JP5624558B2 - 質量分析計及び質量分析方法 - Google Patents
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Description
減衰装置と減衰装置の下流側に配置されるイオントラップとを準備する工程と、
第1のイオン電流I1 と、前記イオントラップ内に蓄積される所望のイオン数とを求める工程と、
求めた第1のイオン電流I1に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定する工程と、
求めた第1のイオン電流I1と実質的に独立な第1の一定時間T1にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記減衰装置は、前記所望のイオン数のイオンが前記イオントラップに蓄積されるように、前記減衰装置に入射されたイオンビームを減衰する。
さらに、第2のイオン電流I2を求める工程と、
求めた第2のイオン電流I2に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を(第1のレベルと)異なる第2のレベルに設定する工程と、
求めた第2のイオン電流I2と実質的に独立な第2の一定時間T2にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
時間T1は時間T2に等しい、又は、ほぼ等しい。
さらに、第3のイオン電流I3を求める工程と、
求めた第3のイオン電流I3に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を(第1のレベル及び第2のレベルと)異なる第3のレベルに設定する工程と、
求めた第3のイオン電流I3と実質的に独立な第3の一定時間T3にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
時間T1は時間T2に等しい、又は、ほぼ等しく、時間T2は時間T3に等しい、又は、ほぼ等しい。
さらに、第4のイオン電流I4を求める工程と、
求めた第4のイオン電流I3に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を(第1のレベル、第2のレベル及び第3のレベルと)異なる第4のレベルに設定する工程と、
求めた第4のイオン電流I4と実質的に独立な第4の一定時間T4にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
時間T1は時間T2に等しい、又は、ほぼ等しく、時間T2は時間T3に等しい、又は、ほぼ等しく、時間T3は時間T4に等しい、又は、ほぼ等しい。
減衰装置と、
減衰装置の下流側に配置されるイオントラップと、
制御システムと、を備え、
制御システムが、
(i)第1のイオン電流I1を求め、
(ii)求めた第1のイオン電流I1に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)求めた第1のイオン電流I1と実質的に独立な第1の一定時間T1にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる。
制御システムにより、
(i)第1のイオン電流I1を求め、
(ii)求めた第1のイオン電流I1に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)求めた第1のイオン電流I1と実質的に独立な第1の一定時間T1にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる。
命令は、減衰装置と減衰装置の下流側に配置されるイオントラップとを備える質量分析計の制御システムにより実行可能であり、
制御システムにより、
(i)第1のイオン電流I1を求め、
(ii)求めた第1のイオン電流I1に基づき減衰装置を制御して、減衰装置を透過しイオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)求めた第1のイオン電流I1と実質的に独立な第1の一定時間T1にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる。
イオン電流を求める工程と、
求めたイオン電流に依存する変数量だけイオンビームを減衰させる工程と、
減衰させたイオンビームをイオントラップに移動させ、求めたイオン電流に実質的に独立な時間にわたって、イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備える。
イオン電流を求める装置と、
求めたイオン電流に依存する変数量だけイオンビームを減衰させる装置と、
イオントラップと、を備え、
使用時に、減衰させたイオンビームがイオントラップに移動し、求めたイオン電流に実質的に独立な時間にわたって、イオントラップ内にイオンが蓄積される。
イオントラップ内に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させる工程を備え、
減衰係数は求めたイオン電流に依存する一方、イオントラップの充填時間は、ほぼ一定に保持され、求めたイオン電流とは独立である。
使用時にイオンを蓄積させるイオントラップと、
イオントラップ内に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させる制御システムと、を備え、
減衰係数は求めたイオン電流に依存する一方、イオントラップの充填時間は、ほぼ一定に保持され、求めたイオン電流とは独立である。
イオントラップ又は質量分析器に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させる工程を備え、
減衰係数は、求めたイオン電流に依存する。
イオントラップ又は質量分析器と、
イオントラップ又は質量分析器に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させる制御システムと、を備え、
減衰係数は、求めたイオン電流に依存する。
[適用例1]
質量分析の方法であって、
減衰装置と、前記減衰装置の下流側に配置されるイオントラップとを準備する工程と、
第1のイオン電流I 1 を求める工程と、
前記求めた第1のイオン電流I 1 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定する工程と、
前記求めた第1のイオン電流I 1 と実質的に独立な第1の一定時間T 1 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備える方法。
[適用例2]
適用例1に記載の方法であって、
前記イオントラップがイオントラップ型質量分析器を備え、
イオン検出器が、前記イオントラップから放出されるイオン又はその他の方法で前記イオントラップから出現するイオンを検出するように構成されている、方法。
[適用例3]
適用例1に記載の方法であって、さらに、
前記イオントラップからイオンを放出させる、又は、前記イオントラップからイオンを出現させる工程を備え、
前記放出又は出現させたイオンは、前記イオントラップの下流側に配置される質量分析器に送られる、方法。
[適用例4]
適用例1、2又は3に記載の方法であって、
前記第1のイオン電流I 1 を求める工程は、第1の装置を用いて、前記第1のイオン電流I 1 を求め、
前記第1の装置は、(i)質量分析器、(ii)電荷検出器、(iii)電荷誘導装置、(iv)イメージ電流検出器、及び(v)1つ以上の溶離液の吸収プロファイルを求めるように構成された液体クロマトグラフィーシステムと組み合わせた紫外線(UV)検出器、からなる群から選択される、方法。
[適用例5]
前記いずれかの適用例に記載の方法であって、
前記第1のイオン電流I 1 を求める工程は、
(i)以前に取得されたデータ又は質量スペクトルデータを用いる工程、
及び/又は、
(ii)以前に取得されたデータ又は質量スペクトルデータに基づき、前記イオン電流を推定する工程、
を含む、方法。
[適用例6]
前記いずれかの適用例に記載の方法であって、さらに、
前記求めた第1のイオン電流I 1 に基づいて減衰係数を算出する工程を備え、
前記減衰装置を制御する工程は、前記減衰装置から前方に送られるイオンビームを前記減衰係数で減衰するように前記減衰装置を設定する、方法。
[適用例7]
前記いずれかの適用例に記載の方法であって、
前記減衰装置が、(i)イオンビームを変化、偏向、フォーカス、デフォーカス、減衰、妨害、拡大、縮小、迂回、反射させるように構成された静電レンズ、及び/又は、(ii)イオンビームを変化、偏向、フォーカス、デフォーカス、減衰、妨害、拡大、縮小、迂回、反射させるように構成された1つ以上の電極、ロッドセット又はイオン光学装置を備える、方法。
[適用例8]
前記いずれかの適用例に記載の方法であって、
前記減衰装置を制御する工程は、低透過動作モードと高透過動作モードとの間で前記減衰装置を繰り返し切り替え、
前記減衰装置は、時間ΔT1にわたって前記低透過動作モードに保持され、時間ΔT2にわたって前記高透過動作モードに保持され、前記減衰装置のデューティ・サイクルがΔT2/(ΔT1+ΔT2)である、方法。
[適用例9]
前記いずれかの適用例に記載の方法であって、さらに、
第2のイオン電流I 2 を求める工程と、
前記求めた第2のイオン電流I 2 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第2の異なるレベルに設定する工程と、
前記求めた第2のイオン電流I 2 と実質的に独立な第2の一定時間T 2 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記時間T 1 は前記時間T 2 に等しい、又は、ほぼ等しい、方法。
[適用例10]
適用例9に記載の方法であって、さらに、
第3のイオン電流I 3 を求める工程と、
前記求めた第3のイオン電流I 3 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第3の異なるレベルに設定する工程と、
前記求めた第3のイオン電流I 3 と実質的に独立な第3の一定時間T 3 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記時間T 1 は前記時間T 2 に等しい、又は、ほぼ等しく、
前記時間T 2 は前記時間T 3 に等しい、又は、ほぼ等しい、方法。
[適用例11]
適用例10に記載の方法であって、さらに、
第4のイオン電流I 4 を求める工程と、
前記求めた第4のイオン電流I 3 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第4の異なるレベルに設定する工程と、
前記求めた第4のイオン電流I 4 と実質的に独立な第4の一定時間T 4 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記時間T 1 は前記時間T 2 に等しい、又は、ほぼ等しく、
前記時間T 2 は前記時間T 3 に等しい、又は、ほぼ等しく、
前記時間T 3 は前記時間T 4 に等しい、又は、ほぼ等しい、方法。
[適用例12]
前記いずれかの適用例に記載の方法であって、さらに、
前記減衰装置の上流側及び/又は下流側に、イオン蓄積装置又はイオントラップを配置する工程を備える、方法。
[適用例13]
適用例12に記載の方法であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップが、(i)使用時にイオンを透過させる少なくとも1つの開口部を各々有する複数の電極を備えるイオントンネル型又はイオンファネル型イオントラップ、(ii)多極ロッドセット、(iii)軸方向にセグメント化された多極ロッドセット、及び(iv)イオン移動平面内にほぼ配置される複数の平板電極、からなる群から選択される、方法。
[適用例14]
適用例12又は13に記載の方法であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップが、第1の上流側イオン蓄積領域と第2の下流側イオン蓄積領域とを備え、動作モードにおいて、(i)前記第1の上流側イオン蓄積領域の入口側に配置された電極に直流(DC)又はRF(高周波)ポテンシャル障壁を印加して、前記イオン蓄積装置又はイオントラップへのこれ以上のイオンの入射を防ぐ、及び/又は、(ii)前記第1の上流側イオン蓄積領域と前記第2の下流側イオン蓄積領域との間に配置される電極に直流又はRFポテンシャル障壁を印加して、前記第1の上流側イオン蓄積領域から前記第2の下流側イオン蓄積領域へのイオンの移動を防ぐ、及び/又は、(iii)前記第2の下流側イオン蓄積領域の出口に配置された電極に直流又はRFポテンシャル障壁を印加して、前記イオン蓄積装置又はイオントラップからのイオンの出射を防ぐ、方法。
[適用例15]
適用例12、13又は14に記載の方法であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップにイオンが蓄積された後、前記イオン蓄積装置又はイオントラップを作動させて、不要な質量又は質量対電荷比を有する少なくとも一部のイオンを、質量選択的に、又は、質量対電荷比選択的に、除去又は減衰する、方法。
[適用例16]
適用例12ないし15のいずれかに記載の方法であって、
質量選択的に、又は、質量対電荷比選択的に、前記イオン蓄積装置又はイオントラップからイオンを放出させる、又は、前方にイオンを送り出す、方法。
[適用例17]
質量分析計であって、
減衰装置と、
前記減衰装置の下流側に配置されるイオントラップと、
制御システムと、を備え、
前記制御システムが、
(i)第1のイオン電流I 1 を求め、
(ii)前記求めた第1のイオン電流I 1 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)前記求めた第1のイオン電流I 1 と実質的に独立な第1の一定時間T 1 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる、
ように構成されている、質量分析計。
[適用例18]
適用例17に記載の質量分析計であって、
前記イオントラップがイオントラップ型質量分析器を備え、
前記質量分析計が、さらに、前記イオントラップから放出される又はその他の方法で前記イオントラップから出現するイオンを検出するように構成されたイオン検出器を備える、質量分析計。
[適用例19]
適用例17に記載の質量分析計であって、さらに、
前記イオントラップの下流側に配置される質量分析器を備え、
前記質量分析計の使用時に、イオンは、前記イオントラップから放出され、又は、前記イオントラップから出現し、前記質量分析器に送られる、質量分析計。
[適用例20]
適用例17、18又は19に記載の質量分析計であって、さらに、
前記質量分析計内のイオン電流を求めるように構成された第1の装置を備える、質量分析計。
[適用例21]
適用例20に記載の質量分析計であって、
前記第1の装置は、(i)質量分析器、(ii)電荷検出器、(iii)電荷誘導装置、(iv)イメージ電流検出器、及び(v)1つ以上の溶離液の吸収プロファイルを求めるように構成された液体クロマトグラフィーシステムと組み合わせた紫外線(UV)検出器、からなる群から選択される、質量分析計。
[適用例22]
適用例17ないし21のいずれかに記載の質量分析計であって、
前記減衰装置が、(i)イオンビームを変化、偏向、フォーカス、デフォーカス、減衰、妨害、拡大、縮小、迂回、反射させるように構成された静電レンズ、及び/又は、(ii)イオンビームを変化、偏向、フォーカス、デフォーカス、減衰、妨害、拡大、縮小、迂回、反射させるように構成された1つ以上の電極、ロッドセット又はイオン光学装置を備える、質量分析計。
[適用例23]
適用例17ないし22のいずれかに記載の質量分析計であって、
使用時に、前記減衰装置は、低透過動作モードと高透過動作モードとの間で繰り返し切り替えられ、
前記減衰装置は、時間ΔT1にわたって前記低透過動作モードに保持され、時間ΔT2にわたって前記高透過動作モードに保持され、前記減衰装置のデューティ・サイクルがΔT2/(ΔT1+ΔT2)である、質量分析計。
[適用例24]
適用例17ないし23のいずれかに記載の質量分析計であって、さらに、
前記減衰装置の上流側及び/又は下流側に配置されるイオン蓄積装置又はイオントラップを備える、質量分析計。
[適用例25]
適用例24に記載の質量分析計であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップが、(i)使用時にイオンを透過させる少なくとも1つの開口部を各々有する複数の電極を備えるイオントンネル型又はイオンファネル型イオントラップ、(ii)多極ロッドセット、(iii)軸方向にセグメント化された多極ロッドセット、及び(iv)イオン移動平面内にほぼ配置される複数の平板電極、からなる群から選択される、質量分析計。
[適用例26]
適用例24又は25に記載の質量分析計であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップが、第1の上流側イオン蓄積領域と第2の下流側イオン蓄積領域とを備え、動作モードにおいて、(i)前記第1の上流側イオン蓄積領域の入口側に配置された電極に直流(DC)又はRF(高周波)ポテンシャル障壁を印加して、前記イオン蓄積装置又はイオントラップへのこれ以上のイオンの入射を防ぐ、及び/又は、(ii)前記第1の上流側イオン蓄積領域と前記第2の下流側イオン蓄積領域との間に配置される電極に直流又はRFポテンシャル障壁を印加して、前記第1の上流側イオン蓄積領域から前記第2の下流側イオン蓄積領域へのイオンの移動を防ぐ、及び/又は、(iii)前記第2の下流側イオン蓄積領域の出口に配置された電極に直流又はRFポテンシャル障壁を印加して、前記イオン蓄積装置又はイオントラップからのイオンの出射を防ぐ、質量分析計。
[適用例27]
適用例24、25又は26に記載の質量分析計であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップにイオンが蓄積された後、前記イオン蓄積装置又はイオントラップを動作モードで作動させて、不要な質量又は質量対電荷比を有する少なくとも一部のイオンを、質量選択的に、又は、質量対電荷比選択的に、除去又は減衰する、質量分析計。
[適用例28]
適用例24ないし27のいずれかに記載の質量分析計であって、
動作モードにおいて、質量選択的に、又は、質量対電荷比選択的に、前記イオン蓄積装置又はイオントラップからイオンを放出させる、又は、前方にイオンを送り出す、質量分析計。
[適用例29]
減衰装置と前記減衰装置の下流側に配置されるイオントラップとを備える質量分析計の制御システムにより実行可能なコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムは、前記制御システムに、
(i)第1のイオン電流I 1 を求め、
(ii)前記求めた第1のイオン電流I 1 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)前記求めた第1のイオン電流I 1 と実質的に独立な第1の一定時間T 1 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる、
ように動作させる、コンピュータプログラム。
[適用例30]
コンピュータで実行可能な命令が記憶されたコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
前記命令は、減衰装置と前記減衰装置の下流側に配置されるイオントラップとを備える質量分析計の制御システムにより実行可能に構成されており、
前記コンピュータプログラムは、前記制御システムに、
(i)第1のイオン電流I 1 を求め、
(ii)前記求めた第1のイオン電流I 1 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)前記求めた第1のイオン電流I 1 と実質的に独立な第1の一定時間T 1 にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる、
ように動作させる、コンピュータ読み取り可能な媒体。
[適用例31]
適用例30に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、(i)ROM、(ii)EAROM、(iii)EPROM、(iv)EEPROM、(v)フラッシュメモリ、(vi)光ディスク、(vii)RAM、及び(viii)ハードディスクからなる群から選択される、コンピュータ読み取り可能な媒体。
[適用例32]
質量分析の方法であって、
イオン電流を求める工程と、
前記求めたイオン電流に依存する変数量だけイオンビームを減衰させる工程と、
減衰させたイオンビームをイオントラップに移動させ、前記求めたイオン電流に実質的に独立な時間にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備える方法。
[適用例33]
質量分析計であって、
イオン電流を求める装置と、
前記求めたイオン電流に依存する変数量だけイオンビームを減衰させる装置と、
イオントラップと、を備え、
前記イオントラップの使用時に、減衰させたイオンビームが前記イオントラップに移動し、前記求めたイオン電流に実質的に独立な時間にわたって、前記イオントラップ内にイオンが蓄積される、質量分析計。
[適用例34]
イオントラップにイオンを蓄積させる方法であって、
イオントラップ内に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させる工程を備え、
前記減衰係数は求めたイオン電流に依存する一方、前記イオントラップの充填時間は、ほぼ一定に保持され、前記求めたイオン電流とは独立である、方法。
[適用例35]
質量分析計であって、
使用時にイオンを蓄積させるイオントラップと、
前記イオントラップ内に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させるように構成された制御システムと、を備え、
前記減衰係数は求めたイオン電流に依存する一方、前記イオントラップの充填時間は、ほぼ一定に保持され、前記求めたイオン電流とは独立である、質量分析計。
[適用例36]
イオンを蓄積させる方法であって、
イオントラップ又は質量分析器に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させる工程を備え、
前記減衰係数は、求めたイオン電流に依存する、方法。
[適用例37]
適用例36に記載の方法であって、
前記イオントラップ又は質量分析器が、(i)四重極質量分析器、(ii)2次元又はリニア四重極質量分析器、(iii)ポール(Paul)トラップ型又は3次元四重極質量分析器、(iv)ペニング(Penning)トラップ型質量分析器、(v)イオントラップ型質量分析器、(vi)磁場型質量分析器、(vii)イオンサイクロトロン共鳴(Ion Cyclotron Resonance:ICR)質量分析器(viii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(Fourier Transform Ion Cyclotron Resonance:FTICR)質量分析器、(ix)静電またはオービトラップ(RTM)型質量分析器、(x)フーリエ変換(Fourier Transform)静電又はオービトラップ型質量分析器、(xi)フーリエ変換(Fourier Transform)質量分析器、(xii)飛行時間型(Time of Flight)質量分析器、(xiii)直交加速飛行時間型(Time of Flight)質量分析器、及び(xiv)線形加速飛行時間型(Time of Flight)質量分析器、からなる群から選択される、方法。
[適用例38]
質量分析計であって、
イオントラップ又は質量分析器と、
前記イオントラップ又は質量分析器に入る前にイオンビームを減衰させるための減衰係数を変化させるように構成された制御システムと、を備え、
前記減衰係数は、求めたイオン電流に依存する、質量分析計。
[適用例39]
適用例38に記載の質量分析計であって、
前記イオントラップ又は質量分析器が、(i)四重極質量分析器、(ii)2次元又はリニア四重極質量分析器、(iii)ポール(Paul)トラップ型又は3次元四重極質量分析器、(iv)ペニング(Penning)トラップ型質量分析器、(v)イオントラップ型質量分析器、(vi)磁場型質量分析器、(vii)イオンサイクロトロン共鳴(Ion Cyclotron Resonance:ICR)質量分析器(viii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(Fourier Transform Ion Cyclotron Resonance:FTICR)質量分析器、(ix)静電またはオービトラップ(RTM)型質量分析器、(x)フーリエ変換(Fourier Transform)静電又はオービトラップ型質量分析器、(xi)フーリエ変換(Fourier Transform)質量分析器、(xii)飛行時間型(Time of Flight)質量分析器、(xiii)直交加速飛行時間型(Time of Flight)質量分析器、及び(xiv)線形加速飛行時間型(Time of Flight)質量分析器、からなる群から選択される、質量分析計。
以下、例示を目的として、本発明のさまざまな実施形態や実施例を添付の図面を参照して詳述する。
Claims (18)
- 質量分析の方法であって、
減衰装置と、前記減衰装置の下流側に配置されるイオントラップとを準備する工程と、
第1のイオン電流I1 と、前記イオントラップ内に蓄積される所望のイオン数とを求める工程と、
前記求めた第1のイオン電流I1に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定する工程と、
前記求めた第1のイオン電流I1と実質的に独立な第1の一定時間T1にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記減衰装置は、前記所望のイオン数のイオンが前記イオントラップに蓄積されるように、前記減衰装置に入射されたイオンビームを減衰する、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記イオントラップがイオントラップ型質量分析器を備え、
イオン検出器が、前記イオントラップから放出されるイオン又はその他の方法で前記イオントラップから出現するイオンを検出するように構成されている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、
前記イオントラップからイオンを放出させる、又は、前記イオントラップからイオンを出現させる工程を備え、
前記放出又は出現させたイオンは、前記イオントラップの下流側に配置される質量分析器に送られる、方法。 - 請求項1、2又は3に記載の方法であって、
前記第1のイオン電流I1を求める工程は、第1の装置を用いて、前記第1のイオン電流I1を求め、
前記第1の装置は、(i)質量分析器、(ii)電荷検出器、(iii)電荷誘導装置、(iv)イメージ電流検出器、及び(v)1つ以上の溶離液の吸収プロファイルを求めるように構成された液体クロマトグラフィーシステムと組み合わせた紫外線(UV)検出器、からなる群から選択される、方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のイオン電流I1を求める工程は、
(i)以前に取得されたデータ又は質量スペクトルデータを用いる工程、
及び/又は、
(ii)以前に取得されたデータ又は質量スペクトルデータに基づき、前記イオン電流を推定する工程、
を含む、方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記求めた第1のイオン電流I1に基づいて減衰係数を算出する工程を備え、
前記減衰装置を制御する工程は、前記減衰装置から前方に送られるイオンビームを前記減衰係数で減衰するように前記減衰装置を設定する、方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の方法であって、
前記減衰装置が、(i)イオンビームを変化、偏向、フォーカス、デフォーカス、減衰、妨害、拡大、縮小、迂回、反射させるように構成された静電レンズ、及び/又は、(ii)イオンビームを変化、偏向、フォーカス、デフォーカス、減衰、妨害、拡大、縮小、迂回、反射させるように構成された1つ以上の電極、ロッドセット又はイオン光学装置を備える、方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の方法であって、
前記減衰装置を制御する工程は、低透過動作モードと高透過動作モードとの間で前記減衰装置を繰り返し切り替え、
前記減衰装置は、時間ΔT1にわたって前記低透過動作モードに保持され、時間ΔT2にわたって前記高透過動作モードに保持され、前記減衰装置のデューティ・サイクルがΔT2/(ΔT1+ΔT2)である、方法。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の方法であって、さらに、
第2のイオン電流I2を求める工程と、
前記求めた第2のイオン電流I2に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第2の異なるレベルに設定する工程と、
