は偏向電極132aを有する。また、各主偏向器132に対応する偏向アンプ232が、真空容器115外、かつ、少なくとも一部が鏡筒114内に備えられている。   FIG. 2 is a cross-sectional view perpendicular to the extending direction of the lens barrel of the deflector portion of the present embodiment. Here, the cross section of the main deflector 132 for beam scanning will be described as an example. As shown in FIG. 1, the electron beam drawing apparatus includes eight main deflectors 132 in a vacuum container 115. The main deflector 132 has a deflection electrode 132a. Further, a deflection amplifier 232 corresponding to each main deflector 132 is provided outside the vacuum vessel 115 and at least partially inside the lens barrel 114.

さらに、真空容器115外に設けられ、偏向電極132aと偏向アンプ232を電気的に接続するための接続部250が、真空容器115の側壁に設けられている。また、偏向電極132aと接続部250は、真空容器115内では例えば同軸ケーブルの電力ケーブル132bで接続される。もっとも、偏向アンプ232と偏向電極132aとは、真空容器115外では電力ケーブルを介さずに接続される。   Further, a connection portion 250 provided outside the vacuum vessel 115 and electrically connecting the deflection electrode 132 a and the deflection amplifier 232 is provided on the side wall of the vacuum vessel 115. In addition, the deflection electrode 132a and the connection portion 250 are connected in the vacuum vessel 115 by, for example, a power cable 132b of a coaxial cable. However, the deflection amplifier 232 and the deflection electrode 132a are connected outside the vacuum vessel 115 without using a power cable.

図2に示すように、偏向アンプ232は、真空容器115外に設けられ、真空容器115に対し着脱可能となっている。接続部250は、例えば、真空容器115の側壁に設けられる真空容器側コネクタ250aと、偏向アンプ側コネクタ250bで構成される。接続部250における電気的接続は、このようにコネクタによっても良いし、例えば、スプリングピン等を用いても構わない。また、偏向アンプは鏡筒内の省スペースのため、薄型で細長い形状とすることが望ましい。   As shown in FIG. 2, the deflection amplifier 232 is provided outside the vacuum container 115 and is detachable from the vacuum container 115. For example, the connection unit 250 includes a vacuum vessel side connector 250a provided on the side wall of the vacuum vessel 115 and a deflection amplifier side connector 250b. The electrical connection in the connection portion 250 may be performed by a connector as described above, and for example, a spring pin or the like may be used. In addition, it is desirable that the deflection amplifier be thin and elongated in order to save space in the lens barrel.

図3は、本実施の形態の偏向器部分の鏡筒の伸長方向に平行な断面図である。ここでは図2同様、ビーム走査用の主偏向器132部分の断面を例に説明する。図3(a)は偏向アンプを真空容器に取り付けた状態、図3(b)は偏向アンプを真空容器から取り外した状態を示す。   FIG. 3 is a cross-sectional view parallel to the extending direction of the barrel of the deflector portion of the present embodiment. Here, as in FIG. 2, a cross section of the main deflector 132 for beam scanning will be described as an example. FIG. 3A shows a state where the deflection amplifier is attached to the vacuum vessel, and FIG. 3B shows a state where the deflection amplifier is removed from the vacuum vessel.

図3に示すように、電子ビーム描画装置は、着脱時に偏向アンプ232を支持し、偏向アンプ232の着脱を容易にするガイド部260を備えている。ガイド部260は偏向アンプ232を取り付ける際に、偏向アンプ232を導き、例えば、偏向アンプを押し込むだけで、真空容器側コネクタ250aと偏向アンプ側コネクタ250bとが接続されるように構成される。いわゆる、スロットイン方式の構成になっている。偏向アンプ232を取りはずす際も、ガイド部260が偏向アンプ232を支持するため、偏向アンプ232を容易に引き抜くことが可能になる。   As shown in FIG. 3, the electron beam drawing apparatus includes a guide unit 260 that supports the deflection amplifier 232 during attachment and detachment and facilitates attachment / detachment of the deflection amplifier 232. The guide unit 260 is configured to guide the deflection amplifier 232 when the deflection amplifier 232 is attached, and to connect the vacuum vessel side connector 250a and the deflection amplifier side connector 250b only by, for example, pushing the deflection amplifier. This is a so-called slot-in configuration. Even when the deflection amplifier 232 is removed, since the guide portion 260 supports the deflection amplifier 232, the deflection amplifier 232 can be easily pulled out.

ガイド部260は、例えば、平板状、レール状であってもその他の形状であっても構わない。材質は、金属であっても、樹脂であっても構わない。また、必要に応じ偏向アンプの底面部側、上面部側、側面部側等の所望の位置に設ければ良い。また、ガイド部260は、鏡筒114に固定されるものであっても、真空容器115に固定されるものであっても、その両方に固定されるものであっても構わない。   The guide portion 260 may be, for example, a flat plate shape, a rail shape, or other shapes. The material may be a metal or a resin. Further, it may be provided at a desired position such as the bottom surface side, the top surface side, or the side surface side of the deflection amplifier as required. Further, the guide portion 260 may be fixed to the lens barrel 114, fixed to the vacuum vessel 115, or fixed to both.

なお、真空容器115に対し着脱可能な偏向アンプ232は、例えば、同軸ケーブルである電力ケーブル270によって、制御部104(図1)に接続され、この電力ケーブル270から制御信号が偏向アンプ232に入力される。   The deflection amplifier 232 that can be attached to and detached from the vacuum vessel 115 is connected to the control unit 104 (FIG. 1) by a power cable 270 that is a coaxial cable, for example, and a control signal is input to the deflection amplifier 232 from the power cable 270. Is done.

図4は、本実施の形態の偏向器部分の鏡筒の伸長方向に平行な断面の詳細図である。偏向アンプ232は、半導体やダイオード等の電子部品302が実装されるプリント基板等の回路基板304を備える。この回路基板304上には少なくとも偏向器132に与える信号を増幅するアナログの増幅回路(アンプ回路)が形成されている。回路基板304上に増幅回路の前段のデジタルアナログコンバーター(DAC)回路が形成されていても構わない。   FIG. 4 is a detailed view of a cross section parallel to the extending direction of the lens barrel of the deflector portion of the present embodiment. The deflection amplifier 232 includes a circuit board 304 such as a printed board on which an electronic component 302 such as a semiconductor or a diode is mounted. An analog amplifier circuit (amplifier circuit) for amplifying at least a signal to be applied to the deflector 132 is formed on the circuit board 304. A digital analog converter (DAC) circuit in front of the amplifier circuit may be formed on the circuit board 304.

少なくとも、回路基板304部分はシールドケース306内に納められている。このシールドケース306は、外部の電場や磁場が偏向アンプの動作に影響することを防止するものであり、例えば、Fe、Cu、Al等の金属で形成される。シールドケース306の真空容器115側には偏向アンプ側コネクタ250bが設けられている。また、その反対側には、電力ケーブル270の取り出し部とフロントパネル308が設けられる。   At least the circuit board 304 part is housed in the shield case 306. The shield case 306 prevents an external electric field or magnetic field from affecting the operation of the deflection amplifier, and is made of, for example, a metal such as Fe, Cu, or Al. On the vacuum container 115 side of the shield case 306, a deflection amplifier side connector 250b is provided. Further, on the opposite side, a take-out portion for the power cable 270 and a front panel 308 are provided.

上述のように、電子ビーム描画装置は、着脱時に偏向アンプ232を支持し、偏向アンプ232の着脱を容易にするガイド部260を備えている。ここでは、ガイド部260は、鏡筒114と真空容器115の両方に固定される。   As described above, the electron beam drawing apparatus includes the guide unit 260 that supports the deflection amplifier 232 during attachment / detachment, and facilitates attachment / detachment of the deflection amplifier 232. Here, the guide portion 260 is fixed to both the lens barrel 114 and the vacuum vessel 115.

また、偏向アンプ232が、回路基板304上の電子部品で発生した熱を放熱するための放熱部材310を有している。放熱部材310は、回路基板304またはシールドケースに直接または間接的に面的に密着している。放熱部材310は鏡筒114外に設けられる冷却器312に効率良く熱を伝導するため、面方向すなわち面に垂直な方向(図4の水平方向)の熱伝導性の高い材料であることが望ましい。例えば、ヒートパイプやグラファイトシート等を用いることができ、特にヒートパイプは熱伝導性が高いため好適である。また、放熱部材310は鏡筒内の省スペースのため、薄型形状とすることが望ましい。   Further, the deflection amplifier 232 includes a heat radiating member 310 for radiating heat generated by the electronic components on the circuit board 304. The heat radiating member 310 is in direct contact with the circuit board 304 or the shield case directly or indirectly. In order to efficiently conduct heat to the cooler 312 provided outside the lens barrel 114, the heat radiating member 310 is preferably a material having high thermal conductivity in the surface direction, that is, the direction perpendicular to the surface (the horizontal direction in FIG. 4). . For example, a heat pipe, a graphite sheet, or the like can be used. In particular, the heat pipe is preferable because of its high thermal conductivity. Moreover, it is desirable that the heat radiation member 310 has a thin shape in order to save space in the lens barrel.

なお、冷却器312は冷却水の循環により、放熱部材310によって伝えられる熱を放熱する。例えば、冷却器312と放熱部材310の密着性を高める機構、例えば、上下から冷却器312と放熱部材310を押さえつける機構等を設けることが好ましい。   The cooler 312 radiates heat transmitted by the heat radiating member 310 by circulating the cooling water. For example, it is preferable to provide a mechanism for improving the adhesion between the cooler 312 and the heat dissipation member 310, for example, a mechanism for pressing the cooler 312 and the heat dissipation member 310 from above and below.

図1ないし図4では、実施の形態を説明する上で、必要な構成部分以外については記載を省略している。電子ビーム描画装置にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。   In FIG. 1 thru | or FIG. 4, in describing embodiment, description is abbreviate | omitted except a required component. Needless to say, the electron beam lithography apparatus may normally include other necessary configurations.

図5および図6は本実施の形態の作用・効果の説明図である。図5に示すように、電子銃から放出される電子ビームは、偏向アンプによって偏向電極に印加される電圧で偏向電極間の電界を制御することで、偏向制御される。これにより、試料上での電子ビームの位置を所望の位置に変化させる。   5 and 6 are explanatory diagrams of the operation and effect of the present embodiment. As shown in FIG. 5, the deflection of the electron beam emitted from the electron gun is controlled by controlling the electric field between the deflection electrodes with a voltage applied to the deflection electrodes by a deflection amplifier. Thereby, the position of the electron beam on the sample is changed to a desired position.

もっとも、例えば、電子ビームの位置を、位置1から位置2に変化させる場合、位置が安定するまでの制定時間が必要となる。この制定時間は、偏向アンプから偏向電極の距離に依存する。   However, for example, when the position of the electron beam is changed from position 1 to position 2, establishment time is required until the position is stabilized. This establishment time depends on the distance from the deflection amplifier to the deflection electrode.

図6は、偏向アンプから偏向電極の距離と制定時間の関係を説明する図である。図6(a)が偏向アンプから偏向電極の距離が比較的長い場合、図6(b)が偏向アンプから偏向電極の距離が比較的短い場合である。   FIG. 6 is a diagram for explaining the relationship between the distance from the deflection amplifier to the deflection electrode and the establishment time. FIG. 6A shows a case where the distance from the deflection amplifier to the deflection electrode is relatively long, and FIG. 6B shows a case where the distance from the deflection amplifier to the deflection electrode is relatively short.

例えば、偏向アンプと偏向電極の間が同軸ケーブルで接続されているとすると、同軸ケーブルの両端でインピーダンスの不整合のために反射を起こしてリンギングが発生し、図6(a)のように位置1から位置2に安定するまでの制定時間が長くなる。これに対し、同軸ケーブルの長さが十分に短い場合はリンギングが抑制され、図6(b)に示すように制定時間が短くなる。   For example, if the deflection amplifier and the deflection electrode are connected by a coaxial cable, reflection occurs at both ends of the coaxial cable due to impedance mismatching, and ringing occurs, as shown in FIG. The establishment time from 1 to position 2 is stabilized. On the other hand, when the length of the coaxial cable is sufficiently short, ringing is suppressed and the establishment time is shortened as shown in FIG.

描画速度の高速化のためには、位置が安定するまでの制定時間を10ns程度にすることが要求される。例えば、偏向アンプの伝達特性が一次遅れである場合、制定時間t、誤差率r、および立ち上がり時間tの関係は、
=2.2・t/(−ln(r))・・・(式1)
で表わされる。
In order to increase the drawing speed, the establishment time until the position is stabilized is required to be about 10 ns. For example, if the transfer characteristics of the deflection amplifier is a primary delay, settling time t s, the relationship between the error rate r e, and rise time t r,
t r = 2.2 · t s / (− ln (r e )) (Equation 1)
It is represented by

ここで、t=10ns、r=0.01%とした場合、t=2.4nsとなる。同軸ケーブル遅延時間が立ち上がり時間tの1/2を超えると反射が顕著になる。したがって、同軸ケーブルの絶縁体の比誘電率等で決まる波長短縮率が67%の同軸ケーブルを用いた場合、許容される同軸ケーブルの長さは24cm以下となる。 Here, when t s = 10 ns and r e = 0.01%, t r = 2.4 ns. Reflecting the coaxial cable delay time exceeds 1/2 of the rise time t r is remarkable. Therefore, when a coaxial cable having a wavelength shortening rate of 67% determined by the relative dielectric constant of the insulator of the coaxial cable is used, the allowable length of the coaxial cable is 24 cm or less.

したがって、10ns程度の制定時間を実現するためには、偏向アンプから偏向電極の距離が各種マージンを考慮すると20cm以下であることが望ましく、10cm以下であることがより望ましい。   Therefore, in order to realize the establishment time of about 10 ns, the distance from the deflection amplifier to the deflection electrode is preferably 20 cm or less in consideration of various margins, and more preferably 10 cm or less.

本実施の形態によれば、偏向アンプと偏向電極が真空容器外では電力ケーブルを介さずに接続されることで、偏向アンプから偏向電極の距離の短縮を実現することが容易になる。   According to the present embodiment, since the deflection amplifier and the deflection electrode are connected outside the vacuum vessel without going through the power cable, it is easy to reduce the distance from the deflection amplifier to the deflection electrode.

なお、偏向アンプから偏向電極までの距離とは、厳密には、偏向アンプ内の増幅回路の出力端子から偏向電極端部までの電気的配線の距離である。   The distance from the deflection amplifier to the deflection electrode is strictly the distance of the electrical wiring from the output terminal of the amplifier circuit in the deflection amplifier to the end of the deflection electrode.

一般に鏡筒内は、例えば、電子レンズの励磁コイル等の多数の部品が真空容器に接して配置される。このため、偏向アンプから偏向電極の距離を短くするために偏向アンプを真空容器に接して設けようとしても、偏向アンプをメインテナンスするために簡便に取り外すための空間的余裕をとることは困難である。したがって、メインテナンスのたびに鏡筒を分解し、鏡筒内の部品を取り外して組み直す等の作業が生じ、生産性が落ちることになる。本実施の形態によれば、例えばスロットイン方式の着脱式の偏向アンプとすることで、偏向アンプのメインテナンスが容易になり生産性が向上する。   In general, in a lens barrel, for example, a large number of components such as an excitation coil of an electronic lens are arranged in contact with a vacuum vessel. For this reason, even if an attempt is made to provide the deflection amplifier in contact with the vacuum vessel in order to shorten the distance between the deflection amplifier and the deflection electrode, it is difficult to provide a sufficient space to easily remove the deflection amplifier for maintenance. . Therefore, every time maintenance is performed, operations such as disassembling the lens barrel and removing and reassembling the components in the lens barrel cause a decrease in productivity. According to this embodiment, for example, by using a slot-in type detachable deflection amplifier, maintenance of the deflection amplifier is facilitated and productivity is improved.

また、本実施の形態では、着脱式の偏向アンプに放熱部材を組み込んでいる。このため、偏向アンプの挿入状態に依存せず良好な放熱を可能にする。偏向アンプに放熱部材を組み込まない場合、挿入される偏向アンプを鏡筒内に設けられた冷却器あるいは放熱部材に接触させることで放熱性を確保することになる。しかし、例えば、挿入される偏向アンプが少し傾いただけで、冷却器や放熱部材への十分な面接触が確保できなくなる。   In this embodiment, a heat radiating member is incorporated in a detachable deflection amplifier. For this reason, good heat dissipation is enabled without depending on the insertion state of the deflection amplifier. When the heat radiating member is not incorporated in the deflection amplifier, heat dissipation is ensured by bringing the inserted deflection amplifier into contact with a cooler or a heat radiating member provided in the lens barrel. However, for example, even when the inserted deflection amplifier is slightly inclined, sufficient surface contact with the cooler and the heat radiating member cannot be ensured.

また、空間的な余裕のない鏡筒内で偏向アンプを挿入した状態で、偏向アンプを冷却器や放熱部材に確実に面接触させて熱伝導性を確保する機構を設けることは困難である。本実施の形態によれば、偏向アンプに組み込まれた放熱部材で鏡筒外に熱を伝導させ、空間的に余裕のある鏡筒外で冷却器に接触させるため確実な面接触を確保することが容易になる。   In addition, it is difficult to provide a mechanism that ensures thermal conductivity by reliably bringing the deflection amplifier into surface contact with the cooler and the heat radiating member in a state where the deflection amplifier is inserted in a lens barrel having no space. According to the present embodiment, heat is transferred to the outside of the lens barrel by the heat radiating member incorporated in the deflection amplifier, and a reliable surface contact is ensured to contact the cooler outside the lens barrel having a sufficient space. Becomes easier.

さらに、冷却器を鏡筒外に設ける構成とすることで、鏡筒内の省スペース化も実現される。   Furthermore, space-saving in the lens barrel can be realized by providing the cooler outside the lens barrel.

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。   The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.

例えば、実施の形態では、偏向アンプが放熱部材を有するものとして記述した。上述のように放熱特性を向上させるためには、この形態が望ましいが、放熱部材が偏向アンプに組み込まれていない構成であっても、荷電粒子ビーム描画装置の描画速度の高速化とメインテナンス性の向上の実現は可能である。   For example, in the embodiment, the deflection amplifier is described as having a heat dissipation member. In order to improve the heat dissipation characteristics as described above, this form is desirable, but even with a configuration in which the heat dissipation member is not incorporated in the deflection amplifier, it is possible to increase the drawing speed and maintainability of the charged particle beam drawing apparatus. Improvements can be realized.

また、例えば、実施の形態では、接続部が真空容器の側壁に設けられ、偏向アンプと偏向電極が真空容器外では電力ケーブルを介さずに接続されるものとして記述した。上述のように、偏向アンプから偏向電極の距離の短縮を実現するためにはこの形態が望ましいが、接続部を側壁から離す、または、間に電力ケーブルを介する形態であったとしても、所望の制定時間を実現するに十分な距離が実現できれば、荷電粒子ビーム描画装置の描画速度の高速化とメインテナンス性の向上の実現は可能である。   Further, for example, in the embodiment, it is described that the connection portion is provided on the side wall of the vacuum vessel, and the deflection amplifier and the deflection electrode are connected outside the vacuum vessel without going through the power cable. As described above, this mode is desirable to reduce the distance between the deflection amplifier and the deflection electrode. However, even if the connection portion is separated from the side wall or the power cable is interposed between them, the desired shape can be obtained. If a sufficient distance for realizing the establishment time can be realized, it is possible to increase the drawing speed and maintainability of the charged particle beam drawing apparatus.

また、鏡筒に関しては、必ずしも一体型の筐体である必要はなく、単に真空容器の回りに取り付けられた部材の外形を意味するものと解しても構わない。   Further, regarding the lens barrel, it is not always necessary to be an integral case, and it may be understood that it simply means the outer shape of a member attached around the vacuum vessel.

また、基板としてマスクを例に説明したが、半導体ウェハを基板とし、ウェハ上に電子ビームで直接パターンを描画する場合にも本発明を適用することが可能である。   Further, although the mask has been described as an example of the substrate, the present invention can also be applied to a case where a semiconductor wafer is used as a substrate and a pattern is directly drawn on the wafer by an electron beam.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. In addition, all charged particle beam drawing apparatuses that include the elements of the present invention and whose design can be appropriately changed by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

100 電子ビーム描画装置
102 描画部
104 制御部
106 記憶部
114 鏡筒
115 真空容器
116 電子銃
132 偏向器
132a 偏向電極
132b 電力ケーブル
232 偏向アンプ
250 接続部
260 ガイド部
270 電力ケーブル

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Electron beam drawing apparatus 102 Drawing part 104 Control part 106 Storage part 114 Barrel 115 Vacuum container 116 Electron gun 132 Deflector 132a Deflection electrode 132b Power cable 232 Deflection amplifier 250 Connection part 260 Guide part 270 Power cable

