JP5617357B2 - センサデバイス及びその製造方法 - Google Patents
センサデバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5617357B2 JP5617357B2 JP2010130241A JP2010130241A JP5617357B2 JP 5617357 B2 JP5617357 B2 JP 5617357B2 JP 2010130241 A JP2010130241 A JP 2010130241A JP 2010130241 A JP2010130241 A JP 2010130241A JP 5617357 B2 JP5617357 B2 JP 5617357B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- sensor device
- wiring
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 49
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- -1 naphthoquinonediazide compound Chemical class 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
Description
を含むこと特徴とするセンサデバイスの製造方法が提供される。
以下、本実施形態1の可動部を有するMEMS素子を具備するセンサデバイスについて説明する。本実施形態1において、可動部を有するMEMS素子としてRFスイッチを例示する。図1Aは、本発明の実施形態1に係るセンサデバイス100の平面図であり、図1Bは、図1AのA−A´に沿った断面図である。
以下、図5乃至図8を参照して、本発明の実施形態2の可動部を有するMEMS素子を具備する別のセンサデバイスについて説明する。本実施形態2において、可動部を有するMEMS素子としてピエゾ抵抗素子を用いた3軸の加速度センサを例示する。
以下、本実施形態3の可動部を有するMEMS素子を具備するMEMSマイクロホンについて説明する。本実施形態3において、可動部を有するMEMS素子として音叉を用いたシリコンマイクを例示する。
101 基板
102 RFスイッチ
103 カンチレバー
104 GND電極
106 駆動電極
108 支持部
110 封止蓋
112a〜112c 信号配線
114a〜114c 外部接続端子
Claims (15)
- 第1基板と、
前記第1基板上に配置され、可動部を有するMEMS素子と、
前記MEMS素子の前記可動部の周辺に非連続に配置された、樹脂を含む複数の第1支持部と、
前記第1支持部に固定されて少なくとも前記可動部を覆う第2基板と、
前記第1支持部よりも外側に配置された第1端子と、
前記第1端子に電気的に接続されて、前記可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第1配線と、
を具備し、
前記第1配線は、互いに隣接した前記第1支持部の間の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 - 前記第2基板は、有機材料を含むフィルムであることを特徴とする請求項1に記載のセンサデバイス。
- 前記第1支持部の熱膨張係数と前記第2基板の熱膨張係数との差は、±5ppm/℃以内であることを特徴とする請求項1に記載のセンサデバイス。
- 前記第1基板上に配置されて、前記MEMS素子の周辺に非連続に配置された、樹脂を含む複数の第2支持部と、
前記第2支持部に固定されて前記MEMS素子全体を覆う第3基板と、
前記第2支持部よりも内側に配置された第2端子と、
前記第2支持部よりも外側に配置された第3端子と、
前記第1端子と前記第2端子とを接続する第2配線と、
前記第2端子と前記第3端子とを接続する第3配線と、
をさらに具備し、
前記第3配線は、互いに隣接した前記第2支持部の間の非連続な部位を通ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のセンサデバイス。 - 前記第3基板は、有機材料を含むフィルムであることを特徴とする請求項4に記載のセンサデバイス。
- 前記第2支持部の熱膨張係数と前記第3基板の熱膨張係数との差は、±5ppm/℃以内であることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のセンサデバイス。
- 第1基板と、
前記第1基板上に配置され、可動部を有するMEMS素子と、
前記第1基板上に前記MEMS素子と並んで配置されるICと、
前記MEMS素子と前記ICとを接続し、前記MEMS素子の前記可動部の変位に基づき電気信号を取り出して前記ICに伝達する第1配線と、
前記MEMS素子と前記ICとの周辺に非連続に配置された、樹脂を含む複数の第1支持部と、
前記第1支持部に固定されて前記MEMS素子と前記ICとを覆う第2基板と、
前記第1支持部よりも外側に配置された第1端子と、
前記ICと前記第1端子とを接続し、前記ICからの電気信号を外部素子に伝達する第2配線と、
を具備し、
前記第2配線は、互いに隣接した前記第1支持部の間の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 - 前記第2基板は、有機材料を含むフィルムであることを特徴とする請求項7に記載のセンサデバイス。
- 前記第1支持部の熱膨張係数と前記第2基板の熱膨張係数との差は、±5ppm/℃以内であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載のセンサデバイス。
- 可動部と前記可動部の変位に基づき電気信号を取り出す配線とを有する複数のMEMS素子を第1基板上に形成し、
前記配線と重畳しないように前記複数のMEMS素子の各々の前記可動部の周辺に樹脂を含む複数の第1支持部を非連続に形成し、
前記第1基板全体を覆う第2基板を前記複数のMEMS素子の各々の前記可動部の周辺に非連続に形成された前記複数の第1支持部と固定させ、
前記複数のMEMS素子の各々の前記可動部を覆う部分を除く前記第2基板の一部を前記第1基板上から除去し、
前記複数のMEMS素子の各々を個片化すること、
を含むこと特徴とするセンサデバイスの製造方法。 - 前記第1支持部は、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はフォトリソ法のいずれかの方法で配置されることを特徴とする請求項10に記載のセンサデバイスの製造方法。
- 前記第2基板は、前記第1支持部と熱圧着で接着されて固定されることを特徴とする請求項10に記載のセンサデバイスの製造方法。
- 可動部と前記可動部の変位に基づき電気信号を取り出す第1配線と前記第1配線と電気的に接続された第1端子とを有する複数のMEMS素子を第2端子、第3端子及び前記第2端子と前記第3端子とを接続する第2配線が形成された第1基板上に配置し、
前記第1配線と重畳しないように前記複数のMEMS素子の各々の前記可動部の周辺に樹脂を含む複数の第1支持部を非連続に形成し、
前記第1基板全体を覆う第2基板を前記複数のMEMS素子の各々の前記可動部の周辺に非連続に配置された前記複数の第1支持部と固定させ、
前記複数のMEMS素子の各々の前記可動部を覆う部分を除く前記第2基板の一部を前記第1基板上から除去し、
前記第1端子と前記第2端子とを接続する第3配線を形成し、
前記複数のMEMS素子の各々の周辺の前記第1基板上に、前記第2配線と重畳しないように樹脂を含む複数の第2支持部を非連続に形成し、
前記第1基板全体を覆う第3基板を前記複数のMEMS素子の各々の周辺に非連続に形成された前記複数の第2支持部と固定させ、