前記求めた第2のイオン電流I2と実質的に独立な第2の一定時間T2にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記時間T1は前記時間T2に等しい、又は、ほぼ等しい、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、さらに、
第3のイオン電流I3を求める工程と、
前記求めた第3のイオン電流I3に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第3の異なるレベルに設定する工程と、
前記求めた第3のイオン電流I3と実質的に独立な第3の一定時間T3にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記時間T1は前記時間T2に等しい、又は、ほぼ等しく、
前記時間T2は前記時間T3に等しい、又は、ほぼ等しい、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、さらに、
第4のイオン電流I4を求める工程と、
前記求めた第4のイオン電流I 4 に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第4の異なるレベルに設定する工程と、
前記求めた第4のイオン電流I4と実質的に独立な第4の一定時間T4にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させる工程と、を備え、
前記時間T1は前記時間T2に等しい、又は、ほぼ等しく、
前記時間T2は前記時間T3に等しい、又は、ほぼ等しく、
前記時間T3は前記時間T4に等しい、又は、ほぼ等しい、方法。 - 請求項1〜11のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記減衰装置の上流側及び/又は下流側に、イオン蓄積装置又はイオントラップを配置する工程を備える、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップが、第1の上流側イオン蓄積領域と第2の下流側イオン蓄積領域とを備え、動作モードにおいて、(i)前記第1の上流側イオン蓄積領域の入口側に配置された電極に直流(DC)又はRF(高周波)ポテンシャル障壁を印加して、前記イオン蓄積装置又はイオントラップへのこれ以上のイオンの入射を防ぐ、及び/又は、(ii)前記第1の上流側イオン蓄積領域と前記第2の下流側イオン蓄積領域との間に配置される電極に直流又はRFポテンシャル障壁を印加して、前記第1の上流側イオン蓄積領域から前記第2の下流側イオン蓄積領域へのイオンの移動を防ぐ、及び/又は、(iii)前記第2の下流側イオン蓄積領域の出口に配置された電極に直流又はRFポテンシャル障壁を印加して、前記イオン蓄積装置又はイオントラップからのイオンの出射を防ぐ、方法。 - 請求項12又は13に記載の方法であって、
前記イオン蓄積装置又はイオントラップにイオンが蓄積された後、前記イオン蓄積装置又はイオントラップを作動させて、不要な質量又は質量対電荷比を有する少なくとも一部のイオンを、質量選択的に、又は、質量対電荷比選択的に、除去又は減衰する、方法。 - 請求項12〜14のいずれか一項に記載の方法であって、
質量選択的に、又は、質量対電荷比選択的に、前記イオン蓄積装置又はイオントラップからイオンを放出させる、又は、前方にイオンを送り出す、方法。 - 質量分析計であって、
減衰装置と、
前記減衰装置の下流側に配置されるイオントラップと、
制御システムと、を備え、
前記制御システムが、
(i)第1のイオン電流I1 と、前記イオントラップ内に蓄積される所望のイオン数と求め、
(ii)前記求めた第1のイオン電流I1に基づき前記減衰装置を制御して、前記減衰装置を透過し前記イオントラップに移動されたイオンの強度を第1のレベルに設定し、
(iii)前記求めた第1のイオン電流I1と実質的に独立な第1の一定時間T1にわたって、前記イオントラップ内にイオンを蓄積させ、
(iv)前記減衰装置に入射されたイオンビームを減衰させて前記所望のイオン数のイオンが前記イオントラップに蓄積されるように前記減衰装置を制御する、
ように構成されている、質量分析計。 - 請求項16に記載の質量分析計であって、
使用時に、前記減衰装置は、低透過動作モードと高透過動作モードとの間で繰り返し切り替えられ、
前記減衰装置は、時間ΔT1にわたって前記低透過動作モードに保持され、時間ΔT2にわたって前記高透過動作モードに保持され、前記減衰装置のデューティ・サイクルがΔT2/(ΔT1+ΔT2)である、質量分析計。 - 請求項16又は17に記載の質量分析計であって、さらに、
前記減衰装置の上流側及び/又は下流側に配置されるイオン蓄積装置又はイオントラップを備える、質量分析計。
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