Claims (4)

内部を真空雰囲気に保持可能な真空容器と、
前記真空容器を覆う鏡筒と、
前記真空容器の一端に設けられ、荷電粒子を発生させる荷電粒子線源と、
前記真空容器内に設けられ、前記荷電粒子線源で発生する荷電粒子の軌道を制御する偏向電極と、
前記真空容器外に設けられ、少なくとも一部が前記鏡筒内に有り、回路基板と、前記回路基板を内部に納めるシールドケースと、前記シールドケースに面的に接する放熱部材を有し、前記真空容器に対し着脱可能で、前記偏向電極に電圧を印加する偏向アンプと、
前記真空容器外に設けられ、前記偏向電極と前記偏向アンプを電気的に接続するための接続部と、
着脱時に前記偏向アンプを支持し、前記偏向アンプの着脱を容易にするガイド部と、
前記鏡筒外に設けられ、前記放熱部材に接する冷却器と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
A vacuum container capable of maintaining the interior in a vacuum atmosphere;
A lens barrel covering the vacuum vessel;
A charged particle beam source provided at one end of the vacuum vessel for generating charged particles;
A deflection electrode provided in the vacuum vessel and controlling the trajectory of charged particles generated by the charged particle beam source;
Provided outside the vacuum vessel, at least part of which is in the lens barrel, and includes a circuit board, a shield case that houses the circuit board, and a heat dissipation member that is in surface contact with the shield case, the vacuum A deflection amplifier that is detachable from the container and applies a voltage to the deflection electrode;
A connection portion provided outside the vacuum vessel, for electrically connecting the deflection electrode and the deflection amplifier;
A guide unit that supports the deflection amplifier at the time of attachment and detachment and facilitates attachment and detachment of the deflection amplifier;
A cooler provided outside the lens barrel and in contact with the heat dissipation member;
A charged particle beam drawing apparatus comprising:
前記放熱部材がヒートパイプであることを特徴とする請求項記載の荷電粒子ビーム描画装置。 A charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the heat dissipation member is a heat pipe. 前記接続部が前記真空容器の側壁に設けられ、前記偏向アンプと前記偏向電極が前記真空容器外では電力ケーブルを介さずに接続されることを特徴とする請求項1または請求項2項記載の荷電粒子ビーム描画装置。 The said connection part is provided in the side wall of the said vacuum vessel, and the said deflection | deviation amplifier and the said deflection | deviation electrode are connected without the power cable outside the said vacuum vessel, The Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned. Charged particle beam lithography system. 前記偏向アンプと前記偏向電極の距離が20cm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項いずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画装置。
The charged particle beam drawing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein a distance between the deflection amplifier and the deflection electrode is 20 cm or less.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016152387A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Electron beam lithography device
CN106855634A (en) * 2016-12-29 2017-06-16 中国科学技术大学 A kind of button type beam position detector module of cramped construction
JP7026502B2 (en) * 2017-12-26 2022-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam drawing device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710237A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Toshiba Corp Electron beam exposing apparatus
JPS57204131A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Toshiba Mach Co Ltd Electron-ray drawing device
JP3489644B2 (en) * 1995-11-10 2004-01-26 富士通株式会社 Charged particle beam exposure method and apparatus
JP3801333B2 (en) * 1997-12-10 2006-07-26 株式会社アドバンテスト Charged particle beam exposure system
JP3436878B2 (en) * 1998-03-19 2003-08-18 株式会社東芝 Charged particle beam equipment
JP2000306808A (en) * 1999-04-21 2000-11-02 Advantest Corp Charged particle beam exposure system
JP2004319714A (en) * 2003-04-15 2004-11-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd Substrate treatment equipment
JP4405867B2 (en) * 2004-06-29 2010-01-27 キヤノン株式会社 Electron beam exposure apparatus and device manufacturing method
JP4908799B2 (en) * 2005-08-08 2012-04-04 株式会社ニューフレアテクノロジー Electron beam equipment
JP4813315B2 (en) * 2006-10-03 2011-11-09 ヤマハ発動機株式会社 Surface mount machine
JP2008235464A (en) * 2007-03-19 2008-10-02 Toshiba Corp Electron-beam drafting apparatus
JP2010034297A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Nuflare Technology Inc Dac amplifier

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