前記複数のMEMS素子の各々を覆う部分を除く前記第3基板の一部を前記第1基板上から除去し、
前記複数のMEMS素子の各々を個片化すること、
を含むこと特徴とするセンサデバイスの製造方法。 - 前記第1支持部及び前記第2支持部は、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はフォトリソ法のいずれかの方法で配置されることを特徴とする請求項13に記載のセンサデバイスの製造方法。
- 前記第2基板及び前記第3基板は、前記第1支持部及び前記第2支持部とそれぞれ熱圧着で接着されて固定されることを特徴とする請求項13に記載のセンサデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130241A JP5617357B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | センサデバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130241A JP5617357B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | センサデバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011255435A JP2011255435A (ja) | 2011-12-22 |
JP5617357B2 true JP5617357B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=45472188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010130241A Expired - Fee Related JP5617357B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | センサデバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5617357B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5951454B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-07-13 | 株式会社東芝 | マイクロフォンパッケージ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2533272B2 (ja) * | 1992-11-17 | 1996-09-11 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2009005077A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Yamaha Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5076843B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2012-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイス、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
JP2009160674A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Yamaha Corp | Mems製造方法およびmems |
JP2009295900A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 封止構造の製造方法 |
-
2010
- 2010-06-07 JP JP2010130241A patent/JP5617357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011255435A (ja) | 2011-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI578411B (zh) | 晶片封裝體的製造方法 | |
JP4769353B2 (ja) | コンポーネントを製造する方法 | |
TW201729365A (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
WO2008018524A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP5610177B2 (ja) | 機能デバイス及びその製造方法 | |
US20160297675A1 (en) | Semiconductor device, and method of manufacturing device | |
KR101048085B1 (ko) | 기능성 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
US20190207582A1 (en) | 3d printing of protective shell structures for stress sensitive circuits | |
US8975106B2 (en) | Chip package and method for forming the same | |
JP2007214441A (ja) | 複合センサーパッケージ | |
US9034681B2 (en) | Chip package and method for forming the same | |
JP4675945B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW201810607A (zh) | 晶片封裝體與其製造方法 | |
JP5617357B2 (ja) | センサデバイス及びその製造方法 | |
JP2010073919A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5139032B2 (ja) | 微細構造体及びその製造方法 | |
JP2014205235A (ja) | 機能デバイス | |
TWI564975B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
US10654710B2 (en) | Semiconductor apparatus having flexible connecting members and method for manufacturing the same | |
JP6773089B2 (ja) | デバイス | |
US8487443B2 (en) | Semiconductor structure, manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor device | |
TWI643325B (zh) | 影像感測器及其製造方法 | |
JP4984481B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5955024B2 (ja) | Memsモジュール及びその製造方法 | |
TWI549202B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5617357 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |